JPH08248058A - 加速センサ及び加速センサの製造方法 - Google Patents
加速センサ及び加速センサの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 三層系を用いて加速センサと電気的リード導
体を形成することにより低コスト化の実現と製造方法の
簡単化を計ること。 【解決手段】 第３の層から導体路が引き出されて形成
されており、前記導体路は接続点まで案内されており、
前記導体路は第２の層によって第１の層から電気的に絶
縁され、さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶
縁されるように構成する。
体を形成することにより低コスト化の実現と製造方法の
簡単化を計ること。 【解決手段】 第３の層から導体路が引き出されて形成
されており、前記導体路は接続点まで案内されており、
前記導体路は第２の層によって第１の層から電気的に絶
縁され、さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶
縁されるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３つの層を有し、
第１の層は支持プレートとして構成され、該第１のプレ
ート上には絶縁された第２の層が被着されており、該第
２の層上には第３の層が被着されており、該第３の層か
らは変位可能な質量体が引き出されて形成されており、
前記質量体は作用する応力又は加速に基づいて変位可能
である、加速センサと加速センサの製造方法に関する。
第１の層は支持プレートとして構成され、該第１のプレ
ート上には絶縁された第２の層が被着されており、該第
２の層上には第３の層が被着されており、該第３の層か
らは変位可能な質量体が引き出されて形成されており、
前記質量体は作用する応力又は加速に基づいて変位可能
である、加速センサと加速センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】まだ未公開のドイツ連邦共和国特許出願
第４４１９８４４号明細書には３つの層で構成されてい
る加速センサが開示されている。第１の層は支持プレー
トとして使用されており、該支持プレート上には第２の
絶縁層が被着されている。第２の絶縁層上には第３の層
が被着されている。この第３の層からは加速センサの可
動素子が引き出されて形成されている。電気的なリード
導体は第３の層の上側に配置されている。この可動部分
は絶縁溝によって第３の層の他の領域から絶縁されてい
る。この加速センサはシリコンから引き出されて形成さ
れている。
第４４１９８４４号明細書には３つの層で構成されてい
る加速センサが開示されている。第１の層は支持プレー
トとして使用されており、該支持プレート上には第２の
絶縁層が被着されている。第２の絶縁層上には第３の層
が被着されている。この第３の層からは加速センサの可
動素子が引き出されて形成されている。電気的なリード
導体は第３の層の上側に配置されている。この可動部分
は絶縁溝によって第３の層の他の領域から絶縁されてい
る。この加速センサはシリコンから引き出されて形成さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、三層
系を用いて加速センサと電気的リード導体を形成するこ
とにより低コスト化の実現と製造方法の簡単化を計るこ
とである。
系を用いて加速センサと電気的リード導体を形成するこ
とにより低コスト化の実現と製造方法の簡単化を計るこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、第３の層から導体路が引き出されて形成されてお
り、前記導体路は接続点まで案内されており、前記導体
路は第２の層によって第１の層から電気的に絶縁され、
さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶縁される
ように構成されて解決される。
り、第３の層から導体路が引き出されて形成されてお
り、前記導体路は接続点まで案内されており、前記導体
路は第２の層によって第１の層から電気的に絶縁され、
さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶縁される
ように構成されて解決される。
【０００５】また上記課題は本発明により、第１の層構
造部を第３の層上に被着し、前記第１の層構造部を加速
センサと導体路の形に構造化し、第３の層から加速セン
サと導体路を引き出し形成し、加速センサの変位可能な
質量体下方の第２の層を除去し、最後に第１の層構造部
を除去するようにして解決される。
造部を第３の層上に被着し、前記第１の層構造部を加速
センサと導体路の形に構造化し、第３の層から加速セン
サと導体路を引き出し形成し、加速センサの変位可能な
質量体下方の第２の層を除去し、最後に第１の層構造部
を除去するようにして解決される。
【０００６】請求項１に記載の本発明によれば、三層系
を用いて加速センサと電気的リード導体を形成すること
ができる。
を用いて加速センサと電気的リード導体を形成すること
ができる。
【０００７】それにより製造方法が特に簡単となり、ひ
いては加速センサを低コストで製造することができる。
加速センサの製造に対しては最も簡単な方法においては
２つのマスク層のみを必要とするだけである。請求項８
に記載の方法によれば、僅かなマスクと僅かな処理ステ
ップを用いるのみで加速センサの製造が可能となる利点
が得られる。この方法は簡単で低コストである。
いては加速センサを低コストで製造することができる。
加速センサの製造に対しては最も簡単な方法においては
２つのマスク層のみを必要とするだけである。請求項８
に記載の方法によれば、僅かなマスクと僅かな処理ステ
ップを用いるのみで加速センサの製造が可能となる利点
が得られる。この方法は簡単で低コストである。
【０００８】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の本発明による加
速センサと、請求項８に記載の加速センサの製造方法の
別の有利な構成例及び改善例は従属請求項に記載され
る。特に有利には、加速センサがシリコン−オン−アイ
ソレータ−層系から引き出されて形成される。この手法
によればシリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）−層
系の利点を加速センサの製造に利用することができる。
速センサと、請求項８に記載の加速センサの製造方法の
別の有利な構成例及び改善例は従属請求項に記載され
る。特に有利には、加速センサがシリコン−オン−アイ
ソレータ−層系から引き出されて形成される。この手法
によればシリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）−層
系の利点を加速センサの製造に利用することができる。
【０００９】加速センサの別の有利な構成によれば、可
動素子として櫛形構造部が使用される。この構造部は第
３の層の表面に対して平行に変位可能である。この手法
によれば、第３の層表面に対して平行に作用する力を検
出することが可能となる。加速センサの別の有利な構成
例によれば、第１のプレートを備えた１つの可動素子
と、第２のプレートを備えた２つの固定素子とを有する
櫛形構造部が使用される。この第１及び第２のプレート
は次のように配設される。すなわち可動素子の変位の際
に第１のプレートの一部が第２のプレートから離れ、第
１のプレートの第２の部分が第２のプレート近傍にもた
らされるように配設される。この第１及び第２のプレー
トはコンデンサを形成し、可動素子の変位の際にはプレ
ートの間隔を変え、それに伴ってコンデンサのキャパシ
タンスも変化する。このようにして２つの異なる測定信
号が形成される。これらの信号は評価され、それによっ
て可動素子の変位とそれに伴う作用力又は加速がより高
精度に算出される。
動素子として櫛形構造部が使用される。この構造部は第
３の層の表面に対して平行に変位可能である。この手法
によれば、第３の層表面に対して平行に作用する力を検
出することが可能となる。加速センサの別の有利な構成
例によれば、第１のプレートを備えた１つの可動素子
と、第２のプレートを備えた２つの固定素子とを有する
櫛形構造部が使用される。この第１及び第２のプレート
は次のように配設される。すなわち可動素子の変位の際
