JP2006303272A - 半導体装置、及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006303272A JP2006303272A JP2005124557A JP2005124557A JP2006303272A JP 2006303272 A JP2006303272 A JP 2006303272A JP 2005124557 A JP2005124557 A JP 2005124557A JP 2005124557 A JP2005124557 A JP 2005124557A JP 2006303272 A JP2006303272 A JP 2006303272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- well region
- dummy
- semiconductor device
- jfet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】半導体基板4上にゲート絶縁膜11を介してゲート電極10を形成する。そして、ソース領域5とウェル領域14を半導体装置内側から外側に向かって徐々に深さが深くなるように階段状に形成する。ウェル領域14間に挟まれた領域であるJFET領域が基板深さ方向に対して徐々に広がる構造となっているので、高耐圧特性を維持したまま、素子の微細化に伴うオン抵抗の増加を抑えることができる。
【選択図】図1
Description
<A.構成>
図1は、本実施の形態に係る縦型炭化珪素電界効果型トランジスタ(半導体装置)の主要部の構成を示す断面図である。
次に図2から図5を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
次に、以上の構造を備える炭化珪素電界効果型トランジスタのJFET領域の抵抗の計算結果を示す。
本実施の形態に係る電界効果型トランジスタは、ウェル領域14、ソース領域5が階段状に形成されているため、JFET領域が基板深さ方向に対して徐々に広がる構造を有している。そのため、高耐圧特性を維持したまま、JFET領域の抵抗、ひいては素子全体のオン抵抗を減少することができ、素子の微細化や高性能化に寄与することができる。
<A.構成>
図10は、本実施の形態に係る炭化珪素電界効果型トランジスタの主要部の構成を示す断面図である。
次に、図11から図13を参照して、本実施の形態に係る炭化珪素電界効果型トランジスタの製造方法について説明する。
実施の形態1に係る電界効果型トランジスタでは、ソース領域5の第1ウェル領域6との界面と、第1ウェル領域6の半導体基板4との界面との間隔が狭い部分が存在する。
<A.構成>
図14は、本実施の形態に係る炭化珪素電界効果型トランジスタの主要部の構成を示す断面図である。
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を図15を参照して説明する。まず、実施の形態2の製造工程にしたがって、図13で示した構造を作成する。
次に、本実施の形態に係る半導体装置におけるJFET領域の抵抗(JFET抵抗)の計算結果を示す。図16は、抵抗の計算のために用いた半導体装置の構成の模式図を示す。
本実施の形態に係る電界効果型トランジスタは、以上説明したように、ウェル領域14と半導体基板4の界面と、ソース領域5とウェル領域14の界面との間隔がいずれの場所においても所定間隔以上離れている。
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表層部にJFET領域を挟んで形成された一対のウェル領域と、
各前記ウェル領域の表層部に形成されたソース領域と、
前記JFET領域とその両側の前記ウェル領域及び前記ソース領域とに重なるように前記半導体基板上に形成されたゲート構造と、
を備える半導体装置であって、
前記ウェル領域及び前記ソース領域は、前記JFET領域側の端部が階段状に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記JFET領域側の端部において、前記ウェル領域と前記半導体基板の界面と、前記ウェル領域と前記ソース領域との界面との間隔が、いずれの場所においても略一定であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記JFET領域側の端部において、前記ウェル領域が3段の階段状に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に階段状のマスクを形成する工程と、
(b)前記マスクを用いて、前記ソース領域及び前記ウェル領域を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、
ダミーゲートを形成することにより第1マスクを形成する工程と、
前記ダミーゲートの側壁に段差を有するダミー層間膜を形成することにより第2マスクを形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記第2マスクの側壁に第1ダミーサイドウォールを形成することにより、第3マスクを形成する工程と、
前記第1ダミーサイドウォールの側壁に第2ダミーサイドウォールを形成することより第4マスクを形成する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)は、
前記第4マスクを用いて、前記ソース領域の第1領域を形成する工程と、
前記第3マスクを用いて、前記ソース領域の第1領域よりも浅い第2領域を形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(b)は、
前記第2マスクを用いて、前記ウェル領域の第1領域を形成する工程と、
前記第1マスクを用いて、前記ウェル領域の第1領域よりも浅い第2領域を形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項5又は7に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005124557A JP4627211B2 (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 炭化珪素半導体装置、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005124557A JP4627211B2 (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 炭化珪素半導体装置、及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006303272A true JP2006303272A (ja) | 2006-11-02 |
JP4627211B2 JP4627211B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=37471191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005124557A Active JP4627211B2 (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 炭化珪素半導体装置、及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4627211B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009099182A1 (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-13 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置 |
US7981817B2 (en) | 2007-01-16 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing semiconductor device using multiple ion implantation masks |
JP2013236040A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-21 | Hitachi Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US8686437B2 (en) | 2012-02-29 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | DIMOSFET SiC semiconductor device |
CN107275393A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 碳化硅mosfet器件及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013182905A (ja) | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384164A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Nissan Motor Co Ltd | 縦形mosfet |
JPH01255276A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH04246833A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004006723A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体装置及びその製造方法 |
WO2004036655A1 (ja) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 |
JP2004319964A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005064476A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板とl型スペーサーとの間にエアギャップを備える半導体素子及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2005124557A patent/JP4627211B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384164A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Nissan Motor Co Ltd | 縦形mosfet |
JPH01255276A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH04246833A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004006723A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体装置及びその製造方法 |
WO2004036655A1 (ja) * | 2002-10-18 | 2004-04-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 |
JP2004319964A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005064476A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板とl型スペーサーとの間にエアギャップを備える半導体素子及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7981817B2 (en) | 2007-01-16 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing semiconductor device using multiple ion implantation masks |
WO2009099182A1 (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-13 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置 |
JP5693851B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2015-04-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US8686437B2 (en) | 2012-02-29 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | DIMOSFET SiC semiconductor device |
US8951898B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a silicon carbide DIMOSFET |
JP2013236040A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-21 | Hitachi Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
CN107275393A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 碳化硅mosfet器件及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4627211B2 (ja) | 2011-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9559188B2 (en) | Trench gate type semiconductor device and method of producing the same | |
TWI503894B (zh) | 形成具有遮蔽電極結構的絕緣閘場效應電晶體裝置的方法 | |
JP6848317B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPWO2009050871A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4435847B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006066439A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2018082114A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009200300A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2019004078A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US8222107B2 (en) | Method for producing semiconductor element | |
JP4627211B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置、及びその製造方法 | |
JP2006286953A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4842527B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20130244390A1 (en) | Extended drain lateral dmos transistor with reduced gate charge and self-aligned extended drain | |
JP2012064741A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011091125A (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP5037103B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP5036399B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JPH1074939A (ja) | パワーmosfet | |
JP6103453B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2020035867A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2009283534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2005034246A1 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置 | |
JP6707927B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2023072446A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071012 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101104 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4627211 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |