JP5497688B2 - 三酸化硫黄分解用触媒、及び水素生成方法 - Google Patents

三酸化硫黄分解用触媒、及び水素生成方法 Download PDF

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Description

本発明は、三酸化硫黄(SO)分解用触媒に関する。また、本発明は、三酸化硫黄分解用触媒を用いて三酸化硫黄を分解する工程を含む水素生成方法に関する。
近年、地球温暖化等の問題から、燃焼時に二酸化炭素を生成しないクリーンエネルギーとしての水素が注目されている。
水素の生成のためには一般に、下記式(A1)及び(A2)で示される炭化水素燃料の水蒸気改質が用いられている:
(A1)C + nHO → nCO + (n+m/2)H
(A2)CO + HO → CO + H
全反応:C + 2nHO → nCO + (2n+m/2)H
したがって、水素の燃焼自体は二酸化炭素を生成させないものの、水素の生成においては二酸化炭素を発生させていることが一般的であった。
これに関して、炭化水素燃料を用いずに水素を生成させるための方法として、太陽熱エネルギー又は原子力熱エネルギーを用いることが提案されている(特許文献1、非特許文献1)。
熱エネルギーを利用して水から水素を生成させる方法としては、下記式(B1)〜(B3)で示されるI−S(ヨウ素−イオウ)サイクル法と呼ばれる方法が提案されている:
(B1)HSO(液体)
→ HO(気体) + SO(気体) + 1/2O(気体)
(反応温度=約950℃、ΔH=188.8kJ/mol−H
(B2)I(液体) + SO(気体) + 2HO(液体)
→ 2HI(液体) + HSO(液体)
(反応温度=約130℃、ΔH=−31.8kJ/mol−H
(B3)2HI(液体) → H(気体) + I(気体)
(反応温度=約400℃、ΔH=146.3kJ/mol−H
上記式(B1)〜(B3)で示されるI−S(ヨウ素−イオウ)サイクル法の全反応は下記のとおりである:
O → H + 1/2O
(ΔH=286.5kJ/mol−H(高位発熱量基準))
(ΔH=241.5kJ/mol−H(低位発熱量基準))
ここで、上記式(B1)の反応は、下記式(B1−1)及び(B1−2)の2つの素反応に分けることができる:
(B1−1)HSO(液体) → HO(気体) + SO(気体)
(反応温度=約300℃、ΔH=90.9kJ/mol−H
(B1−2)SO(気体) → SO(気体) + 1/2O(気体)
(反応温度=約950℃、ΔH=97.9kJ/mol−H
すなわち、I−Sサイクル法で水素を生成する場合、式(B1−2)の三酸化硫黄(SO)分解反応において最も高い温度を必要とし、この反応で必要とされる高温を得ることが容易でなかった。
このような問題に関して、非特許文献1では、熱源として太陽熱エネルギーを用いつつ、必要に応じて天然ガスを燃焼させて、追加の熱エネルギーを得るとしている。
また、式(B1−2)の三酸化硫黄分解反応において必要とされる温度を低下させるために、白金触媒を用いることが提案されている。しかしながら、この反応において白金触媒を用いる場合、触媒の使用開始時には高い特性を有するものの、反応によって生成する酸素によって白金が酸化され、白金粒子が粗大化することにより触媒活性が低下することが知られている。また、白金触媒は高価であることから、産業的な規模においては用いることが難しい。
これに関して、非特許文献2では、三酸化硫黄分解反応において必要とされる温度を低下させるために、白金(Pt)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、及びそれらの酸化物からなる群より選択される触媒をアルミナ担体に担持させて用いることを提案している。
また、I−Sサイクル法に関して、特許文献2では、上記式(B2)で表される反応、すなわちヨウ素、二酸化硫黄及び水から、ヨウ化水素及び硫酸を得る反応において、二酸化硫黄と水との反応をカチオン交換膜の正極側で行わせ、かつヨウ素の反応をカチオン交換膜の負極側で行わせることによって、その後の分離操作を省略することを提案している。
なお、I−Sサイクル法以外にも、熱エネルギーを利用して水素を生成する方法として、ウエスティングハウス・サイクル、Ispra−Mark 13サイクル法等が知られているが、これらの方法においても、式(B1−2)でのようにして、三酸化硫黄を二酸化硫黄と水素とに分解することが必要とされている。
特開2007−218604 特開2005−041764
A.Giaconia, et al., International Journal of Hydrogen Energy, 32, 469−481(2007) H.Tagawa, et al.,International Journal of Hydrogen Energy, 14, 11−17(1989)
