JP2012506635A - 流体分注装置の較正 - Google Patents

流体分注装置の較正 Download PDF

Info

Publication number
JP2012506635A
JP2012506635A JP2011533172A JP2011533172A JP2012506635A JP 2012506635 A JP2012506635 A JP 2012506635A JP 2011533172 A JP2011533172 A JP 2011533172A JP 2011533172 A JP2011533172 A JP 2011533172A JP 2012506635 A JP2012506635 A JP 2012506635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
droplets
dispensing
voltage
subset
volume
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011533172A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5638529B2 (ja
JP2012506635A5 (ja
Inventor
トルスケット,ヴァン・エヌ
ジョンソン,スティーヴン・シイ
クスナットディノヴ,ニヤズ
シンプソン,ローガン
Original Assignee
モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド filed Critical モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
Publication of JP2012506635A publication Critical patent/JP2012506635A/ja
Publication of JP2012506635A5 publication Critical patent/JP2012506635A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5638529B2 publication Critical patent/JP5638529B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Abstract

基板上に実質的に均一の小滴を提供するように分注ヘッドを較正するシステムおよび方法について述べる。

Description

本出願は、2008年10月22日に出願された米国特許出願第61/107,360号、2008年10月23日に出願された米国仮特許出願第61/107,837号、2008年10月30日に出願された米国仮特許出願第61/109,608号、および2009年10月20日に出願された米国特許出願第12/582,041号の優先権を主張し、これらの全ての出願は参照により本明細書に組み込まれる。
ナノ加工は、約100ナノメートル以下のフィーチャを有するきわめて小さな構造の加工を含む。ナノ加工がかなり大きい効果を有する1つの用途は、集積回路の処理である。半導体処理産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増大させると同時に高い生産歩留まりを目指す努力をし続けており、したがって、ナノ加工はますます重要になってきている。ナノ加工は、形成される構造物の最小フィーチャ寸法を縮小し続けながらより優れたプロセス制御を提供する。ナノ加工が利用されてきた他の開発分野には、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどがある。
今日使用されている例示的なナノ加工技術は、一般に、インプリント・リソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリント・リソグラフィ・プロセスは、米国特許公開第2004/0065976号、米国特許公開第2004/0065252号、および、米国特許第6,936,194号などの多くの公報に詳細に述べられており、これらの文献はすべて、参照により本出願に組み込まれる。
前述の米国特許出願と特許のそれぞれに開示されたインプリント・リソグラフィ技術は、重合可能層(成型可能液体)におけるレリーフ・パターンの形成と、そのレリーフ・パターンに対応するパターンを下の基板に転写することを含む。パターニング・プロセスを容易にするのに望ましい位置決めを可能にするために、基板は、移動ステージに結合され得る。パターニング・プロセスは、基板から離間されたテンプレートと、テンプレートと基板の間に塗布される成形可能液体とを使用する。成形可能液体は凝固して、成形可能液体と接触するテンプレートの表面の形状に合致するパターンを有する硬質層が形成される。凝固後、テンプレートが硬質層から分離され、その結果、テンプレートと基板が離間される。次に、基板と凝固層は、凝固層のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写する更に他のプロセスにかけられる。
本発明がより詳細に理解されるように、本発明の実施形態の説明は、添付図面に示された実施形態に関して提供される。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態だけを示し、したがって範囲の限定と考えるべきでないことに注意されたい。
