KR20150143321A - 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이 제공되며, 상기 임프린트 방법은, 상기 기판에 상기 임프린트 재료의 액적을 도포하는 공정과, 도포된 상기 액적을 관찰하는 공정과, 상기 관찰의 결과로부터 상기 액적의 뉴턴의 고리 및 상기 액적의 직경에 관한 정보를 취득하는 공정과, 취득된 상기 정보에 기초하여, 상기 패턴의 형성 시의 상기 임프린트 재료의 도포 조건을 결정하는 공정을 포함한다.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.

종래의 포토리소그래피 기술 외에, 기판 상의 수지(임프린트 재료)를 몰드에 의해 성형하고, 수지의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세가공 기술이 있다. 이 기술은 "임프린트 기술"이라고도 불리며, 수 나노 정도의 미세한 구조체를 형성할 수 있다. 임프린트 기술의 일례는 광경화법을 포함한다. 광경화법을 채용하는 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 샷 영역 중 하나에 광경화성 수지를 도포한다. 이어서, 패턴부를 갖는 몰드을 사용하여, 기판 상의 수지를 성형한다. 광을 조사해서 수지를 경화시키고, 수지로부터 몰드를 분리함으로써, 수지의 패턴이 기판 상에 형성된다. 또한, 광경화법뿐만 아니라 열 사이클법이 이용될 수도 있다. 이들 방법은 수지를 경화시키는 공정은 상이하지만, 몰드를 사용해서 수지의 패턴을 성형할 때까지의 공정은 기본적으로 동일하다.

이러한 리소그래피 장치에서는, 몰드와 기판 상의 수지가 접촉할 때에, 수지가 몰드의 패턴부를 간극없이 덮도록, 수지의 원하는 양의 액적이 기판 상의 미리 정해진 위치에 정확하게 착탄하게 할 필요가 있다. 또한, 액적은 기판에 도포되고 나서 성형될 때의 기간 동안에 계속해서 휘발하기 때문에, 수지가 몰드의 패턴부를 간극없이 덮을 수 없어 패턴부가 충전되지 않고, 임프린트 처리 후의 막 두께가 불균일하여, 제조된 물품이 제품으로서 사용될 수 없는 경우가 있다. 따라서, 도포되는 액적의 도포량, 착탄 위치 및 성형까지의 휘발량을 미리 취득해 두고, 실제의 임프린트 처리 전에 그들을 보정하기 위한 임프린트 조건을 결정해 두는 것이 바람직하다. PCT 국제 출원의 일본 공개 제2012-506635호 공보는, 이 임프린트 조건의 취득 시에, 현미경에 의해 기판 상의 수지의 액적(작은 방울)을 관찰해서 평가하는 것을 개시하고 있다.

이와 관련해서, PCT 국제 출원의 일본 공개 제2012-506635호 공보에는, 액적을 관찰해서 얻어진 정보에 기초하여 액적의 체적을 구하고, 최종적으로 도포되는 액적이 목표 체적이 되게 조정하는 것이 개시되고 있다. 구체적으로는, 액적이 큰 체적을 갖는 경우, 시각 시스템이 액적의 측면과 상면을 촬상하고, 액적의 기하학적 형상(예를 들어, 액적의 높이 또는 반경)에 기초하여 연산에 의해 체적을 구하는 것이다. 그러나, 액적의 측면을 촬상하기 위해서는, 전용의 촬상 유닛 혹은 상면을 촬상하는 촬상 유닛을 구동해서 액적의 측면을 촬상하는 기구가 필요하여, 장치의 공간 또는 시퀀스의 유연성이 낮아진다.