本発明では、三酸化硫黄分解触媒、特に水から水素を生成する際に必要とされる温度を低下させることができる三酸化硫黄分解触媒を提供する。
本件発明者は、鋭意検討の結果、下記の本発明に想到した。
〈1〉遷移金属及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1つの金属と
バナジウムと
タングステンと
の複合酸化物を含む、三酸化硫黄分解触媒。
〈2〉上記少なくとも1つの金属が、銅(Cu)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、及びそれらの組合せからなる群より選択される、上記〈1〉項に記載の触媒。
〈3〉上記複合酸化物において、上記少なくとも1つの金属とバナジウムとの原子比が、1:0.1〜1:10である、上記〈1〉又は〈2〉項に記載の触媒。
〈4〉上記複合酸化物において、上記少なくとも1つの金属とタングステンとの原子比が、1:0.01〜1:1である、上記〈1〉〜〈3〉項のいずれか一項に記載の触媒。
〈5〉上記複合酸化物が担体に担持されている、上記〈1〉〜〈4〉項のいずれか一項に記載の触媒。
〈6〉上記担体が、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア及びそれらの組合せからなる群より選択される、上記〈5〉項に記載の触媒。
〈7〉上記担体が、細孔構造を有する多孔質シリカ担体である、上記〈6〉項に記載の触媒。
〈8〉上記複合酸化物が、上記多孔質シリカ担体の細孔構造内に担持されており、且つ
上記多孔質シリカ担体の細孔分布において、シリカの一次粒子間の間隙に起因するピークが、細孔径5〜50nmの範囲にあり、且つシリカ粒子内の細孔構造に起因するピークが、細孔径1〜5nmの範囲にある、
上記〈7〉項に記載の触媒。
〈9〉遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液、バナジウム塩の水溶液、タングステンの塩の水溶液のうちの1つの水溶液を、上記担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液、バナジウム塩の水溶液、タングステンの塩の水溶液のうちの他の1つの水溶液を、上記担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液、バナジウム塩の水溶液、タングステンの塩の水溶液のうちのさらに他の1つの水溶液を、上記担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、そして
得られた担体を焼成すること
を含む、上記〈5〉〜〈8〉項のいずれか一項に記載の触媒を製造する方法。
〈10〉上記〈1〉〜〈8〉項のいずれか一項の三酸化硫黄分解触媒を用いて、三酸化硫黄を二酸化硫黄と酸素とに分解することを含む、二酸化硫黄の生成方法。
〈11〉上記分解を600℃以上の温度で行う、上記〈10〉項に記載の方法。
〈12〉上記分解を800℃以下の温度で行う、上記〈10〉又は〈11〉項に記載の方法。
〈13〉水を、水素及び酸素に分解することを含む、水素生成方法であって、下記式(X1)で示される反応で、硫酸を、水、二酸化硫黄、及び酸素に分解することを含み、且つ下記式(X1)で示される反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、上記〈10〉〜〈12〉項のいずれか一項に記載の方法によって行う、水素生成方法:
(X1)HSO → HO + SO + 1/2O
(X1−1)HSO → HO + SO
(X1−2)SO → SO + 1/2O
〈14〉I−Sサイクル法、ウエスティングハウス・サイクル法、又はIspra−Mark 13サイクル法である、上記〈13〉項に記載の水素生成方法。
本発明の三酸化硫黄分解触媒によれば、三酸化硫黄分解反応に必要とされる温度を低下させることができる。また、本発明の二酸化硫黄生成方法によれば、比較的低い温度において、三酸化硫黄を分解して二酸化硫黄を得ることができる。さらに、本発明の水素生成方法によれば、比較的低い温度において、水を分解して水素を得ることができる。
図1は、(a)参考例1及び(b)参考例2で単身触媒として用いた複合金属酸化物についてのX線回折分析の結果を示す図である。 図2は、(a)参考例3、(b)参考例4、及び(c)比較例1で単身触媒として用いた複合金属酸化物についてのX線回折分析の結果を示す図である。 図3は、実施例、比較例及び参考例の三酸化硫黄分解触媒の評価のために用いた装置を示す図である。 図4は、参考例A1の三酸化硫黄分解触媒の製造のための仮焼成の条件を示す図である。
(三酸化硫黄分解触媒)
本発明の三酸化硫黄分解触媒は、遷移金属及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1つの金属とバナジウムとタングステンとの複合酸化物を含む。
本発明の三酸化硫黄分解触媒によれば、式(B1−2)の三酸化硫黄分解反応に必要とされる温度を低下させ、例えば650℃程度の温度において、実質的な速度で三酸化硫黄分解反応を進行させることができる。
また、本発明の三酸化硫黄分解触媒によれば、使用温度に依存して、タングステンを含有しないことを除いて同様な複合酸化物、すなわち遷移金属及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1つの金属とバナジウムとの複合酸化物と比較しても、有利な速度で三酸化硫黄分解反応を進行させることができる。理論に限定されるものではないが、これは、タングステンの添加によって複合酸化物が比較的酸性の性質になり、それによって複合酸化物の活性点への酸素の吸着、及びそれによる活性点の失活が抑制されることによると考えられる。ただし、酸化タングステン自身は、三酸化硫黄の分解反応に対する触媒作用を実質的に有さないことから、タングステンの添加量が多すぎる場合には、三酸化硫黄分解触媒としての活性が低下することがある。
上記記載のように、三酸化硫黄を分解する従来の方法では、1000℃近い温度を用いることが一般的であった。しかしながら、このような高温に耐えられる材料は非常に限定されており、またかなり高価なものであった。
また、1000℃近い高温は、太陽エネルギーからは安価に得ることが困難であった。すなわち例えば、太陽熱エネルギーを得る集光装置としては、パラボリックディッシュ型集光装置、ソーラータワー型集光装置、及びパラボリックトラフ型集光装置が知られているが、これらのうちで構造が簡単で、コストが安く、且つ大規模なプラントに適しているパラボリックトラフ型集光装置では、太陽エネルギーの収集と放射によるエネルギーの散逸との釣り合いから、1000℃近い高温での太陽エネルギーの収集は非現実的である。
したがって、本発明の三酸化硫黄分解触媒によって、三酸化硫黄分解反応に必要とされる温度を低下させ、例えば650℃又は700℃程度の温度において、実質的な速度で三酸化硫黄分解反応を進行するようにすることは、産業的な価値が非常に大きい。
(三酸化硫黄分解触媒−複合酸化物)
本発明の三酸化硫黄分解触媒の複合酸化物を構成する遷移金属及び希土類元素としては、任意の遷移金属及び希土類元素、例えば銅(Cu)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、及びそれらの組合せからなる群より選択される金属を用いることができる。
また、本発明の三酸化硫黄分解触媒の複合酸化物において、遷移金属及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1つの金属とバナジウムとの原子比(遷移金属等の少なくとも1つの金属:バナジウム)は、1:0.1〜1:10、1:0.5〜1:5、1:1〜1:5、又は1:1〜1:3にすることができる。
さらに、本発明の三酸化硫黄分解触媒の複合酸化物において、遷移金属及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1つの金属とタングステンとの原子比(遷移金属等の少なくとも1つの金属:タングステン)は、1:0.01〜1:1、1:0.05〜1:0.5、又は1:0.1〜1:0.3にすることができる。
本発明の本発明の三酸化硫黄分解触媒の複合酸化物は、任意の方法で得ることができる。
例えば、この複合酸化物は、複合酸化物を構成する個々の金属の酸化物を混合し、焼成して得ることができる。また、遷移金属元素等の塩、バナジウム塩、及びタングステン塩を、これらの共沈が可能なように選択する場合、この複合酸化物は、遷移金属元素等の塩、バナジウム塩、及びタングステン塩の水溶液から、複合酸化物の前駆体を共沈によって得、その後、得られた共沈物を焼成して得ることができる。