本発明の一実施形態によるリソグラフィ・システムの単純化された側面図である。 パターン層が上に配置された図1に示された基板の単純化された側面図である。 流体分注システムの例示的な実施形態の単純化された側面図である。 図3の流体分注システムによって提供された例示的な画像を示す図である。 分注ヘッドに印加される電圧と基板上の小滴の液滴体積との関係と、分注ヘッドに印加される電圧と基板上の小滴の液滴径との関係を表すグラフである。 例示的な流体分注システムおよび関連する画像の図である。 図6に示された行の平均小滴径の表である。 実質的に均一の小滴を提供するように流体分注システムを較正する例示的な方法のフローチャートである。 小滴の液滴体積を計算する例示的方法のフローチャートである。 小滴の液滴体積を計算する追加の方法のフローチャートである。 基板上に位置決めされた小滴を示す図である。 分注ヘッドを整合させる方法のフローチャートである。 分注ヘッドに印加された電圧と残留層厚さの関係を表すグラフである。
リソグラフィ・システム
図を参照し、詳細には図1を参照すると、基板12上にレリーフ・パターンを形成するために使用されるリソグラフィ・システム10が示される。基板12は、基板チャック14に結合させ得る。図示では、基板チャック14は、真空チャックである。しかし、基板チャック14は、真空式、ピン型、溝型、電磁気式などを含むが、これらに限定されない任意のチャックでよい。例示的なチャックは、米国特許第6,873,087号に記載されており、この特許は、参照により本明細書に組み込まれる。
基板12と基板チャック14は、更に、ステージ16によって支持され得る。ステージ16は、x軸、y軸及びz軸のまわりの動きを提供し得る。ステージ16、基板12および基板チャック14は、台(図示せず)上で配置され得る。
テンプレート18は基板12から離間されている。テンプレート18は、一般に、基板12の方に延在するメサ20を有し、メサ20はパターニング面22を有する。さらに、メサ20は、型20と呼ばれることがある。テンプレート18および/または型20は、溶融石英、石英、シリコン、有機重合体、シロキサン重合体、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボン重合体、金属、硬化サファイアなどを含むがこれらに限定されない材料から形成され得る。図示されたように、パターニング面22は、複数の離間したくぼみ24および/または突出部26によって画定されたフィーチャを有するが、本発明の実施形態は、そのような構成に限定されない。パターニング面22は、基板12上に形成されるパターンの基礎を構成する任意の原本パターンを画定してもよい。
テンプレート18は、チャック28に結合され得る。チャック28は、真空式、ピン型、溝型、電磁気式および/または他の類似のチャック型として構成され得るが、これらに限定されない。例示的なチャックは、更に、米国特許第6,873,087号に記載されており、この特許は、参照により本明細書に組み込まれる。さらに、チャック28は、インプリント・ヘッド30に結合され、その結果、チャック28および/またはインプリント・ヘッド30が、テンプレート18を移動させ易いように構成され得る。
システム10は、さらに、流体分注システム32を有することができる。流体分注システム32は、基板12上に重合性材料34を付着させるために使用されることがある。重合性材料34は、液滴分注、回転塗布、浸せき塗布、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などの技術を使用して基板12上に位置決めされ得る。重合性材料34は、設計検討事項に応じて型20と基板の12の間に所望の体積が画定される前および/または後に、基板12上に配置され得る。重合性材料34は、米国特許第7,157,036号と米国特許公開第2005/0187339号に記載されたような単量体を含んでもよく、これらの文献は全て、参照により本願に組み込まれる。
図1と図2を参照すると、システム10は、更に、経路42に沿ってエネルギー40を導くように結合されたエネルギー源38を含んでもよい。インプリント・ヘッド30とステージ16は、テンプレート18と基板12を経路42に重ね合わせて位置決めするように構成され得る。システム10は、少なくともステージ16、インプリント・ヘッド30、流体分注システム32および/またはエネルギー源38と通信する処理装置(プロセッサ)54によって調整されても、また記憶装置(メモリ)56に記憶されたコンピュータ可読プログラムで動作されても良い。
インプリント・ヘッド30若しくはステージ16またはこれらの両方は、型20と基板の12の間の距離を変化させて、これらの間に重合性材料34で満たされる所望の体積を画定する。例えば、インプリント・ヘッド30は、型20が重合性材料34と接触するようにテンプレート18に力を加え得る。所望の体積が重合性材料34で満たされた後、エネルギー源38は、エネルギー40(例えば、広帯域紫外線放射)を生成して、基板12の表面44と型20のパターニング面22の形状に合致するように重合性材料34を凝固させ及び/又は架橋して、基板12上にパターン層46を画定する。パターン層46は、残留層48と、突出部50とくぼみ52として示された複数のフィーチャを有し、突出部50は厚さt1を有し、残留層48は厚さt2を有し得る。
前述のシステムと工程は、更に、米国特許第6,932,934号、米国特許公開第2004/0124566号、米国特許公開第2004/0188381号および米国特許公開第2004/0211754号で言及されているインプリント・リソグラフィ法およびシステムで使用されてもよく、これらの各文献は、参照により本明細書に組み込まれる。
流体分注システム32
前述のように、流体分注システム32を使用して型20と基板12の間の体積に重合性材料34が塗布され得る。図3は、流体分注システム32の例示的な実施形態を示す。流体分注システム32は、分注ヘッド60とノズル・システム62を含んでもよい。ノズル・システム62は、必要とされる特定の実施態様により単一の先端64または複数の先端64を有し得る。例えば、図3は、複数の先端64を有するノズル・システム62を示す。一般に、重合性材料34は、分注ヘッド60内を伝わり、ノズル・システム62の先端64から出る。先端64は、重合性材料34が基板12上に位置決めされる分注軸65を定義する。先端64と基板12の間の距離dSは、跳ね返りおよび/または液滴位置のずれを防止しないまでも最小にし、ガスをなくさないにしないにしても最小にし、及び/又は類似の設計検討事項に従うように選択され得る。さらに、図4を参照すると、各小滴66は、直径Dおよびそれと関連付けられた体積VDを有し得る。一例において、小滴66の体積VDは、約1〜1000ピコリットルでよく、直径Dは、約1ミクロン〜1mmでよい。
重合性材料34は、基板12上の流体分注システム32によって、基板12上で1つの小滴66または複数の小滴66として位置決めされ得る。基板12に重合性材料34を付着させるための例示的な小滴技術は、米国特許公開第2005/0270312号と米国特許公開第2005/0106321号に詳細に述べられおり、これらの公開特許は全て、参照により本明細書に組み込まれる。
図3と図4を参照すると、流体分注システム32は、さらに、視覚システム70を含んでもよい。視覚システムは、基板12上の小滴66の少なくとも1つの画像74を提供する顕微鏡72(例えば、光学顕微鏡)を有し得る。顕微鏡72は、処理装置54によって調整され、さらに記憶装置56に記憶されたコンピュータ可読プログラムで動作し得る。処理装置54は、顕微鏡72によって提供された小滴66の画像74を評価することができる。あるいは、小滴66の画像74の評価は、ユーザによって手動で行われ得る。顕微鏡72および/または処理装置54は、分注ヘッド60からの小滴66の分注を制御するためにフィードバックを提供することができる。
分注ヘッド60に印加される電圧の変更
分注ヘッド60は、分注ヘッド60および更に他の実施形態では各先端64に印加される電圧Viを変化させることによって小滴66の体積VDを制御することができる液体分注アクチュエータを含み得る。一実施形態では、分注ヘッド60は、マイクロ電磁弁または圧電式ディスペンサを含んでもよい。圧電式ディスペンサは、テキサス州プラノのMicroFab Technologies, Inc.から市販されている。
液体分注アクチュエータを使用する際に、分注ヘッド60に印加された電圧Viの大きさは、各小滴66の小滴体積VDと小滴径Dに関連することがある。さらに他の実施形態では、電圧Viは、各小滴66の小滴体積VDと小滴径Dを直接制御し得る。図5のグラフに示されたように、電圧Viと小滴体積VDは、実質的に線形関係で定義されてもよく、その結果、数字68によって示されたように、分注ヘッド60に印加される電圧Viが高くなるほど小滴体積VDが増える。さらに、電圧Viと小滴径Dは、実質的に線形関係で定義されてもく、その結果、数字69によって示されたように、分注ヘッド60に印加される電圧Viが高くなるほど小滴径Dが増える。このような関係に基づいて、小滴径Dが分析されて小滴66の目標体積VTをもたらす電圧Viが提供されてもよく、目標体積VTは、小滴66の望ましい体積である。
図6と図7を参照すると、画像74内の小滴径Dの分析を使用して、小滴66の目標体積VTを提供するために分注ヘッド60に印加される電圧Viを較正し得る。
多数の分注ヘッド64を使用して基板12をインプリントするとき、各分注ヘッド64によって分注される液滴体積VDを一致させることが望ましいことがある。小滴66全体を異なる液滴体積VDにすることにより、図2に示されたパターン層46の残留層厚さt2が変化し、最終的にパターン転写問題が生じることがあり、これは望ましくない。
一例では、1つまたは複数の小滴66の目標体積VTが評価され得る。体積VDを有する小滴66が、初期電圧Viに基づいて分注され得る。一実施形態では、小滴66は、各小滴66が基板12上で他の小滴66と接触する可能性を最小にしながら広がるように付着され得る。その他の実施形態では、小滴66は、各小滴66が他の小滴66と接触することなく基板12上に広がるように付着され得る。小滴66が基板12上に所望の任意のパターンで付着され得ることに注意されたい。図6に示された3×3格子パターンの使用は、図と説明を単純にするためである。
小滴66の液滴パターンの任意選択の巨視的解析が提供され得る。そのような巨視的解析は、液滴パターンの忠実度を評価することがある。例えば、小滴66の液滴パターンは、小滴66が整列されているかどうかおよび/または液滴パターン内のどれかの小滴66がゆがんだ縁を有するかどうかを決定するために評価される。この巨視的解析は、初期電圧Viを決定する事前選択として使用され得る。しかしながら、巨視的解析は、先端64に印加される現在電圧Viを決定するために、インプリント・プロセス中に任意の間隔で行なわれ得る。
