JP2008221203A - 窒素酸化物除去用触媒及び窒素酸化物除去方法 - Google Patents
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Abstract
窒素酸化物を含む排ガスより窒素酸化物を除去する窒素酸化物除去用触媒の、排ガス中に含まれるリン化合物による触媒の被毒を防止する。耐久性の優れた窒素酸化物除去用触媒および窒素酸化物除去方法を提供する。
【解決手段】
細孔径を制御した多孔質材料と、多孔質材料の細孔内部に担持された活性成分を有する触媒を用いる。第一の発明は、多孔質材料の細孔の直径が8〜9Åであることを特徴とする。細孔の直径は、3.4〜14Åの直径を有する細孔を測定できるガス吸着法で計測した場合に8〜9Å、または細孔直径を結晶構造から計算した場合に8〜9Åであることがよい。第二の発明は、多孔質材料がメソポーラスシリカであることを特徴とする。メソポーラスシリカの一次粒子径が150〜300nmであることがよい。
【選択図】図1
Description
蒸留水2Lに酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)103.6gを溶解した水溶液に、粉末状のH型のY型ゼオライト(東ソー株式会社製HSZ−330HAU,SiO2/Al2O3=6、結晶構造から計算される細孔直径8Å)40gを加えて、室温で24時間攪拌し、Cuをイオン交換で担持した。攪拌を停止して静置した後、上澄みの溶液を廃棄してから、これに蒸留水を加えて、デカンテーションで3回洗浄した。これを、吸引ろ過しながら、更に蒸留水で洗浄した。ろ過で得られた粉末を、120℃で乾燥後、500℃で2時間焼成し、Cu−Y型ゼオライト触媒粉末を得た。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、2.2wt%と定量された。
酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)50.8g,粉末状のH型のY型ゼオライト(東ソー株式会社製HSZ−360HAU,SiO2/Al2O3=14、結晶構造から計算される細孔直径8Å)40gを用いる以外は、実施例触媒1と同様の方法でCu−Y型ゼオライト触媒粉末を調製した。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、1.1wt%と定量された。
酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)15.6g,粉末状のX型ゼオライト(東ソー株式会社製ゼオラムF9,SiO2/Al2O3=2.5、結晶構造から計算される細孔直径9Å)40gを用いる以外は、実施例触媒1と同様の方法でCu−X型ゼオライト触媒粉末を調製した。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、5.3wt%と定量された。
酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)5.0g,粉末状のX型ゼオライト(東ソー株式会社製ゼオラムF9,SiO2/Al2O3=2.5、結晶構造から計算される細孔直径9Å)40gを用いる以外は、実施例触媒1と同様の方法でCu−X型ゼオライト触媒粉末を調製した。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、1.6wt%と定量された。
酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)25.2g,粉末状のH型ZSM−5ゼオライト(Zeolyst社製CBV−3020,SiO2/Al2O3=30,平均細孔径5.5〜6Å)40gを用いる以外は、実施例触媒1と同様の方法でCu−ZSM−5触媒粉末を調製した。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、1.9wt%と定量された。
酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)44.7g,粉末状のH型モルデナイト(東ソー株式会社製HSZ−620HOA,SiO2/Al2O3=15,結晶構造から計算される細孔直径7Å)40gを用いる以外は、実施例触媒1と同様の方法でCu−モルデナイト触媒粉末を調製した。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、2.2wt%と定量された。
酢酸銅(Cu(CH3COO)2・H2O)25.2g,粉末状のH型モルデナイト(東ソー株式会社製HSZ−660HOA,SiO2/Al2O3=30,平均細孔径7Å)40gを用いる以外は、実施例触媒1と同様の方法でCu−モルデナイト触媒粉末を調製した。本触媒のCu担持量は、ICPによる分析で、2.8wt%と定量された。
