JP2008256598A - 半導体力学量センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部から力学量が印加すると、可動電極と固定電極8との間の距離が変化するので、その距離変化に応じて印加力学量を検出することができる。ここで、固定電極8において下側の絶縁層11に支持された部位には複数の貫通孔21が形成されているので、絶縁層11による固定電極8の支持面積を極力小さくすることができる。従って、固定電極8に第1の半導体層9からの応力伝達が生じ難くなるので、第1の半導体層9から絶縁層11を通じて固定電極8に外部応力或いは熱応力が作用してしまうことを極力防止することができる。
【選択図】図4
Description
請求項3の発明によれば、固定電極に複数の貫通孔を形成することにより固定電極の配線抵抗が増大するにしても、導電性薄膜により配線抵抗の増大を抑制できるので、センサの特性が変動してしまうことを防止できる。
請求項5の発明によれば、半導体加工技術により導電性薄膜を低コストで形成することができる。
以下、本発明を半導体加速度センサに適用した第1実施例について図1ないし図4を参照して説明する。
図2は半導体加速度センサの平面を模式的に示している。尚、図2でハッチングされた部位は断面ではなく、実際は平面である。この図2において、半導体加速度センサ(半導体力学量センサに相当)1は、SOI(silicon on insulator)基板に半導体製造技術を利用した周知のマイクロマシン加工を施すことにより形成されている。
図2に示すSOI基板のパッド部12〜14にAlを蒸着して電極パッド15〜17を形成する。
次に、SOI基板の裏面をバックポリッシュしてからプラズマSiN膜を堆積し、そのプラズマSiN膜をエッチングすることにより所定形状にパターニングする。
続いて、SOI基板の表面にPIQ(ポリイミド)膜を塗布し、そのPIQをエッチングして、可動部2及び各固定電極7,8に対応した形状にパターニングしてから、PIQの上に保護膜としてのレジストを塗布し、裏面のプラズマSiN膜をマスクにしてSOI基板を例えばKOH水溶液で深堀エッチングする。この深堀エッチングにおいては絶縁層11のエッチング速度がSiに比較して遅いため、絶縁層11がエッチングストッパとして機能する。
そして、表面のPIQをO2 アッシングによって除去することにより半導体加速度センサ1が完成されている。
以上のように完成された半導体加速度センサ1では、可動部2の両端が絶縁層11上に支持されていると共に、各固定電極7,8が絶縁層11上に片持ち支持された形態となっている。
一方、可動部2及び各固定電極7,8においてパッド部12〜14と連なる部位は、第2の半導体層10からなる周辺部と電気的に分離することにより目的の電気信号を取出す必要があるため、溝19で物理的及び電気的に分離されている。
(1)重錘部5及びアンカー部3の幅……10〜200μm
(2)可動電極6及び各固定電極7,8の長さ……100〜500μm
(3)バネ部4の幅……2〜10μm
(4)バネ部4の長さ……100〜500μm
(5)可動電極6と各固定電極7,8との間のギャップ……2〜4μm
上記構成において、可動部2が検出方向の加速度を受けると、重錘部5が図2における上下方向に変位し、可動電極6の検出面と第1の固定電極7の検出面との間の距離及び可動電極6の検出面と第2の固定電極8の検出面との間の距離のうち一方が増加すると他方が減少するようになる。ここで、可動電極6の検出面と固定電極7,8の検出面とはそれぞれ静電容量を形成しており、加速度を受けると、それらの静電容量が変化するようになるので、図示しない差動検出回路によって印加加速度を検出することができる。
図1は、固定電極7,8の貫通孔形成領域20を模式的に示す平面図である。この図1において、貫通孔形成領域20には正方形或いは矩形状の貫通孔21が複数形成されている。これらの貫通孔21は、図4に模式的に示すように固定電極7,8を貫通して絶縁層11に達しており、絶縁層11が底面となるように形成されている。これらの貫通孔21は、一辺が3.5μm以上(現実的には数十μm)、隣の貫通孔21との間の部位となる残り部分が4〜6μmとなるように形成されている。このような貫通孔21は、可動部2及び各固定電極7,8に矩形状の貫通孔18を形成する際に同時に形成することができる。
次に、本発明の第2実施例について図5を参照して説明するに、第1実施例と同一部分については説明を省略し、異なる部分について説明する。この第2実施例は、固定電極7,8の貫通孔形成領域20を絶縁層11からリリースしたことに特徴を有する。
固定電極に形成する貫通孔21の形状は、正方形或いは矩形状に限定されることなく、ひし形、丸、楕円などの適宜の形状を採用することができる。
本発明は、固定電極を絶縁層を介して支持する構造のセンサであれば、角速度センサ等の各種センサに適用することができる。
Claims (5)
- 半導体基板に絶縁層を介して支持され、力学量の印加に応じて変位する可動電極と、前記半導体基板に前記絶縁層を介して支持され、前記可動電極と対向する固定電極とを備え、力学量の印加に応じて変位する前記可動電極と前記固定電極との間の距離変化に基づいて印加力学量を検出する半導体力学量センサにおいて、
前記固定電極は、前記絶縁層を介して前記半導体基板により支持された部位に前記絶縁層に達する複数の貫通孔を備えていることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 前記固定電極は、前記貫通孔間に位置する部位が前記絶縁層からリリースしていることを特徴とする請求項1記載の半導体力学量センサ。
- 前記固定電極は、導電性薄膜を備えていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体力学量センサ。
- 前記導電性薄膜は、互いに分断された断続形状に形成されていることを特徴とする請求項3記載の半導体力学量センサ。
- 前記導電性薄膜は、アルミニウムであることを特徴とする請求項3または4記載の半導体力学量センサ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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