小滴径Dは、各小滴66ごとに評価され得る。さらに、3×3格子の各行1〜3の平均小滴径DAVGが決定され得る。平均小滴径DAVGに基づいて、流体分注システム32は、各先端64の電圧Viを調整して調整電圧ViADJを提供するように較正され得る。Viに対するそのような調整は、各小滴66の目標体積VTが達されるまで平均小滴径DAVGを増大または減少させるように行われ得る。
図7は、図6の行1〜3の初期電圧Vi、平均小滴径DAVG、および目標体積VTの例示的な値を提供する表を示す。示されたように、画像74の行1〜3の小滴66の目標体積VTは5.0pLでもよい。同じ画像74内の小滴が、異なる目標体積VTを有し得ることに注意されたい。
図7では、すべての行1〜3全体に印加された初期電圧Viが、異なる平均小滴径DAVGを提供する。例えば、先端64aに初期電圧Viが印加されると、281.1μmの小滴の平均小滴径が提供され、先端64bおよび64cに同じ初期電圧Viが印加されると、それぞれ272.9μmと331.0μmの小滴の平均小滴径が提供される。行1の平均小滴径DAVGが目標体積VTを提供する場合、初期電圧Viは、行2の平均小滴径DAVGを大きくするために先端64bに対して高められ、行3の平均小滴径DAVGを小さくするために先端64cに対して低くされることがある。行1〜3全体の平均小滴径DAVGを実質的に等しくすることにより、小滴66が目標体積VTと実質的に等しい体積VDを有することができる。
流体分注システム32の較正方法
図8は、実質的に同じ目標体積VTを有する小滴66を提供するように流体分注システム32を較正する例示的な方法のフローチャートを示す。以下に例示的な方法の詳細を説明する。しかしながら、操作を記述する順序は、限定として解釈されるべきでなく、またプロセスを実行するために任意数の記述された操作を他の順序および/または並列に組み合わせ得る。さらに、状況により、特定の操作が修正され及び/又は省略され得ることを理解されたい。
段階82で、先端64a〜64cを有する分注ヘッド60に初期電圧設定Viが提供され得る。一例として、各行1〜3の初期電圧設定Viは、約21.7Vでよい。
段階84で、分注ヘッド60は、基板12上に重合性材料34の小滴66をある一定パターンで位置決めし得る。各小滴66は、小滴径Dによって定義され得る。一例において、図7で、分注ヘッド60は、基板12上に小滴66a〜iを付着させ、各小滴66a〜iは、関連付けられた小滴径DA〜Iを有する。
段階86で、重合性材料34は、凝固され及び/又は架橋され得る。段階86が任意選択であることに注意することが有用なことがある。
段階88で、図3に示された視覚システム70は、分析のために基板12上の小滴66の少なくとも1つの画像74を提供し得る。画像74は、単一の小滴66、いくつかの小滴66、またはすべての小滴66を描写し得る。
段階90で、処理装置54によって画像74が評価されて、各小滴66の液滴径Dと画像74および/または行内の小滴66の数とが提供され得る。さらに、画像74の2つ以上の部分の平均小滴径DAVGが決定され得る。例えば、図7に示された各行1〜3の小滴径DAVGが決定され得る。
段階92で、小滴66間の平均小滴径DAVGを比較して調整電圧ViADJを決定し得る。例えば、各行1〜3の平均小滴径DAVGを比較し、印加される初期電圧Viを高めるか低くして各行の調整電圧ViADJを提供し得る。
段階94で、流体分注システム32は、各行の調整電圧ViADJを使用して小滴66を分注得る。段階96で、画像74内の小滴66の目標体積VTが得られるまで調整電圧ViADJを使用して段階84〜92を繰り返し得る。
段階98で、流体分注システム32は、ブランク基板12上に目標体積VTを有する小滴66を分注してブランク(実質的に平坦な)型20でインプリントして、残留層を形成し得る。一例では、画像74内の小滴66は、目標体積VTを有する実質的に均一なものでよい。
段階100で、図2に示された残留層の厚さt2を測定し評価して、パターン層46の変更(もしある場合)が必要かまたは約±10nm以下の目標許容範囲内にあるかどうかを決定できる。
段階102で、必要に応じて、所望の残留層厚さt2を得るために電圧の微調整が行われる。
分注ヘッドの整合
小滴66全体が異なる液滴体積VDを有すると、パターン層46の残留層厚さt2(図2に示された)がばらつき、最終的にパターン転写問題が起こることがあり、これは望ましくない。
複数の分注ヘッド60を使用して基板12をインプリントするとき、各分注ヘッド60が実質的に同じ液滴体積VDを有するようにする(「液滴体積を一致させる」)ことが望ましいことがある。液滴体積を一致させないと、パターン層46の膜厚が不揃いになり、これがパターン転写問題の原因となることがある。
これまでの技術は、液滴体積の微調整を行うことができず、すなわち小滴66の液滴パターンの変更によって膜厚を変化させていた。これは、液滴パターン作成プロセスを妨げ、したがって、液滴パターンを個々のディスペンサとツールに適合させなければならなかった。手段の移植性は問題ではなかった。
