JP2008226930A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008226930A JP2008226930A JP2007059250A JP2007059250A JP2008226930A JP 2008226930 A JP2008226930 A JP 2008226930A JP 2007059250 A JP2007059250 A JP 2007059250A JP 2007059250 A JP2007059250 A JP 2007059250A JP 2008226930 A JP2008226930 A JP 2008226930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inn
- active layer
- gan
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体レーザダイオード10は、基板1と、バッファ層2と、第1のクラッド層3と、活性層4と、第2のクラッド層5と、コンタクト層6と、第1の電極7と、第2の電極8と、共振器端面とを備える。活性層4は第1の厚さのInN層4aと第2の厚さのGaN層4bとを交互に積層して形成されている。活性層4のInN層4aとGaN層4bはそれぞれ微視的に面内で均一に積層されている。活性層4の下地層として、格子定数が調整された第1のクラッド層3が用いられている。
【選択図】図1
Description
この例を発光素子の活性層に応用すれば、井戸層にInGaN混晶を利用しないため、相分離による結晶品質の劣化の影響を避けることができる可能性がある、と発明者は考えた。しかしながら、非特許文献2に記載された構造の発光波長は、446nm付近であり、InGaN混晶を活性層とする発光素子においても実現可能な発光波長域である。従って、発光波長の長波長化も併せて実現する必要がある。
本発明の他の態様に係る半導体発光素子は、前記活性層を上下で挟む下部活性層と上部活性層をさらに備え、前記下部活性層および前記上部活性層はそれぞれ、1分子層の厚さのInN層と6分子層付近の厚さのGaN層とを交互に積層して形成されていることを特徴とする。
本発明の他の態様に係る半導体発光素子は、前記基板にZnO基板を用いることを特徴とする。
特徴とする。
本発明の第1実施形態に係る半導体レーザダイオード10を、図1〜図6に基づいて説明する。図1は半導体レーザダイオード10の素子構成を示す断面図、図2は半導体レーザダイオード10の概略構成を示す斜視図である。図3は活性層の構造を示す説明図、図4は活性層の詳細な構造を示す断面図である。図5は活性層の断面構造と活性層のバンドギャップエネルギを示す説明図。図6は1分子層(ML)のInN層と組み合わせるGaN層の厚さを変えた場合のバンドギャップエネルギの変化を示すグラフである。
(1)活性層4は第1の厚さのInN層4aと第2の厚さのGaN層4bとを交互に積層して形成されている。
(2)活性層4のInN層4aとGaN層4bはそれぞれ微視的に面内で均一に積層されている(図4参照)。
(3)活性層4の下地層である第1のクラッド層3は、基板1、バッファ層2および活性層4のうち少なくとも一方に格子整合されている。つまり、活性層4の下地層として、格子定数が調整された第1のクラッド層(下地層)3が用いられている。
基板1として、酸化亜鉛(ZnO)単結晶基板が用いられている。このZnO単結晶基板1上に、ZnO単結晶基板1と格子整合するバッファ層2が形成されている。バッファ層2は、酸化物系化合物半導体層(酸化物)で構成されている。 バッファ層2上に、第1導電型(n型)の第1のクラッド層3が形成されている。第1のクラッド層3は、AlInGaN混晶を成長して形成される。Al、Ga、Inの組成は、ZnO単結晶基板1、下地であるバッファ層2、および活性層4の少なくとも一つに格子整合する割合となるように設定する。例えば、Al0.1Ga0.74In0.16Nなどが格子整合組成である。なお、第1のクラッド層3にSiを1×1018cm−3ドーピングしてn型とする。第1のクラッド層3は、活性層4の格子定数に等しい格子定数或いはそれよりも小さい格子定数を有するように格子整合されるので、コアとして機能する活性層4よりも屈折率が小さく、活性層4内に光を安定に閉じ込めておく光ガイド層の役割を果たしている。
また、活性層4を微視的に面内で均一な積層構造(InN/GaN分子層積層構造)にするために、活性層全体の厚さを30nm以下に設定している。
(工程1)まず、図1に示すように、(0001)面であるc面を主面とするウルツ鉱型結晶のZnO単結晶基板1を用意し、化学的エッチング処理や熱処理を行うなどして、基板表面の加工損傷を取り除き調整する。ZnO単結晶基板1は、現在、高抵抗基板とn型導電性基板が利用できる。本実施形態では、ZnO単結晶基板1としてn型導電性基板を使用した。また、ZnO単結晶基板1の代わりにZnOエピタキシャル層を使用してもよい。
また、コンタクト層8を構成するInGaNの成長温度Tgは、750℃未満、例えば400〜500℃に設定され、プラズマ電力Pは400〜500Wに設定される。III族原料としては、高純度のIn及びGa金属原料をクヌーセンセルで蒸発させて基板に供給する。V族原料として、N2ガスを1〜5sccmの流量でRFラジカルセルに導入して窒素ラジカルを生成して供給する。
そして、光出射側端面11と光反射側端面12の一方には、低い屈折率を有する1層以上の低反射膜であって、膜厚がλ/(4n)(λ:発光波長、n:屈折率)であり、非反射膜(AR膜)が形成される。また、その他方には、低屈折率と高屈折率を交互に積層してなる高反射膜(HR膜)が形成される。膜厚がλ/(4n)(λ:発光波長、n:屈折率)である。
なお、本実施形態のように半導体レーザダイオードを作製する場合も、或いは半導体発光素子としての発光ダイオードを作製する場合も、電極を形成しないエピや基板の表面には、適切なパッシベーション膜を配置することが望ましい。また、電極に配線をボンディングするためのパットなども適宜配置することが必要である。
○活性層4をInN層4aとGaN層4bとを交互に積層したInN/GaN分子層積層構造としているので、InN層とGaN層の厚さを変えてInの平均組成比を変えることで、所望の波長帯の光を発光させる(発光させる光の波長帯をコントロールする)ことが可能になる。
例えば、実施例1は、図3に示す活性層4のInN層4aを1ML(x1=1)の厚さにし、GaN層4bを1ML(y1=1)の厚さにしてInN層4aとGaN層4bを交互に積層し、InN層4aの繰り返し数を「13」とし、活性層4全体の厚さを約6.9nmとした構成例である。
上記半導体レーザダイオード10の活性層を、実施例1乃至5のように構成することで、500nm程度より長波長の緑色域の発光が可能な半導体レーザダイオードを実現することができる(図6参照)。
上記半導体レーザダイオード10の活性層を、実施例8のように構成することで、405nm程度の青紫色域の発光が可能な半導体レーザダイオードを実現することができる(図6参照)。
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体レーザダイオード10Aを、図7および図8に基づいて説明する。図7は、第2実施形態に係る半導体レーザダイオード10Aの主要部の構成を示す断面図であり、図8はその主要部の詳細な構成を示す断面図である。
第2実施形態に係る半導体レーザダイオード10Aの特徴は、図1に示す上記第1実施形態に係る半導体レーザダイオード10において、活性層を3つの領域に分けて構成した点にある。