に第１のプレートの一部が第２のプレートから離れ、第
１のプレートの第２の部分が第２のプレート近傍にもた
らされるように配設される。この第１及び第２のプレー
トはコンデンサを形成し、可動素子の変位の際にはプレ
ートの間隔を変え、それに伴ってコンデンサのキャパシ
タンスも変化する。このようにして２つの異なる測定信
号が形成される。これらの信号は評価され、それによっ
て可動素子の変位とそれに伴う作用力又は加速がより高
精度に算出される。
【００１０】導体路の導電性は有利には次のようにして
改善される。すなわちボンディングパッドやリード導体
の形の導電層が導体路上に被着されることによって改善
される。
改善される。すなわちボンディングパッドやリード導体
の形の導電層が導体路上に被着されることによって改善
される。
【００１１】加速センサの有利な適用例では、加速セン
サが回転レートセンサの揺動系上に形成され、さらに回
転レートセンサが請求項１２に相応して構成される。そ
れによれば回転数センサの製造が簡単になる。なぜなら
揺動系と加速センサが三層系から引き出されて形成され
るからである。回転レートセンサの上に形成される加速
センサの別の有利な実施例によれば、導体路が回転レー
トセンサの枠体まで案内される。この枠内では揺動系が
変位可能に懸架されている。
サが回転レートセンサの揺動系上に形成され、さらに回
転レートセンサが請求項１２に相応して構成される。そ
れによれば回転数センサの製造が簡単になる。なぜなら
揺動系と加速センサが三層系から引き出されて形成され
るからである。回転レートセンサの上に形成される加速
センサの別の有利な実施例によれば、導体路が回転レー
トセンサの枠体まで案内される。この枠内では揺動系が
変位可能に懸架されている。
【００１２】本発明による方法の別の有利な実施例で
は、まず初めに導体路の構造化ないしは導体路及び懸架
部の構造化が行われ、引き続いて加速センサの可動素子
が、特に櫛形構造部が第３の層から引き出されて形成さ
れる。それにより櫛形構造部へのカバー層の被着の必要
性が無くなる。このカバー層は最終的な除去が困難なも
のである。
は、まず初めに導体路の構造化ないしは導体路及び懸架
部の構造化が行われ、引き続いて加速センサの可動素子
が、特に櫛形構造部が第３の層から引き出されて形成さ
れる。それにより櫛形構造部へのカバー層の被着の必要
性が無くなる。このカバー層は最終的な除去が困難なも
のである。
【００１３】本発明による方法の別の有利な実施例で
は、第１の層にパッシベーション層が被着される。さら
に有利には、パッシベーション層が揺動系の領域内で析
出され、第１の層が所定の厚さにエッチングされる。
は、第１の層にパッシベーション層が被着される。さら
に有利には、パッシベーション層が揺動系の領域内で析
出され、第１の層が所定の厚さにエッチングされる。
【００１４】
【実施例】図１には加速センサ６が示されている。この
加速センサ６は三層系で構成されている。この実施例で
は、シリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層系が用
いられている。しかしながらその他の三層系も考えられ
る。この場合は最上層が構造化可能で、中間層は構造化
と横方向でのエッチングが可能で絶縁される。
加速センサ６は三層系で構成されている。この実施例で
は、シリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層系が用
いられている。しかしながらその他の三層系も考えられ
る。この場合は最上層が構造化可能で、中間層は構造化
と横方向でのエッチングが可能で絶縁される。
【００１５】支持プレートとして第１の層１が使用され
る。この第１の層１はシリコンから形成される。第１の
層の上には第２の層２が被着される。この第２の層２は
酸化シリコンで形成される。第３の層も同様にシリコン
から形成される。第３の層３の中央には変位可能な質量
体７が引き出されて形成されている。この質量体７は、
長手支持体からなる。この支持体は両方の長手側にそれ
ぞれ３つのプレートを有している。これらのプレートは
支持体の長手方向に対して直角に配設されている。変位
可能な質量体７は各端部においてそれぞれ１つの撓みウ
エブ１７を介して支持部１８と支持体の長手方向で変位
可能に接続されている。支持部１８は第２の層２を介し
て第１の層１と固定的に接続されている。変位可能な質
量体７と撓みウエブ１７の下方では第２の層２が除去さ
れている。これはＳｉＯ２のもとでエッチング手法を用
いて行われる。このような変位可能な質量体の構成はド
イツ連邦共和国特許出願第４４１９８４４号明細書に相
応に開示されている。
る。この第１の層１はシリコンから形成される。第１の
層の上には第２の層２が被着される。この第２の層２は
酸化シリコンで形成される。第３の層も同様にシリコン
から形成される。第３の層３の中央には変位可能な質量
体７が引き出されて形成されている。この質量体７は、
長手支持体からなる。この支持体は両方の長手側にそれ
ぞれ３つのプレートを有している。これらのプレートは
支持体の長手方向に対して直角に配設されている。変位
可能な質量体７は各端部においてそれぞれ１つの撓みウ
エブ１７を介して支持部１８と支持体の長手方向で変位
可能に接続されている。支持部１８は第２の層２を介し
て第１の層１と固定的に接続されている。変位可能な質
量体７と撓みウエブ１７の下方では第２の層２が除去さ
れている。これはＳｉＯ２のもとでエッチング手法を用
いて行われる。このような変位可能な質量体の構成はド
イツ連邦共和国特許出願第４４１９８４４号明細書に相
応に開示されている。
【００１６】前記支持体に並列に、変位可能な質量体７
はそれぞれ１つの縦長の支持バー１９が第３の層３から
引き出されて形成されている。この支持バー１９は３つ
のプレートを有しており、これらの３つのプレートは変
位可能な質量体７の支持体の方向へ配向されている。支
持バー１９は第２の層２を介して第１の層１と固定的に
接続されている。支持バー１９のプレートはそれぞれ変
位可能な質量体７のプレートの右側に配設されている。
その他の支持バー１９のプレートはそれぞれ変位可能な
質量体７のプレートの左側に配設されている。ここにお
いて変位可能な質量体７が変位したならば、この変位可
能な質量体７の一方の側に配設されたプレートと、支持
バーのプレートとの間の間隔が小さくなり、同時に変位
可能な質量体７の別の側に配設されたプレートと、第２
の支持バーのプレートとの間の間隔が大きくなる。２つ
の支持バーからはそれぞれ１つの導体路４が加速センサ
の共通の縁部に引き出される。この導体路４は第３の層
３から引き出されて形成され、第２の層２を介して、第
１の層１から電気的に絶縁されている。導体路４は切欠
を介して第３の層３の他の領域に対して電気的に絶縁さ
れている。同様に導体路４は変位可能な質量体７から加
速センサのエッジまで引き出されて構成されている。こ
れは第３の層３から引き出されて形成され、第２の層２
を介して第１の層から電気的に絶縁されている。また切
欠１０を介して第３の層３の他の領域からも電気的に絶
縁されている。この切欠１０の構成と、第２の層２を絶
縁層として利用することによって次のようなことが可能
となる。すなわち第３の層の中に、加速センサのコンタ
クトに用いられる導体路４を形成することが可能とな
る。
はそれぞれ１つの縦長の支持バー１９が第３の層３から
引き出されて形成されている。この支持バー１９は３つ
のプレートを有しており、これらの３つのプレートは変
位可能な質量体７の支持体の方向へ配向されている。支
持バー１９は第２の層２を介して第１の層１と固定的に
接続されている。支持バー１９のプレートはそれぞれ変
位可能な質量体７のプレートの右側に配設されている。
その他の支持バー１９のプレートはそれぞれ変位可能な
質量体７のプレートの左側に配設されている。ここにお
いて変位可能な質量体７が変位したならば、この変位可
能な質量体７の一方の側に配設されたプレートと、支持
バーのプレートとの間の間隔が小さくなり、同時に変位
可能な質量体７の別の側に配設されたプレートと、第２
の支持バーのプレートとの間の間隔が大きくなる。２つ
の支持バーからはそれぞれ１つの導体路４が加速センサ
の共通の縁部に引き出される。この導体路４は第３の層
３から引き出されて形成され、第２の層２を介して、第
１の層１から電気的に絶縁されている。導体路４は切欠
を介して第３の層３の他の領域に対して電気的に絶縁さ