さらに、本発明の三酸化硫黄分解触媒が、担体に複合酸化物が担持されている担持触媒である場合、遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、バナジウム塩の水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、タングステン塩の水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、そしてその後で、得られた担体を焼成することによって、本発明の三酸化硫黄分解触媒を得ることができる。ここで、遷移金属等の少なくとも1つの金属、バナジウム、及びタングステンの担持の順序は、随意に選択することができる。したがって例えば、タングステン塩の水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、バナジウム塩の水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、遷移金属元素等の塩の水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、そしてその後で、得られた担体を焼成することによって、本発明の三酸化硫黄分解触媒を得ることができる。また、随意に、それぞれの仮焼成の後で、焼成を行うこともできる。
また、遷移金属元素等の塩、バナジウム塩、及びタングステン塩を、これらの共沈が可能なように選択する場合、遷移金属元素等の塩、バナジウム塩、及びタングステン塩を含有する水溶液を、担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成し、そしてその後で、得られた担体を焼成することによって、本発明の三酸化硫黄分解触媒を得ることもできる。
(三酸化硫黄分解触媒−担体)
本発明の三酸化硫黄分解触媒の複合酸化物は、担体に担持し、それによって複合酸化物の表面積を大きくし、また使用の間の複合酸化物の表面積の減少を抑制することができる。これに関して使用可能な担体としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア及びそれらの組合せからなる群より選択される担体を挙げることができる。
したがって例えば、担体としては、シリカ、特に細孔構造を有する多孔質シリカ担体を用いることができる。この場合、好ましくは、複合酸化物が多孔質シリカ担体の細孔構造内に担持されている。また、この場合、好ましくは、多孔質シリカ担体の細孔分布において、シリカの一次粒子間の間隙に起因するピークが、細孔径5〜50nm、特に細孔径5〜30nmの範囲にあり、且つシリカ粒子内の細孔構造に起因するピークが、細孔径1〜5nm、特に細孔径2〜4nmの範囲にある。
このように、細孔構造を有する多孔質シリカ担体を用いる場合、複合酸化物が、多孔質シリカ担体の細孔構造表面近傍に担持され、それによって複合酸化物粒子のシンタリングが抑制される。理論に限定されるわけではないが、このように非常に微細な状態で維持されている複合酸化物粒子では、触媒の微粒子化によって、触媒の表面積が100倍程度に増大されるだけでなく、触媒の表面の性質が変化して、複合酸化物の触媒性能が改良される場合もあると考えられる。
また、細孔構造を有する多孔質シリカ担体の細孔分布において、二元の細孔分布となることにより細孔径が数nmの表面積の広い活性部位に、十〜数十nmの細孔から拡散速度の速い気相ガスが高速に供給されることによって、複合酸化物粒子と三酸化硫黄との接触の機会が多く、それによって触媒性能を改良すると考えられる。
なお、細孔構造を有する多孔質シリカ担体は、特開2008−12382に記載の方法によって得ることができる。
(二酸化硫黄の生成方法)
二酸化硫黄を生成する本発明の方法は、本発明の三酸化硫黄分解触媒を用いて、三酸化硫黄を二酸化硫黄と酸素とに分解することを含む。ここで、この方法は、本発明の三酸化硫黄分解触媒を用いることによって、三酸化硫黄を分解する従来の方法よりも低い温度、例えば800℃以下、750℃以下、700℃以下、650℃以下の温度で実施することができる。また、この方法は、600℃以上又は650℃以上の温度で実施することができる。したがって、この方法では、本発明の三酸化硫黄分解触媒を用いることによって、700℃程度の温度、例えば600℃〜800℃、又は650℃〜750℃の温度において、予想外に大きな速度で三酸化硫黄分解反応を進行させることができる。
(水素生成方法)
水素を生成する本発明の方法は、水を、水素及び酸素に分解すること、例えばI−Sサイクル法、ウエスティングハウス・サイクル法、又はIspra−Mark 13サイクル法によって、水を水素及び酸素に分解することを含む。ここで、この方法は、下記式(X1)で示される反応で、硫酸を、水、二酸化硫黄、及び酸素に分解することを含み、且つ下記式(X1)で示される反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、二酸化硫黄を生成する本発明の方法によって行う:
(X1)HSO → HO + SO + 1/2O
(X1−1)HSO → HO + SO
(X1−2)SO → SO + 1/2O
すなわち、例えば、水素を生成する本発明の方法は、下記式(X1)〜(X3)で示されるI−S(ヨウ素−イオウ)サイクル法において、式(X1)の反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、二酸化硫黄を生成する本発明の方法によって行うことを含む:
(X1)HSO → HO + SO + 1/2O
(X1−1)HSO → HO + SO
(X1−2)SO → SO + 1/2O
(X2)I + SO + 2HO → 2HI + HSO
(X3)2HI → H + I
全反応:HO → H + 1/2O
また、例えば、水素を生成する本発明の方法は、下記式(X1)、(X4)及び(X5)で示されるウエスティングハウス・サイクル法において、式(X1)の反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、二酸化硫黄を生成する本発明の方法によって行うことを含む:
(X1)HSO → HO + SO + 1/2O
(X1−1)HSO → HO + SO
(X1−2)SO → SO + 1/2O
(X4)SO + 2HO → HSO
(X5)HSO + HO+ → H + HSO(電気分解)
全反応:HO → H + 1/2O
さらに、例えば、水素を生成する本発明の方法は、下記式(X1)、(X6)及び(X7)で示されるIspra−Mark 13サイクル法において、式(X1)の反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、二酸化硫黄を生成する本発明の方法によって行うことを含む:
(X1)HSO → HO + SO + 1/2O
(X1−1)HSO → HO + SO
(X1−2)SO → SO + 1/2O
(X6)2HBr → Br + H
(X7)Br + SO + 2HO+ → 2HBr + HSO
全反応:HO → H + 1/2O
《参考例1〜7、比較例1〜8、及び参考例X》
参考例1〜7、比較例1〜8、及び参考例Xは下記のようにして行った。
《参考例1》
この参考例では、触媒として銅(Cu)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Cu−V−O)を用いた。
(単身触媒の製造)
触媒として使用した単身触媒は、それぞれの金属の原子比が1:1である酸化銅及び酸化バナジウムを、乳鉢で粉砕し、良く混合し、アルミナ性るつぼに入れ、そして750℃で12時間にわたって焼成して得た。得られた単身触媒についてのX線回折分析(XRD)結果を図1(a)に示す。
(担持触媒の製造)
下記のようにして、細孔構造を有する多孔質シリカ担体に複合金属酸化物が担持されている担持触媒を製造した。
(担持触媒の製造−多孔質シリカ担体の製造)
担持触媒のための多孔質シリカ担体は、特開2008−12382に記載の方法と類似の方法によって製造した。すなわち、多孔質シリカ担体は、下記のようにして製造した。
蒸留水6L(リットル)に、セチルトリメチルアンモニウムクロライド1kgを溶解した。得られた水溶液を2時間にわたって撹拌して、セチルトリメチルアンモニウムクロライドを自己配列させた。次に、セチルトリメチルアンモニウムクロライドを自己配列させた溶液に、テトラエトキシシランとアンモニア水を添加して、溶液のpHを9.5にした。
この溶液中において、テトラエトキシシランを30時間にわたって加水分解して、配列したヘキサデシルアミンの周りにシリカを析出させて、ナノサイズの細孔を有する一次粒子からなる二次粒子を形成し、多孔質シリカ担体前駆体を得た。
その後、得られた多孔質シリカ担体前駆体を、エタノール水で洗浄し、ろ過し、乾燥して、800℃の空気中で2時間にわたって焼成して、多孔質シリカ担体を得た。
ここで得られた多孔質シリカ担体は、シリカの細孔構造に起因する2.7nm付近の細孔、及びシリカの一次粒子間の間隙に起因する10nm強の細孔を有していた。
(担持触媒の製造−複合金属酸化物の担持)
複合酸化物は、吸水担持法によって、多孔質シリカ担体に担持した。具体的には、初めに、銅の硝酸塩を水に溶解した水溶液を作り、この水溶液を担体に吸水させ、150℃で乾燥し、350℃で1時間にわたって仮焼成した。次に、メタバナジン酸アンモニウムを水に溶解し、この水溶液を担体に吸水させ、150℃で乾燥し、350℃で1時間にわたって仮焼成した。最後に、得られた担体を600℃で2時間にわたって焼成して、複合酸化物を担持している多孔質シリカ担体を得た。
なお、担持量は、銅が0.12mol/100g−担体、かつバナジウムが0.12mol/100g−担体とした。
《参考例2》
