JP2008247038A - 脆性材料のフルカット割断方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 脆性材料6の光吸収係数αを、照射する加熱レーザビームの波長を変えて制御し、加熱レーザビーム1が脆性材料6の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面14を脆性材料6の全厚みで発生させる。加熱レーザビーム1の波長の制御は、脆性材料の厚さをL(cm)、脆性材料の光吸収係数αをα(cm−1)したとき、0.105/L<α<18.42/Lを満足するように選択する。加熱レーザビーム1の波長は、YAGレーザを励起光とした光パラメトリック発振の波長選択、または、数種の化合物半導体からなる混晶半導体レーザの混晶比を変えて選択する。
【選択図】 図5
Description
この様子を図1に示す。図1に示すように加熱レーザビーム1の断面形状を適当なものに成形すると、加熱レーザビーム1の移動方向7と直交する方向のみに、引っ張り張力4が発生する。この引っ張り張力の作用で割断亀裂5が生じる。図1において、2はガラス内部の圧縮応力、3は冷却液、6はガラス板である。なお、ガラス板6の加熱レーザビーム1による加熱後に冷却液3の噴射を行わなくてもガラス板6に引っ張り張力4は発生し、この引っ張り張力4の作用で割断亀裂5を生じさせることができる。
しかしながら、レーザビームのエネルギー密度をこうしたクラックを発生させるものより十分低いものに設定すると、ガラスは加熱されるだけで、溶融もクラック発生も起こらない。この時ガラスは熱膨張しようとするが、局所加熱なので膨張ができず、照射点を中心にその周辺には圧縮応力が発生する。この局所加熱源を割断したい方向に移動させるのである。加熱後に冷却液を噴射して冷却を行うと、今度は逆に引っ張り張力が発生する。
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、レーザスクライブを脆性材料の全板厚にわたって実現することによりブレーク工程を不要とした脆性材料の割断方法を提供するものである。このような脆性材料の全板厚にわたるスクライブを以下フルカットと呼称する。
実用的には、吸収係数αが最適値であるα=0.693/Lより大きいとガラス板によるレーザ光の吸収が大きくなるので、α=0.693/Lまたは0.105/L<α<0.693/Lとなるようにレーザ光の波長を選択するのが好ましい。
こうした加熱レーザビーム1の透過は、脆性材料の加熱レーザビームに対する吸収係数αを最適化して行なうことができる。
(1)割断位置精度が高い。
(2)割断面が鏡面で、面粗さが良好である。
(3)割断面がガラス表面に対して、十分に垂直である。
(4)割断面にカレットの付着がなく、清浄である。
(5)割断の自動化ができる。
(6)割断が高速度で行える。
(7)研磨、洗浄などの後工程が大幅に省略できる。
イ 曲線割断が可能である。これはレーザによる金属加工にも匹敵する。
ロ 複層構造板の割断が可能である。液晶ディスプレィやプラズマディスプレィガラスに適用できる。
ハ マイクロワークの割断が可能である。ICタッグに適用できる。
ニ 強化ガラスの割断が可能である。建築用ガラスに適用できる。
ホ 曲面ガラスの割断が可能である。自動車用ガラスに適用できる。
このように、レーザによるガラス割断が産業界の各分野に普及すれば、加工速度、加工品質、経済性、難易度の克服などにおいて、その効果にははかり知れないものがある。
I= I0・e―αx (1)
(1)式から、透過率T=I/I 0 および伝播距離xの所要値が分かれば必要な吸収係数
αを求めることができる。すなわち、吸収係数αは、(1)式からα=−(1/x)lnTにより計算される。
上限値としては、発明者達の経験によれば、ガラス板厚の1/4までスクライブするとフルカットになってしまうことがよくあるので、ガラス板厚の1/4までスクライブする条件を上限値と設定する。そこで、ガラス板を加熱レーザビームが透過する透過率Tとして、図6におけるT<90%の範囲に含まれる値であるT=I/I 0 =0.01を選択し、(1)式にT=0.01およびガラス板厚の1/4までスクライブする条件であるx=L/4を代入すると、α=18.42/Lとなる。
最適値としてはガラス板6によって加熱レーザビーム1の50%が吸収される場合であって(1)式から同様にα=0.693/Lとなる。
以上から、ガラス板6における光の吸収係数αが0.105/L<α<18.42/Lを満足するような光を照射すればガラス板6はフルカットされることがわかる。
なお、吸収係数αが最適値であるα=0.693/Lより大きい場合は、フルカットは可能ではあるが、ガラス板6によるレーザ光の吸収が大きくなるので、実用的にはα=0.693/Lまたは0.105/L<α<0.693/Lとなるようにレーザ光の波長を選択するのが好ましい。
α下限値(cm−1)最適値(cm−1)α上限値(cm−1)
板厚 0.02cm 5.25 34.65 921
板厚 0.07cm 1.50 9.90 263
板厚 0.28cm 0.38 2.48 65.8
前述したように、光の吸収係数αは光の波長の関数である。したがって、ガラス板6における光の吸収係数αを0.105/L<α<18.42/Lを満足するように制御するには、照射レーザ光1の波長を制御すればよい。以下の実施例に、これらの数値を実現するために照射レーザ光1の波長を変えて得るαの制御技術について説明する。
図7は波長1.06μmのYAGレーザ光を励起光としてKTP結晶に照射してタイプ2で角度位相整合した場合の位相整合角に対するシグナル光とアイドラー光の波長を示すもので、Walter Koechnerの著書「Solid-State Laser