れている。同様に導体路４は変位可能な質量体７から加
速センサのエッジまで引き出されて構成されている。こ
れは第３の層３から引き出されて形成され、第２の層２
を介して第１の層から電気的に絶縁されている。また切
欠１０を介して第３の層３の他の領域からも電気的に絶
縁されている。この切欠１０の構成と、第２の層２を絶
縁層として利用することによって次のようなことが可能
となる。すなわち第３の層の中に、加速センサのコンタ
クトに用いられる導体路４を形成することが可能とな
る。
【００１７】前記導体路４の導電性に関するさらなる改
善例は、導体路４上に導電層を被着させることによって
達成される。この導電層として例えばアルミニウムなど
の金属が使用される。変位可能な質量体７の変位の際に
変位可能な質量体７のプレートと、支持バーのプレート
の間隔は縮小され、変位可能な質量体７のプレートと、
他の支持バーのプレートの間隔は拡大されることによ
り、２つの測定信号が得られる。この２つの測定信号は
評価され、変位可能な質量体７のプレートと、支持バー
１９のプレートとの間のキャパシタンスの変化に基づ
き、変位可能な質量体７の変位とそれに伴う作用力が計
算される。導体路４は接続点２０に案内される。この接
続点２０では加速センサの測定信号が取り出される。
善例は、導体路４上に導電層を被着させることによって
達成される。この導電層として例えばアルミニウムなど
の金属が使用される。変位可能な質量体７の変位の際に
変位可能な質量体７のプレートと、支持バーのプレート
の間隔は縮小され、変位可能な質量体７のプレートと、
他の支持バーのプレートの間隔は拡大されることによ
り、２つの測定信号が得られる。この２つの測定信号は
評価され、変位可能な質量体７のプレートと、支持バー
１９のプレートとの間のキャパシタンスの変化に基づ
き、変位可能な質量体７の変位とそれに伴う作用力が計
算される。導体路４は接続点２０に案内される。この接
続点２０では加速センサの測定信号が取り出される。
【００１８】ドイツ連邦共和国特許第４４１９８４４号
明細書からは、２つの固定プレートの間にそれぞれ可動
のプレートが配設されている加速センサが公知である。
この種のセンサは、導体路の交差が可能な場合にのみ実
現可能である。このような導体路の交差はセンサの製造
の際のコストの拡大に結び付く。本発明によるセンサの
場合では導体路の交差は何も必要ない。なぜなら各可動
プレート（これは変位可能な質量体７に懸架されてい
る）に１つの固定プレートのみが対応するからである。
個々の領域相互間の絶縁は専ら上方の層３における溝の
エッチング処理によって行われる。下方の層１に対する
絶縁は中間誘電層２によって保証される。この種のセン
サは特に簡単に製造することができる。
明細書からは、２つの固定プレートの間にそれぞれ可動
のプレートが配設されている加速センサが公知である。
この種のセンサは、導体路の交差が可能な場合にのみ実
現可能である。このような導体路の交差はセンサの製造
の際のコストの拡大に結び付く。本発明によるセンサの
場合では導体路の交差は何も必要ない。なぜなら各可動
プレート（これは変位可能な質量体７に懸架されてい
る）に１つの固定プレートのみが対応するからである。
個々の領域相互間の絶縁は専ら上方の層３における溝の
エッチング処理によって行われる。下方の層１に対する
絶縁は中間誘電層２によって保証される。この種のセン
サは特に簡単に製造することができる。
【００１９】図２には回転レートセンサが示されてい
る。このセンサは１つの枠体８を有している。この枠体
８内にはウエブ９を介して揺動質量体５が揺動可能に配
設されている。この揺動質量体５は駆動手段２１を介し
て線形的な揺動を励起させる。駆動手段としては例えば
磁気又は圧電式の駆動部が用いられる。適切な駆動手段
は例えばヨーロッパ特許第５３９３９３号明細書から公
知である。揺動質量体５には図１に相応する加速センサ
６が設けられている。この加速センサ６は、検出方向で
揺動質量体５の揺動方向に垂直に配設されている。支持
バーと変位可能な質量体７から出ている導体路４は、ウ
エブ９を介して枠体８へ案内される。このセンサは、加
速センサに相応して第１、第２および第３の層から構成
される。導体路４は第３の層から引き出されて形成され
ている。これらの導体路４は枠体８内で切欠１０によっ
て枠体８の第３の層から電気的に絶縁されている。さら
に導体路４は枠体８の第２の層２を介して枠体８の第１
の層１から電気的に絶縁されている。加速センサの図示
はここでは概略的にしか示していない。なぜならその層
構造は加速センサの詳細図である図１にて既に説明して
いるからである。
る。このセンサは１つの枠体８を有している。この枠体
８内にはウエブ９を介して揺動質量体５が揺動可能に配
設されている。この揺動質量体５は駆動手段２１を介し
て線形的な揺動を励起させる。駆動手段としては例えば
磁気又は圧電式の駆動部が用いられる。適切な駆動手段
は例えばヨーロッパ特許第５３９３９３号明細書から公
知である。揺動質量体５には図１に相応する加速センサ
６が設けられている。この加速センサ６は、検出方向で
揺動質量体５の揺動方向に垂直に配設されている。支持
バーと変位可能な質量体７から出ている導体路４は、ウ
エブ９を介して枠体８へ案内される。このセンサは、加
速センサに相応して第１、第２および第３の層から構成
される。導体路４は第３の層から引き出されて形成され
ている。これらの導体路４は枠体８内で切欠１０によっ
て枠体８の第３の層から電気的に絶縁されている。さら
に導体路４は枠体８の第２の層２を介して枠体８の第１
の層１から電気的に絶縁されている。加速センサの図示
はここでは概略的にしか示していない。なぜならその層
構造は加速センサの詳細図である図１にて既に説明して
いるからである。
【００２０】ウエブ９は上方の層３からも下方の層１か
らも引き出されて形成されている。これは以下の図３及
び図４にてさらに詳細に説明する。枠体８上に配設され
ている導体路４は直接ウエブ９に移行している。それに
よりこのウエブ９を介して、揺動質量体５上に設けられ
た加速センサの電気的なコンタクトが達成される。この
揺動質量体５上でウエブ９が開口している領域にも同じ
ように絶縁溝１０が上方の層３に設けられている。それ
によりここでも、ウエブ９を介して揺動質量体５へ供給
される信号又は揺動質量体５から供給される信号の電気
的絶縁が保証される。
らも引き出されて形成されている。これは以下の図３及
び図４にてさらに詳細に説明する。枠体８上に配設され
ている導体路４は直接ウエブ９に移行している。それに
よりこのウエブ９を介して、揺動質量体５上に設けられ
た加速センサの電気的なコンタクトが達成される。この
揺動質量体５上でウエブ９が開口している領域にも同じ
ように絶縁溝１０が上方の層３に設けられている。それ
によりここでも、ウエブ９を介して揺動質量体５へ供給
される信号又は揺動質量体５から供給される信号の電気
的絶縁が保証される。
【００２１】このようにして加速センサのコストのかか
る電気的なコンタクトを行わせることなく回転レートセ
ンサを構成することが可能となる。導体路４を枠体８内
まで電気的に絶縁して引き出し形成することにより、導
体路４の簡単な電気的コンタクトが枠体８内で行われ
る。この場合のさらなる利点は、回転レートセンサが１
つの方法において、三層系、有利にはシリコン−オン−
アイソレータ層からなる加速センサと共に引き出されて
形成される点である。
る電気的なコンタクトを行わせることなく回転レートセ
ンサを構成することが可能となる。導体路４を枠体８内
まで電気的に絶縁して引き出し形成することにより、導
体路４の簡単な電気的コンタクトが枠体８内で行われ
る。この場合のさらなる利点は、回転レートセンサが１
つの方法において、三層系、有利にはシリコン−オン−
アイソレータ層からなる加速センサと共に引き出されて
形成される点である。
【００２２】図３には加速センサないしは回転レートセ
ンサを製造する方法の各ステップが示されている。図３
では第２の層２が被着されている第１の層１からなる三
層系が示されている。第２の層２上には第３の層３が設
けられている。第１の層１はシリコンからなり、第２の
層２は酸化シリコンからなり、第３の層３はシリコンか
らなる。しかしながらその他の三層系、例えばＳｉＯ
２,Ｓｉ３Ｎ４,Ａｌ２Ｏ３，ポリアミド、テフロン、Ｓ
ｉ−カーバイド等から選択される三層系を用いることも
可能である。素材としては例えばシリコン−オン−アイ