PCT 국제 출원의 일본 공개 제2012-506635호 공보

본 발명은, 예를 들어 임프린트 재료의 도포 조건을 효율적으로 결정하는 데에 유리한 임프린트 방법을 제공한다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이 제공되며, 상기 임프린트 방법은, 상기 기판에 상기 임프린트 재료의 액적을 도포하는 공정과, 도포된 상기 액적을 관찰하는 공정과, 상기 관찰의 결과로부터 상기 액적의 뉴턴의 고리 및 상기 액적의 직경에 관한 정보를 취득하는 공정과, 취득된 상기 정보에 기초하여, 상기 패턴의 형성 시의 상기 임프린트 재료의 도포 조건을 결정하는 공정을 포함한다.

본 발명의 추가적인 특징은 (첨부 도면을 참조하여) 아래의 실시 형태의 설명으로부터 명확해질 것이다.

도 1은 본 발명에 일 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2a 내지 도 2c는 기판 상의 샷 영역에 도포된 수지의 상태를 도시하는 도면.
도 3a는 대면적 임프린트에 도포된 수지의 상태를 도시하는 도면.
도 3b는 멀티에리어 임프린트(multi-area imprint)에 도포된 수지의 상태를 도시하는 도면.
도 4a 내지 4c는 기판에 도포된 수지를 관찰하는 공정을 시계열적으로 도시하는 도면.
도 5는 기판에 도포된 수지의 접촉각을 도시하는 도면.
도 6은 기판에 도포된 수지를 관찰해서 얻어질 수 있는 뉴턴의 고리를 도시하는 도면.
도 7은 임프린트 장치에서의 관찰 유닛의 배치의 제1 예를 도시하는 도면.
도 8은 임프린트 장치에서의 관찰 유닛의 배치의 제2 예를 도시하는 도면.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.

먼저, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는 반도체 디바이스 등의 물품의 제조에 사용된다. 임프린트 장치(1)는 기판(3)에 도포된 미경화의 수지(4)와 몰드(2)를 접촉시켜, 기판(3) 상에 수지(4)의 패턴을 형성하는 장치이다. 본 실시 형태에서는, 임프린트 장치(1)는 광경화법을 채용한다. 이하의 도면에서는, 상하 방향(연직 방향)으로 Z축을 취하고, Z축에 수직인 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축을 취한다. 임프린트 장치(1)는 광원(14), 조명계(13), 몰드 보유 지지 기구(10), 기판 스테이지(8), 디스펜서(9), 관찰 유닛(17)(도 4b, 도 7 등 참조) 및 제어 유닛(20)을 포함한다.

조명계(13)는, 임프린트 처리 시에, 광원(14)으로부터 방출된 자외선을 임프린트에 적절한 광으로 조정하고, 그 광을 몰드(2)에 조사한다. 광원(14)으로서, 수은 램프 등의 램프를 채용가능하다. 광원(14)은, 광원이 몰드(2)를 투과해서 수지(4)를 경화시키는 파장을 가지는 광을 방출하기만 하면 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태에서는, 자외선을 방출하는 광원을 사용하며, 수지(4)로서 자외선 경화 수지를 사용한다. 본 실시 형태에서는 광경화법을 채용하므로 조명계(13)가 설치된다. 그러나, 열경화법을 채용하는 경우에는, 열경화성 수지를 경화시키기 위한 열원이 설치된다.

몰드(2)는 기판(3)에 대향하는 면에 3차원적으로 형성되는 패턴부(2a)를 포함한다(예를 들어, 전사될 회로 패턴 등의 요철 패턴, 도 4c 참조). 몰드 보유 지지 기구(10)는 구조체(12)에 의해 지지되고, 도시하지 않은, 몰드(2)를 보유 지지하는 몰드 척과, 몰드 척을 보유 지지하고 몰드(2)를 이동시키는 몰드 구동 기구를 구비한다. 몰드 척은 몰드(2)의 조사면의 외주 영역을 진공 흡착력 또는 정전기력으로 끌어당김으로써 몰드(2)를 보유 지지할 수 있다. 몰드 척 및 몰드 구동 기구는, 조명계(13)로부터 조사된 자외선이 몰드(2)를 투과해서 기판(3)을 향하게 하기 위해, 중심부(내측)에 개구 영역을 갖는다. 몰드 구동 기구는, 몰드(2)와 기판(3) 상의 수지(4)의 접촉 및 분리를 선택적으로 행하도록 몰드(2)를 각각의 축 방향으로 이동시킨다. 또한, 임프린트 처리 시의 접촉 및 분리 동작은, 몰드(2)를 Z축 방향으로 이동시키거나, 기판 스테이지(8)를 Z축 방향으로 이동시키거나, 몰드(2) 및 기판 스테이지(8)를 상대적으로 이동시켜서 행할 수 있다.

기판(3)은, 예를 들어 단결정 실리콘 웨이퍼, SOI(silicon on insulator) 웨이퍼이다. 기판 스테이지(기판 홀더)(3)는 기판(3)을 보유 지지하고, 몰드(2)와 기판(3) 상의 수지(4)의 접촉 시에, 몰드(2) 및 수지(4)의 위치결정을 실시한다. 기판 스테이지(8)는 기판(3)을 흡착력에 의해 보유 지지하는 기판 척(7)과, 기판 척(7)을 기계적 수단에 의해 보유 지지하고, 스테이지 정반(11) 위에서 적어도 기판(3)의 표면을 따른 방향으로 이동가능한 (도시하지 않은) 스테이지 구동 기구를 갖는다.

디스펜서(9)는 몰드 보유 지지 기구(10)의 근방의 구조체(12) 상에 설치되고, 기판(3) 상에 존재하는 패턴 형성 영역으로서의 샷 영역(15)(도 2a 내지 도 2c)에 수지(4)를 원하는 도포량 및 원하는 도포 패턴으로 도포한다. 여기서, 몰드(2)에 형성되어 있는 패턴부(2a)는 조밀 분포를 가진다. 따라서, 디스펜서(9)는 이 조밀 분포에 대응하는 양의 수지(4)를 기판(3) 상에 도포하는 것이 바람직하다. 그로 인해, 수지(4)는 잉크젯 방식을 사용하여 도포되는 것이 바람직하다. 이 경우, 디스펜서(9)는 잉크젯 방식에서 사용되는 토출 유닛(5)을 갖는다. 임프린트 재료로서의 수지(4)는, 자외선을 수광함으로써 경화하는 성질을 갖는 광경화성 수지이며, 물품의 제조 공정 등의 각종 조건에 기초하여 적절하게 선택된다. 또한, 수지(4)에는, 몰드(2)의 접촉 후의 분리를 용이하게 하는 이형제가 혼합된다.

관찰 유닛(17)은 기판(3) 또는 더미용의 공구 기판 상에 도포된 수지(4)의 액적을 관찰한다. 관찰 유닛(17)으로는, 예를 들어 광학 현미경 등이 채용될 수 있다. 또한, 관찰 유닛(17)의 배치, 관찰 유닛(17)을 사용한 관찰 방법 등의 상세에 대해서는 후술한다.

제어 유닛(20)은, 예를 들어 임프린트 장치(1)의 각 구성 요소에 회선을 개재해서 접속되고, 프로그램 등에 따라 각 구성 요소의 동작, 조정 등을 제어할 수 있는 컴퓨터로 구성된다. 또한, 제어 유닛(20)은 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 일체적으로 (공통의 하우징 내에) 구성되어도 되고, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 별도로 (별도의 하우징 내에) 구성되어도 된다.