下部活性層41および上部活性層42はそれぞれ、1分子層の厚さのInN層4aと6分子層付近の厚さのGaN層4bとを交互に積層して、活性層4と同様のInN/GaNの分子層積層構造に形成されている。また、下部活性層41および上部活性層42はそれぞれ、中央の活性層4の格子定数に等しい格子定数或いはそれよりも小さい格子定数を有するように格子整合されている。その他の構成は、上記第1実施形態に係る半導体レーザダイオード10と同様である。
以上のように構成された第2実施形態によれば、上記第1実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。
この実施例9では、下部活性層41のInN層4aを1ML(x2=1)の厚さにし、そのGaN層4bを6ML(y2=6)の厚さにしてInN層4aとGaN層4bを交互に積層してある。また、上部活性層42のInN層4aを1ML(x3=1)の厚さにし、そのGaN層4bを6ML(y3=6)の厚さにしてInN層4aとGaN層4bを交互に積層してある。また、InN層4aの繰り返し数を「13」とし、活性層4全体の厚さを約22nmとしている。
次に、本発明の第3実施形態に係る半導体レーザダイオード10Bを、図9に基づいて説明する。
第3実施形態に係る半導体レーザダイオード10Bの特徴は、図7および図8に示す上記第2実施形態に係る半導体レーザダイオード10Aにおいて、第1のクラッド層3の上部を、InN層3aとAlGaN層3bを交互に積層したInN/AlGaNの分子層積層構造にした点にある。
次に、第1のクラッド層の上部(上部第1クラッド層32)を、1MLの厚さのInN層3aと数MLの厚さのAlGaN層3bとを繰り返し成長させて、上部第1クラッド層32を形成する。
この後、半導体レーザダイオード10Aの製造工程で説明した上記(工程7a)を行う。
次に、上記第3実施形態に係る半導体レーザダイオード10Bにおいて、上部第1クラッド層32の各InN層3aの厚さ(MLの値)と各AlGaN層3bの厚さの組み合わせや交互繰り返し回数を適切に設定した実施例10を、以下の表5に基づいて説明する。
この実施例10では、上部第1クラッド層32のInN層3aを1ML(x5=1)の厚さにし、そのAlGaN層3bを6ML(y5=6)の厚さにしてInN層3aとAlGaN層3bを交互に積層してある。InN層3aの繰り返し数を「13」とし、上部第1クラッド層32全体の厚さを約22nmとしている。
次に、本発明の第4実施形態に係る半導体レーザダイオード10Cを、図10に基づいて説明する。
・図9に示す上記第3実施形態に係る半導体レーザダイオード10Bにおいて、第2のクラッド層5の下部(下部第2クラッド層52G)も、第1のクラッド層3の上部(上部第1クラッド層32)と同様に、InN層3aとAlGaN層3bを交互に積層したInN/AlGaNの分子層積層構造にした。
次に、本発明の第5実施形態に係る半導体レーザダイオード10Dを、図11〜図14に基づいて説明する。図11は半導体レーザダイオード10Dの成長設計層構造を示す説明図である。図12は図11のコンタクト層付近の拡大図、図13は図11の活性層中央部の拡大図である。また、図14は半導体レーザダイオード10Dの成長後に観測される層構造を示す説明図である。
・図10に示す上記第4実施形態に係る半導体レーザダイオード10Cにおいて、バッファ層2に代えて、ZnO単結晶基板1と第1のクラッド層3との間に、第1の分子層の厚さを有するInN層と第2の分子層の厚さを有するGaN層とを交互に積層したInN/GaNの分子層積層構造のバッファ層20を設けてある(図11,図14参照)。
In照射後およびGa照射後に3族原料を照射しない期間(成長中断)を設けることにより積層の原子レベルの平坦性を良好とする効果が得られることがある。In照射中およびGa照射中にNラジカル照射を中断してさらに平坦性が改善される場合もある。これらは、Nラジカルの照射濃度の影響を受けるので、RHEED装置による電子線回折像を観測しながら適宜調整することが必要である。なお、これらの層(1MLのInN層と4〜5MLのGaN層)は、Siを1×1018cm−3ドーピングしてN型としている。
以上のように構成された第5実施形態によれば、上記第4実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。
次に、本発明の第6実施形態に係る半導体レーザダイオード10Eを、図15に基づいて説明する。図13は成長後に熱処理を施した半導体レーザダイオード10Eの層構造を示す説明図である。
・図11〜図14に示す上記第5実施形態に係る半導体レーザダイオード10Dにおいて、成長後に熱処理を施して、InNとGaNを成長面の法線方向に十分に拡散させて作製されている点にある。ここでは、成長後に熱処理を施すことにより、活性層4のInN層4aとGaN層4bの各層は、InNとGaNが成長面の法線方向に十分に相互拡散(5nm程度の相互拡散長)により混合した構造になっている。つまり、活性層4のInN層4aとGaN層4bの各層において、InNとGaNが成長面の法線方向に相互拡散により混合した構造は、図15に示すような結晶成長後の熱拡散プロファイルを示している。
・上記各実施形態では、本発明を半導体発光素子としての導体レーザダイオードに適用した構成について説明したが、本発明は半導体発光素子としての発光ダイオードにも適用可能である。例えば、本発明を緑色域の発光が可能な発光ダイオードに適用することで、発光ダイオードの発光効率を向上させることができる。
2,20…バッファ層
3…第1のクラッド層
3a…InN層
3b…GaN層
4…活性層
4a…InN層
4b…GaN層
5…第2のクラッド層
6,60…コンタクト層
7…第1の電極
8…第2の電極
10,10A,10B,10C,10D,10E…半導体レーザダイオード
31…下部第1クラッド層
32,32G…上部第1クラッド層
41…下部活性層
42…上部活性層
51…上部第2クラッド層
52G…下部第2クラッド層
Claims (16)
- 活性層と、
前記活性層の下地層で、基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、
前記活性層の上層に形成された第2導電型の第2のクラッド層と、
第1の電極および第2の電極と、を備え、
前記活性層は第1の厚さのInN層と第2の厚さのGaN層とを交互に積層して形成されており、
前記InN層とGaN層はそれぞれ微視的に面内で均一に積層されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1のクラッド層は、前記基板および前記活性層のうち少なくとも一方に格子整合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記InN層の厚さは1〜2分子層であり、前記活性層の前記GaN層の厚さは、少なくとも前記InN層の厚さと同じか、それよりも厚く、1〜10分子層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層全体の厚さは、30nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記活性層を上下で挟む下部活性層と上部活性層をさらに備え、前記下部活性層および前記上部活性層はそれぞれ、1分子層の厚さのInN層と6分子層付近の厚さのGaN層とを交互に積層して形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1のクラッド層の面内格子定数は、InNの面内格子定数の90%より大きいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記基板にZnO基板を用いることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1のクラッド層および前記第2のクラッド層それぞれが、AlN層、GaN層、InNの積層により、又は、混晶AlGaInNにより、又は、これらの組み合わせにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1のクラッド層の上部が、InN層とAlGaN層を交互に積層した構造、或いは、InN層、AlN層およびGaN層を積層した構造により形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記第2のクラッド層の下部が、InN層とAlGaN層を交互に積層した構造、或いは、InN層、AlN層、およびGaN層を積層した構造により形成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子。
- 前記第1のクラッド層の上部、又は、前記第2のクラッド層の下部、又は、前記第1のクラッド層の上部および前記第2のクラッド層の下部を、Alの組成が前記活性層に近づくにつれて次第に減少するグレーデッド型積層構造としたことを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体発光素子。
- 前記基板と前記第1のクラッド層との間に、厚さが第1分子層のInN層と厚さが第2分子層のGaN層とを交互に積層したInN/GaN分子層積層構造のバッファ層を備えることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1の厚さのInN層と前記第2の厚さのGaN層と交互に積層した前記活性層において、前記InN層と前記GaN層の各層はInNとGaNが成長面の法線方向に相互拡散により混合した構造を有していると共に、前記InN層と前記GaN層の各層は面内においては均一であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記活性層の前記InN層と前記GaN層の各層において、InNとGaNが成長面の法線方向に相互拡散により混合した構造は、結晶成長後の熱拡散プロファイルを示すことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 共振器端面を有する半導体レーザダイオードとして構成されたことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一つに記載の半導体発光素子。
- 前記半導体レーザダイオードは、500nmよりも長波長の光で発振することを特徴とする請求項15に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007059250A JP4927606B2 (ja) | 2007-03-08 | 2007-03-08 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007059250A JP4927606B2 (ja) | 2007-03-08 | 2007-03-08 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008226930A true JP2008226930A (ja) | 2008-09-25 |
JP4927606B2 JP4927606B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=39845239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007059250A Expired - Fee Related JP4927606B2 (ja) | 2007-03-08 | 2007-03-08 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4927606B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011077109A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオード素子 |
JP2016531442A (ja) * | 2013-08-22 | 2016-10-06 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 活性領域がInNの層を含む発光ダイオード |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996003776A1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci |
JPH0856015A (ja) * | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜の形成方法 |
JPH09298341A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
JPH09331105A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nec Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
JPH10242585A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10289877A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Hitachi Ltd | 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 |
JPH11186602A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Toshiba Corp | 発光素子および結晶成長方法 |
JP2000261035A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | GaN系の半導体素子 |
JP2000299530A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-10-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2002335052A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2002368343A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sony Corp | 窒化物半導体レーザ |
JP2003332697A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sony Corp | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2004235492A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