メタチタン酸スラリー100gとパラモリブデン酸アンモニウム7.8g及びメタバナジン酸アンモニウム2.1gをらいかい機にて湿式混練した。このスラリーを120℃で乾燥後、500℃で2時間焼成し、触媒粉末を得た。この触媒は、酸化チタンと酸化モリブデンおよび酸化バナジウムを、金属成分の原子比でTi:Mo:V=86:10:4の割合で含有する。
酸化チタン(石原産業製,比表面積250m2/g)1200g,メタタングステン酸アンモニウム425g,シリカゾル(日産化学製,OXSゾル)810gと水をニーダに入れて20分混練後、メタバナジン酸アンモニウム39.9gを添加して20分混練し、シリカアルミナ系セラミックス繊維(東芝ファインスレックス社製)320gを徐々に添加しながら30分間混練して水分29%の触媒ペーストを得た。得られたペーストを厚さ0.2mmのSUS430製鋼板をメラルラス加工した基材の上に置き、これを二枚のポリエチレンシートに挟んで一対の加圧ローラを通して、メタルラス基材の網目間及び表面に塗布した。これを風乾後、500℃で2時間乾燥してTi/W/V系触媒プレートを調製した。触媒プレートへの触媒の塗布量は、800g/m2である。
実施例触媒1〜4と比較例触媒1〜4の触媒について、リン化合物を含有する燃焼排ガスによる劣化を模擬したリン被毒処理を行い、リン被毒処理前後の触媒の窒素酸化物除去性能を比較した。
NO :200ppm
NH3:240ppm
CO2:12%
O2 :3%
H2O:12%
N2 :バランス
2.空間速度(SV):120,000h-1
3.反応温度:350℃
結果を表1に示す。表1において、NOx除去率は(1)式により算出した。
窒素酸化物除去反応の速度定数kは、(2)式により算出した。
η=(入口NOx濃度―出口NOx濃度)÷入口NOx濃度 …(2)
また、劣化率k/k0とは、k0を初期(リン被毒処理前)の触媒の速度定数、kをリン被毒処理後の触媒の速度定数としたときの速度定数比である。k/k0=1の場合は触媒の劣化がなく、k/k0の値が大きいほど劣化が少ない。
実施例触媒1と比較例触媒3の触媒について、実験例1と同様の方法で粒状触媒に成型した後、リン被毒処理を行い、リン被毒処理前後の触媒の窒素酸化物除去性能を比較した。リン被毒量は、触媒重量に対しP2O5換算で8wt%とした。このリン被毒処理前後の触媒の窒素酸化物除去性能を、実験例1と同様の条件で測定した。結果を表2に示す。
実験例1の評価に用いた、粒状化した実施例触媒1,実施例触媒2,比較例触媒1〜4の初期触媒(リン被毒処理前)について、細孔分布と細孔容積を測定した。測定には、窒素酸化物除去性能測定前の試料を用いた。3.4〜14Åの範囲の細孔直径の細孔分布と細孔容積の測定には、日本ベル(株)製高精度全自動ガス吸着装置(BELSORP36)を用いた。液体窒素温度におけるAr吸着の吸着等温線を測定し、SF法で解析して算出した。全細孔容積の測定には、(株)島津製作所製ASAP2010を用いた。10〜3000Åの細孔を計測する窒素吸着法にて、液体窒素温度におけるN2吸着の吸着等温線を測定し、全細孔容積を求めた。
実施例触媒5と比較例触媒5の触媒について、リン化合物を含有する燃焼排ガスによる劣化を模擬したリン被毒処理を行い、リン被毒処理前後の触媒の窒素酸化物除去性能を比較した。触媒重量に対しP2O5換算で4wt%相当のリンと同量のリンを含むリン酸水溶液を、触媒プレートに含浸した。室温で30分放置した後、120℃で乾燥後、350℃で2時間焼成して、リン被毒処理後の触媒を得た。
NO :200ppm
NH3:240ppm
CO2:12%
O2 :3%
H2O:12%
SO2:500ppm
N2 :バランス
2.AV :51m/h
3.反応温度:350℃
表4に結果を示す。従来触媒の上層(表層)に本発明の触媒をコーティングした実施例触媒5の触媒は、比較例触媒に比べて被毒処理後の劣化が小さい。以上から、従来触媒の上層(表層)に本発明の触媒をコーティングすることにより劣化を軽減できることが実証された。
n−デカンにチタンテトライソプロポキシドを溶解し、チタンテトライソプロポキシド80wt%溶液を調製した。窒素ガス流通下グローブボックス内で、あらかじめ空気中120℃で2時間乾燥したメソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)20gに、この溶液105gを含浸し、30分放置した。その後、過剰な溶液をロートでろ過した。次に、蒸留水1Lにろ過した固形物を添加して室温で24時間攪拌し、チタンテトライソプロポキシドを加水分解した。これをビフネルロートで吸引ろ過して、120℃で乾燥後、空気中500℃で2時間焼成した。2.57gのNH4VO3を過酸化水素水溶液に溶解して吸水量相当に調製した溶液を、得られた粉末18gに含浸し、30分放置した。これを120℃で乾燥後、空気中500℃で2時間焼成し、完成触媒粉末を得た。