参考例2では、クロム(Cr)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Cr−V−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において焼成温度を700℃にしたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
得られた単身触媒についてのX線回折分析(XRD)結果を図1(b)に示す。
《参考例3》
参考例3では、セリウム(Ce)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Ce−V−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において焼成温度を700℃にしたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒及び担持触媒を製造した。
得られた単身触媒についてのX線回折分析(XRD)結果を図2(a)に示す。
《参考例4》
参考例4では、ジルコニウム(Zr)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Zr−V−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において焼成温度を700℃にしたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
得られた単身触媒についてのX線回折分析(XRD)結果を図2(b)に示す。
《参考例5》
参考例5では、チタン(Ti)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Ti−V−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において焼成温度を600℃にしたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
《参考例6》
参考例6では、ランタン(La)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(La−V−O)を触媒として用いた。ここでは、参考例1と同様にして担持触媒を製造した。
《参考例7》
参考例7では、ネオジム(Nd)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Nd−V−O)を触媒として用いた。ここでは、参考例1と同様にして担持触媒を製造した。
《比較例1》
比較例1では、亜鉛(Zn)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Zn−V−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において焼成温度を700℃にしたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
得られた単身触媒についてのX線回折分析(XRD)結果を図2(c)に示す。
《比較例2》
比較例2では、クロム(Cr)の酸化物(Cr−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において複合酸化物の形成のための焼成を行わなかったこと、及び担持触媒の製造において、クロムの担持量を0.24mol/100g−担体としたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒及び担持触媒を製造した。
《比較例3》
比較例3では、鉄(Fe)の酸化物(Fe−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において複合酸化物の形成のための焼成を行わなかったこと、及び担持触媒の製造において、鉄の担持量を0.24mol/100g−担体としたことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒及び担持触媒を製造した。
《比較例4》
比較例4では、銅(Cu)の酸化物(Cu−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において複合酸化物の形成のための焼成を行わなかったことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
《比較例5》
比較例5では、バナジウム(V)の酸化物(V−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において複合酸化物の形成のための焼成を行わなかったことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
