KR20150141893A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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KR20150141893A
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히로미츠 야마구치
요시카즈 미야지마
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 복수의 오리피스를 포함하며, 각 오리피스로부터 상기 임프린트재를 토출함으로써 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛, 및 상기 임프린트재의, 상기 기판 상에서의 배치를 나타내는 배치 정보에 따라 각 오리피스로부터의 상기 임프린트재의 토출을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은, 각 오리피스로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 이상 체적과 상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되는 임프린트재의 토출수와의 곱이 상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급되는 상기 임프린트재의 총량에 근접하도록 상기 배치 정보를 갱신하는, 임프린트 장치를 제공한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
기판 상의 임프린트재를 몰드를 사용해서 성형하는 임프린트 장치가, 반도체 디바이스 등의 양산을 위한 리소그래피 장치 중 하나로서 주목받고 있다. 임프린트 장치는, 임프린트재의 액적을 기판을 향해 토출하는 복수의 노즐을 포함한다. 임프린트 장치는, 기판 상에 공급되어야 하는 액적의 기판 상에서의 배치를 나타내는 맵을 따라 각 노즐로부터의 액적의 토출을 제어함으로써, 기판 상에 임프린트재를 공급한다.
임프린트 장치에서는, 노즐의 제조 편차 등에 의해, 각 노즐로부터 실제로 토출되는 각 액적의 체적이 이상 체적(목표 체적)과 상이할 수 있다. 이 경우, 몰드에 의해 성형된 후의 임프린트재의 두께가 허용 범위에 들어가지 않을 수 있다. 일본 특허 공개 제2013-65624호 공보에는, 각 노즐로부터 액적으로서 토출되는 임프린트재의 토출량을 개별적으로 조정할 수 있는 임프린트 장치가 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2013-65624호 공보에 기재된 임프린트 장치에서는, 각 노즐에서 토출되는 각 액적의 체적이 이상 체적이 되도록 각 노즐의 구동 전압이 개별적으로 제어된다. 그러나, 이 경우, 각 노즐을 제어하기 위한 회로 구성, 및 임프린트재를 기판 상에 공급할 때의 각 노즐의 제어가 복잡해질 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 기판 상에 목표량의 임프린트재를 공급하는 데 있어서 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 상기 임프린트재를 상기 기판을 향해 토출하는 복수의 오리피스를 포함하고, 각 오리피스로부터 상기 임프린트재를 토출함으로써 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛; 및 상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되어야 하는 상기 임프린트재의, 상기 기판 상에서의 배치를 나타내는 배치 정보에 따라 각 오리피스로부터의 상기 임프린트재의 토출을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은, 상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 총량에 관한 정보에 기초하여, 각 오리피스로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 이상 체적과 상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되는 임프린트재의 토출수와의 곱이 상기 정보에서의 상기 임프린트재의 총량에 근접하도록 상기 배치 정보를 갱신하는, 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 추가의 특징은 첨부된 도면을 참조로 하는 예시적인 실시형태의 하기 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치를 도시한 개략도.
도 2는, 맵을 작성하는 방법을 나타낸 흐름도.
도 3은, 공급량 분포의 일례를 나타낸 도면.
도 4는, 공급량 분포에 기초하여 작성된 맵을 도시한 도면.
도 5는, 제1 실시형태에 따른 임프린트 처리를 나타낸 흐름도.
도 6은, 제1 실시형태에 따른 맵의 갱신에 관한 흐름도.
도 7은, 임프린트재의 두께 분포를 도시한 도면.
도 8은, 보정 분포를 도시한 도면.
도 9는, 새로이 작성된 맵을 도시한 도면.
도 10은, 제2 실시형태에 따른 맵의 갱신에 관한 흐름도.
도 11은, 제1 몰드 및 제2 몰드를 도시한 도면.
본 발명의 예시적인 실시형태를 첨부된 도면을 참조로 하여 이하에 설명할 것이다. 도면에서 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내고, 그에 대한 각각의 설명은 제공되지 않는다는 점에 유의한다.
<제1 실시형태>
본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에 대해서 설명할 것이다. 임프린트 장치(100)는, 반도체 디바이스 등의 제조에 사용되며, 몰드(1)를 사용해서 기판 상의 임프린트재(6)를 성형하는 임프린트 처리를 행한다. 예를 들어, 임프린트 장치(100)는, 요철 패턴이 형성된 몰드(1)를 기판 상의 임프린트재(6)와 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재(6)를 경화시킨다. 그리고, 임프린트 장치(100)는, 몰드(1)와 기판(4) 사이의 간격을 넓히고, 경화된 임프린트재(6)로부터 몰드(1)를 분리(이형)시킴으로써 기판 상에 임프린트재(6)에 의해 형성된 패턴을 형성할 수 있다. 임프린트재(6)를 경화시키는 방법에는, 열을 사용하는 열 사이클법 및 광을 사용하는 광경화법이 포함된다. 제1 실시형태에서는, 광경화법을 채택하는 예에 대해서 설명할 것이다. 광경화법은, 임프린트재(6)로서 미경화된 자외선-경화 수지를 기판 상에 공급하고, 몰드(1)와 임프린트재(6)를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재(6)에 자외선을 조사함으로써 당해 임프린트재(6)를 경화시키는 방법이다. 여기에서는, 광으로서 자외선을 사용하는 경우에 대해서 설명할 것이다. 그러나, 다른 파장을 갖는 광을 사용할 수도 있다.
[임프린트 장치의 구성]
도 1은, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)를 도시한 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 몰드(1)를 보유 지지하는 몰드 스테이지(2), 기판(4)을 보유 지지하는 기판 스테이지(5), 및 기판 상의 임프린트재(6)에 광을 조사해서 당해 임프린트재(6)를 경화시키는 경화 유닛(3)을 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(100)는, 임프린트재(6)를 기판(4)에 공급하는 공급 유닛(7), 및 제어 유닛(8)을 포함할 수 있다. 제어 유닛(8)은, 예를 들어 CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 처리를 제어한다(임프린트 장치(100)의 각 유닛을 제어함).
