JP2008249563A - 生体高分子分析装置及び生体高分子分析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】生体高分子分析装置1の固体撮像デバイス10は、半導体膜23、光透過性の第一ゲート電極31を有するフォトセンサを備える。第一ゲート電極31は、センサ検出モードでは、半導体膜23に入射した光量に応じて生じるキャリアを蓄積するために第一電圧を印加され、ターゲット移動モードでは、電荷を帯電した生体高分子を誘引するために第一電圧に対して電位差が+30V未満の範囲で可変である第二電圧を印加し、その電圧レベルを変化させる。
【選択図】図7
Description
次に、検体からmRNAを抽出し、逆転写酵素を用いてcDNAを合成し、標識物質で標識したものを用意する(以下、標識DNAという)。ここで、標識物質には蛍光体や化学発光基質、あるいは化学発光基質を発光させる酵素等を用いることができる。
次に、標識DNAをDNAマイクロアレイ上に添加すると、標識DNAが相補的なプローブDNAとハイブリダイズすることによりDNAマイクロアレイ上に固定される。
次に、DNAマイクロアレイを読取装置にセッティングし、読取装置(例えば、特許文献1参照)にて分析する。読取装置は、X方向及びそれ直交するY方向にDNAマイクロアレイを移動させながら、DNAマイクロアレイに励起光ビームを照射して標識物質から発した光を集光レンズでフォトマルチプライヤーに集光させ、光強度をフォトマルチプライヤーで計測することで、DNAマイクロアレイの面内の光強度分布を計測するものである。これにより、DNAマイクロアレイ上の光強度分布が二次元の画像として出力される。出力された画像内で光強度が大きい部分には、プローブDNAの塩基配列と相補的な塩基配列を有した標識DNAが含まれていることを表している。従って、二次元画像中のどの部分の蛍光強度が大きいかによって検体で発現しているmRNAを同定することができる。
そこで、本発明の課題は、サンプルの生体高分子を効率よく結合させることができる生体高分子分析装置及び生体高分子分析方法を提供することである。
半導体膜、光透過性の第一ゲート電極を有するフォトセンサを備えた固体撮像デバイスにおいて、
前記第一ゲート電極は、センサ検出モードでは、前記半導体膜に入射した光量に応じて生じるキャリアを蓄積するために第一電圧を印加され、
ターゲット移動モードでは、電荷を帯電した生体高分子を誘引するために前記第一電圧に対して電位差が+30V未満の範囲で可変である第二電圧を印加されること、
を特徴とする。
前記フォトセンサは第二ゲート電極を備え、
前記センサ検出モードにおいて、前記第一ゲート電極に前記第一電圧を印加したのち、所定時間を経て、前記キャリアの働きに伴った電流を流すために前記第二ゲート電極に第三電圧を印加することを特徴とする。
前記固体撮像デバイスを加熱・冷却する加熱冷却素子を更に備え、
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加される前に、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを加熱し、
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加されている時に、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを冷却し、
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加された後、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを加熱することを特徴とする。
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加された後、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを加熱する温度は、前記スポットの受光面上に固定されたプローブとミスハイブリダイズした生体高分子を解離する解離温度であることを特徴とする。
半導体膜、光透過性の第一ゲート電極を有するフォトセンサを備えた固体撮像デバイスにおいて、
前記第一ゲート電極に、センサ検出モードでは、前記半導体膜に入射した光量に応じて生じるキャリアを蓄積するために第一電圧を印加し、
ターゲット移動モードでは、電荷を帯電した生体高分子を誘引するために前記第一電圧に対して電位差が+30V未満の範囲で可変である第二電圧を印加すること、
を特徴とする。
また、トップゲートラインに印加されている正電圧は任意に設定することができるので、トップゲートラインの電触を抑えることができる。
図1は本発明の実施形態における生体高分子分析装置に用いられる生体高分子分析チップ1の概略斜視図であり、図2はこの生体高分子分析チップ1の概略平面図である。
図1、図2に示すように、生体高分子分析チップ1は、固体撮像デバイス10と、固体撮像デバイス10の受光面側に設けられた枠状の隔壁51と、固体撮像デバイス10の受光面において点在した複数のスポット60,60,…と、固体撮像デバイス10の受光面と反対側の面に設けられたペルチェ素子12と、を具備する。
ここで、図2、図3を用いて固体撮像デバイス10について説明する。図3は、図2に示された沿った断面を展開して示した概略断面図である。
図2、図3に示すように、固体撮像デバイス10は、絶縁基板17と、ボトムゲート絶縁膜22と、トップゲート絶縁膜29と、保護絶縁膜32と、励起光吸収層33と、スポット固定層35とを積層してなる。これらの層間に、複数のボトムゲートライン41、ソースライン42、ドレインライン43、トップゲートライン44、ボトムゲート電極21、半導体膜23、チャネル保護膜24、不純物半導体膜25,26、ソース電極27、ドレイン電極28及びトップゲート電極31(第一ゲート電極)が設けられている。なお、詳細には後述するが、ボトムゲート電極21(第二ゲート電極)、半導体膜23、チャネル保護膜24、不純物半導体膜25,26、ソース電極27、ドレイン電極28及びトップゲート電極31によってダブルゲート型電界効果薄膜トランジスタ20が構成される。
なお、図2では8行×8列のマトリクス状の二次元アレイを示すが、さらに多くの行及び列を有していてもよい。
図2、図3に示すように、固体撮像デバイス10の受光面にはスポットが形成されている。各スポット60は、プローブとなる既知の塩基配列のcDNA(プローブDNA61)や抗体等の溶液をスポット固定層35上に滴下し、乾燥して形成される。以下ではプローブとして既知の塩基配列のcDNAを用いた場合について説明する。
図1、図2に示すように、隔壁51は固体撮像デバイス10の縁に沿ってスポット固定層35の上に密着されている。隔壁51が枠状に設けられることで、隔壁51によって囲まれた内側の部分がウェル52となり、ウェル52内において固体撮像デバイス10の受光面が露出して複数のスポット60,60,…が点在している。
ペルチェ素子12は、固体撮像デバイス10の受光面とは反対側の面に貼着されている。ペルチェ素子12は、固体撮像デバイス10を加熱したり、冷却したりするものである。ペルチェ素子12の加熱又は冷却によって、ウェル52内に存するものも加熱されたり、冷却されたりする。なお、ウェル52の内側を加熱・冷却できるのであれば、ペルチェ素子12の設ける位置は固体撮像デバイス10の受光面の反対面でなくても良く、例えば隔壁51に設けられていても良い。また、加熱と冷却を電気的に行えるものであれば、加熱冷却素子はペルチェ素子12でなくても良く、例えばヒータとクーラの組み合わせであっても良い。
生体高分子分析チップ1を生体高分子分析装置70にセッティングして生体高分子分析チップ1を用いるので、生体高分子分析装置70について説明する。図6は、生体高分子分析装置70の構成を示すブロック図であり、図7は、セッティングされた生体高分子分析チップ1及びその周辺回路を示した回路図である。
コントローラ71は入力した二次元の画像データに従った画像を出力装置72に出力させる機能を有する。出力装置72はプロッタ、プリンタ又はディスプレイである。
コントローラ71がペルチェ素子12をコントロールすることによって、ペルチェ素子12を加熱状態にしたり冷却状態にしたり、ペルチェ素子12の加熱又は冷却を停止したりする。
次に、生体高分子分析装置70を用いて試料を分析する方法について説明する。
その加熱状態で、作業者が、蛍光体64で標識した蛍光標識DNA62を含有した溶液(以下、蛍光標識DNA溶液という)をウェル52内に注入する。ウェル52に注入された蛍光標識DNA溶液が、ペルチェ素子12によって75℃程度に加熱されていることが好ましい。蛍光標識DNA溶液が常温より高く加熱されると、蛍光標識DNA62及びプローブDNA61が一本鎖となる。
図14に示すように、隔壁51のうち対向する部分にそれぞれ電極151,152を設け、電極151,152を対向させても良い。この場合、ターゲット移動モードM1において、電極151の電圧を電極152の電圧よりも高くし、蛍光標識DNA溶液に電界を発生させると、蛍光標識DNA溶液中の蛍光標識DNA62が電極152に向かって泳動する。
図15に示すように、固体撮像デバイス10の受光面に対向させるように補助電極153を設けても良い。この場合、センサ検出用としての印加電圧値、電圧印加時間の制限を課すことなく、より高速な蛍光標識DNA62の移動を行える。例えば、センサ検出モードM2において補助電極153に電圧を印加することによって、センサ検出モードM2においても蛍光標識DNA62の移動を行える。
図16に示すように、平面視してトップゲートライン44と直交する複数の補助電極154を保護絶縁膜32と励起光吸収層33との間に設けても良い。ターゲット移動モードM1においてこれらの補助電極154に対して選択的に正電圧を印加することによって、蛍光標識DNA62をトップゲートライン44の方向にもトップゲートライン44の垂直方向にも移動させることができる。
スポット60は、プローブDNA61からなるものであったが、プローブ抗体からなるものでも良い。プローブ抗体としては、検出する既知のタンパク質や糖鎖等の抗原と結合する抗体(以下、プローブ抗体という)を用い、例えばモノクローナル抗体を用いることができる。
なお、スポット60のプローブとして、その他の既知の生体高分子や低分子等を用いてもよい。例えば、抗原となるペプチドやタンパク、糖鎖、低分子リガンド、既知の細胞等を用いてもよい。
12 ペルチェ素子
17 絶縁基板
23 半導体膜
32 保護絶縁膜
41 ボトムゲートライン
44 トップゲートライン
60 スポット
70 生体高分子分析装置
74 トップゲートドライバ
75 ボトムゲートドライバ
Claims (5)
- 半導体膜、光透過性の第一ゲート電極を有するフォトセンサを備えた固体撮像デバイスにおいて、
前記第一ゲート電極は、センサ検出モードでは、前記半導体膜に入射した光量に応じて生じるキャリアを蓄積するために第一電圧を印加され、
ターゲット移動モードでは、電荷を帯電した生体高分子を誘引するために前記第一電圧に対して電位差が+30V未満の範囲で可変である第二電圧を印加されること、
を特徴とする生体高分子分析装置。 - 前記フォトセンサは第二ゲート電極を備え、
前記センサ検出モードにおいて、前記第一ゲート電極に前記第一電圧を印加したのち、所定時間を経て、前記キャリアの働きに伴った電流を流すために前記第二ゲート電極に第三電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載の生体高分子分析装置。 - 前記固体撮像デバイスを加熱・冷却する加熱冷却素子を更に備え、
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加される前に、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを加熱し、
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加されている時に、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを冷却し、
前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加された後、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを加熱することを特徴とする請求項1または2に記載の生体高分子分析装置。 - 前記第一ゲート電極に前記第二電圧が印加された後、前記加熱冷却素子が前記固体撮像デバイスを加熱する温度は、前記スポットの受光面上に固定されたプローブとミスハイブリダイズした生体高分子を解離する解離温度であることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の生体高分子分析装置。
- 半導体膜、光透過性の第一ゲート電極を有するフォトセンサを備えた固体撮像デバイスにおいて、
前記第一ゲート電極に、センサ検出モードでは、前記半導体膜に入射した光量に応じて生じるキャリアを蓄積するために第一電圧を印加し、
ターゲット移動モードでは、電荷を帯電した生体高分子を誘引するために前記第一電圧に対して電位差が+30V未満の範囲で可変である第二電圧を印加すること、
を特徴とする生体高分子分析方法。
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