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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2161737A4 (en) * 2007-06-20 2010-06-23 Asahi Glass Co Ltd POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPONENTS
WO2008155987A1 (ja) * 2007-06-20 2008-12-24 Asahi Glass Co., Ltd. 研磨用組成物、半導体集積回路表面の研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法
JP5226278B2 (ja) * 2007-11-08 2013-07-03 株式会社クラレ 研磨用スラリー
US8506359B2 (en) 2008-02-06 2013-08-13 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method
JP5413566B2 (ja) * 2008-02-06 2014-02-12 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5413568B2 (ja) * 2008-02-06 2014-02-12 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5413567B2 (ja) * 2008-02-06 2014-02-12 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2009224771A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028079A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010041027A (ja) * 2008-02-18 2010-02-18 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2009224767A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333740B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333741B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333744B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法
WO2009104465A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
JP5333739B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333743B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028078A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010016344A (ja) * 2008-02-18 2010-01-21 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010034497A (ja) * 2008-02-18 2010-02-12 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028077A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333742B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
KR101563023B1 (ko) * 2008-02-18 2015-10-23 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법
JP5782257B2 (ja) * 2008-05-01 2015-09-24 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに化学機械研磨方法
TW201012909A (en) * 2008-08-28 2010-04-01 Asahi Glass Co Ltd Abrasive composition and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
KR20110090920A (ko) * 2008-11-10 2011-08-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 연마용 조성물 및 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
JP6051679B2 (ja) * 2012-08-22 2016-12-27 住友電気工業株式会社 研磨用組成物および化合物半導体基板の製造方法
WO2015140850A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
TWI752903B (zh) * 2015-03-12 2022-01-21 德商馬克專利公司 在低pKa驅動之聚合物剝離期間促進電荷錯合銅之保護的組合物及方法
CN110447090A (zh) * 2017-03-22 2019-11-12 三菱化学株式会社 半导体器件用基板的清洗液、半导体器件用基板的清洗方法、半导体器件用基板的制造方法和半导体器件用基板
JP7002853B2 (ja) * 2017-04-03 2022-01-20 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法
CN107841288A (zh) * 2017-12-12 2018-03-27 戚明海 Cmp研磨剂及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4171858B2 (ja) * 1999-06-23 2008-10-29 Jsr株式会社 研磨用組成物および研磨方法
JP2002231666A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
TWI291987B (en) * 2003-07-04 2008-01-01 Jsr Corp Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method
CN100435290C (zh) * 2003-09-30 2008-11-19 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法
TWI347969B (en) * 2003-09-30 2011-09-01 Fujimi Inc Polishing composition
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride

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