JP2008288475A

JP2008288475A - 炭化珪素半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2008288475A
Application number: JP2007133597A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Kawada; 泰之河田
Original assignee: Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2007-05-21
Filing date: 2007-05-21
Publication date: 2008-11-27
Anticipated expiration: 2027-05-21
Also published as: US8071482B2; JP5135879B2; US20080293240A1

Abstract

【目的】高耐圧素子を作製する場合に必要とされ、深さ１０μｍ以上であって、ドリフト層を超えてＳｉＣ基板に達する深いメサ溝を形成する際に、マイクロマスクの発生を抑制し、エッチング表面形状を滑らかな曲線にして耐圧を向上させることのできるドライエッチング方法を含む炭化珪素半導体装置の製造方法の提供。
【構成】ＳｉＣウエハ上にＡｌ膜２、Ｎｉ膜３を、この順で積層し、ウエットエッチングによりＮｉ膜３がＡｌ膜２より張り出した形状の２層構造のエッチングマスクとする。このエッチングマスクを用いてドライエッチングによりメサ溝８を形成するエッチング方法を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、高耐圧、大電流用に使用される炭化珪素（以降ＳｉＣと略記）半導体装置の製造方法に係る。詳しくは、ＳｉＣ半導体基板を用いたダイオードやＭＯＳＦＥＴなどの半導体パワーデバイスにおいて、主電流の流れる活性部を取り囲む接合終端部表面を有するメサ溝を形成するためのドライエッチング方法を含む製造方法に係る。

インバータや交流電力制御などに用いられるシリコン半導体（以下Ｓｉ）パワーデバイス（パワー半導体装置と同義）としてはパワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどが周知であり、広く用いられている。しかしながら、半導体材料としてのＳｉは、最近ではパワーデバイスの半導体特性に関して、その材料の物性的限界に近い使われ方が多く見られるようになってきた。その結果、Ｓｉよりさらに物性的限界が高い半導体材料であるＳｉＣが着目されるようになっている。このＳｉＣ（特に４Ｈ−ＳｉＣの結晶形態のもの）材料はその絶縁破壊電界がＳｉに比べ一桁高く、さらにバンドギャップは２．９倍、熱伝導率は３．２倍、真性半導体となる温度が３〜４倍とそれぞれＳｉより高いことを特長とする。このため、特にパワーデバイス用の基板材料として用いた場合に、Ｓｉより物性的限界に優れた性能が大いに発揮される。この結果、このＳｉＣ基板を用いたパワーデバイスでは、Ｓｉデバイスにおいてトレードオフ関係にあって難しいとされる、高耐圧特性と低オン抵抗特性の両立が期待できるようになるので、近年製品化へのアプローチが多く試みられるようになった。

ＳｉＣなどのワイドバンドギャップデバイスをパワーデバイスとして実用化または製品化するためのエッチングを含む製造方法に関する公知技術には次のような特許文献１〜３がある。特許文献１は、ドライエッチング用マスクに関するものであり、ＧａＮ半導体基板へのエッチングマスクの密着性を高め、高精度の溝加工を可能にする製造方法について記載されている。特許文献に２は、ＳｉＣ基板に対して、ドライエッチング時に耐圧が低下し易いマイクロトレンチの発生を防ぐために、Ａｌマスクを用いたドライエッチングとＡｌマスクを除去した後に行う全面ドライエッチングとを組み合わせる方法の記載がある。特許文献３は、ＳｉＣ基板に対して、エッチングで形成したトレンチの上端コーナーにおける耐圧低下を防ぐために、トレンチ底部の酸化膜厚を厚くしてから等方エッチングすることにより、トレンチ上部コーナー部を丸め、耐圧低下を防止する記載がある。
特開２００５−３２２８１１号公報（要約）特開２００５−５６８６８号公報（要約）特開２００６−２２８９０１号公報（要約）

しかしながら、ＳｉＣデバイスをパワーデバイスとして実用化または製品化するための実際の製造プロセスには、まだまだ解決すべき種々の課題が多く残されている。
そのような課題の一つとしては、具体的には、たとえば、ＳｉＣ基板を用いてデバイスを作製する場合、トレンチゲート用のトレンチや素子の活性部を取り囲む接合終端部表面を有するメサ溝などをドライエッチングにより形成する工程における課題などがある。すなわち、ＳｉＣ基板のドライエッチングにおいては、エッチングに用いるガス種やエッチングの諸条件（ＩＣＰプラズマ電力・バイアス電力・ガス圧力・ガス流量）を適切に制御しないと、メサ溝のドライエッチング中にエッチングマスク材が被エッチング材料へ付着（マイクロマスクという）することによるエッチング不良やマイクロトレンチ（エッチングで形成した凹部の底部コーナー端が余計に深く削れて形成される小溝）が発生し、問題となるのである。その理由は、このようなマイクロマスクやマイクロトレンチが発生すると、メサ溝のエッチング面に鋭角部分が形成され易くなる。このような鋭角部分がメサ溝表面に形成されると、そこに電界が集中し絶縁破壊が起こり易くなり、素子耐圧を高くすることができなくなるからである。

通常、高耐圧素子を作製する場合には、ＳｉＣ基板に限らず、Ｓｉ基板を用いる場合でも、メサ溝をエッチングで形成する際に、できるかぎり鋭角部分のないエッチング表面にすることが求められる。そのため、ＳｉＣ基板にメサ溝をドライエッチングで形成する際には、前述のマイクロトレンチの発生を抑えるために、２段階のエッチング条件を用いる方法が行われることがある。たとえば、１段階目で、ある程度、速いエッチング速度でエッチングしてから、エッチング速度を遅くして、仕上がりのエッチング形状を滑らかに整える方法である。しかし、この２段階エッチング方法は、プロセスが複雑である上、さらに、その確実な再現性に対する懸念も充分には解消しきれていないという問題がある。

本発明は、以上述べた点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、高耐圧素子を作製する場合に必要とされ、深さ１０μｍ以上であって、ドリフト層を超えてＳｉＣ基板に達する深いメサ溝を形成する際に、マイクロマスクの発生を抑制し、エッチング表面形状を滑らかな曲線にして耐圧を向上させることのできるドライエッチング方法を含む炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明によれば、ＳｉＣ基板上にＡｌ膜、Ｎｉ膜を、この順で積層し、ウエットエッチングによりＮｉ膜がＡｌ膜より張り出した形状の２層構造のエッチングマスクとする。このエッチングマスクを用いてドライエッチングによりメサ溝を形成する際に、Ａｌ膜より張り出したＮｉ膜の影響でエッチングガスのイオンの入射が溝の側壁近傍で緩和される結果、通常は、溝の側壁近傍で局部的に深いサブトレンチができ易い現象が緩和され、耐圧が向上する効果が得られる。

特許請求の範囲の請求項１記載の発明によれば、炭化珪素半導体基板上にパターニングしたエッチングマスクを用いて前記炭化珪素半導体基板に１０μｍ以上の深いメサ溝をドライエッチングにより形成する際、エッチングマスクにはＡｌ膜と、該Ａｌ膜よりオーバーハング状に張り出して覆うＮｉ膜とからなる積層金属膜を用い、ドライエッチングにはエッチングガスとしてＳＦ_６、Ｏ_２、Ａｒの混合ガスを電離して得られる誘導結合プラズマ（ＩＣＰプラズマ）を用い、全ガス流量中、ＳＦ_６流量は２６％乃至３５％、Ｏ_２流量は７．５％乃至８．５％、Ａｒ流量は５８％乃至６５％の流量比で流し、前記炭化珪素半導体基板の温度を３０℃±５℃とし、３Ｐａ以上の圧力を保ってエッチングを行うドライエッチング工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法を特徴とする。

特許請求の範囲の請求項２記載の発明によれば、誘導結合プラズマを用いるドライエッチング装置のＩＣＰプラズマ電力を５００Ｗ、バイアス電力を１５Ｗとする特許請求の範囲の請求項１記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とする。
特許請求の範囲の請求項３記載の発明によれば、前記エッチングマスクとして用いるＡｌ膜とＮｉ膜との積層金属膜は、全膜厚が０．５μｍ乃至２μｍである特許請求の範囲の請求項２記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とする。