この目的のため、図12は、各分注ヘッド60の整合方法のフローチャートを示し、ここで、各分注ヘッド60によって分注される液滴体積を一致させるために電圧調整が使用される。以下に例示的な方法の詳細を説明する。しかしながら、操作を記述する順序は、限定として解釈されるべきでなく、またプロセスを実行するために任意数の記述された操作を他の順序および/または並列に組み合わせることができる。さらに、状況により、特定の操作が修正され及び/又は省略され得ることを理解されたい。
段階150で、パターンを含まない(すなわち、実質的に平面な)型20が、リソグラフィ・システム10内で位置決めされる。
段階152で、基板12が、ある範囲のディスペンサ電圧Viを含む型20でパターニングされ、また各ディスペンサ電圧Viごとにパターン層46の残留層厚さt2を測定する。
段階154で、残留層厚さt2とディスペンサ電圧Viの関係をプロットする。図13は、様々な液滴パターン格子密度の残留層厚さと電圧との相関関係のグラフを示す。
段階156で、各ディスペンサ電圧Viごとに測定された残留層厚さから、分注ヘッド60を整合させる(すなわち、各分注ヘッド60が、実質的に同じ体積を分注する)のに望ましい残留層厚さt2を決定する。
段階158で、図13のプロット(段階154を参照)から、各分注ヘッド60の所望の残留層厚さt2を達成する電圧Viを決定する(段階156を参照)。
段階160で、各分注ヘッド60の電圧Viを更新する。
段階162で、基板12を型20でパターニングして、新しい電圧設定ですべての分注ヘッド60の残留層厚さt2が実質的に同じであることを検証する。
小滴66の液滴体積V D の計算
図9は、小滴66の液滴体積VDを計算する例示的方法のフローチャートを示す。この方法は、オンラインで行われてもオフラインで行われ得る。以下に例示的な方法の詳細を説明する。しかしながら、操作を記述する順序は、限定として解釈されるべきでなく、プロセッサを実行するために任意数の記述した操作を他の順序および/または並列に組み合わせることができる。さらに、状況により、特定の操作が修正され及び/又は省略され得ることを理解されたい。
段階102で、実質的に同じ小滴体積VDの小滴66を含む液滴パターンが作成される。
段階104で、段階102で液滴パターンを作成するために使用された分注ヘッド60が識別される。
段階106で、作成された液滴パターンが、流体分注システム32にロードされる。一実施形態では、流体分注システム32は、空気流のない環境内に設置されてもよく、分注プロセスは空気流から遮断され得る。さらに、基板12が、流体分注システム32内に位置決めされる。
段階108で、小滴66が基板12上に配置される前に基板12の質量Msが記録される。
段階110で、小滴66が、基板12上に位置決めされる。小滴66は、バランス測定装置(図示せず)によって測定される質量が提供されるまで基板12上に位置決めされ得る。一実施形態では、約50回を超える。基板12上に位置決めされた小滴66の数は、NDとして定義され得る。
段階112で、基板12上に位置決めされた小滴66と基板12の質量が測定され、MTとして定義される。
段階114で、小滴66の体積Vdropietsが、以下のように計算される。
dropiets=MT−MS (1)
段階116で、小滴66の平均液滴体積VAVGが、以下のように計算される。
AVG=Vdropiets/ND (2)
図10は、小滴66の液滴体積VDを計算する代替方法のフローチャートを示す。より具体的には、より大きな体積を有する(例えば、約10pLを超える)小滴66の場合、小滴66の側面を撮像し、次に上面(小滴66の上)撮像を使用して液滴の幾何学形状から小滴体積VDを求め得る。以下に例示的な方法の詳細を説明する。しかしながら、操作を記述する順序は、限定として解釈されるべきでなく、またプロセスを実行するために任意数の記述された操作を他の順序および/または並列に組み合わせることができる。さらに、状況により、特定の操作が修正および/または省略をされ得ることを理解されたい。
段階118で、実質的に同じ小滴体積VDの小滴66を含む液滴パターンが作成される。
段階120で、小滴66が、分注ヘッド60によって基板12上に位置決めされる。
段階122で、視覚システム70を使用して、基板12上の小滴66aの側面の少なくとも1つの画像74を提供する。
段階124で、次に、画像74の小滴66aが測定される。より具体的には、図11に示されたように、小滴66aの高さh、小滴66aの半径r、および小滴66aの円の半径Rcが得られる。
段階126で、小滴66a(球状キャップ)の体積が、以下のように計算される。
Figure 2012506635
図10のフローチャートのプロセスが、N回(N個の小滴66に)繰り返されてもよく、これにより、VAVGが計算され得る。
さらに他の実施形態では、小滴66が飛行中(分注ヘッド60から分注されるとき)に小滴66の液滴体積VDが計算され得る。より具体的には、小滴66aが基板12と相互作用しない球体であるときに画像72が得られ得る。小滴66aの体積は、以下のように計算される。
Figure 2012506635
まとめ
実施形態を構造的特徴および/または方法に固有の文言で説明してきたが、添付の特許請求の範囲の対象が、説明した特定の特徴または方法に必ずしも限定されないことを理解されたい。むしろ、特定の特徴と方法は、出願の遠隔自動構成および公開の提供のための例示的な実施態様として開示された。
12 基板; 30 インプリント・ヘッド; 38 エネルギー源;
66 小滴; 74 画像。