몰드(1)는, 통상, 자외선을 투과시킬 수 있는 석영과 같은 재료로 제작된다. 몰드(1)의 기판 측의 표면 상의 일부의 영역(패턴 영역(1a))에는, 기판 상의 임프린트재(6)를 성형하기 위한 요철 패턴이 형성된다. 기판(4)으로서, 예를 들어 단결정 규소 기판, SOI(Silicon on Insulator) 기판 등이 사용될 수 있다. 기판(4)의 상부 표면(피처리 표면)에는, 후술하는 공급 유닛(7)에 의해 임프린트재(6)가 공급된다.
몰드 스테이지(2)는, 예를 들어 진공 흡인력 또는 정전기력에 의해 몰드(1)를 보유 지지하고, 몰드(1)의 패턴 영역(1a)과 기판 상의 임프린트재(6)를 서로 접촉시키거나 서로로부터 분리시키도록 몰드(1)를 Z 방향으로 구동한다. 몰드 스테이지(2)는, 몰드(1)를 Z 방향으로 구동하는 기능에 더하여, 몰드(1)의 위치를 X 및 Y 방향 및 θ 방향(Z축 둘레의 회전 방향)에서 조정하는 조정 기능, 몰드(1)의 기울기를 보정하는 틸트 기능 등을 가질 수 있다. 또한, 기판 스테이지(5)는, 예를 들어 진공 흡인력 또는 정전기력에 의해 기판(4)을 보유 지지하고, 기판(4)의 X 및 Y 방향에서의 위치 결정을 행한다. 기판 스테이지(5)는, 기판(4)을 X 및 Y 방향으로 이동시키는 기능에 더하여, 기판(4)을 Z 방향으로 이동시키는 기능, 기판(4)의 위치를 θ 방향에서 조정하는 조정 기능 등을 가질 수 있다. 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서는, 몰드(1)와 기판(4) 사이의 거리를 변화시키는 동작이 몰드 스테이지(2)에 의해 행해진다. 그러나, 본 발명은 그것에 한정되지 않고, 기판 스테이지(5)가 상기 동작을 행할 수도 있고, 또는 몰드 스테이지(2) 및 기판 스테이지(5) 둘 다가 상기 동작을 상대적으로 행할 수 있다.
경화 유닛(3)은, 임프린트 처리 시에, 기판 상에 공급된 임프린트재(6)에 광(자외선)을 조사함으로써, 당해 임프린트재(6)를 경화시킨다. 경화 유닛(3)은, 예를 들어 임프린트재(6)를 경화시키는 광(자외선)을 방출하는 광원을 포함한다. 경화 유닛(3)은 또한 광원으로부터 방출된 광을 임프린트 처리에 적합한 광으로 조정하기 위한 광학 소자를 포함할 수 있다. 제1 실시형태에서는 광경화법이 채택되고 있기 때문에, 자외선을 방출하는 광원이 사용된다. 그러나, 제1 실시형태가, 예를 들어 열경화법을 채택하는 경우에는, 임프린트재(6)로서 기능하는 열경화성 수지를 경화시키기 위한 열원이 광원 대신에 사용될 수 있다.
공급 유닛(7)은, 임프린트재(6)를 수용하는 탱크(7a), 및 탱크(7a)에 수용된 임프린트재(6)를 기판에 공급하는 디스펜서(7b)를 포함할 수 있다. 디스펜서(7b)는, 임프린트재(6)의 액적을 기판(4)을 향해 토출하는 복수의 노즐(7c)(오리피스)을 포함한다. 공급 유닛(7)은, 기판(4)과 공급 유닛(7)이 상대적으로 이동하고 있는 상태에서 각 노즐(7c)로부터 임프린트재(6)의 액적을 토출시킴으로써, 기판 상에 임프린트재(6)를 공급한다. 예를 들어, 복수의 노즐(7c)이 Y 방향을 따라 배열하고 있을 경우, 각 노즐(7c)로부터 임프린트재(6)의 액적을 기판(4)에 공급하는 단계는, 복수의 노즐(7c)의 배열 방향과 상이한 방향(예를 들어, X 방향)에서 기판(4)이 이동하고 있는 상태에서 행하여진다. 이때, 각 노즐(7c)로부터의 액적의 토출 또는 비-토출(토출 타이밍)은, 기판 상에 공급되어야 하는 임프린트재(6)의 액적의 배치를 나타내는 맵(배치 정보)을 따라 제어 유닛(8)에 의해 제어된다. 맵은, 몰드(1)의 패턴 영역(1a)에 형성된 요철 패턴의 설계 정보 및 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적에 기초하여 제어 유닛(8)에 의해 사전에 작성된다. 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적이란, 각 노즐(7c)에 제조 오차 또는 막힘(clogging) 등의 이상이 발생하지 않은 상태에서 각 노즐(7c)로부터 토출되어야 하는 각 액적의 체적을 나타낸다.
[맵의 작성 방법]
이제, 제어 유닛(8)이 맵을 작성하는 방법에 대해서 설명할 것이다. 도 2는, 각 노즐(7c)로부터의 임프린트재(6)의 액적 토출을 제어하기 위한 맵을 작성하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 단계(S21)에서, 제어 유닛(8)은, 패턴 설계 정보(패턴의 위치 및 오목부의 깊이를 나타내는 정보)에 기초하여, 몰드(1)에 형성된 요철 패턴에 필요한 임프린트재(6)의 공급량 분포(11)를 취득한다. 예를 들어, 제어 유닛(8)은, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적을 사용하여, 몰드(1)에 의해 요철 패턴으로 성형된 임프린트재(6)의 두께가 허용 범위에 속하게 하는 공급량 분포(11)를 취득한다. 임프린트재(6)의 두께는, 예를 들어 임프린트재(6)에 의해 형성된 요철 패턴의 각 오목부와 기판(4) 사이의 임프린트재(6)의 두께를 나타낸다는 점에 유의한다. 일반적으로, 이 두께는, 잔류 층 두께(residual layer thickness; RLT)라고 지칭된다. 잔류 층 두께 대신에, 기판 상에 형성된 임프린트재(6)의 패턴 높이가 사용될 수 있다. 도 3은, 몰드(1)에 형성된 패턴의 설계 정보에 기초해서 취득된 공급량 분포(11)의 일례를 나타내는 도이다. 도 3에서는, 공급량 분포(11)가, 색의 농담에 의한 다치 화상 데이터로 표현되어 있고, 색이 짙을수록 임프린트재(6)의 공급량이 많은 것을 나타낸다. 예를 들어, 도 3에 도시한 공급량 분포(11)에서, 각 영역(11a)은, 몰드 상의 패턴 영역(1a)에 대응하는 영역이며, 여기에 임프린트재(6)가 각 영역(11b)보다 더 다량으로 공급된다.
단계(S22)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S21)에서 취득한 공급량 분포(11)에 대하여 하프톤 처리에 의한 이치화를 행하고, 임프린트재(6)의 액적이 긍급되는 기판 상의 위치를 나타내는 맵을 작성한다. 하프톤 처리로서는, 예를 들어 오차 확산법이 사용될 수 있다. 도 4는, 공급량 분포(11)에 기초하여 작성된 맵(12)을 도시한 도면이며, 디스펜서(7b)에서의 복수의 노즐(7c)의 배열을 함께 나타내고 있다. 맵(12)은, Y 방향에서의 복수의 화소 및 디스펜서(7b)에서의 복수의 노즐(7c)이 동일한 수를 갖도록 작성될 수 있다. 단계(S22)에서 작성되는 맵(12)은, 기판 상에서의 1개의 샷 영역에 공급되어야 하는 임프린트재(6)의 액적 배치를 나타낸다는 점에 유의한다. 샷 영역이란, 1회의 임프린트 처리에 의해 몰드(1)의 패턴이 전사되는 기판 상의 영역이다. 또한, 도 4에 도시한 맵(12)에서, 각각의 흑색 화소(12a)는 임프린트재(6)의 액적이 공급되어야 하는 샷 영역 상의 위치를 나타내고, 각각의 백색 화소(12b)는 임프린트재(6)의 액적이 공급되지 않는 샷 영역 상의 위치를 나타낸다. 단계(S23)에서, 제어 유닛(8)은 단계(S22)에서 작성된 맵을 저장한다.
제어 유닛(8)은, 위에서 기술된 바와 같이 작성된 맵에 따라, 기판(4)과 공급 유닛(7)을 X 방향에서 상대적으로 이동시키면서, 각 노즐(7c)로부터의 액적의 토출을 제어한다. 그러나, 임프린트 장치(100)에서는, 노즐의 제조 편차 등으로 인해, 각 노즐(7c)로부터 실제로 토출되는 각 액적의 체적이 이상 체적과 상이할 수 있다. 이 경우, 상술한 방법에 의해 작성된 맵을 사용해서 각 노즐(7c)의 토출을 제어하면, 공급 유닛(7)에 의해 기판 상에 실제로 공급된 임프린트재(6)의 총량이, 임프린트재(6)의 두께를 목표 두께로 만들기 위해 필요한 임프린트재(6)의 총량과 상이할 수 있다. 그 결과, 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 두께가 목표 두께에 근접하는 것이 어려워질 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)는, 맵을 따라서 기판 상에 실제로 공급된 임프린트재(6)의 총량에 관한 정보를 취득한다. 그리고, 임프린트 장치(100)는, 각 노즐(7c)로부터 1회의 토출에서 토출되는 각 액적(임프린트재)의 이상 체적 및 공급 유닛(7)으로부터 기판 상에 공급되는 액적의 수(토출수)와의 곱이, 당해 정보에서의 임프린트재(6)의 총량에 근접하도록 당해 맵을 갱신한다. 이하에, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명할 것이다.
[임프린트 처리]
도 5는, 제1 실시형태에 따른 임프린트 처리를 나타내는 흐름도이다. 단계(S51)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)를 몰드 스테이지(2) 밑의 위치에 반송하도록 몰드 반송 기구(도시하지 않음)를 제어하고, 몰드(1)를 보유 지지하도록 몰드 스테이지(2)를 제어한다. 몰드(1)(패턴 영역(1a))에는, 상술한 바와 같이, 설계 정보에 따른 요철 패턴이 형성되어 있고, 몰드(1)에 형성된 패턴을 식별하기 위한 개별 ID가 설정되어 있다. 제어 유닛(8)은, 판독 기구(도시하지 않음)에 몰드(1)의 개별 ID를 판독시켜, 그 개별 ID를 취득한다. 단계(S52)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S51)에서 취득한 몰드(1)의 개별 ID에 기초하여, 디스펜서(7b)의 복수의 노즐(7c)의 각각을 제어하기 위한 맵을 취득한다. 맵은, 몰드(1)에 형성된 요철 패턴의 설계 정보에 기초하여 미리 작성될 수 있고, 또는 개별 ID로부터의 패턴의 설계 정보를 판독함으로써 추후에 작성될 수도 있다. 단계(S53)에서, 제어 유닛(8)은, 기판(4)을 기판 스테이지(5) 위의 위치로 반송하도록 기판 반송 기구(도시하지 않음)를 제어하고, 기판(4)을 보유 지지하도록 기판 스테이지(5)를 제어한다. 이에 의해, 기판(4)이 임프린트 장치 내에 배치된다.
단계(S54)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)의 패턴이 전사되는 목표 샷 영역에 임프린트재(6)를 공급하도록 공급 유닛(7)을 제어한다. 예를 들어, 제어 유닛(8)은, 기판(4)을 X 방향에서 이동시키면서, 단계(S53)에서 취득한 맵을 따라서 각 노즐(7c)로부터의 액적의 토출을 제어한다. 단계(S55)에서, 제어 유닛(8)은, 기판 스테이지(5)을 제어함으로써, 임프린트재(6)가 공급된 샷 영역을 몰드(1)의 패턴 영역(1a) 밑에 배치시킨다. 그리고, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)와 기판(4) 사이의 거리가 짧아지도록 몰드 스테이지(2)를 제어함으로써, 몰드(1)와 기판 상의 임프린트재(6)를 서로 접촉시킨다. 단계(S56)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)와 임프린트재(6)가 서로 접촉하고 있는 상태에서, 몰드(1)와 기판(4)을 정렬시킨다. 예를 들어, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)에 제공된 마크와 기판(4)에 제공된 마크를 얼라인먼트 스코프(도시하지 않음)로 검지시켜, 검지된 몰드(1)의 마크와 기판(4)의 마크를 사용해서 몰드(1)와 기판(4)의 상대적 위치를 제어한다. 단계(S55) 및 단계(S56)에서, 기판 상의 임프린트재(6)를 몰드(1)의 패턴의 오목부에 충분히 충전시키기 위해서, 몰드(1)와 임프린트재(6)를 서로 접촉시킨 상태에서 미리 결정된 시간을 경과시킬 수 있다는 점에 유의한다.