Engineering」(Fifth edition Springer-Verlag 1999)から引用して示す。この場合の光パラメトリック発振の波長域は1.6μmから4μmにいたり、無アルカリガラスの板厚0.02cmから0.28cmの場合の吸収係数αの最適値である約2.4cm−1から35cm−1を得ることができる波長域をほぼカバーできる。
この光パラメトリック発振器を用いれば、板厚の異なる複数のガラスをフルカットする場合、その板厚に最適な吸収係数αの得られる波長を位相整合角を変えて選び、その板厚に最適なレーザ出力を選ぶのみで対応でき、複数の板厚のガラスをフルカットする場合に作業変えの段取り効率が極めて良くなる利点が生じる。
。同様のことは、In1-xGaxAsySb1-yあるいはAl1-xInxAsySb1-yなどの混晶半導体レーザでも可能である。また、4−6族のPb1-xEuxSeyTe1-yを活性層とする混晶半導体レーザではxとyを変えることにより2.6μmから6.6μmのレーザ光が得られる。
図8において15は多数個の混晶半導体レーザエレメントからなるレーザスタックであり、16はそれぞれの混晶半導体レーザエレメントからの加熱レーザビームを導光するファイバーを1本に束ねたファイバーバンドルである。このファイバーバンドル16の入射端17はコネクターとして脱着可能になっている。出射端18ではファイバーバンドル16はレーザ光断面形状が種々の形状を取れるように配列されている。図8では直線状の割断に最適な直線状断面形状19用になっている。異なった直径の円形割断のためには図9に示すようにファイバー出射端は円弧状配列20にするが、直径制御のために射出端と脆性材料表面の間に図10のような拡大・縮小光学系21を設置する。直線や円弧以外の任意形状の割断のためにはそれに最適のファイバー配列を行えばよい。
2 脆性材料内部の圧縮応力
3 冷却液
4 脆性材料内部の引っ張り張力
5 脆性材料に生じる割断亀裂
6 ガラス板
7 加熱レーザビームの移動方向
8 トリガークラック
9 レーザスクライブ面
10 レーザスクライブ後のブレーク面
11 機械スクライブ面
12 機械スクライブ後のブレーク面
13 熱伝導による熱源
14 透過レーザビーム吸収による熱源
15 混晶半導体レーザスタック
16 ファイバーバンドル
17 ファイバーバンドル入射端
18 ファイバーバンドル出射端
19 直線配列ファイバー出射端からの照射レーザ光
20 円弧配列ファイバー出射端からの照射レーザ光
21 拡大・縮小光学系
22 ファイバー結合用光学系
23 断面形状制御用光学系
Claims (8)
- 脆性材料にレーザ光を照射して、または、レーザ光を照射後に冷却して脆性材料に熱応力に起因する亀裂を発生させ、前記脆性材料を全厚さにわたって割断する脆性材料の割断方法であって、前記脆性材料の厚さをL(cm)、前記脆性材料の波長に対する透過率をT、前記脆性材料の光吸収係数α(cm−1)としたとき、前記脆性材料における透過率Tの波長特性および前記透過率T、厚さLおよび光吸収係数αとの関係式T=e―Lαから不等式0.105/L<α<18.42/Lを満足するように前記照射レーザ光の波長を選択することを特徴とする脆性材料のフルカット割断方法。
- αが不等式0.105/L<α≦0.693/Lを満足するように照射レーザ光の波長を選択することを特徴とする請求項1に記載の脆性材料のフルカット割断方法。
- 脆性材料にレーザ光を照射して、または、レーザ光を照射後に冷却して脆性材料に熱応力に起因する亀裂を発生させ、前記脆性材料を全厚さにわたって割断する脆性材料のフルカット割断方法であって、前記レーザ光の波長を、前記脆性材料の厚さをL、前記脆性材料の波長に対する透過率をT、前記脆性材料の光吸収係数をαとしたとき、前記透過率T、厚さLおよび光吸収係数αとの関係式T=e ―Lα により吸収係数αを求め、前記脆性材料における透過率Tの波長特性から前記吸収係数αを与える透過率Tに対応する波長を選択して定めることを特徴とする脆性材料のフルカット割断方法。
- レーザ光の光源として光パラメトリック発振器を使用し、前記照射レーザ光の波長選択を、光パラメトリック発振の波長選択によって行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の脆性材料のフルカット割断方法。
- レーザ光の光源として複数の化合物半導体の混晶比を変えて得る混晶半導体レーザを使用し、前記照射レーザ光の波長選択を前記混晶半導体レーザの混晶比を変えて行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の脆性材料のフルカット割断方法。
- 複数の化合物半導体の混晶比を変えて得る混晶半導体レーザとして、PbEuSeTe、InAsSbP、InGaAsSbおよび、AlInAsSbのいずれかを活性層とする混晶半導体レーザを用いたことを特徴とする請求項5に記載の脆性材料のフルカット割断方法。
- 光パラメトリック発振の波長選択を、YAGレーザを励起光として非線形結晶に照射し、前記非線形結晶のクリチカル位相整合における角度制御、非クリチカル位相整合における温度制御および周期分極反転構造による擬似位相整合における周期制御のいずれかでシグナル光あるいはアイドラー光を発生して行うことを特徴とする請求項4に記載の脆性材料のフルカット割断方法。
- 請求項5に記載の混晶半導体レーザを複数使用し、前記複数の混晶半導体レーザにおける各々の混晶比を変えて互いに異なる波長のレーザ光を発生させ、前記複数の混晶半導体レーザを切替えて前記レーザ光を異なる板厚の脆性材料に順次照射させることにより、異なる板厚の脆性材料を順次フルカットすることを特徴とする脆性材料のフルカット割断方法。
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