メソポーラスシリカにチタンをTMP法で担持した。シュレンクナス型フラスコにメソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)15gを入れ、これをシュレンクラインに接続してオイルバスで180℃に加熱して5時間真空乾燥した。次に、このナス型フラスコに窒素ガスを導入し、窒素ガス流通下でテトラヒドロフラン脱水110ccとチタンテトライソプロポキシド2.98gを添加した。この混合液を、窒素ガス流通下室温で15時間攪拌した。攪拌終了後、静置して固形物を沈降させた後、上澄み液を注射器で除去した。ナス型フラスコ内に残った固形物をシュレンクラインにて室温で5時間真空乾燥した。この乾燥粉末を大気中150℃で2時間乾燥した。最後に大気中500℃で2時間焼成した。この操作を4回繰り返した。最終的にメソポーラスシリカに対しTiO2は20wt%担持された。
チタンペロキソクエン酸アンモニウム四水和物(フルウチ化学株式会社,TAS−FINE,Ti含有量20%)29.6gを蒸留水120gに溶解した。この溶液と、あらかじめ空気中120℃で2時間乾燥したメソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)20gを混合した。この混合物が入った蒸発皿を、200℃に加熱したホットプレート上で加熱しながら、混合物を攪拌して、蒸発乾固した。得られた粉末を、空気中500℃で2時間焼成した。
メソポーラスシリカにチタンをTMP法で担持した。実施例触媒7のチタンテトライソプロポキシドの量を、1回目が11.08g、2回目と3回目が7.82gである以外は、実施例触媒7と同様の方法で、担持操作を3回実施した。最終的にメソポーラスシリカに対しTiO2は33wt%担持された。
チタンペロキソクエン酸アンモニウム四水和物(フルウチ化学株式会社,TAS−FINE,Ti含有量20%)86.7gを蒸留水120gに溶解した。この溶液と、あらかじめ空気中120℃で2時間乾燥したメソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)20gを混合した。この混合物が入った蒸発皿を、200℃に加熱したホットプレート上で加熱しながら、混合物を攪拌して、蒸発乾固した。得られた粉末を、空気中500℃で2時間焼成した。
チタンペロキソクエン酸アンモニウム四水和物が73.3g、NH4VO3が3.53gである以外は、実施例触媒10と同様の方法で調製した。
実施例触媒11と同様の方法で、メソポーラスシリカにチタンを担持した。得られた粉末15gを用いて、実施例触媒8と同様の方法でTMP法で、バナジウムを担持した。
チタンペロキソクエン酸アンモニウム四水和物が49.1gである以外は、実施例触媒10と同様の方法でメソポーラスシリカにチタン,バナジウムを担持した触媒粉末を得た。
メソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)を、遊星ボールミルで湿式粉砕し、平均粒子径5.6μmのメソポーラスシリカを得た。平均粒子径5.6μmのメソポーラスシリカを用いる以外は、実施例触媒13と同様の方法でメソポーラスシリカにチタン,バナジウムを担持した触媒粉末を得た。
平均粒子径3.2μmのメソポーラスシリカを用いる以外は、実施例触媒13と同様の方法でメソポーラスシリカにチタンを担持した粉末を得た。
平均粒子径5.6μmのメソポーラスシリカを用いる以外は、実施例触媒13と同様の方法でメソポーラスシリカにチタンを担持した粉末を得た。
MoO3粉末3.34g,NH4VO3を3.14g、蒸留水28gを用いる以外は、実施例触媒15と同様の方法で、メソポーラスシリカにチタン,バナジウム,モリブデンを担持した触媒粉末を得た。
MoO3粉末0.7g,NH4VO3を0.78g、蒸留水16gを用いる以外は、実施例触媒15と同様の方法で、メソポーラスシリカにチタン,バナジウム,モリブデンを担持した触媒粉末を得た。
MoO3粉末2.12g,NH4VO3を2.34g、蒸留水18gを用いる以外は、実施例触媒15と同様の方法で、メソポーラスシリカにチタン,バナジウム,モリブデンを担持した触媒粉末を得た。
過酸化水素水水溶液30gにNH4VO31.54gを溶解した溶液を、TiO2粉末(ローヌ・プーラン社,G5,比表面積330m3/g)20gに含浸し、30分放置した。これを120℃で乾燥後、空気中500℃で2時間焼成し、TiO2にバナジウムを担持した触媒粉末を得た。
NH4VO33.51gを用いる以外は、比較例触媒6と同様の方法で、TiO2にバナジウムを担持した触媒粉末を得た。
比較例触媒6で調製した粉末10gと、メソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)10gを、めのう乳鉢で混合し、完成触媒粉末を得た。
実施例触媒6から実施例触媒19の触媒と、比較例触媒4,比較例触媒6から比較例触媒8の触媒を、実験例1と同様の方法でリン化合物を含有する燃焼排ガスによる劣化を模擬したリン被毒処理を行い、リン被毒処理前後の触媒の窒素酸化物除去性能を比較した。
実施例触媒7,実施例触媒8,実施例触媒10,実施例触媒13,実施例触媒19、及び比較例触媒6について、10〜3000Åの細孔を計測する窒素吸着法にて細孔分布と細孔容積を測定した。測定には、(株)島津製作所製ASAP2010を用いた。液体窒素温度における窒素ガス吸着の吸着等温線を測定し、そのデータからBJH法で触媒の有する細孔の各平均細孔径に対する微分細孔容積をもとめた。図7,図8に、平均細孔径に対する微分細孔容積の分布を示す。この分布から、微分細孔容積が最大値をしめす平均細孔径を求めた。その結果を表6に示す。
メソポーラスシリカにバナジウムをTMP法で担持した。シュレンクナス型フラスコにメソポーラスシリカ(MCM−41,日本化学工業製,平均粒子径60μm)15gを入れ、これをシュレンクラインに接続してオイルバスで180℃に加熱して5時間真空乾燥した。次に、このナス型フラスコに窒素ガスを導入し、窒素ガス流通下でテトラヒドロフラン脱水110ccとバナジウムトリ−n−ブトキシドオキシド2.7gを添加した。この混合液を、窒素ガス流通下室温で15時間攪拌した。攪拌終了後、静置して固形物を沈降させた後、上澄み液を注射器で除去した。ナス型フラスコ内に残った固形物をシュレンクラインにて室温で5時間真空乾燥した。この乾燥粉末を大気中150℃で2時間乾燥した。最後に大気中500℃で2時間焼成した。メソポーラスシリカに対しバナジウムはV2O5換算で5.3wt%担持された。
実施例触媒7と実施例触媒20について、触媒中のVの電子状態をX線光電子分光分析(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)で測定した。測定には、島津/KRATOS社製X線光電子分光装置AXIS−HSを用いた。また、実施例触媒20の初期性能(P処理前の脱硝活性)を、実験例1と同様の方法で測定した。
2 脱硝装置
3 触媒プレート
4 枠部材
5 メソポーラスシリカ
6 触媒活性成分
7 触媒一次粒子
8 触媒二次粒子
9 金属網状部材
10 板状基材
11 他の窒素酸化物除去用触媒
Claims (23)
- 窒素酸化物及びリン化合物を含有する排ガスの窒素酸化物を除去する触媒であって、細孔の径を制御した材料の細孔内部に活性成分を担持したことを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 窒素酸化物及びリン化合物を含有する排ガスの窒素酸化物を除去する窒素酸化物除去用触媒であって、
多孔質の担体と、前記担体の細孔に担持された活性成分とを有し、前記担体の細孔の平均細孔直径は、直径3.4〜14Åの細孔を測定するガス吸着法による計測で8〜9Åであることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 窒素酸化物及びリン化合物を含有する排ガスの窒素酸化物を除去する窒素酸化物除去用触媒であって、
多孔質の担体と、前記担体の細孔に担持された活性成分とを有し、前記担体の結晶構造から算出される前記細孔の平均細孔直径が8〜9Åであることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項2に記載された窒素酸化物除去用触媒であって、
前記担体は、直径3.4〜14Åの細孔を測定するガス吸着法により計測される細孔の総細孔容積に対し、直径7〜10Åの細孔の総細孔容積が50%以上であることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項4に記載された窒素酸化物除去用触媒であって、10〜3000Åの直径範囲の細孔を測定するN2ガス吸着法で計測される全細孔の総細孔容積に対して、3.4〜14Åの細孔を測定するガス吸着法により計測される7〜10Åの直径の細孔の総細孔容積の比率が20%以上であることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒であって、前記多孔質の担体は二次元形状を有する細孔、三次元形状を有する細孔を有することを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒であって、
前記担体はY型ゼオライトまたはX型ゼオライトであることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒であって、前記担体はメソポーラスシリカであることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 請求項1ないし8のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒であって、
前記活性成分は、Cu,Fe,Co,バナジウム,モリブデン,タングステンから選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の窒素酸化物除去用触媒であって、前記活性成分としてチタン及びバナジウムを用いたことを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 板状部材または網状部材と、前記部材上に塗布された窒素酸化物除去用触媒と、よりなる脱硝触媒装置用の触媒プレートであって、
前記窒素酸化物除去用触媒は請求項1ないし10のいずれかに記載された触媒であることを特徴とする触媒プレート。 - 板状部材または網状部材と、前記部材上に多層状に塗布された複数種類の窒素酸化物除去用触媒と、よりなる脱硝触媒装置用の触媒プレートであって、
前記窒素酸化物除去用触媒のうち、最外層の窒素酸化物除去用触媒が請求項1ないし10のいずれかに記載された触媒であることを特徴とする触媒プレート。 - 窒素酸化物とリン化合物とを含む排ガスと還元剤とを窒素酸化物除去用触媒に接触させ、排ガス中の窒素酸化物を還元除去する窒素酸化物除去方法であって、前記窒素酸化物除去用触媒が請求項1ないし10のいずれかに記載された触媒であることを特徴とする窒素酸化物除去方法。
- 窒素酸化物及びリン化合物を含有する排ガスの窒素酸化物を除去する触媒であって、前記リン化合物の分子直径Aと触媒の平均細孔直径または結晶構造から計算される細孔直径Bとの比であるB/Aが、0.78≦B/A≦1.12の範囲にあることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 請求項14において、10〜3000Åの直径範囲の細孔を測定するN2ガス吸着法で計測される触媒の全細孔容積に対し、細孔直径比B/Aが0.78≦B/A≦1.12の範囲にある細孔直径の占める容積の割合が20%以上であることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
- 窒素酸化物及びリン化合物を含有する排ガスの窒素酸化物を除去する窒素酸化物除去用触媒であって、
該窒素酸化物除去用触媒は、メソポーラスシリカよりなる担体と、担体に担持された活性成分を有し、
前記活性成分は、チタン及びバナジウムを含有することを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16に記載された窒素酸化物除去用触媒において、
前記活性成分は、チタンをTiO2換算で18.0wt%から60.0wt%含有し、バナジウムをV2O5換算で1.0wt%から17wt%含有することを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16または17に記載された窒素酸化物除去用触媒において、
前記活性成分は、チタン及びバナジウムをTiO2およびV2O5に換算した重量比V2O5/TiO2で、0.07から0.60であることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16ないし18のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒において、
前記担体として一次粒子の平均粒子径が300nm以下のメソポーラスシリカを用いたことを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16ないし19のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒において、
前記担体として平均二次粒子径が2μmから10μmのメソポーラスシリカを用いたことを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16ないし20のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒において、
前記窒素酸化物除去用触媒は粒子形状を有し、前記窒素酸化物除去用触媒の平均二次粒子径が2μmから80μmであることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16ないし21のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒において、
10Å以上3000Å以下の直径を有する細孔を計測する窒素吸着法で前記触媒の細孔分布を測定した場合に、細孔分布の微分細孔容積の最大値を示す平均細孔直径が20から40Åの範囲にあることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。 - 請求項16ないし22のいずれかに記載された窒素酸化物除去用触媒において、
前記バナジウムとして4価のバナジウム化合物と5価のバナジウム化合物との両方を有し、4価と5価のバナジウムのモル比V4+/V5+が0.5から0.7であることを特徴とする窒素酸化物除去用触媒。
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