이어서, 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 임프린트 처리(임프린트 방법)에 대해서 설명한다. 먼저, 제어 유닛(20)은, 기판(3)이 기판 척(7)에 적재 및 고정되게 한다. 이어서, 제어 유닛(20)은 기판 스테이지(8)를 구동시켜서 기판(3)의 위치를 적절히 변경시키면서, 제어 유닛(20)은 (도시하지 않은) 얼라인먼트 계측계가 기판(3) 상의 얼라인먼트 마크를 계측하게 하여 기판(3)의 위치를 보다 높은 정밀도로 검출한다. 그리고, 제어 유닛(20)은 그 검출 결과에 기초하여 임프린트 좌표를 연산하고, 미리 정해진 샷 영역(15)마다 패턴을 형성하게 한다. 여기서, 제어 유닛(20)은, 하나의 샷 영역(15)에 대하여 패턴을 형성하는 흐름으로서, 먼저, 기판 스테이지(8)가 토출 유닛(5)의 토출구 밑에 기판(3) 상의 도포 위치를 위치하게 한다. 그 후, 디스펜서(9)는 샷 영역(15)에 수지(4)를 도포한다(도포 공정). 이어서, 제어 유닛(20)은, 샷 영역(15)이 패턴부(2a)의 바로 아래의 접촉 위치에 있도록, 기판 스테이지(8)가 기판(3)을 이동시키고, 위치 결정하게 한다. 이어서, 제어 유닛(20)은 패턴부(2a)와 샷 영역(15) 상의 기판측 패턴의 위치결정, 패턴부(2a)의 배율 보정 등을 실시한 후, 제어 유닛(20)은 몰드 보유 지지 기구(10)를 구동시켜, 샷 영역(15) 상의 수지(4)에 패턴부(2a)가 접촉하게 한다(접촉 공정). 이 접촉 공정에서, 수지(4)가 패턴부(2a)에 충전된다. 이 상태에서, 조명계(13)는, 몰드(2)의 배면(상면)로부터 자외선을 미리 정해진 시간 동안 조사하여, 몰드(2)를 투과한 자외선에 의해 수지(4)를 경화시킨다(경화 공정). 수지(4)가 경화된 후, 제어 유닛(20)은 몰드 보유 지지 기구(10)를 재구동시켜, 패턴부(2a)를 기판(3)으로부터 분리한다(이형 공정). 이에 의해, 샷 영역(15) 상에는, 패턴부(2a)에 따른 수지 패턴(수지층)이 3차원적으로 형성된다. 임프린트 장치(1)는 이러한 일련의 임프린트 동작을 기판 스테이지(8)를 구동함으로써 샷 영역(15)을 변경시키면서 복수 회 실시하여, 1매의 기판(3) 상에 복수의 수지 패턴을 형성할 수 있다.

도 2a 내지 도 2c는 샷 영역(15)에 도포된 수지(4)의 액적 패턴을 도시하는 개략도이다. 여기에서, 도 2a 내지 도 2c는 파선으로 둘러싸인 샷 영역(15)의 일부의 확대 부분에 포함되는 수지(4)의 액적 패턴을 도시하고 있다. 그 중에서, 도 2a는 원하는 양의 수지(4)를 미리 정해진 위치에 도포하는 상태를 나타내고 있다. 도 2b는 원하는 양보다 적은 양의 수지(4)를 도포하고, 도포 후의 액적 형상이 원하는 형상보다 작은 상태를 나타내고 있다. 이 밖에도, 실제로는 원하는 양보다 많은 양의 수지(4)의 도포에 의해, 도포 후의 액적 형상이 원하는 형상보다 커지는 경우와, 하나의 샷 영역(15) 내에 액적 형상이 지나치게 작은 부분과 액적 형상이 지나치게 큰 부분이 혼재하여, 액적 분포에 불균일을 발생시키는 경우도 있다. 또한, 도 2c는 수지(4)를 미리 정해진 위치로부터 어긋난 위치에 도포한 상태를 나타내고 있다. 이 경우, 수지(4)는 몰드(2)의 패턴부(2a) 위에 간극없이 퍼질 수 없어, 소위 "미충전"이 발생하여, 접촉 후의 막 두께가 균일할 수 없어, 수지 패턴이 정상적으로 형성될 수 없는 현상이 발생할 수 있다. 한편, 도 2a에 도시한 바와 같이 수지(4)가 도포되는 경우, 기판(3)로 도포된 수지(4)는 몰드(2)와 접촉하기 전에 휘발하므로, 접촉 시에는, 도 2b에 도시한 바와 같이 액적 형상이 작아질 수도 있다. 또한, 하나의 샷 영역(15) 내에서도 기류 등의 주위 환경의 영향 및 복수 회에 걸쳐 행해지는 도포 공정에 의해, 휘발량의 차이가 위치에 따라 발생해서 액적 분포에 불균일이 발생할 수도 있다. 이러한 악영향은, 샷 영역(15)보다 큰 면적을 한번에 임프린트하는, 소위 "대면적 임프린트"와, 복수의 샷 영역(15)을 반복적으로 임프린트하는, 소위 "멀티에리어 임프린트"에서 보다 현저하다. 도 3a는 대면적 임프린트 시에 발생할 수 있는 액적 분포의 불균일을 설명하는 개략도이며, 도 3b는 멀티에리어 임프린트 시에 발생할 수 있는 액적 분포의 불균일을 설명하는 개략도이다.

이러한 악영향을 억제하기 위해서, 본 실시 형태에서는, 수지(4)의 액적의 도포량(토출량) 및 착탄 위치, 또는 성형 전의 휘발 속도 및 휘발에 의한 불균일도 등의 정보를 이하와 같은 방법에 의해 미리 취득하고, 실제의 임프린트 처리 동안에 참조하는 임프린트 조건에 반영시킨다. 여기서, 본 실시 형태에서의 임프린트 조건은, 특히 디스펜서(9) 및 수지(4)에 관한 도포 조건을 포함한다. 구체적으로는, 수지(4)의 종류 또는 혼합물, 디스펜서(9)의 기구 또는 도포 방법, 액적의 도포량 또는 도포 패턴, 도포된 액적이 인접하는 주위 환경, 임프린트 처리의 동작 또는 임프린트 처리 전의 시퀀스 등을 도포 조건으로 고려할 수 있다. 단, 여기에서 고려된 조건은 일례이며, 도포 조건이 이들에 한정되는 것은 아니다.

도 4a 내지 도 4c는 관찰 유닛(17)에 의한 액적의 관찰 공정을 시계열적으로 도시하는 개략도이다. 먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(8)는 디스펜서(9)의 토출 유닛(5)의 바로 아래에 기판(3)(또는 공구 기판)을 이동시키고, 디스펜서(9)는 기판(3)에 수지(4)를 도포한다(토출 유닛(5)이 액적을 토출한다). 이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(8)는 도포된 액적이 관찰 유닛(17)의 관찰 범위 내에 들어가도록 기판(3)을 이동시킨 후, 관찰 유닛(17)은 기판(3) 상의 액적을 관찰한다. 제어 유닛(20)은, 이때의 관찰 결과에 기초하여, 액적의 도포량, 액적의 착탄 위치 또는 그들의 불균일도를 결정할 수 있다. 또한, 관찰 유닛(17)이 이 상태의 액적의 휘발을 연속적으로 관찰함으로써, 제어 유닛(20)은, 이때의 관찰 결과에 기초하여, 수지(4)의 휘발량(휘발 속도 또는 휘발에 의한 불균일도를 포함한다)을 결정할 수 있다. 또한, 관찰 유닛(17)에 의한 액적의 관찰 동안에는 반드시 기판(3)(기판 스테이지(8))을 정지시켜서 둘 필요는 없다. 이때, 기판(3) 상의 액적이 관찰 범위 내에 있는 동안에 원하는 정보를 결정할 수 있는 관찰 결과가 취득될 수 있으며, 기판(3)은 정지하고 있어도 되고 이동하고 있어도 된다. 제어 유닛(20)은, 조건을 결정하는 공정으로서, 이들 정보에 기초하여 임프린트 조건을 결정하고, 도 4c에 도시한 바와 같이 통상의 임프린트 처리를 실시함으로써, 기판(3) 상에 적절한 수지 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 관찰 결과의 처리는, 제어 유닛(20)을 대신하여 임프린트 장치(1)의 외부의 정보 처리 장치에 의해 실행하고, 그 후, 제어 유닛(20)이 그 처리 결과 또는 그 처리 결과에 기초하여 결정된 임프린트 조건을 취득해서 기억할 수도 있다.

여기서, 제어 유닛(20)은 관찰 유닛(17)에 의한 관찰 결과에 기초하여 기판(3)에 도포된 수지(4)의 액적의 체적을 결정하고, 그 체적에 기초하여 임프린트 조건(도포 조건)을 결정할 수 있다. 액적의 체적을 결정하는 제1 방법에 관해서, 도 5는 기판(3)에 도포된 수지(4)의 액적의 접촉각을 설명하는 도면이다. 수지(4)의 액적이 기판(3)의 표면에 접촉하면, 수지(4)와 기판(3)의 조합에 의해 결정되는 접촉각에 의해 액적의 형상이 만들어진다. 따라서, 제어 유닛(20)은 미리 결정된 액적의 형상과, 관찰 유닛(17)에 의한 관찰 결과로부터 결정된 액적의 직경에 기초하여 액적의 체적을 결정할 수 있다. 이어서, 액적의 체적을 결정하는 제2 방법에 관해서, 도 6은 관찰 공정에서 얻어진 관찰 결과에 기초하여 제어 유닛(20)이 정보 취득 공정으로서 결정한, 액적에서의 광의 간섭에 의해 발생하는 뉴턴의 고리를 도시하는 개략도이다. 뉴턴의 고리의 줄무늬 수는 관찰광의 파장과 액적의 형상에 의해 결정된다. 따라서, 제어 유닛(20)은 얻어진 뉴턴의 고리(특히, 뉴턴의 고리의 줄무늬 수)와, 액적의 직경에 관한 정보에 기초하여 액적의 체적을 결정할 수 있다.

이어서, 관찰 유닛(17)의 배치와, 관찰 유닛(17)에 의한 수지(4)의 액적 관찰 방법에 대해서 설명한다. 도 7은 임프린트 장치(1)에서의 관찰 유닛(17)의 배치의 제1 예를 도시하는 개략도이다. 이 제1 예에서는, 관찰 유닛(17)은 기판(3)에 도포한 액적을 임프린트 위치에서 관찰할 수 있는 위치에 배치된다. 구체적으로는, 자외선을 차단하지 않는 하프 미러(18)가 조명계(13)의 바로 아래에 광원(14)으로부터 조사되는 자외선의 광로에 설치되고, 관찰 유닛(17)은 하프 미러(18)와 몰드(2)를 개재해서 액적을 관찰할 수 있는 위치에 배치된다. 또한, 광원(14) 및 조명계(13)의 배치와, 관찰 유닛(17)과의 배치를 교체해도 된다. 또한, 관찰 유닛(17)으로부터 임프린트 위치에서의 액적을 관찰할 수 있다면, 본 발명은 이러한 하프 미러(18)을 사용한 구성에 한정되지 않는다.

도 8은, 도 7과 마찬가지로, 임프린트 장치(1)에서의 관찰 유닛(17)의 배치의 제2 예를 도시하는 개략도이다. 이 제2 예에서는, 관찰 유닛(17)은, 임프린트 위치 외부의, 도포된 액적의 관찰을 행할 수 있는 위치에 배치된다. 구체적으로는, 수지(4)를 기판(3)에 도포한 후에 이동가능한 영역과 관찰 영역이 겹치는 위치에 관찰 유닛(17)이 배치된다.

또한, 관찰 정밀도의 관점에서, 관찰 유닛(17)은 임프린트 장치(1) 내의 복수 위치에 배치되어 각 위치에서 관찰을 행하여도 되고, 관찰 유닛(17)이 복수 회 관찰을 행하여도 된다.