단계(S57)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)와 접촉하고 있는 임프린트재(6)에 대하여 광(자외선)을 조사하도록 경화 유닛(3)을 제어하고, 이로써 당해 임프린트재(6)를 경화시킨다. 단계(S58)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)와 기판(4) 사이의 거리가 증가되도록 몰드 스테이지(2)를 제어함으로써, 몰드(1)를 임프린트재(6)로부터 분리(이형)시킨다. 단계(S59)에서, 제어 유닛(8)은, 기판 상에 계속해서 몰드(1)의 패턴이 전사되어야 하는 샷 영역(다음의 샷 영역)이 있는지의 여부를 결정한다. 다음 샷 영역이 있는 경우에는 프로세스를 단계(S54)로 진행한다. 다음 샷 영역이 없는 경우에는 프로세스를 단계(S60)로 진행한다. 단계(S60)에서, 제어 유닛(8)은, 기판(4)을 기판 스테이지(5)로부터 회수하도록 기판 반송 기구(도시하지 않음)를 제어한다. 단계(S61)에서, 제어 유닛(8)은, 맵을 갱신할지의 여부를 결정한다. 제어 유닛(8)이 맵을 갱신하는 것으로 결정한 경우에는 프로세스를 단계(S62)로 진행한다. 제어 유닛(8)이 맵을 갱신하지 않는 것으로 결정한 경우에는 프로세스를 단계(S63)로 진행한다. 제어 유닛(8)은, 예를 들어 몰드(1)의 패턴이 전사된 샷 영역 또는 기판(4)의 개수, 최종 맵 갱신 이후로의 경과 시간, 또는 디스펜서(7b)의 교환 시기를 고려해서 맵을 갱신할지의 여부를 결정할 수 있다. 특히, 제어 유닛(8)은, 디스펜서(7b)를 교환할 때 맵의 갱신을 결정할 수 있다. 또한, 제어 유닛(8)은, 몰드(1)를 사용해서 실제로 성형된 임프린트재(6)의 두께와 목표 두께 사이의 차이가 한계값 이상일 경우에 맵을 갱신하는 것으로 결정할 수 있다. 단계(S62)에서, 제어 유닛(8)은, 후술하는 바와 같이, 맵을 따라서 기판 상에 실제로 공급된 임프린트재(6)의 총량에 관한 정보에 기초하여 맵을 갱신한다. 예를 들어, 제어 유닛(8)은, 맵에서의 액적의 수를 변경함으로써 당해 맵을 갱신한다. 단계(S63)에서, 제어 유닛(8)은, 계속해서 몰드(1)의 패턴의 전사가 수행되어야 하는 기판(4)(다음 기판(4))이 있는지의 여부를 결정한다. 다음 기판(4)이 있는 경우에는 프로세스를 단계(S53)로 진행한다. 다음 기판이 없는 경우에는 임프린트 처리를 종료한다.
[맵의 갱신]
이제, 단계(S62)에서 수행되는 맵의 갱신에 대해서 설명할 것이다. 도 6은, 맵의 갱신에 관한 흐름도이다. 단계(S62-a1)에서, 제어 유닛(8)은, 맵을 따라서 기판 상에 실제로 공급된 임프린트재(6)의 체적에 관한 정보를 취득한다. 당해 정보는, 예를 들어 맵을 따라서 기판 상에 공급되어, 몰드(1)를 사용해서 성형된 후의 임프린트재(6)를 사용해서 취득될 수 있다. 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 총량(체적 V)은, 예를 들어 식 (1)에 의해 제공된다.
A = Sp × D + Sa × RLT ...(1)
상기 식에서, Sp는 몰드(1)의 요철 패턴에서의 오목부의 X 및 Y 방향에서의 면적을 나타내고, D는 몰드(1)의 요철 패턴에서의 오목부의 깊이를 나타내고, Sa는 몰드 상의 패턴 영역(1a)의 면적을 나타내고, RLT는 임프린트재(6)의 두께(잔류 층 두께)를 나타낸다. 즉, 제어 유닛(8)은, 당해 임프린트재(6)의 두께 및 몰드(1)의 요철 패턴의 설계 정보에 기초하여 당해 정보를 취득할 수 있다. 임프린트재(6)의 두께는, 예를 들어 임프린트 장치(100) 내에 제공된 계측 유닛(40), 또는 임프린트 장치(100)의 외부에 제공된 계측 장치에 의해 계측될 수 있다. 도 7은, 기판상(샷 영역상)에서의 복수의 개소의 각각에서 계측된 임프린트재(6)의 두께 분포(13)(잔류 층 두께 분포)를 도시한 도면이다. 도 7에서는, 각 개소에서의 임프린트재(6)의 두께가, 색의 농담에 의한 다치 화상 데이터에 의해 표현된다. 예를 들어, 도 7에서의 각 개소(13a)는 임프린트재(6)의 두께가 개소(13b)보다 얇은 개소를 나타낸다.
단계(S62-a2)에서, 제어 유닛은, 맵에서의 액적의 수를 보정하기 위한 보정 계수 α를 결정한다. 예를 들어, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적 Vd, 맵에서의 액적의 수 N 및 취득한 정보에서의 임프린트재(6)의 체적 A의 관계가, 보정 계수 α를 사용해서 식 (2)에 의해 제공될 수 있다.