特許請求の範囲の請求項４記載の発明によれば、前記Ａｌ膜とＮｉ膜との積層金属膜は、Ａｌ膜が全膜厚の３０％乃至５０％の膜厚に形成された後、該Ａｌ膜上にＮｉ膜が全膜厚の５０％乃至７０％に形成される特許請求の範囲の請求項３記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とする。
特許請求の範囲の請求項５記載の発明によれば、前記Ａｌ膜とＮｉ膜との積層金属膜は、Ｎｉ膜よりＡｌ膜のエッチング速度が大きいウエットエッチング液によりパターン形成される特許請求の範囲の請求項４記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とする。

特許請求の範囲の請求項６記載の発明によれば、前記ウエットエッチング液は、燐酸と硝酸と酢酸とを含む混酸である特許請求の範囲の請求項５記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とする。

本発明によれば、高耐圧素子を作製する場合に必要とされ、深さ１０μｍ以上であって、ドリフト層を超えてＳｉＣ基板に達する深いメサ溝を形成する際に、マイクロマスクの発生を抑制し、エッチング表面形状を滑らかな曲線にして耐圧を向上させることのできるドライエッチング方法を含む炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下、本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。
図１はフォトレジストパターンを示す炭化珪素半導体基板の断面図である。図２は金属積層膜からなるエッチングマスクのパターンを示す炭化珪素半導体基板の断面図である。図３は炭化珪素半導体基板のエッチング条件１から６によるエッチング形状を示す炭化珪素半導体基板の断面図である。図４は炭化珪素半導体基板のエッチング条件７から９によるエッチング形状を示す炭化珪素半導体基板の断面図である。図５はメサ溝を形成した炭化珪素半導体基板の断面図である。

図１に示すように、（０００１）Ｓｉ面を主表面とするｎ^＋型単結晶ＳｉＣ基板１を準備し、その上に膜厚１０μｍ、不純物濃度１×１０^１６ｃｍ^−３のｎ型層（ｎ型ドリフト層）７を熱ＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させる。ｎ型ドリフト層７はエピタキシャル層にイオン注入により形成したものであってもよい。このｎ型ドリフト層７上にエピタキシャル成長法あるいはイオン注入法によりｐ型ベース層５、ｎ^＋型ソース領域６をそれぞれ形成し、炭化珪素（ＳｉＣ）ウエハとする。ｐ型ベース層５の膜厚は１μｍ、不純物濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３であり、ｎ^＋型ソース領域６の接合深さは０．５μｍ、不純物濃度は１×１０^１９ｃｍ^−３である。なお、単結晶ＳｉＣ基板１としては六方晶系の炭化珪素ならいずれも用いることができるが、移動度の点から４Ｈ−ＳｉＣが好適である。また、ｎ型ドリフト層７とｎ^＋型ソース領域６のドナーとしては窒素（Ｎ）、ｐ型ベース層５のアクセプターとしてはアルミニウム（Ａｌ）を用いるとよい。ｎ^＋型ソース領域６の表面から深さ２μｍ程度のトレンチを公知のドライエッチングなどにより形成し、ゲート絶縁膜、ゲート電極などを形成すれば、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどを作製することができる。ＭＯＳ構造は前述のトレンチゲート構造ではなく、ゲート絶縁膜がウエハ主面に平行に形成されるプレーナゲート構造であってもよい。これらのＭＯＳ構造についてはよく知られた公知技術であるので、ここではこれ以上の説明は省略する。または、ｎ^＋型ソース領域６を形成しないで、ダイオードとすることもできる。

このようにｐ型ベース層５、ｎ^＋型ソース領域６を形成したＳｉＣウエハ上に、エッチングマスクとして、たとえば、スパッタ法によりＡｌ膜２、Ｎｉ膜３を順次積層する。それぞれの金属膜の形成方法には公知の方法を用いることができる。ここでＮｉ膜３はＳｉＣ基板とのエッチングの選択比が大きく、ドライエッチングによるメサ溝８形成の際、その側壁を炭化珪素ウエハの表面に対し垂直に近くできるので好ましい。また、Ａｌ膜２はＮｉ膜３よりもエッチングされる速度が大きいので、マスクパターン形成時に、図２に示すようにＡｌ膜２よりＮｉ膜３がオーバーハング状に張り出した積層形状とすることができるので、選ばれた。Ａｌ膜２とＮｉ膜３の膜厚は、それぞれ０．４μｍと０．６μｍとする。ＳｉＣウエハを洗浄後、１２０℃で１０分間乾燥させる。その後、フォトレジストとのなじみがよくなるように前記Ｎｉ／Ａｌの金属膜表面にヘキサメチルジシラザン（ＯＡＰ：東京応化（株）の商品名）蒸気などの雰囲気中に放置した後、フォトレジスト４を前記Ｎｉ膜３上に塗布する。その後、クリーンオーブンで１００℃で１０分処理し、フォトレジスト４をソフトベークする。ベーク後、紫外線を用いた露光装置で任意のパターンが形成されたエッチングマスクを用いて露光を行なう。露光後現像を行い、不要のフォトレジスト４を除去し、１２５℃−２０分間ハードべークを行って、図１の断面図に示すようなフォトレジストパターンを形成する。このときのフォトレジスト４の膜厚は約２．５μｍである。フォトレジスト４の厚さはウエットエッチングに耐える厚さであれば、異なる膜厚でも問題ない。フォトレジストパターンを形成後、Ｎｉ膜３とＡｌ膜２をパターンエッチングできる混酸（燐酸＋硝酸＋酢酸）からなるエッチング液を所定の温度に加熱した中に前記ＳｉＣウエハを浸し、Ｎｉ膜３とＡｌ膜２をウエットエッチングして図２の断面図に示すように、Ａｌ膜の上にＮｉ膜がオーバーハング状に覆っている構成のＮｉ膜／Ａｌ膜の積層からなるエッチングマスクを作製する。前記混酸によれば、前述のようにＮｉ膜３よりＡｌ膜２の方がエッチング速度が速いので、図２のようにＡｌ膜２上にＮｉ膜３がオーバーハング状に張り出した形状になるのである。Ｎｉ膜３とＡｌ膜２のウエットエッチング後にフォトレジスト４を剥離液に浸して除去する。ウエハの一素子単位ごとに、それぞれ活性部を取り囲むようにエッチングマスクの開口部を形成する。素子耐圧に係わる接合終端部表面を有するメサ溝８を形成するためのドライエッチングでは形成される溝の幅（面積）がトレンチゲート用の溝幅などに比べ広いため、あまり精度の高くないウエットエッチングによって線幅に多少の狂いがあってもあまり問題にならない。このエッチングマスクの形成後は、水洗して乾燥した後、次にＳｉＣ（またはＳｉＣ膜）のドライエッチングを行う。

次に、圧力３Ｐａで、ＳＦ_６とＯ_２とＡｒとを含む混合ガス雰囲気中で、ＩＣＰプラズマ電力及びバイアス電力をＳｉＣウエハに印加し、ｎ^＋型ソース領域６とｐ型ベース層５、ｎ型ドリフト層７を貫通し、ＳｉＣ基板１に達するメサ溝８を形成する。メサ溝８の深さはｎ型ドリフト層７が１０μｍとした場合は、１０μｍ以上必要である。すなわち、低不純物濃度のｎ⁻ドリフト層３よりも深いメサ溝８を形成することにより耐圧をかけた際に生じる空乏層がメサ溝８の底部に達しない深さとすることが必要であり、耐圧を維持するための構造である。メサ溝８には、その後、ポリイミド、ＳｉＯ_２、シリコン窒化膜、多結晶シリコンなどの絶縁物９により適宜充填される必要がある。ウエハを各素子単位ごとのチップに切断する方法には、メサ溝の幅を広くして、その中央で切断する場合と、切断ラインをＳｉＣウエハ面に設けるために、メサ溝をウエハの各素子単位ごとにリング状に形成する構造とすることができる。

以下、前述のＳｉＣウエハをドライエッチングして耐圧を保持するためのメサ溝を形成する最適なエッチング条件を決めるための実験等について、以下に説明する。本発明では前記耐圧を保持するためのメサ溝を形成する最適なエッチング条件が重要な要件であるので、特に詳細に説明する。
前述したエッチングマスクの形成後、水洗して乾燥した後、ＳｉＣ（またはＳｉＣ膜）のドライエッチング条件を変える実験を行った。すなわち、ＩＣＰプラズマを用いたドライエッチング装置でＳＦ_６／Ｏ_２／Ａｒ混合ガスを用いて、エッチング条件を最適化させることを目的として次のようにエッチング条件を変えた。下記表１にエッチング条件（ガス種、流量、ＩＣＰ電力、バイアス電力、圧力、温度）を変化させた場合の選択比（ＳｉＣエッチング量／エッチングマスクエッチング量の比）を示す。

［表１］
エッチング条件と選択比（選択比×印はマスクがエッチングに耐えられず、マスク下のＳｉＣ基板表面がエッチングされたことを示す）

条件１から条件６の場合のエッチング形状を図３の断面図（１）〜（６）にそれぞれ順に対応させて示す。表１の条件１と条件２に示したようにバイアス電力を５０Ｗから１５Ｗに低下させると選択比が９．７から１６．７に改善され、図３の（１）と（２）に示すように、メサ溝８の側壁１０の下部にあるマイクロトレンチ（サブトレンチ）１１も小さくなることが分かる。符号３はエッチングマスクのＮｉ膜３である。

条件１と条件３からＳＦ_６／Ｏ_２比を３／１にほぼ一定のままＳＦ_６／Ｏ_２の流量を３０／１０から１０／３．３ｓｃｃｍに低下させ、更に条件３のようにＡｒを２５ｓｃｃｍ添加した場合は、図３の（３）に示すように、エッチングマスクが耐えられずにマスクの下のＳｉＣ基板表面１２がエッチングダウンされて側壁１０の長さが短くなってしまったが、マイクロトレンチ１１は同じバイアス５０Ｗの条件１より小さくなりＡｒを添加する効果のあることが分かる（図３の（１）と（２）と（３））。

条件３と条件４では、エッチング時の温度を変えてみても、特に選択比の改善効果を示さないことが分かる（図３の（３）と（４））。
条件４と条件５では、圧力を３Ｐａから０．５Ｐａに低下させたが、やはり選択比の改善効果を示さず、マスクの下のＳｉＣ基板表面１２がエッチングダウンされて側壁１０の長さが短くなっていることがわかる（図３の（４）と（５））。

条件５と条件６からは、Ａｒ添加で基板温度を７５℃にした状態でバイアスを５０Ｗから１５Ｗに低下させると選択比が改善され、エッチングマスクのエッチング量が低減され、マスクの下のＳｉＣ基板表面１２がエッチングダウンされていないことを示している（図３の（５）と（６））。
これらの結果から、Ａｒを添加し、温度は加熱せず（３０℃）圧力は下げず（３Ｐａ）、バイアスは低く（１５Ｗ）することが条件的に適しているとわかる。

本発明のＮｉ膜３／Ａｌ膜２の２層膜のエッチングマスクではＮｉ膜３の張り出しを利用してマイクロトレンチ１１の発生を抑えることを目的にしているが、たとえばＳｉＣウエハを深さ１０μｍエッチングする場合、Ｎｉ膜３が無くならないような選択比を実現しないと張り出させた意味がなくなる。Ｎｉ膜３は本実施例で０．６μｍの厚さであるので選択比は計算上１６．６以上が必要になる。

次に、エッチングの選択比を改善するためＳＦ_６／Ｏ_２比を調整する検討を行った。下記表２にＳＦ_６／Ｏ_２比を変えた場合の選択比を示す。

［表２］
表２ＳＦ_６流量と選択比

図４の（７）、（８）、（９）に表２の条件７〜９に対応するのエッチング形状の断面図をそれぞれ順に示す。表２からＳＦ_６／Ｏ_２比を条件９のように１５／３．３まで高めると選択比が１９．５まで向上するのがわかる。この選択比なら計算上ＳｉＣウエハを深さ１１．７μｍエッチングしてもＮｉ膜３が残ることになる。図４の（９）の断面図からエッチング側壁１０と底部１３の交差部分１４をみるとＳＦ_６／Ｏ_２＝１５／３．３にした条件９でかなりなだらかになっているのがわかる。エッチングマスクも張り出した部分がしっかり残っており、この張り出しで端部へのエッチングに寄与するイオンが集中しづらくなったためと思われる。条件８の場合でも選択比が１７．７と前述した１６．６より大きいので、採用することができる。

この結果から、エッチングマスクをＮｉ膜３／Ａｌ膜２の２層膜とし、Ｎｉ膜３が張り出した構造とすることと、表２の条件８と９で用いたエッチング条件を適用するとマイクロマスクの発生やマイクロトレンチ１１の発生が無く、エッチング形状が滑らかで鋭角になった部分がないＳｉＣウエハのメサ溝８を実現できる。この条件によれば、炭化珪素半導体装置を作製する場合に、素子の耐圧を決めるメサ溝８の接合終端部表面への電界集中が緩和され、耐圧の向上が図れる最適な製造方法とすることができる。

フォトレジストパターンを示す炭化珪素半導体装置の断面図である。金属積層膜からなるエッチングマスクのパターンを示す炭化珪素半導体装置の断面図である。炭化珪素半導体装置のエッチング条件１から６によるエッチング形状を示す炭化珪素半導体装置の断面図である。炭化珪素半導体装置のエッチング条件７から９によるエッチング形状を示す炭化珪素半導体装置の断面図である。図５はメサ溝を形成した炭化珪素半導体基板の断面図である。

符号の説明

１炭化珪素半導体基板
２Ａｌ膜
３Ｎｉ膜
４フォトレジスト膜
５ｐベース層
６ｎ^＋ソース領域
７ｎ型ドリフト層
８メサ溝
９絶縁物
１０側壁
１１マイクロトレンチ
１２エッチングマスク下のＳｉＣ表面
１３メサ溝底部
１４メサ溝の側壁と底部の交差部。

Claims

炭化珪素半導体基板上にパターニングしたエッチングマスクを用いて前記炭化珪素半導体基板に１０μｍ以上の深いメサ溝をドライエッチングにより形成する際、エッチングマスクにはＡｌ膜と、該Ａｌ膜よりオーバーハング状に張り出して覆うＮｉ膜とからなる積層金属膜を用い、ドライエッチングにはエッチングガスとしてＳＦ_６、Ｏ_２、Ａｒの混合ガスを電離して得られる誘導結合プラズマを用い、全ガス流量中、ＳＦ_６流量は２６％乃至３５％、Ｏ_２流量は７．５％乃至８．５％、Ａｒ流量は５８％乃至６５％の流量比で流し、前記炭化珪素半導体基板の温度を３０℃±５℃とし、３Ｐａ以上の圧力を保ってエッチングを行うドライエッチング工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
誘導結合プラズマを用いるドライエッチング装置のＩＣＰプラズマ電力を５００Ｗ、バイアス電力を１５Ｗとすることを特徴とする請求項１記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記エッチングマスクとして用いるＡｌ膜とＮｉ膜との積層金属膜は、全膜厚が０．５μｍ乃至２μｍであることを特徴とする請求項２記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記Ａｌ膜とＮｉ膜との積層金属膜は、Ａｌ膜が全膜厚の３０％乃至５０％の膜厚に形成された後、該Ａｌ膜上にＮｉ膜が全膜厚の５０％乃至７０％に形成されることを特徴とする請求項３記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記Ａｌ膜とＮｉ膜との積層金属膜は、Ｎｉ膜よりＡｌ膜のエッチング速度が大きいウエットエッチング液によりパターン形成されることを特徴とする請求項４記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
前記ウエットエッチング液は、燐酸と硝酸と酢酸とを含む混酸であることを特徴とする請求項５記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。