Claims (22)

  1. 流体分注システムから分注される複数の小滴に同じ所望の体積を持たせるように、流体分注システムを較正する方法であって、
    前記流体分注システムの複数の分注ヘッドに初期電圧を提供する段階と、
    前記複数の分注ヘッドから、初期体積を有する前記複数の小滴を基板上に分注する段階と、
    前記複数の小滴の画像を取得する段階と、
    前記画像に基づいて、前記複数の小滴のサブセットの平均径を決定する段階と、
    前記サブセットの前記平均径に基づいて、前記複数の小滴の前記サブセットと関連付した前記複数の分注ヘッドの前記初期電圧の変化をさせて調整した電圧を定める、変化をさせる段階と、
    前記調整した電圧を使用して、前記複数の小滴の前記サブセットと関連付けられた前記複数の分注ヘッドから、前記所望の体積を有する追加の複数の小滴を分注する段階と
    を備える方法。
  2. 前記複数の小滴を凝固および/または架橋させる段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記決定する段階が、更に、行で配置されている前記複数の小滴の前記サブセットの平均径を決定する段階を含む、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記変化をさせる段階が、更に、前記初期電圧を変化させて前記追加の複数の小滴の体積を調整する段階を含む、請求項1、2または3に記載の方法。
  5. 前記追加の複数の小滴が前記所望の体積を有するまで前記方法を反復的に繰り返す段階を更に含む、請求項1、2、3、または4に記載の方法。
  6. インプリント・リソグラフィ・プロセスでさらに使用される請求項1、2、3、4、または5に記載の方法。
  7. 流体分注システムから分注される複数の小滴が実質的に同じ所望の体積を有するように流体分注システムを較正する方法であって、
    前記流体分注システムの複数の分注ヘッドに初期電圧を提供する段階と、
    前記複数の分注ヘッドから、初期体積を有する前記複数の小滴を基板上に分注する段階と、
    前記複数の小滴の画像を取得する段階と、
    前記画像に基づいて、前記複数の小滴の第1のサブセットの第1の平均径と前記複数の小滴の第2のサブセットの第2の平均径を決定する段階と、
    前記第1と第2の平均径を比較して比較を定める、比較をする段階と、
    前記複数の小滴の前記第1のサブセットと関連付けられた前記複数の分注ヘッドの第1のサブセットの前記初期電圧の変化をさせて第1の調整電圧を定義し、前記複数の小滴の第2のサブセットと関連付けられた前記複数の分注ヘッドの第2のサブセットの初期電圧を変化させて第2の調整電圧を定義する、変化をさせる段階と、
    前記第1と第2の調整電圧をそれぞれ使用して、前記複数の分注ヘッドの前記第1のサブセットと前記第2のサブセットから、所望の体積を有する追加の第1と第2の複数の小滴を分注する段階
    とを備える方法。
  8. 前記第1と第2の調整電圧が異なる、請求項7に記載の方法。
  9. 前記第1と第2の調整電圧が、実質的に同じである、請求項7に記載の方法。
  10. 前記第1と第2の複数の小滴を凝固および/または架橋させる段階を更に含む、請求項7、8、または9に記載の方法。
  11. 前記決定する段階が、行で配置されている前記複数の小滴の前記第1と第2のサブセットを含む、請求項7、8、9、または10に記載の方法。
  12. 前記変化をさせる段階が、更に、前記複数の分注ヘッドの前記第1のサブセットの前記初期電圧を高めて前記第1の追加の複数の小滴の体積を増大させる段階を含む、請求項7、8、9、10または11に記載の方法。
  13. 前記変化をさせる段階が、更に、前記複数の分注ヘッドの前記第1のサブセットの前記初期電圧を低くして前記第1の追加の複数の小滴の体積を減少させる段階を含む、請求項7、8、9、10または11に記載の方法。
  14. 前記変化をさせる段階が、更に、前記複数の分注ヘッドの前記第2のサブセットの前記初期電圧を高めて前記第2の追加の複数の小滴の体積を増大させる段階と、前記複数の分注ヘッドの前記第1のサブセットの前記初期電圧を低くして前記第1の追加の複数の小滴の体積を減少させる段階を含む、請求項7、8、9、10または11に記載の方法。
  15. インプリント・リソグラフィ・プロセスで使用される請求項7、8、9、10、11、12、13または14に記載の方法。
  16. 前記追加の複数の小滴が所望の体積を有するまで前記方法を反復して繰り返す段階を更に含む、請求項7、8、9、10、11、12、13、14または15に記載の方法。
  17. 実質的に同じ所望の体積を有する複数の小滴を分注するためのシステムであって、分注システムおよび処理装置を備え、
    前記分注システムには、
    印加された第1の電圧に基づいて、基板上に第1の複数の小滴を分注する第1の複数の分注ヘッドと、
    前記分注ヘッドに印加された第2の電圧に基づいて、前記基板上に第2の複数の小滴を分注する第2の複数の分注ヘッドと
    前記第1と第2の複数の小滴の画像を取得する視覚システムと、
    が備えられ、
    前記処理装置は、
    1)前記画像に基づいて、前記複数の小滴の前記第1のサブセットの第1の平均径を決定し、
    2)前記画像に基づいて、前記複数の小滴の前記第2のサブセットの第2の平均径を決定し、
    3)前記第1と第2の平均径を比較し、
    4)前記比較に基づいて、前記第1と第2の複数の分注ヘッドに印加される前記第1と第2の電圧を変化させる
    ものである、
    ことを特徴とする、小滴を分注するためのシステム。
  18. 前記第1と第2の複数の分注ヘッドが、前記第1と第2の変更電圧をそれぞれ使用して、それぞれ前記所望の体積を有するように追加の第1と第2の小滴を小出する、請求項17に記載のシステム。
  19. 前記第1と第2の変更電圧が異なる、請求項17または18に記載のシステム。
  20. 前記第1と第2の変更電圧が、実質的に同じである、請求項17または18に記載の方法。
  21. 流体分注システム内の複数の分注ヘッドを較正する方法であって、
    前記流体分注システム内に実質的に平坦な型を位置決めする段階と、
    前記複数の分注ヘッドに印加される電圧の変化をさせる段階にして、印加する各電圧ごとに、
    −前記基板上の前記複数の分注ヘッドから複数の小滴を分注し、
    −前記基板に前記型でパターニングしてパターン層を画定し、
    −前記パターン層の残留層厚さを測定する、
    変化をさせる段階と、
    印加された各電圧から測定された前記残留層厚さから、前記複数の分注ヘッドの各分注ヘッドが実質的に同じ体積を分注するように所望の残留層厚さを決定する段階と、
    所望の電圧を定義するために前記所望の残留層厚さと関連付けられた前記印加電圧を決定する段階と、
    前記複数の分注先端ヘッドを前記所望の電圧が印加されるように更新する段階と
    を備えて成る方法。
  22. 前記所望の膜厚が、前記所望の電圧が印加された前記複数の分注ヘッドのそれぞれで実質的に同じであることを確認する段階を更に含む、請求項21に記載の方法。
JP2011533172A 2008-10-22 2009-10-21 流体分注装置の較正 Active JP5638529B2 (ja)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10736008P 2008-10-22 2008-10-22
US61/107,360 2008-10-22
US10783708P 2008-10-23 2008-10-23
US61/107,837 2008-10-23
US10960808P 2008-10-30 2008-10-30
US61/109,608 2008-10-30
US12/582,041 2009-10-20
US12/582,041 US8480933B2 (en) 2008-10-22 2009-10-20 Fluid dispense device calibration
PCT/US2009/005723 WO2010047790A2 (en) 2008-10-22 2009-10-21 Fluid dispense device calibration

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012506635A true JP2012506635A (ja) 2012-03-15
JP2012506635A5 JP2012506635A5 (ja) 2012-12-06
JP5638529B2 JP5638529B2 (ja) 2014-12-10

Family

ID=42108900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011533172A Active JP5638529B2 (ja) 2008-10-22 2009-10-21 流体分注装置の較正

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8480933B2 (ja)
EP (1) EP2342600A2 (ja)
JP (1) JP5638529B2 (ja)
KR (1) KR101743979B1 (ja)
TW (1) TWI430038B (ja)
WO (1) WO2010047790A2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011136540A (ja) * 2010-01-04 2011-07-14 Toshiba Mach Co Ltd ディスペンサを備えた転写装置、ディスペンサの吐出量検出方法、及びディスペンサの吐出量制御方法
JP2015213130A (ja) * 2014-05-02 2015-11-26 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR20150143321A (ko) 2014-06-13 2015-12-23 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP2016146467A (ja) * 2015-02-03 2016-08-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP2017118057A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 キヤノン株式会社 インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法
WO2018179881A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 株式会社ダイセル 樹脂成型品の製造方法及び光学部品の製造方法
JP2018161862A (ja) * 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ダイセル 樹脂成型品の製造方法及び光学部品の製造方法
JP2019532513A (ja) * 2016-10-18 2019-11-07 モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. 構造のマイクロリソグラフィ加工
JP2020518837A (ja) * 2017-05-05 2020-06-25 ブライトン テクノロジーズ エルエルシー 液体の微小容積を測定する方法及びデバイス

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100102471A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Fluid transport and dispensing
US20100101493A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Dispense System
US20100112220A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Molecular Imprints, Inc. Dispense system set-up and characterization
JP5595949B2 (ja) * 2011-02-15 2014-09-24 株式会社東芝 インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法
JP5727905B2 (ja) * 2011-09-15 2015-06-03 富士フイルム株式会社 インクジェットヘッドの吐出量補正方法、吐出量補正装置、及びナノインプリントシステム
US10875238B2 (en) 2015-10-20 2020-12-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Patterned layer deposition
US9993962B2 (en) 2016-05-23 2018-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of imprinting to correct for a distortion within an imprint system
US11194247B2 (en) 2018-01-31 2021-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Extrusion control by capillary force reduction
US11927883B2 (en) 2018-03-30 2024-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus to reduce variation of physical attribute of droplets using performance characteristic of dispensers
US10739675B2 (en) 2018-05-31 2020-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Systems and methods for detection of and compensation for malfunctioning droplet dispensing nozzles
WO2022132164A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Print agent recirculation within printheads for decap performance