이와 같이, 임프린트 장치(1)는, 특히, 관찰 유닛(17)을 사용해서 취득된 기판(3)에 도포된 수지(4)의 액적의 뉴턴의 고리와 직경에 관한 정보에 기초하여, 임프린트 조건, 구체적으로는 디스펜서(9)에 의한 수지(4)의 도포 조건을 취득한다. 이에 의해, 액적의 측면을 관찰하기 위한 다른 관찰 유닛를 배치하지 않고, 기판(3) 상의 액적을 관찰해서 실제의 임프린트 처리 시의 도포 조건에 관찰 결과를 반영시킬 수 있다. 또한, 전사 후의 막 두께를 관찰해서 도포량을 결정했을 경우에는, 토출량, 착탄 위치 및 휘발량을 별도로 평가하기 어렵다. 그러나, 본 실시 형태에 따르면, 이들을 별도로 평가할 수 있다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, 임프린트 재료의 도포 조건을 효율적으로 결정하는 데에 유리한 임프린트 방법 및 임프린트 장치를 제공할 수 있다.

(물품의 제조 방법)

물품(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)으로서의 디바이스의 제조 방법은 전술한 임프린트 장치를 사용하여 기판(웨이퍼, 유리판, 막형 기판 등) 상에 패턴을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정을 포함할 수 있다. 패터닝된 매체(기억 매체), 광학 소자 등과 같은 다른 물품이 제조될 때에, 상기 제조 방법은 에칭 공정 대신에 패턴이 형성된 기판을 처리하는 다른 공정을 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 디바이스 제조 방법은, 종래의 방법과 비교하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 하나 이상에 있어서 이점을 가진다.

본 발명이 실시 형태를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 실시 형태에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범위는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

본 출원은 2014년 6월 13일 출원된 일본 특허 출원 제2014-121986호의 이익을 주장하며, 상기 일본 특허 출원은 그 전체가 본 명세서에서 참조로 인용된다.

Claims (6)

1. 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 방법으로서,
   상기 기판에 상기 임프린트 재료의 액적을 도포하는 공정과,
   도포된 상기 액적을 관찰하는 공정과,
   상기 관찰의 결과로부터 상기 액적의 뉴턴의 고리 및 상기 액적의 직경에 관한 정보를 취득하는 공정과,
   취득된 상기 정보에 기초하여, 상기 패턴의 형성 시의 상기 임프린트 재료의 도포 조건을 결정하는 공정을 포함하는 임프린트 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 임프린트 재료는 자외선 경화 수지 및 열경화성 수지 중 하나인 임프린트 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포 조건은 상기 액적의 도포량, 상기 액적의 착탄 위치 또는 상기 액적의 도포 후의 휘발량 중 하나 이상을 포함하는 임프린트 방법.
4. 제3항에 있어서, 취득된 상기 정보에 기초하여 상기 액적의 체적이 구해지고, 상기 체적에 기초하여 상기 도포 조건이 결정되는 임프린트 방법.
5. 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
   상기 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와,
   상기 기판 홀더에 의해 보유 지지되는 상기 기판에 상기 임프린트 재료의 액적을 도포하는 디스펜서와,
   상기 기판에 도포된 상기 액적의 뉴턴의 고리 또는 직경을 관찰하는 관찰 유닛과,
   상기 관찰 유닛에 의해 관찰된 상기 액적의 상기 뉴턴의 고리 또는 상기 직경에 기초하여, 상기 패턴의 형성 시의 상기 디스펜서의 도포 조건을 결정하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는 임프린트 장치.
6. 물품의 제조 방법으로서,
   임프린트 방법을 사용하여 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 공정과,
   상기 형성하는 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정을 포함하고,
   상기 임프린트 방법은,
   상기 기판에 상기 임프린트 재료의 액적을 도포하는 공정과,
   도포된 상기 액적을 관찰하는 공정과,
   상기 관찰의 결과에 기초하여, 뉴턴의 고리 및 직경에 관한 정보를 취득하는 공정과,
   취득된 상기 정보로부터, 상기 패턴의 형성 시의 상기 임프린트 재료의 도포 조건을 결정하는 공정을 포함하는 물품의 제조 방법.

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