Vd × N × α = Sp × D + Sa × RLT ...(2)
따라서, 제어 유닛(8)은 식 (2)를 만족시키는 보정 계수 α를 결정한다. 즉, 제어 유닛(8)은, 각 노즐(7c)로부터의 각 액적의 이상 체적 및 맵에서의 액적의 수를, 단계(S62-a1)에서 취득된 정보에서의 임프린트재의 총량으로부터 제함으로써 보정 계수 α를 결정한다. 각 노즐(7c)로부터 실제로 토출되는 각 액적의 체적과 이상 체적과의 사이에 차이가 발생하는 경우, 상기와 같이 결정된 보정 계수 α를 맵에서의 액적의 수 N에 곱하여 취득한 값이, 맵에서 필요한 액적의 수(필요수 N')가 될 것이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 두께가 각 개소에서 변하는 경우, 각 개소에 대해서 보정 계수 α를 취득할 수 있다. 이 경우, 맵에서의 액적의 수가 각 개소에 대해서 변경된다.
단계(S62-a3)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-a2)에서 결정된 보정 계수 α를 사용하여, 기판 상에 공급되는 액적의 배치를 나타내는 맵을 새로이 작성한다. 제어 유닛(8)은, 몰드(1)의 요철 패턴의 설계 정보에 기초해서 취득된 공급량 분포(11)에 보정 계수 α를 곱함으로써, 공급 유닛(7)에 의해 기판 상에 공급되는 임프린트재(6)의 양을 보정한 분포(보정 분포(14))를 작성한다. 도 8은, 보정 분포(14)의 예를 나타내는 도면이며, 색의 농담에 의한 다치 화상 데이터로 표현되고 있다. 도 8에 나타낸 보정 분포(14)에서, 각 영역(14a)은, 몰드 상의 패턴 영역(1a)에 대응하는 영역이며, 여기에는 임프린트재(6)가 영역(14b)보다 더 다량으로 공급된다. 또한, 도 8에 나타낸 보정 분포(14)의 예에서는, 도 3에 도시한 공급량 분포(11)보다 전체적으로 색이 짙으며, 임프린트재(6)의 공급량이 전체적으로 증가된다.
제어 유닛(8)은, 도 8에 나타낸 보정 분포(14)에 대하여 하프톤 처리에 의한 이치화를 행함으로써, 공급 유닛(7)으로부터 기판 상에 공급되는 액적의 수가 필요수 N'이 되도록 맵을 새로이 작성할 수 있다. 즉, 제어 유닛(8)은, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적과 공급 유닛(7)에 의해 기판 상에 공급되는 액적의 수와의 곱이, 단계(S62-a1)에서 취득한 정보에서의 임프린트재(6)의 총량에 근접하도록 맵을 작성할 수 있다. 도 9는, 새로이 작성된 맵(15)을 도시한 도면이다. 도 9에 나타낸 맵(15)에서, 각각의 흑색 화소(15a)는 임프린트재(6)의 액적이 공급되어야 하는 샷 영역 상의 위치를 나타내고, 각각의 백색 화소(15b)는 임프린트재(6)의 액적이 공급되지 않는 샷 영역 상의 위치를 나타낸다. 도 9에 나타낸 새로운 맵(15)에서는, 도 4에 나타낸 맵(12)과 비교할 때 액적의 수가 변경된 것으로 확인된다. 단계(S62-a4)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-a3)에서 새로이 작성된 맵을 저장하고, 맵을 갱신한다.
상술한 단계에 의해 결정된 보정 계수 α는, 보정 계수 α를 결정하는 데 사용된 맵과 다른 맵(제4 맵)을 작성할 때에도 사용될 수 있다. 이 경우, 제어 유닛(8)은, 제4 맵에서의 액적의 수가, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 액적의 이상 체적과 몰드의 요철 패턴의 설계 정보에 기초하여 취득되는 액적의 수에 보정 계수 α를 곱함으로써 취득되는 수가 되도록 당해 제4 맵을 작성한다. 이와 같이, 제4 맵을 작성함으로써, 제4 맵을 따라 기판 상에 공급되어, 몰드를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 두께를 목표 두께에 근접시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)는, 맵에서의 액적의 수를 보정하기 위한 보정 계수 α를 결정한다. 그리고, 임프린트 장치(100)는, 결정된 보정 계수 α를 사용하여, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적과 공급 유닛(7)으로부터 기판 상에 공급되는 액적의 수와의 곱이, 당해 정보에서의 임프린트재(6)의 총량에 근접하도록 당해 맵을 갱신한다. 이에 의해, 임프린트 장치(100)는, 각 노즐(7c)로부터 실제로 토출되는 액적의 체적이 이상 체적과 다른 경우에도, 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께를 목표 두께에 근접시킬 수 있다.
<제2 실시형태>
본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명할 것이다. 제1 실시형태에서는, 1개의 맵을 따라 기판 상에 실제로 공급된 임프린트재(6)의 총량에 관한 정보에 기초하여 보정 계수 α를 취득하는 예에 대해서 설명했다. 이 보정 계수 α를 보다 정확하게 취득하기 위해, 서로 상이한 복수의 조건에서 취득된 복수의 정보를 사용할 수 있다. 복수의 정보는, 예를 들어 복수의 맵의 각각을 따라 기판 상에 공급된 임프린트재의 총량을 취득하는 것에 의해 취득될 수 있다. 제2 실시형태에서는, 복수의 맵의 각각을 따라 기판 상에 공급되어, 각 맵에 대응하는 몰드를 사용해서 성형된 임프린트재의 총량(체적)을 취득하는 것에 의해 취득된 복수의 정보에 기초하여 보정 계수 α1을 취득하는 예에 대해서 설명할 것이다. 이하의 설명에서는, 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치에서의 맵의 갱신에 대해서 설명할 것이다. 또한, 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)와 동일한 장치 구성을 갖기 때문에, 여기서는 장치 구성에 관한 설명을 생략할 것이다.
[맵의 갱신]
제2 실시형태에 따른 임프린트 장치에서 수행되는 맵의 갱신(단계(S62))에 대해서 설명할 것이다. 도 10은, 제2 실시형태에 따른 맵의 갱신에 관한 흐름도이다.
단계(S62-b1)에서, 제어 유닛(8)은, 맵의 갱신에 사용되는 몰드를 보유 지지하도록 몰드 스테이지(2)를 제어한다. 단계(S62-b2)에서, 제어 유닛(8)은, 기판(예를 들어, 더미 기판)을 보유 지지하도록 기판 스테이지를 제어한다. 단계(S62-b3)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드의 패턴이 전사되는 기판 상의 영역에, 맵을 따라 임프린트재를 공급하도록 공급 유닛(7)을 제어한다. 단계(S62-b1)에서 몰드 스테이지(2)에 의해 보유 지지된 몰드에 대해, 도 2의 흐름도를 실행함으로써 작성된 맵을 사용할 수 있다. 단계(S62-b4)에서, 제어 유닛(8)은, 임프린트재가 공급된 기판 상의 영역을 몰드의 패턴 영역 밑에 배치시켜, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨다. 단계(S62-b5)에서, 제어 유닛(8)은, 몰드와 접촉시킨 임프린트재에 대하여 광(자외선)을 조사하도록 경화 유닛(3)을 제어하여, 당해 임프린트재를 경화시킨다.
단계(S62-b6)에서, 제어 유닛(8)은, 경화된 임프린트재(6)로부터 몰드를 분리(이형)시킨다. 단계(S62-b7)에서, 제어 유닛(8)은, 요철 패턴으로 성형된 임프린트재의 두께를 계측 유닛(40)에 의해 계측하게 하고, 공급 유닛(7)에 의해 기판 상에 실제로 공급된 임프린트재의 총량에 관한 정보를 취득한다. 여기에서는, 임프린트재의 두께가, 임프린트 장치 내에서의 계측 유닛(40)에 의해 계측된다. 하지만, 임프린트 장치의 외부에 제공된 계측 장치 등에 의해 두께를 계측할 수 있다. 단계(S62-b8)에서, 제어 유닛(8)은, 임프린트재의 총량에 관한 정보의 수가 미리 결정된 수에 도달했는지의 여부를 결정한다. 정보의 수가 미리 결정된 수에 도달한 경우에는 프로세스를 단계(S62-b9)로 진행한다. 한편, 정보의 수가 미리 결정된 수에 달하지 않은 경우에는 프로세스를 단계(S62-b1)로 진행하여, 정보의 취득에 사용된 몰드와 다른 몰드를 사용해서 정보의 취득을 개시한다.
단계(S62-b9)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b1) 내지 단계(S62-b7)를 반복함으로써 취득된 복수의 정보에 기초하여 보정 계수 α1을 결정한다. 예를 들어, 제1 몰드(1') 및 제2 몰드(1")를 포함하는 복수의 몰드를 사용해서 보정 계수 α1을 취득할 경우를 상정한다. 도 11은, 제1 몰드(1') 및 제2 몰드(1")를 도시한 도면이다. 제1 몰드(1') 및 제2 몰드(1")는, 도 11에 도시한 바와 같이, 요철 패턴에서의 오목부의 깊이가 서로 상이하도록 형성된다. 이 경우, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b7)에서, 제1 맵(제1 배치 정보)을 따라 기판 상에 공급되어 제1 몰드(1')를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께에 기초하여 제1 공급 정보를 취득할 수 있다. 제1 맵은, 제1 몰드(1')에 대해서 도 2의 흐름도를 실행함으로써 작성될 수 있다. 이때, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 액적의 이상 체적 Vd, 제1 맵에서의 액적의 수 N1 및 제1 공급 정보에서의 임프린트재의 총량 사이에서의 관계가, 보정 계수 α1을 사용해서 식 (3)에 의해 제공될 수 있다.
Vd × N1 × α1 = Sp × D1 + Sa × RLT1 ...(3)
상기 식에서, Sp는 몰드(제1 몰드(1') 또는 제2 몰드(1"))에 형성된 패턴에서의 오목부의 X 및 Y 방향에서의 면적을 나타내고, D1은 제1 몰드에 형성된 패턴에서의 오목부의 깊이를 나타내고, Sa는 몰드 상의 패턴 영역의 면적을 나타내고, RLT1은 제1 몰드(1')를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 두께(잔류 층 두께)를 나타낸다. 식 (3)에서의 우변은 제1 공급 정보에서의 임프린트재의 총량을 나타내고, 제1 몰드(1')의 패턴 설계 정보 및 제1 몰드(1')를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께에 기초하여 산출된다.
또한, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b7)에서, 제2 맵(제2 배치 정보)을 따라서 기판 상에 공급되어 제2 몰드(1")를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께에 기초하여 제2 공급 정보를 취득할 수 있다. 제2 맵은, 제2 몰드(1")에 대해서 도 2의 흐름도를 실행함으로써 작성될 수 있다. 이때, 각 노즐로부터 토출되는 액적의 이상 체적, 제2 맵에서의 액적의 수 및 제2 공급 정보에서의 임프린트재의 총량 사이의 관계가, 보정 계수 α1을 사용해서 식 (4)에 의해 제공될 수 있다.
Vd × N2 × α1 = Sp × D2 + Sa × RLT2 ...(4)
상기 식에서, N2는 제2 맵에서의 액적의 수를 나타내고, D2는 제2 몰드(1")에 형성된 요철 패턴에서의 오목부의 깊이를 나타내고, RLT2는 제2 몰드(1")를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 두께(잔류 층 두께)를 나타낸다. 식 (4)에서의 우변은 제2 공급 정보에서의 임프린트재의 체적을 나타내고, 제2 몰드(1")의 패턴의 설계 정보 및 제2 몰드(1")를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께에 기초하여 산출된다. 그리고, 제어 유닛(8)은, 식 (3) 및 식 (4)를 사용함으로써, 보정 계수 α1을 결정할 수 있다.
단계(S62-b10)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b9)에서 결정된 보정 계수 α1을 사용하여, 기판 상에 공급되는 임프린트재의 액적 배치를 나타내는 맵을 새로이 작성한다. 단계(S62-b10)는, 상술한 단계(S62-a3)와 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략할 것이다. 단계(S62-b11)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b10)에서 새로이 작성된 맵을 저장하고, 맵을 갱신한다.
상술한 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 복수의 맵의 각각을 따라 기판 상에 공급된 임프린트재의 총량을 취득하는 것에 의해 취득된 복수의 정보를 사용해서 보정 계수 α1을 취득한다. 그리고, 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 보정 계수 α1을 사용해서 새로운 맵을 작성함으로써 맵을 갱신한다. 이렇게 복수의 정보를 사용해서 보정 계수 α1을 취득하고, 맵을 갱신함으로써, 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께를 목표 두께에 훨씬 더 가깝게 근접시킬 수 있다. 제2 실시형태에서는, 2개의 몰드(제1 몰드(1') 및 제2 몰드(1"))를 사용해서 맵의 갱신을 수행하는 예에 대해서 설명하였다. 하지만, 몰드의 개수는 2개에 한정되지 않고, 3개 이상일 수도 있다. 또한, 맵의 갱신에 사용되는 복수의 몰드는, 도 5의 흐름도에서의 단계(S51) 내지 단계(S60)에서 사용된 몰드(1)를 포함할 수 있다. 이 경우, 당해 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 총량에 관한 정보가, 복수의 정보 중 하나로서 사용될 수 있다.
<제3 실시형태>
본 발명의 제3 실시형태에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명할 것이다. 제3 실시형태에서는, 복수의 맵의 각각을 따라 기판 상에 공급된 임프린트재의 체적을 취득하는 것에 의해 취득된 복수의 정보에 기초하여 보정 계수 α2를 취득하는 예에 대해서 설명할 것이다. 제2 실시형태에서는 복수의 몰드를 사용해서 복수의 정보를 취득하였다. 그러나, 제3 실시형태에서는 1개의 몰드(제3 몰드)를 사용해서 복수의 정보를 취득한다. 이하에, 제3 실시형태에 따른 맵의 갱신에 대해서 설명할 것이다. 제3 실시형태에 따른 맵의 갱신은, 도 10에 도시한 흐름도에 따라 수행되지만, 단계(S62-b9)가 제2 실시형태에 따른 맵의 갱신에서와 상이하다.
단계(S62-b9)에서, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b1) 내지 단계(S62-b7)를 반복하는 것에 의해 취득된 복수의 정보에 기초하여 보정 계수 α2를 취득한다. 예를 들어, 1개의 몰드(제3 몰드)에 대하여 제1 맵 및 제2 맵을 포함하는 복수의 맵을 사용해서 보정 계수 α2를 취득하는 경우를 상정한다. 제1 맵 및 제2 맵은 상이한 수의 액적을 가질 수 있다는 점에 유의한다. 이 경우, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b7)에서, 제1 맵을 따라서 기판 상에 공급되어 제3 몰드를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께에 기초하여 제1 공급 정보를 취득할 수 있다. 이때, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적 Vd, 제1 맵에서의 액적의 수 N1 및 제1 공급 정보에서의 임프린트재의 총량 사이의 관계가, 보정 계수 α2를 사용해서 식 (5)에 의해 제공될 수 있다.
Vd × N1 × α2 = Sp × D + Sa × RLT1 ...(5)
상기 식에서, Sp는 제3 몰드에 형성된 패턴에서의 오목부의 X 및 Y 방향에서의 면적을 나타내고, D는 제3 몰드에 형성된 패턴에서의 오목부의 깊이를 나타내고, Sa는 몰드 상의 패턴 영역의 면적을 나타내고, RLT1은 제1 맵을 사용했을 때의 임프린트재(6)의 두께(잔류 층 두께)를 나타낸다. 식 (5)에서의 우변은 제1 공급 정보에서의 임프린트재의 총량을 나타내고, 제3 몰드의 패턴 설계 정보 및 제1 맵을 사용했을 때의 임프린트재 두께에 기초하여 산출된다.
또한, 제어 유닛(8)은, 단계(S62-b7)에서, 제2 맵을 따라 기판 상에 공급되어 제3 몰드를 사용해서 성형된 임프린트재의 두께에 기초하여 제2 공급 정보를 취득할 수 있다. 이때, 각 노즐(7c)로부터 토출되는 각 액적의 이상 체적 Vd, 제2 맵에서의 액적의 수 N2 및 제2 공급 정보에서의 임프린트재의 총량 사이의 관계가, 보정 계수 α2를 사용해서 식 (6)에 의해 제공될 수 있다.
Vd × N2 × α2 = Sp × D + Sa × RLT2 ...(6)
상기 식에서, RLT2는 제2 맵을 사용했을 때의 임프린트재 두께를 나타낸다. 식 (6)에서의 우변은 제2 공급 정보에서의 임프린트재의 총량을 나타내고, 제3 몰드의 패턴 설계 정보 및 제2 맵을 사용했을 때의 임프린트재 두께에 기초하여 산출된다. 그리고, 제어 유닛(8)은, 식 (5) 및 식 (6)을 사용함으로써 보정 계수 α2를 결정할 수 있다.
상술한 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 복수의 맵의 각각을 따라 기판 상에 공급된 임프린트재의 총량을 취득하는 것에 의해 취득된 복수의 정보를 사용해서 보정 계수 α2를 취득한다. 그리고, 제3 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 보정 계수 α2를 사용해서 새로운 맵을 작성함으로써 맵을 갱신한다. 이렇게 복수의 정보를 사용해서 보정 계수 α2를 획득해서 맵을 갱신함으로써, 제2 실시형태와 마찬가지로, 몰드(1)를 사용해서 성형된 임프린트재(6)의 두께를 목표 두께에 훨씬 더 가깝게 근접시킬 수 있다. 보정 계수 α2를 획득하기 위해 사용되는 제3 몰드는, 도 5의 흐름도에서의 단계(S51) 내지 단계(S60)에서 사용된 몰드(1)일 수 있다. 또한, 맵의 갱신에 사용되는 복수의 맵은, 도 5의 흐름도에서의 단계(S51) 내지 단계(S60)에서 사용된 맵일 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로디바이스 또는 미세구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는 데 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 수지 상에 상기의 임프린트 장치를 사용해서 패턴을 형성하는 단계(기판 상에 임프린트 처리를 수행하는 단계), 및 선행 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 이 제조 방법은 또한, 다른 공지된 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 포함한다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참조로 하여 설명하였지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시형태에 제한되지 않음을 이해해야 한다. 하기 청구범위의 범주는 모든 변형 및 동등 구조 및 기능을 망라하도록 가장 넓은 해석에 따른다.

Claims (13)

  1. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 임프린트재를 상기 기판을 향해 토출하는 복수의 오리피스를 포함하고, 각 오리피스로부터 상기 임프린트재를 토출함으로써 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛, 및
    상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되어야 하는 상기 임프린트재의, 상기 기판 상에서의 배치를 나타내는 배치 정보에 따라 각 오리피스로부터의 상기 임프린트재의 토출을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 총량에 관한 정보에 기초하여, 각 오리피스로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 이상 체적과 상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되는 임프린트재의 토출수와의 곱이 상기 정보에서의 상기 임프린트재의 총량에 근접하도록 상기 배치 정보를 갱신하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 정보에서의 상기 임프린트재의 총량으로부터 상기 이상 체적과 상기 배치 정보에서의 임프린트재의 토출수를 제함으로써 계수를 결정하고, 상기 계수를 사용해서 상기 배치 정보를 갱신하는, 임프린트 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되는 임프린트재의 토출수가 상기 배치 정보에서의 임프린트재의 토출수에 상기 계수를 곱함으로써 취득되는 수가 되도록 상기 배치 정보를 갱신하는, 임프린트 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 복수의 배치 정보의 각각에 따라 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급함으로써 취득된 복수의 정보를 사용해서 상기 계수를 결정하고,
    상기 복수의 정보는, 상기 복수의 배치 정보 중 제1 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 체적에 관한 제1 공급 정보, 및 상기 복수의 배치 정보 중 제2 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 체적에 관한 제2 공급 정보를 포함하고,
    상기 임프린트재의 토출수는 상기 제1 배치 정보 및 상기 제2 배치 정보에서서로 상이한, 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 제1 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 공급되어 제1 몰드를 사용해서 성형된 상기 임프린트재의 두께에 기초하여 상기 제1 공급 정보를 취득하고, 상기 제2 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 공급되어 제2 몰드를 사용해서 성형된 상기 임프린트재의 두께에 기초하여 상기 제2 공급 정보를 취득하고,
    상기 제1 몰드 및 상기 제2 몰드는 각각 요철 패턴을 포함하고, 상기 요철 패턴에서의 오목부의 깊이가 상기 제1 몰드 및 상기 제2 몰드에서 서로 상이한, 임프린트 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 제1 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 공급되어 제3 몰드를 사용해서 성형된 상기 임프린트재의 두께에 기초하여 상기 제1 공급 정보를 취득하고, 상기 제2 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 공급되어 상기 제3 몰드를 사용해서 성형된 상기 임프린트재의 두께에 기초하여 상기 제2 공급 정보를 취득하는, 임프린트 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 계수를 결정하는 데 사용된 배치 정보와 상이한 제4 배치 정보를, 상기 제4 배치 정보에서의 임프린트재의 토출수가, 상기 이상 체적과 상기 몰드의 패턴의 설계 정보에 기초하여 취득되는 임프린트재의 토출수에 상기 계수를 곱함으로써 취득되는 수가 되도록 작성하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 공급되어 상기 몰드를 사용해서 성형된 상기 임프린트재의 두께와 상기 몰드의 패턴의 설계 정보에 기초하여 상기 정보를 취득하는, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 배치 정보는, 상기 이상 체적과 상기 몰드의 패턴의 설계 정보에 기초하여 작성되는, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 공급되어 상기 몰드를 사용해서 성형된 상기 임프린트재의 두께를 계측하도록 구성된 계측 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  11. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 임프린트재를 상기 기판을 향해 토출하는 복수의 오리피스를 포함하고, 각 오리피스로부터 상기 임프린트재를 토출함으로써 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛, 및
    상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되어야 하는 상기 임프린트재의, 상기 기판 상에서의 배치를 나타내는 배치 정보에 따라 각 오리피스로부터의 상기 임프린트재의 토출을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 총량에 관한 정보에 기초하여, 각 오리피스로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 이상 체적과 상기 배치 정보에서의 임프린트재의 토출수를 상기 정보에서의 상기 임프린트재의 총량으로부터 제함으로써 계수를 결정하고,
    상기 계수를 결정하는 데 사용된 배치 정보와 상이한 배치 정보를, 상기 상이한 배치 정보에서의 임프린트재의 토출수가, 상기 이상 체적과 상기 몰드의 패턴의 설계 정보에 기초하여 취득되는 임프린트재의 토출수에 상기 계수를 곱함으로써 취득되는 수가 되도록 작성하는, 임프린트 장치.
  12. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 임프린트재를 상기 기판을 향해 토출하는 복수의 오리피스를 사용하여, 상기 기판 상에 공급되어야 하는 상기 임프린트재의, 상기 기판 상에서의 배치를 나타내는 배치 정보에 따라 각 오리피스로부터 상기 임프린트재를 토출시키는 단계, 및
    상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 체적에 관한 정보에 기초하여, 각 오리피스로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 이상 체적 및 상기 배치 정보에서의 임프린트재의 토출수로부터 결정되는 상기 임프린트재의 총량이 상기 체적에 근접하도록 상기 배치 정보를 갱신하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  13. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 물품을 제조하도록, 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는,
    기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드를 사용해서 성형하고,
    상기 임프린트재를 상기 기판을 향해 토출하는 복수의 오리피스를 포함하고, 각 오리피스로부터 상기 임프린트재를 토출함으로써 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하도록 구성된 공급 유닛, 및
    상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되어야 하는 상기 임프린트재의, 상기 기판 상에서의 배치를 나타내는 배치 정보에 따라 각 오리피스로부터의 상기 임프린트재의 토출을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 배치 정보에 따라 상기 기판 상에 실제로 공급된 상기 임프린트재의 총량에 관한 정보에 기초하여, 각 오리피스로부터 1회의 토출에서 토출되는 임프린트재의 이상 체적과 상기 공급 유닛으로부터 상기 기판 상에 공급되는 임프린트재의 토출수와의 곱이 상기 정보에서의 상기 임프린트재의 총량에 근접하도록 상기 배치 정보를 갱신하는, 물품의 제조 방법.
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