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5653389A (en) * 1995-09-15 1997-08-05 Henderson; Graeme W. Independent flow rate and droplet size control system and method for sprayer
US6936194B2 (en) * 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US20040065252A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US8349241B2 (en) * 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US20050106321A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Molecular Imprints, Inc. Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput
EP1768846B1 (en) 2004-06-03 2010-08-11 Molecular Imprints, Inc. Fluid dispensing and drop-on-demand dispensing for nano-scale manufacturing
JP5044092B2 (ja) 2004-07-23 2012-10-10 株式会社東芝 インクジェット塗布装置および塗布体の製造方法
US7483767B2 (en) * 2004-10-14 2009-01-27 The George Washington University Feedback mechanism for smart nozzles and nebulizers
US20070076040A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for inkjet nozzle calibration
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
US8001924B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
KR100781997B1 (ko) 2006-08-21 2007-12-06 삼성전기주식회사 잉크젯 헤드의 캘리브레이션 방법 및 그 장치

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011136540A (ja) * 2010-01-04 2011-07-14 Toshiba Mach Co Ltd ディスペンサを備えた転写装置、ディスペンサの吐出量検出方法、及びディスペンサの吐出量制御方法
US10406743B2 (en) 2014-05-02 2019-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP2015213130A (ja) * 2014-05-02 2015-11-26 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR20150143321A (ko) 2014-06-13 2015-12-23 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP2016146467A (ja) * 2015-02-03 2016-08-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP2017118057A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 キヤノン株式会社 インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法
KR20170077051A (ko) * 2015-12-25 2017-07-05 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치의 조정 방법, 임프린팅 방법 및 물품 제조 방법
KR102086196B1 (ko) 2015-12-25 2020-03-06 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치의 조정 방법, 임프린팅 방법 및 물품 제조 방법
KR20200024816A (ko) * 2015-12-25 2020-03-09 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치의 조정 방법, 임프린팅 방법 및 물품 제조 방법
KR102134626B1 (ko) 2015-12-25 2020-07-16 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치의 조정 방법, 임프린팅 방법 및 물품 제조 방법
US11188058B2 (en) 2015-12-25 2021-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Adjusting method for imprint apparatus, imprinting method, and article manufacturing method
JP2019532513A (ja) * 2016-10-18 2019-11-07 モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. 構造のマイクロリソグラフィ加工
US11307493B2 (en) 2016-10-18 2022-04-19 Molecular Imprints, Inc. Microlithographic fabrication of structures
WO2018179881A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 株式会社ダイセル 樹脂成型品の製造方法及び光学部品の製造方法
JP2018161862A (ja) * 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ダイセル 樹脂成型品の製造方法及び光学部品の製造方法
US11927884B2 (en) 2017-03-27 2024-03-12 Daicel Corporation Resin molded article production method and optical component production method
JP2020518837A (ja) * 2017-05-05 2020-06-25 ブライトン テクノロジーズ エルエルシー 液体の微小容積を測定する方法及びデバイス
JP2022050675A (ja) * 2017-05-05 2022-03-30 ブライトン テクノロジーズ エルエルシー 液体分注装置を較正する方法及び液体分注装置較正システム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI430038B (zh) 2014-03-11
WO2010047790A3 (en) 2010-08-26
JP5638529B2 (ja) 2014-12-10
KR20110074582A (ko) 2011-06-30
WO2010047790A2 (en) 2010-04-29
EP2342600A2 (en) 2011-07-13
US20100098848A1 (en) 2010-04-22
US8480933B2 (en) 2013-07-09
KR101743979B1 (ko) 2017-06-07
TW201022851A (en) 2010-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5638529B2 (ja) 流体分注装置の較正
US8647554B2 (en) Residual layer thickness measurement and correction
US6932934B2 (en) Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
KR100963510B1 (ko) 압인 리소그래피 프로세스 및 시스템
US6908861B2 (en) Method for imprint lithography using an electric field
US6900881B2 (en) Step and repeat imprint lithography systems
US11604409B2 (en) Template replication
JP2009532906A (ja) 基板上の複数のフィールドをパターニングすること
US20090212012A1 (en) Critical dimension control during template formation
US10481491B2 (en) Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
US10468247B2 (en) Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
KR102272038B1 (ko) 적응성 척킹 시스템
US20200096863A1 (en) Method of fluid droplet offset and apparatus for imprint lithography
US20100096470A1 (en) Drop volume reduction
KR102253302B1 (ko) 템플릿의 위치를 조정하기 위한 시스템 및 방법
US20100104747A1 (en) Drop Deposition Control
US11036130B2 (en) Drop placement evaluation
US11762295B2 (en) Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
US20220128901A1 (en) System and Method for Shaping a Film with a Scaled Calibration Measurement Parameter

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121022

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121022

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140303

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141022

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5638529

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250