ソレータ（ＳＯＩ）ウエハが使用される。この場合第３
の層３はｐ++又はｎ++ドーピングシリコンからなり、そ
の厚さは約１５μｍである。第２の層２は酸化シリコン
からなりその厚さは数マイクロミリの範囲である。第１
の層１はシリコンウエハによって示される。同様にエピ
タクシ−ポリシリコン−ウエハを使用してもよい。これ
の製造とセンサへの適用は既にドイツ連邦共和国特許出
願第４３１８４６６号明細書に開示されている。第３の
層３に対しては高濃度ｐドーピング又は高濃度ｎドーピ
ングされたシリコン層が使用される。このシリコン層は
数マイクロミリの厚さの二酸化シリコン層の上に第２の
層２として被着される。エピタクシ−ポリシリコン層は
役１２μｍの厚さである。
ンサを製造する方法の各ステップが示されている。図３
では第２の層２が被着されている第１の層１からなる三
層系が示されている。第２の層２上には第３の層３が設
けられている。第１の層１はシリコンからなり、第２の
層２は酸化シリコンからなり、第３の層３はシリコンか
らなる。しかしながらその他の三層系、例えばＳｉＯ
２,Ｓｉ３Ｎ４,Ａｌ２Ｏ３，ポリアミド、テフロン、Ｓ
ｉ−カーバイド等から選択される三層系を用いることも
可能である。素材としては例えばシリコン−オン−アイ
ソレータ（ＳＯＩ）ウエハが使用される。この場合第３
の層３はｐ++又はｎ++ドーピングシリコンからなり、そ
の厚さは約１５μｍである。第２の層２は酸化シリコン
からなりその厚さは数マイクロミリの範囲である。第１
の層１はシリコンウエハによって示される。同様にエピ
タクシ−ポリシリコン−ウエハを使用してもよい。これ
の製造とセンサへの適用は既にドイツ連邦共和国特許出
願第４３１８４６６号明細書に開示されている。第３の
層３に対しては高濃度ｐドーピング又は高濃度ｎドーピ
ングされたシリコン層が使用される。このシリコン層は
数マイクロミリの厚さの二酸化シリコン層の上に第２の
層２として被着される。エピタクシ−ポリシリコン層は
役１２μｍの厚さである。
【００２３】ＳＯＩウエハ又はエピタクシ−ポリシリコ
ンウエハにおいてはその裏側に、すなわち第１の層１に
二酸化シリコンの形の第１のカバー層１１と、プラズマ
窒化物の形の第２のカバー層１２が被着される。さらに
導体路領域における第３の層３にはアルミニウムが蒸着
ないしはスパッタリングされる。被着されたアルミニウ
ムはホトリトグラフィックなステップとエッチング手法
を用いて導体路４の形で導電層２４として形成される。
ンウエハにおいてはその裏側に、すなわち第１の層１に
二酸化シリコンの形の第１のカバー層１１と、プラズマ
窒化物の形の第２のカバー層１２が被着される。さらに
導体路領域における第３の層３にはアルミニウムが蒸着
ないしはスパッタリングされる。被着されたアルミニウ
ムはホトリトグラフィックなステップとエッチング手法
を用いて導体路４の形で導電層２４として形成される。
【００２４】さらに第２のカバー層１２にはフォトレジ
ストが被着される。これは揺動質量体５が設けられてい
る所定の領域において除去される。それに基づいて第１
及び第２のカバー層１１,１２が揺動質量体の領域にお
いてエッチング処理される。これは図３のｂに示されて
いる。
ストが被着される。これは揺動質量体５が設けられてい
る所定の領域において除去される。それに基づいて第１
及び第２のカバー層１１,１２が揺動質量体の領域にお
いてエッチング処理される。これは図３のｂに示されて
いる。
【００２５】さらに第３の層３にはフォトレジスト３０
が被着され、加速センサの櫛形構造に相応して構造化が
行われる。そして第３の層では加速センサの櫛形構造部
がエッチングされる。その場合には異方性シリコンエッ
チング技法が用いられる。これはドイツ連邦共和国特許
第４２４１０４５号公報に記載されている。このように
して櫛形構造部は形成される。この櫛形構造部は大きな
アスペクト比を有している。第１の層１はＫＯＨ−エッ
チング技法を用いて残りの厚さが約１００μｍになるよ
うにエッチングされる。これは図３のｃに示されてい
る。
が被着され、加速センサの櫛形構造に相応して構造化が
行われる。そして第３の層では加速センサの櫛形構造部
がエッチングされる。その場合には異方性シリコンエッ
チング技法が用いられる。これはドイツ連邦共和国特許
第４２４１０４５号公報に記載されている。このように
して櫛形構造部は形成される。この櫛形構造部は大きな
アスペクト比を有している。第１の層１はＫＯＨ−エッ
チング技法を用いて残りの厚さが約１００μｍになるよ
うにエッチングされる。これは図３のｃに示されてい
る。
【００２６】第２の層２（これは酸化シリコンから形成
され、加速センサの櫛形構造部１３の下で酸化物として
利用される）がエッチングされる。これにより第２の層
２上に変位可能に固定された櫛形構造部１３が得られ
る。この櫛形構造部は図１による加速センサを表してい
る。しかしながら図３には説明の簡略化のために加速セ
ンサ本来の構造部のみが示されただけである。次の処理
では第２の層２は櫛形構造部１３の下方で除去される。
これにより加速センサに適するように可動な構造部が得
られる。しかしながら横方向の寸法が大きいために第２
の層２は上方の層３の別の領域の下方では除去されな
い。さらなるステップではフォトレジスト層３０が除去
され、新たなフォトレジスト層３０が被着されて構造化
される。この新たなフォトレジスト層の構造部は、上方
の層３にも第２の層２にも第１の層１にも亘る溝をエッ
チングするために用いられる。このエッチングされた溝
は、ウエブ９と揺動質量体５を多層基板から引き出しエ
ッチングするのに用いられる。これは図３のｄに示され
ている。設けられた溝１０によって揺動質量体５の寸法
が決められる。揺動質量体５には加速センサの櫛形構造
部１３が被着される。さらにウエブ９が示されている。
このウエブ９の幾何学的寸法も溝１０によって定められ
る。溝１０のエッチング処理はマルチステッププロセス
で行われる。まず例えば蛍光プラズマで上方の層３が構
造化される。さらなるエッチングステップでは、例えば
塩素を含んだプラズマで第２の層２が構造化される。さ
らなるエッチングステップでは例えば再び蛍光プラズマ
で第１の層１の構造化が行われる。最後にこのプロセス
のエッチングマスクとして用いられるフォトレジスト層
が再び除去される。
され、加速センサの櫛形構造部１３の下で酸化物として
利用される）がエッチングされる。これにより第２の層
２上に変位可能に固定された櫛形構造部１３が得られ
る。この櫛形構造部は図１による加速センサを表してい
る。しかしながら図３には説明の簡略化のために加速セ
ンサ本来の構造部のみが示されただけである。次の処理
では第２の層２は櫛形構造部１３の下方で除去される。
これにより加速センサに適するように可動な構造部が得
られる。しかしながら横方向の寸法が大きいために第２
の層２は上方の層３の別の領域の下方では除去されな
い。さらなるステップではフォトレジスト層３０が除去
され、新たなフォトレジスト層３０が被着されて構造化
される。この新たなフォトレジスト層の構造部は、上方
の層３にも第２の層２にも第１の層１にも亘る溝をエッ
チングするために用いられる。このエッチングされた溝
は、ウエブ９と揺動質量体５を多層基板から引き出しエ
ッチングするのに用いられる。これは図３のｄに示され
ている。設けられた溝１０によって揺動質量体５の寸法
が決められる。揺動質量体５には加速センサの櫛形構造
部１３が被着される。さらにウエブ９が示されている。
このウエブ９の幾何学的寸法も溝１０によって定められ
る。溝１０のエッチング処理はマルチステッププロセス
で行われる。まず例えば蛍光プラズマで上方の層３が構
造化される。さらなるエッチングステップでは、例えば
塩素を含んだプラズマで第２の層２が構造化される。さ
らなるエッチングステップでは例えば再び蛍光プラズマ
で第１の層１の構造化が行われる。最後にこのプロセス
のエッチングマスクとして用いられるフォトレジスト層
が再び除去される。
【００２７】図３のｄには実際の回転レートセンサの断
面を示しているのではない簡単な図面が示されている。
しかしながら回転レートセンサの全ての素子、例えばウ
エブ９、揺動素子５、加速センサ１３の櫛形構造部は図
２によって示されているので、図２による回転数センサ
のプロセスステップの図示のシーケンスによって製造が
可能なことは明らかである。縁部領域には導体路４が示
されている。この導体路４は例えば櫛形構造部１３と同
じプロセスステップ製造されてもよい。しかしながら導
体路４の横方向の大きな寸法によって、導体路４の下方
にある第２の層２のエッチングが何も行われないことが
保証されなければならない。また選択的に、櫛形構造部
１３の形成の後で別のフォトレジスト層を被着し構造化
することも可能である。これは専ら導体路構造部１４の
形成に対して用いられる。しかしながらこれはセンサの
製造コストを増加させる。図３のｃに対して記載された
層１の裏側でのエッチングは、揺動質量体５ないしウエ
ブ９の領域にて下方のシリコン層１の肉薄状態を達成す
るために用いられる。この手段によって、層１を貫通す
る完全な貫通エッチングに必要なエッチング時間が低減
される。
面を示しているのではない簡単な図面が示されている。
しかしながら回転レートセンサの全ての素子、例えばウ
エブ９、揺動素子５、加速センサ１３の櫛形構造部は図
２によって示されているので、図２による回転数センサ
のプロセスステップの図示のシーケンスによって製造が
可能なことは明らかである。縁部領域には導体路４が示
されている。この導体路４は例えば櫛形構造部１３と同
じプロセスステップ製造されてもよい。しかしながら導
体路４の横方向の大きな寸法によって、導体路４の下方
にある第２の層２のエッチングが何も行われないことが
保証されなければならない。また選択的に、櫛形構造部
１３の形成の後で別のフォトレジスト層を被着し構造化
することも可能である。これは専ら導体路構造部１４の
形成に対して用いられる。しかしながらこれはセンサの
製造コストを増加させる。図３のｃに対して記載された
層１の裏側でのエッチングは、揺動質量体５ないしウエ
ブ９の領域にて下方のシリコン層１の肉薄状態を達成す
るために用いられる。この手段によって、層１を貫通す
る完全な貫通エッチングに必要なエッチング時間が低減
される。
【００２８】図３のｅには端子２０の領域の枠体８のラ
インＡ−Ａに沿った断面図が示されている。この図では
端子２０と、枠体８の第３の層３との切欠１０を介した
電気的な絶縁状態が明らかである。
インＡ−Ａに沿った断面図が示されている。この図では
端子２０と、枠体８の第３の層３との切欠１０を介した
電気的な絶縁状態が明らかである。
【００２９】次に図３のｆに基づいて加速センサの製造
の変化実施例を説明する。この場合では層１の全ての構
造化ステップが省かれている。図３のｂによる構造体か
ら出発して、既に図３のｃで説明したようにフォトレジ
スト層３０が表面に被着され、フォトマスクによって構
造化される。その後でエッチングステップが、例えば蛍
光プラズマエッチングプロセスによって行われ、溝１０
が上方のシリコン層３に形成される。この溝１０は第２
の層２まで達する。それに続くエッチングステップで
は、酸化シリコンからなる第２の層２がエッチングされ
る。これは例えば水溶性のフッ化水素酸溶液か又はフッ
化水素酸を含むガス中で行われる。このエッチングステ
ップによって第２の層は櫛形構造部１３に対して微細に
エッチングされた溝構造部の下方で完全に除去される。
しかしながら導体路４（これは比較的大きな横方向の伸
張特性を有している）に対する構造部は層２によって第
１の層１と機械的に固定されて結合したままである。こ
のエッチングステップではフォトマスク３０が表面に残
留し得るので、例えば金属化構造部２４もエッチング媒
体の浸入から保護される。そのためこの金属化構造部は
アルミニウムからなっていてもよい。この加速センサの
製造のプロセスは、特に使用されるプロセスステップが
少ない点で際だっている。従って非常に少ないコストで
加速センサを製造することができる。
の変化実施例を説明する。この場合では層１の全ての構
造化ステップが省かれている。図３のｂによる構造体か
ら出発して、既に図３のｃで説明したようにフォトレジ
スト層３０が表面に被着され、フォトマスクによって構
造化される。その後でエッチングステップが、例えば蛍
光プラズマエッチングプロセスによって行われ、溝１０
が上方のシリコン層３に形成される。この溝１０は第２
の層２まで達する。それに続くエッチングステップで
は、酸化シリコンからなる第２の層２がエッチングされ
る。これは例えば水溶性のフッ化水素酸溶液か又はフッ
化水素酸を含むガス中で行われる。このエッチングステ
ップによって第２の層は櫛形構造部１３に対して微細に
エッチングされた溝構造部の下方で完全に除去される。
しかしながら導体路４（これは比較的大きな横方向の伸
張特性を有している）に対する構造部は層２によって第
１の層１と機械的に固定されて結合したままである。こ
のエッチングステップではフォトマスク３０が表面に残
留し得るので、例えば金属化構造部２４もエッチング媒
体の浸入から保護される。そのためこの金属化構造部は
アルミニウムからなっていてもよい。この加速センサの
製造のプロセスは、特に使用されるプロセスステップが
少ない点で際だっている。従って非常に少ないコストで
加速センサを製造することができる。
【００３０】図４には加速センサないし回転レートセン
サを製造するためのさらなる方法が示されている。この
場合も第１の層１と第２の層２と第３の層３からなる三
層系が使用される。第１の層１はシリコンからなり、第
２の層は酸化シリコンからなり、第３の層３は高濃度ｐ
−ドーピング又は高濃度ｎ−ドーピングされたシリコン
からなる。前記三層系はアイソレータ−構造部上のシリ
コンを示している。第３の層３には有利には導体路４の
領域に金属導体路２４が被着されている。これはスパッ
タリングないし蒸着と最終的な構造化によって行われ
る。さらに金属導体路２４と第３の層３には、酸化シリ
コンからなる第３のカバー層１４が被着される。第１の
層１には第１のカバー層１１と第２のカバー層１２が被
着される。第１のカバー層１１は酸化シリコンからな
り、第２のカバー層１２はプラズマ窒化物からなる。さ
らに第３のカバー層１４は、加速センサの櫛形構造部
と、導体路４並びにウエブ９の形状に相応して構造化さ
れる。構造化された第３のカバー層１４にはフォトレジ
ストの形の第４のカバー層１６が被着される。この第４
のカバー層１６はウエブ９の形状で除去される。これは
図４のｃに示されている。さらに第１の層１は枠体８の
内で１００μｍの所定の厚さでエッチングされ、パッシ
ベーション層１７によって覆われる。これは図４のｄに
示されている。続いて１つのエッチングプロセスの中で
溝が設けられる。この溝に対しては第４の構造化された
カバー層１６がエッチングマスクとして使用されるの
で、さし当たりウエブ９の幾何学的形状のみでエッチン
グが行われる。この溝のエッチングは、層３と２が完全
に貫通して層１の一部にも貫通によるエッチングが生じ
るまで行われる。このエッチングは層１内で残留する肉
厚がほぼ層３の厚さに相応するまで行われる。これは図
４のｅに示されている。続いて第４のカバー層１６が除
去されエッチングプロセスが続けられる。このエッチン
グプロセスでは構造化された第３のカバー層１４がエッ
チングマスクとして作用する。これはウエブ９、櫛形構
造部１３、導体路４を含んでいる。この場合層３と１の
シリコン材料のみをエッチングして層２又は１７はエッ
チングしないエッチングプロセスが使用される。このエ
ッチングは、ウエブ９とパッシベーション層１７に対す
る溝と、櫛形構造部１３ないし導体路４及び第２の層２
に対する溝が形成されるまで続けられる。第２の層２は
櫛形構造部１３の下方でエッチングされる。この場合は
同時に第２の層２からウエブ９が引き出されるようにエ
ッチングされる。しかしながらこのウエブ９は、第２の
層２を介して第１の層と固定的に結合されるような幅で
形成される。さらにパッシベーション層２３がエッチン
グされる。このようにして図２に相応する回転レートセ
ンサが得られる。これは図４のｇに概略的に示されてい
る。前述した方法に従って１つの加速センサを製造する
場合には、ウエブ９の構造化と第１の層の全ての処理行
程が省かれる。その他は前記図４による方法に相応して
行われる。
サを製造するためのさらなる方法が示されている。この
場合も第１の層１と第２の層２と第３の層３からなる三
層系が使用される。第１の層１はシリコンからなり、第
２の層は酸化シリコンからなり、第３の層３は高濃度ｐ
−ドーピング又は高濃度ｎ−ドーピングされたシリコン
からなる。前記三層系はアイソレータ−構造部上のシリ
コンを示している。第３の層３には有利には導体路４の
領域に金属導体路２４が被着されている。これはスパッ
タリングないし蒸着と最終的な構造化によって行われ
る。さらに金属導体路２４と第３の層３には、酸化シリ
コンからなる第３のカバー層１４が被着される。第１の
層１には第１のカバー層１１と第２のカバー層１２が被
着される。第１のカバー層１１は酸化シリコンからな
り、第２のカバー層１２はプラズマ窒化物からなる。さ
らに第３のカバー層１４は、加速センサの櫛形構造部
と、導体路４並びにウエブ９の形状に相応して構造化さ
れる。構造化された第３のカバー層１４にはフォトレジ
ストの形の第４のカバー層１６が被着される。この第４
のカバー層１６はウエブ９の形状で除去される。これは
図４のｃに示されている。さらに第１の層１は枠体８の
内で１００μｍの所定の厚さでエッチングされ、パッシ
ベーション層１７によって覆われる。これは図４のｄに
示されている。続いて１つのエッチングプロセスの中で
溝が設けられる。この溝に対しては第４の構造化された
カバー層１６がエッチングマスクとして使用されるの
で、さし当たりウエブ９の幾何学的形状のみでエッチン
グが行われる。この溝のエッチングは、層３と２が完全
に貫通して層１の一部にも貫通によるエッチングが生じ
るまで行われる。このエッチングは層１内で残留する肉
厚がほぼ層３の厚さに相応するまで行われる。これは図
４のｅに示されている。続いて第４のカバー層１６が除
去されエッチングプロセスが続けられる。このエッチン
グプロセスでは構造化された第３のカバー層１４がエッ
チングマスクとして作用する。これはウエブ９、櫛形構
造部１３、導体路４を含んでいる。この場合層３と１の
シリコン材料のみをエッチングして層２又は１７はエッ
チングしないエッチングプロセスが使用される。このエ
ッチングは、ウエブ９とパッシベーション層１７に対す
る溝と、櫛形構造部１３ないし導体路４及び第２の層２
に対する溝が形成されるまで続けられる。第２の層２は
櫛形構造部１３の下方でエッチングされる。この場合は
同時に第２の層２からウエブ９が引き出されるようにエ
ッチングされる。しかしながらこのウエブ９は、第２の
層２を介して第１の層と固定的に結合されるような幅で
形成される。さらにパッシベーション層２３がエッチン
グされる。このようにして図２に相応する回転レートセ
ンサが得られる。これは図４のｇに概略的に示されてい
る。前述した方法に従って１つの加速センサを製造する
場合には、ウエブ９の構造化と第１の層の全ての処理行
程が省かれる。その他は前記図４による方法に相応して
行われる。
【００３１】図５には回転レートセンサの別の製造方法
が示されている。この方法はシリコン基板１から出発し
ている。このシリコン基板上にはエッチング可能な層
（例えば酸化シリコンからなる）２が被着される。この
層２の上にはさらに任意にポリシリコン層４０が被着可
能である。その後でこの第２の層２と場合によってはそ
の上に被着されるポリシリコン層４０の構造化が行われ
る。さらに析出によって別のシリコン層３が形成され
る。このさらなるシリコン層３０は、例えばドイツ連邦
共和国特許出願第４３１８４６６号明細書に記載されて
いるようにエピタクシ反応にて析出される。層３がシリ
コン基板１の上に直接載置される領域ではシリコン層３
が単結晶シリコン層として成長する。そのほかの領域で
はポリシリコン層４０が多結晶シリコン層の成長のため
の開始層として作用する。そのようにして得られた層構
造は図５のｂに示されている。エッチングマスクとエッ
チングステップとによって溝構造部が情報のシリコン層
３とポリシリコン層に設けられる。これらは第２の層２
まで達する。これらも加速センサに対する櫛形構造部１
３を形成する。さらに第１の層１の厚さを低減するため
に切欠部の裏側からエッチングが行われる。そのように
して形成された構造部は図５のｃに示されている。図５
のｄには溝構造部１０がどのように設けられるかが示さ
れている。この溝構造部１０は上方の層３と、ポリシリ
コン層４０と、第２の層２と、第１の層を貫通してい
る。そのようにして揺動質量体５とウエブ９が形成され
る。このエッチングプロセスに対しては、実質的にシリ
コンのみをエッチングするエッチングプロセスが用いら
れる。それにより上方の層３と下方の層１がエッチング
される。溝構造部１０のマスキングは、この溝構造部が
既に行われた第２の層の構造化部の上に存在するように
選択されるので、この種のエッチングプロセスを用いる
ことによって基板全部にエッチングを行き渡らせること
ができる。しかしながらその場合は上方の層３の寸法の
みがエッチングマスクによってコントロールされる。下
方の層１における幾何学的寸法は、既に層２に設けられ
た構造部によって定まる。このことは、構造化された層
２が下方にある層１のエッチングのためのエッチングマ
スクとして用いられることを意味する。またこのことは
層２における構造化に対するエッチングマスクの調整誤
差を補償することにも用いられる。それに対しては溝１
０に対するエッチングマスクの幾何学的寸法が層２にお
ける構造化部よりも大きくなるように選定される。この
プロセスにおいて重要なのは、第１の層の構造化の精度
が図５のａに示されているような層２の構造化の精度に
実質的に依存している点である。図５のａに示されてい
る層２の構造化は特により高い精度で行うことができ
る。それにより揺動素子５ないしウエブ９の幾何学的寸
法も第１の層に問題がない限り非常に精確となる。上方
の層３の厚さは１０μｍのオーダーにあり、下方の層１
は５０μｍのオーダーにあるので、揺動素子５とウエブ
９の実質的な幾何学的寸法は非常に高精度となる。さら
に有利には層２の事前の構造化により溝１０のエッチン
グ手法が唯一のプロセスステップで実施可能である。そ
れにより構造化部の製造も簡単になる。
が示されている。この方法はシリコン基板１から出発し
ている。このシリコン基板上にはエッチング可能な層
（例えば酸化シリコンからなる）２が被着される。この
層２の上にはさらに任意にポリシリコン層４０が被着可
能である。その後でこの第２の層２と場合によってはそ
の上に被着されるポリシリコン層４０の構造化が行われ
る。さらに析出によって別のシリコン層３が形成され
る。このさらなるシリコン層３０は、例えばドイツ連邦
共和国特許出願第４３１８４６６号明細書に記載されて
いるようにエピタクシ反応にて析出される。層３がシリ
コン基板１の上に直接載置される領域ではシリコン層３
が単結晶シリコン層として成長する。そのほかの領域で
はポリシリコン層４０が多結晶シリコン層の成長のため
の開始層として作用する。そのようにして得られた層構
造は図５のｂに示されている。エッチングマスクとエッ
チングステップとによって溝構造部が情報のシリコン層
３とポリシリコン層に設けられる。これらは第２の層２
まで達する。これらも加速センサに対する櫛形構造部１
３を形成する。さらに第１の層１の厚さを低減するため
に切欠部の裏側からエッチングが行われる。そのように
して形成された構造部は図５のｃに示されている。図５
のｄには溝構造部１０がどのように設けられるかが示さ
れている。この溝構造部１０は上方の層３と、ポリシリ
コン層４０と、第２の層２と、第１の層を貫通してい
る。そのようにして揺動質量体５とウエブ９が形成され
る。このエッチングプロセスに対しては、実質的にシリ
コンのみをエッチングするエッチングプロセスが用いら
れる。それにより上方の層３と下方の層１がエッチング
される。溝構造部１０のマスキングは、この溝構造部が
既に行われた第２の層の構造化部の上に存在するように
選択されるので、この種のエッチングプロセスを用いる
ことによって基板全部にエッチングを行き渡らせること
ができる。しかしながらその場合は上方の層３の寸法の
みがエッチングマスクによってコントロールされる。下
方の層１における幾何学的寸法は、既に層２に設けられ
た構造部によって定まる。このことは、構造化された層
２が下方にある層１のエッチングのためのエッチングマ
スクとして用いられることを意味する。またこのことは
層２における構造化に対するエッチングマスクの調整誤
差を補償することにも用いられる。それに対しては溝１
０に対するエッチングマスクの幾何学的寸法が層２にお
ける構造化部よりも大きくなるように選定される。この
プロセスにおいて重要なのは、第１の層の構造化の精度
が図５のａに示されているような層２の構造化の精度に
実質的に依存している点である。図５のａに示されてい
る層２の構造化は特により高い精度で行うことができ
る。それにより揺動素子５ないしウエブ９の幾何学的寸
法も第１の層に問題がない限り非常に精確となる。上方
の層３の厚さは１０μｍのオーダーにあり、下方の層１
は５０μｍのオーダーにあるので、揺動素子５とウエブ
９の実質的な幾何学的寸法は非常に高精度となる。さら
に有利には層２の事前の構造化により溝１０のエッチン
グ手法が唯一のプロセスステップで実施可能である。そ
れにより構造化部の製造も簡単になる。
【００３２】図５のｃ及び図５のｄに基づいて説明した
エッチングは、既に図３に基づいて説明したように複数
のフォトレジストを使用するか、又は図４に基づいて既
に説明したように上下に配置された複数のマスクを使用
することによって行われる。
エッチングは、既に図３に基づいて説明したように複数
のフォトレジストを使用するか、又は図４に基づいて既
に説明したように上下に配置された複数のマスクを使用
することによって行われる。
【００３３】図５のａでは同じように析出されたポリシ
リコン層４０の構造化が行われた。この場合は上方のシ
リコン層３が単結晶シリコン領域を有している。第２の
層の構造化が行われた後でポリシリコン層４０を被着さ
せることも選択的に可能である。この場合は上方のシリ
コン層３が完全に多結晶シリコン層として成長する。
リコン層４０の構造化が行われた。この場合は上方のシ
リコン層３が単結晶シリコン領域を有している。第２の
層の構造化が行われた後でポリシリコン層４０を被着さ
せることも選択的に可能である。この場合は上方のシリ
コン層３が完全に多結晶シリコン層として成長する。
【００３４】図５のｄに示された処理状態では櫛形構造
部１３のエッチングを行うために、第２の層２のさらに
もう１つのエッチングが行われる。
部１３のエッチングを行うために、第２の層２のさらに
もう１つのエッチングが行われる。
【００３５】図６には回転レートセンサのさらなる製造
方法が示されている。これは図５のｂに示した基板から
出発している。この基板のもとにここではまずエッチン
グマスク４１が被着される。これは例えば酸化シリコン
であってもよい。しかしながらその他のエッチングマス
ク、例えばフォトレジスト等で行うことも可能である。
エッチングマスク４１は、完全にシリコン層３まで達す
る構造部４２を有している。さらに溝領域４３が設けら
れる。これはシリコン層３までは達していない。前記構
造部４２は、基板を貫通してその裏側に到達するような
完全なエッチングを行いたい場所に設けられる。前記構
造部４３は、上方の層３のエッチングのみを行いたいと
ころに設けられる。図６のａによる基板のエッチングに
よって図５のｄに示したような回転レートセンサが得ら
れる。図６のｂにはこのエッチング方法の中間ステップ
が示されている。そこではマスキング層４１の除去も引
き起こされるエッチング方法が用いられる。また選択的
に、マスキング層４１の除去の行われている中で中間ス
テップを適用することも可能である。これによればシリ
コン表面の所定の領域がスタート時から露出されこの領
域のエッチングが、エッチングプロセスの経過において
初めて露出される領域よりも速くなる。これは図６のｂ
に示されている。溝領域１０（これはエッチングマスク
の構造部４２に相応する）は、エッチングの中間ステッ
プにおいて既に完全に上方の層３を貫通しさらにもうワ
ンブロックだけ第１の層１に侵入する。しかしながら櫛
形構造部１３（これはエッチングマスク４１における構
造部４３に相応する）は、僅かなブロックだけしか上方
の層３へ入り込まない。エッチングプロセスの続きにお
いて、図５のｄに示したような構造部が形成される。
方法が示されている。これは図５のｂに示した基板から
出発している。この基板のもとにここではまずエッチン
グマスク４１が被着される。これは例えば酸化シリコン
であってもよい。しかしながらその他のエッチングマス
ク、例えばフォトレジスト等で行うことも可能である。
エッチングマスク４１は、完全にシリコン層３まで達す
る構造部４２を有している。さらに溝領域４３が設けら
れる。これはシリコン層３までは達していない。前記構
造部４２は、基板を貫通してその裏側に到達するような
完全なエッチングを行いたい場所に設けられる。前記構
造部４３は、上方の層３のエッチングのみを行いたいと
ころに設けられる。図６のａによる基板のエッチングに
よって図５のｄに示したような回転レートセンサが得ら
れる。図６のｂにはこのエッチング方法の中間ステップ
が示されている。そこではマスキング層４１の除去も引
き起こされるエッチング方法が用いられる。また選択的
に、マスキング層４１の除去の行われている中で中間ス
テップを適用することも可能である。これによればシリ
コン表面の所定の領域がスタート時から露出されこの領
域のエッチングが、エッチングプロセスの経過において
初めて露出される領域よりも速くなる。これは図６のｂ
に示されている。溝領域１０（これはエッチングマスク
の構造部４２に相応する）は、エッチングの中間ステッ
プにおいて既に完全に上方の層３を貫通しさらにもうワ
ンブロックだけ第１の層１に侵入する。しかしながら櫛
形構造部１３（これはエッチングマスク４１における構
造部４３に相応する）は、僅かなブロックだけしか上方
の層３へ入り込まない。エッチングプロセスの続きにお
いて、図５のｄに示したような構造部が形成される。
【００３６】エッチングマスク４１の製造は例えば酸化
シリコンから二段階のエッチングマスク層製造方法によ
って形成することができる。それに対してはまず完全に
扁平なシリコン層が析出される。第１のフォトレジスト
による処理によって構造部４３がエッチングされる。そ
の後で第２のフォトレジストが被着され、構造部４２が
エッチングされる。フォトレジストマスクを除去した後
に図６のａに示されているような２段のエッチング層が
得られる。
シリコンから二段階のエッチングマスク層製造方法によ
って形成することができる。それに対してはまず完全に
扁平なシリコン層が析出される。第１のフォトレジスト
による処理によって構造部４３がエッチングされる。そ
の後で第２のフォトレジストが被着され、構造部４２が
エッチングされる。フォトレジストマスクを除去した後
に図６のａに示されているような２段のエッチング層が
得られる。
【００３７】この方法においては、エッチングマスク４
１の形成の後で上側でのさらなるフォトレジストプロセ
スがもはや必要とされないことが利点となる。なぜなら
この種のフォトレジストプロセスは、既に設けられた構
造部を危険にさらす可能性があり、フォトレジストプロ
セスが必要なくなることはプロセスの安全性を高めるこ
とにつながるからである。
１の形成の後で上側でのさらなるフォトレジストプロセ
スがもはや必要とされないことが利点となる。なぜなら
この種のフォトレジストプロセスは、既に設けられた構
造部を危険にさらす可能性があり、フォトレジストプロ
セスが必要なくなることはプロセスの安全性を高めるこ
とにつながるからである。
【図１】本発明による加速センサを示した図である。
【図２】本発明による回転レートセンサを示した図であ
る。
る。
【図３】加速センサないし回転レートセンサを製造する
方法の第１実施例を示した図である。
方法の第１実施例を示した図である。
【図４】加速センサないし回転レートセンサを製造する
方法の第２実施例を示した図である。
方法の第２実施例を示した図である。
【図５】回転レートセンサを製造する別の方法を示した
図である。
図である。
【図６】回転レートセンサを製造する別の方法を示した
図である。
図である。
１ 第１の層 ２ 第２の層 ３ 第３の層 ４ 導体路 ５ 揺動質量体 ６ 加速センサ ７ 質量体 ８ 枠体 ９ ウエブ １０ 溝 １３ 櫛形構造部 １７ パッシベーション層 １８ 支持部 １９ 支持バー ２３ パッシベーション層 ２４ 導電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディートリッヒ シューベルト ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ペー ター−ローゼッガー−シュトラーセ 84 (72)発明者 アレクサンドラ ベーリンガー ドイツ連邦共和国 レオンベルク シュー バルトシュトラーセ 47 (72)発明者 ミヒャエル オッフェンベルク ドイツ連邦共和国 テュービンゲン オプ デア グラーフェンハルデ 17 (72)発明者 クラウス ハイヤース ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ロー ベルト−コッホ シュトラーセ 37 (72)発明者 マルクス ルッツ ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン フィ ツィオーンシュトラーセ 23