JP2006140387A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nec Corp | 窒化物半導体レ−ザ及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-08 JP JP2007059250A patent/JP4927606B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996003776A1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci |
JPH0856015A (ja) * | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜の形成方法 |
JPH09298341A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
JPH09331105A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nec Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
JPH10242585A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10289877A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Hitachi Ltd | 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 |
JPH11186602A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Toshiba Corp | 発光素子および結晶成長方法 |
JP2000299530A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-10-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2000261035A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | GaN系の半導体素子 |
JP2002335052A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2002368343A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sony Corp | 窒化物半導体レーザ |
JP2003332697A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sony Corp | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2004235492A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
JP2006140387A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nec Corp | 窒化物半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011077109A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオード素子 |
JP2016531442A (ja) * | 2013-08-22 | 2016-10-06 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 活性領域がInNの層を含む発光ダイオード |
US10153393B2 (en) | 2013-08-22 | 2018-12-11 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Light emitting diode of which an active area comprises layers of inn |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4927606B2 (ja) | 2012-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4988179B2 (ja) | 酸化亜鉛系化合物半導体素子 | |
JP2008311640A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
JP2008109066A (ja) | 発光素子 | |
JP2009141340A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2008198952A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2009094360A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
JP2009158955A (ja) | 窒化物半導体レーザダイオード | |
JP2006332205A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4212105B2 (ja) | 酸化亜鉛系化合物半導体素子 | |
WO2008029915A1 (fr) | Dispositif d'émission de lumière à semiconducteur et son procédé de fabrication | |
JP3699917B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP5128335B2 (ja) | GaN系半導体基板、その製造方法および半導体素子 | |
JP2007150312A (ja) | 半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイスの製造方法 | |
JP3233139B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2011003661A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP5257967B2 (ja) | 半導体光素子 | |
TW200847564A (en) | Semiconductor laser diode | |
JP5561629B2 (ja) | 半導体光素子 | |
JP5158834B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP4927606B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5224312B2 (ja) | 半導体レーザダイオード | |
JP2007123938A (ja) | 酸化亜鉛系化合物半導体素子 | |
JP2009246005A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2009212343A (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP2000058916A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110715 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |