JP2008244017A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008244017A5
JP2008244017A5 JP2007080300A JP2007080300A JP2008244017A5 JP 2008244017 A5 JP2008244017 A5 JP 2008244017A5 JP 2007080300 A JP2007080300 A JP 2007080300A JP 2007080300 A JP2007080300 A JP 2007080300A JP 2008244017 A5 JP2008244017 A5 JP 2008244017A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
manufacturing
ruthenium film
film
ruthenium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007080300A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5234718B2 (ja
JP2008244017A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007080300A priority Critical patent/JP5234718B2/ja
Priority claimed from JP2007080300A external-priority patent/JP5234718B2/ja
Publication of JP2008244017A publication Critical patent/JP2008244017A/ja
Publication of JP2008244017A5 publication Critical patent/JP2008244017A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5234718B2 publication Critical patent/JP5234718B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007080300A 2007-03-26 2007-03-26 半導体装置の製造方法 Active JP5234718B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007080300A JP5234718B2 (ja) 2007-03-26 2007-03-26 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007080300A JP5234718B2 (ja) 2007-03-26 2007-03-26 半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008244017A JP2008244017A (ja) 2008-10-09
JP2008244017A5 true JP2008244017A5 (https=) 2010-05-06
JP5234718B2 JP5234718B2 (ja) 2013-07-10

Family

ID=39915018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007080300A Active JP5234718B2 (ja) 2007-03-26 2007-03-26 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5234718B2 (https=)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200912025A (en) * 2007-09-03 2009-03-16 Ulvac Inc Method for manufacturing semiconductor device
JP5323425B2 (ja) * 2007-09-03 2013-10-23 株式会社アルバック 半導体装置の製造方法
WO2010098308A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 株式会社アルバック 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置
JP5193913B2 (ja) * 2009-03-12 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 ＣＶＤ−Ｒｕ膜の形成方法および半導体装置の製造方法
JP2010225989A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
TWI809712B (zh) 2017-01-24 2023-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於在基板上形成鈷層的方法
DE102020119831B4 (de) 2020-01-29 2024-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren und Struktur

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3224450B2 (ja) * 1993-03-26 2001-10-29 日本酸素株式会社 酸化ルテニウムの成膜方法
JP3371328B2 (ja) * 1997-07-17 2003-01-27 株式会社高純度化学研究所 ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法
JP4152028B2 (ja) * 1999-01-25 2008-09-17 株式会社Ａｄｅｋａ ルテニウム系薄膜の製造方法
JP2002212112A (ja) * 2001-01-22 2002-07-31 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。
JP4517565B2 (ja) * 2001-09-12 2010-08-04 東ソー株式会社 ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法
JP4097979B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-11 田中貴金属工業株式会社 Ｃｖｄ用原料化合物及びルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法
JP2005087697A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Morio Takayama 収納式ペーパーホルダー
JP4771516B2 (ja) * 2005-03-04 2011-09-14 Ｊｓｒ株式会社 化学気相成長材料及び化学気相成長方法
JP2006324363A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Elpida Memory Inc キャパシタおよびその製造方法
US7632351B2 (en) * 2005-08-08 2009-12-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Atomic layer deposition processes for the formation of ruthenium films, and ruthenium precursors useful in such processes
EP2053036A4 (en) * 2006-07-27 2011-04-13 Ube Industries ORGANUTOUTHENIUM COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCING A THIN RUBBER FILM FILM USING THE RUTHENIUM COMPLEX
JP2008031541A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd Ｃｖｄ成膜方法およびｃｖｄ成膜装置
JP2010095795A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Ube Ind Ltd ルテニウム含有薄膜、及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008244017A5 (https=)
JP2006253634A5 (https=)
WO2006113609A3 (en) Maskless multiple sheet polysilicon resistor
CN104813419B (zh) 热敏电阻装置
CN101513150A (zh) 马达控制器
JP2012216796A5 (https=)
EP1962332A3 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101113713B1 (ko) 소형 센서내장형 세라믹 기판 히터의 제조 방법
JP5550848B2 (ja) 配線構造の製造方法、及び配線構造
CN102612304A (zh) 散热基板及其制造方法
JP2011060901A5 (https=)
CN104425215B (zh) SiC半导体装置的制造方法
EP1749904A3 (en) Planar resistance heating element and manufacturing method thereof
TWI456695B (zh) 半導體裝置及其形成之方法
JP2005513777A5 (https=)
JP2014213575A5 (https=)
JP2007194514A5 (https=)
JP5378677B2 (ja) セラミックヒータ
TWI495868B (zh) 熱電模組性質測量系統及其測量方法
CN203313575U (zh) 兼具导热功能的阻热结构
KR101358348B1 (ko) 나사 조립식 단자대를 갖는 반도체 가열장치
WO2017115627A1 (ja) インバータ
JP2008004841A5 (https=)
JP2019181457A5 (https=)
JP5467544B2 (ja) マイカヒーター