Claims (17)
- 【請求項１】 ３つの層（１,２,３）を有し、第１の層
（１）は支持プレートとして構成され、該第１のプレー
ト（１）上には絶縁された第２の層（２）が被着されて
おり、該第２の層（２）上には第３の層（３）が被着さ
れており、該第３の層（３）からは変位可能な質量体
（７）が引き出されて形成されており、前記質量体
（７）は作用する応力又は加速に基づいて変位可能であ
る、加速センサ（６）において、 第３の層（３）から導体路（４）が引き出されて形成さ
れており、前記導体路（４）は接続点（２０）まで案内
されており、前記導体路（４）は第２の層（２）によっ
て第１の層（１）から電気的に絶縁され、さらに切欠部
（１０）によって第３の層（３）から電気的に絶縁され
ていることを特徴とする加速センサ。 - 【請求項２】 前記第１、第２、第３の層（１,２,３）
としてシリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層構造
部が形成されている、請求項１記載の加速センサ。 - 【請求項３】 前記変位可能な質量体（７）として、櫛
形構造部（１３）が形成されており、該櫛形構造部（１
３）は、第３の層（３）の表面に対して平行に変位可能
である、請求項１又は２記載の加速センサ。 - 【請求項４】 前記櫛形構造部（１３）は第１の長手支
持体から形成されており、前記支持体の方向に対して垂
直に複数の第１のプレートが配設されており、前記複数
の第１のプレートは前記支持体の配向方向に対して垂直
に配設されており、前記第１の支持体の各側方にそれぞ
れ第２の支持体（１９）が配設されており、前記複数の
第２の支持体（１９）は第１の支持体に対して平行に配
向されており、前記複数の第２の支持体（１９）は複数
のプレートを有しており、前記複数のプレートは第２の
支持体（１９）に対して垂直で前記第１の支持体方向に
配向されており、第２のプレートは第１のプレートに対
して平行に配設されており、１つの第２の支持体の第２
のプレートと別の第２の支持体の第２のプレートは、第
１のプレートに対して次のように配設されており、すな
わち変位可能な質量体（７）が変位した場合に第１のプ
レートと１つの第２の支持体（１９）の第２のプレート
との間の間隔が拡大すると同時に第１のプレートと別の
第２の支持体（１９）の第２のプレートとの間の間隔が
縮小するように配設されており、２つの第２の支持体
（１９）は相互に分離されて信号線路に接続されてお
り、前記変位可能な質量体も信号線路に接続されてお
り、さらに容量測定によって２つの測定信号が検出可能
である、請求項３記載の加速センサ。 - 【請求項５】 前記導体路（４）上に導電層（２４）が
被着されている、請求項１から４いずれか１項記載の加
速センサ。 - 【請求項６】 前記加速センサは回転レートセンサの揺
動系（５）上に被着されている、請求項１〜５いずれか
１項記載の加速センサ。 - 【請求項７】 前記第１、第２、第３の層（１,２,３）
から回転レートセンサが形成されており、導体路（４）
が第３の層（３）において回転レートセンサの１つの枠
体（８）まで案内されており、前記導体路（４）は第２
の層（２）によって第１の層（１）から電気的に絶縁さ
れ、さらに切欠部（１０）を介して第３の層（３）から
電気的に絶縁されている、請求項６記載の加速センサ。 - 【請求項８】 第１の層（１）を有し、該第１の層
（１）上に絶縁された第２の層（２）が被着され、該第
２の層（２）上に第３の層（３）が配設される加速セン
サの製造方法において、 第１の層構造部（１４,３０）を第３の層（３）上に被
着し、 前記第１の層構造部を加速センサと導体路（４）の形に
構造化し、 第３の層（３）から加速センサ（６）と導体路（４）を
引き出し形成し、 加速センサ（６）の変位可能な質量体（７）下方の第２
の層（２）を除去し、 最後に第１の層構造部（１４,３０）を除去することを
特徴とする加速センサの製造方法。 - 【請求項９】 前記導電層（２４）を導体路（４）上に
被着する、請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 第２の層構造部（１６）を第３の層上
に被着し、 前記第２の層構造部（１６）を回転レートセンサの揺動
構造部の形に構造化し、 前記第３、第２、第１の層（３,２,１）から揺動構造部
を引き出し形成し、 続いて前記第２の層構造部（１６）を除去し、 構造化の際に導体路（４）を回転レートセンサの１つの
枠体まで案内する、請求項８又は９記載の方法。 - 【請求項１１】 第１の層（１）上にパッシベーション
層（１１,１２）を被着し、 揺動構造部領域内のパッシベーション層（１１,１２）
を除去し、 揺動構造部領域内の第１の層（１）を所定の厚さまで除
去する、請求項８〜１０いずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】 第１の層（１）から形成され、該第１
の層（１）上に絶縁された第２の層（２）が配設されて
おり、該第２の層（２）上に導電的な第３の層（３）が
被着されている回転レートセンサの製造方法において、 第３のカバー層（１４）を第３の層（３）上に被着し、 第３のカバー層（１４）を回転レートセンサの揺動系
（５）と加速センサ（６）の櫛形構造部（１３）と導体
路（４）の形で構造化し、 構造化された第３のカバー層（１４）上に第４のカバー
層（１６）を被着し、 前記第４のカバー層（１６）を回転レートセンサの揺動
構造部の形で構造化し、 引き続き第３の層（３）と第２の層（２）から揺動構造
部を引き出し形成し、 さらに第４のカバー層（１６）を除去し、 第３の層（３）から加速センサ（６）と導体路（４）の
構造部を引き出し形成し、 加速センサ（６）の変位可能な質量体（７）下方の第２
の層（２）を除去し、 第２の層（２）から導体路（４）の構造部を引き出し形
成し、 第３の層（３）から回転レートセンサの揺動構造部を引
き出し形成し、 最後に第３のカバー層を除去することを特徴とする方
法。 - 【請求項１３】 第３のカバー層（１４）の被着前に第
３の層（３）上に導電層（２４）を導体路（４）の構造
部に応じて被着する、請求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】 第１の層（１）上にカバー層を被着
し、 回転レートセンサの揺動構造部領域内のカバー層を除去
し、 第１の層（１）を所定の厚さまで除去する、請求項１２
又は１３記載の方法。 - 【請求項１５】 第１の層（１）上にパッシベーション
層（１７）を被着する、請求項１２〜１４いずれか１項
記載の方法。 - 【請求項１６】 第１のシリコン層（１）と、絶縁層
（２）と、第３のシリコン層（３）から形成され、前記
絶縁層（２）は第１の層（１）と第３の層（３）の間に
配設されている、回転レートセンサの製造方法におい
て、 第１の層（１）に基づいて第２の層（２）を被着して構
造化し、 エピタクシ反応で第３の層（３）を析出し、 エッチングマスクを被着し、 構造部によって第３の層（３）と第１の層（１）にエッ
チングを施し、 第１の層（１）のエッチングの際に第２の層（２）の構
造部をエッチングマスクとして使用することを特徴とす
る方法。 - 【請求項１７】 第１のシリコン層（１）と、絶縁層
（２）と、第３のシリコン層（３）から形成され、前記
絶縁層（２）は第１の層（１）と第３の層（３）の間に
配設されている、回転レートセンサの製造方法におい
て、 基板表面上にエッチングマスク層（４１）を被着し、該
エッチングマスク（４１）に、シリコン層（３）まで完
全に達する溝領域（４２）と、上方のシリコン層（３）
までは達しない別の溝領域（４３）を構造化によって設
け、 前記溝領域（４２）を通して上方及び下方のシリコン層
（３,１）にエッチングを施し、 前記エッチングの際にマスク層（４１）を除去し、 エッチングプロセスの経過中に前記別の溝領域（４３）
を上方のシリコン層（３）まで侵入させ、 エッチングプロセスのさらなる経過において前記別の溝
領域（４３）を通して上方のシリコン層（３）にエッチ
ングを施すことを特徴とする方法。
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