《比較例6》
比較例6では、ニッケル(Ni)の酸化物(Ni−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において複合酸化物の形成のための焼成を行わなかったことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
《比較例7》
比較例7では、コバルト(Co)の酸化物(Co−O)を触媒として用いた。ここでは、単身触媒の製造において複合酸化物の形成のための焼成を行わなかったことを除いて、参考例1と同様にして単身触媒を製造した。
《比較例8》
比較例8では触媒を用いなかった。
《参考例X》
参考例では、γ−アルミナ担体に白金を担持して、担持触媒を製造した。ここでは、担持量を0.5g−Pt/100g−担体とした。
(評価)
図3に示す固定床流通反応装置を用いて、参考例及び比較例の単身触媒及び担持触媒について、下記式(X1−2)の三酸化硫黄分解反応の転化率を評価した:
(X1−2)SO → SO + 1/2O
具体的には、三酸化硫黄分解反応の転化率は、図3に関して下記で説明するようにして評価した。
14〜20メッシュに調整した0.5gの単身触媒又は担持触媒を、触媒床10として、石英製反応管4(内径10mm)に充填した。窒素(N)(100mL/分)及び47重量%硫酸(HSO)水溶液(50μL/分)を、それぞれ窒素供給部1及び硫酸供給部3から、石英製反応管4の下段に供給した。
石英製反応管4の下段に供給された硫酸(HSO)は、石英製反応管4の下段及び中段において加熱されて、三酸化硫黄(SO)及び酸素(O)に分解し、そして触媒床10に流入した(SO:4.5mol%、HO:31mol%、N:残部、0℃換算ガス流量:148.5cm/分、重量流量比(W/F比):5.61×10−5g・h/cm、気体時空間速度(GHSV:Gas Hourly Space Velocity):約15,000h−1)。
ここで、石英製反応管4は、下段がヒーター4aによって約400℃に加熱されており、かつ中段がヒーター4bによって約600℃に加熱されていた。また、石英製反応管4の上段は、ヒーター4cによって初めに約600℃に加熱されており、定常状態になった後で、650℃に加熱した。
石英製反応管4の上段をヒーター4cによって650℃に加熱した後で、石英製反応管4からの流出ガスを、空冷し、その後で、0.05Mのヨウ素(I)溶液にバブリングして、ヨウ素溶液に二酸化硫黄(SO)を吸収させた。0.025Mのチオ硫酸ナトリウム(Na)溶液を用いて、二酸化硫黄を吸収したヨウ素溶液にヨードメトリー滴定を行って、吸収された二酸化硫黄の量を求めた。
また、ヨウ素溶液にバブリングした後の流出ガスは、ドライアイス・エタノール混合物で冷却し、残留している二酸化硫黄及び三酸化硫黄をミストアブソーバー及びシリカゲルで完全に除去し、その後で、磁気圧力酸素計(堀場製作所のMPA3000)及びガスクロマトグラフ(島津製作所のGC8A、モレキュラーシーブ5A、TCD検出器)を用いて、酸素(O)の量を求めた。
三酸化硫黄(SO)から二酸化硫黄(SO)への転化率は、上記のようにして求めた二酸化硫黄及び酸素の量から計算した。
参考例及び比較例についての評価結果を、下記の表1に示す。
Figure 0005497688
表1からは、参考例1〜7の触媒が、比較例の触媒と比較して、650℃という比較的低い温度において、有意に好ましい三酸化硫黄分解特性を有していることが理解される。また、表1からは、貴金属を用いていない参考例1〜7の触媒が、貴金属である白金を用いている参考例Xの触媒と比較しても、同等又は好ましい三酸化硫黄分解特性を有していることが理解される。
なお、上記の比較例5で用いられている酸化バナジウム、特に五酸化バナジウム(V)は、下記式(C−1)〜(C−3)で示される反応で硫酸を製造する接触法と呼ばれる方法において、二酸化硫黄を酸化させて三酸化硫黄を得る式(C−2)の反応を促進するために用いられている:
(C−1)S(固体) + O(気体) → SO(気体)
(C−2)2SO(気体) + O(気体) → 2SO(気体)
(C−3)SO(気体) + HO(液体) → HSO(液体)
しかしながら、酸化バナジウムを用いている比較例5は、参考例1〜7と比較して有意に劣った転化率を示していた。
《参考例1〜7、比較例1〜8、及び参考例X》
参考例A1〜A3、及び実施例A1〜A3は、下記のようにして行った。
《参考例A1及び実施例A1》
参考例A1では、触媒としてセリウム(Ce)とバナジウム(V)との複合金属酸化物を用いた。また、実施例A1では、触媒としてセリウム(Ce)とバナジウム(V)とタングステン(W)との複合金属酸化物を用いた。
(担持触媒の製造)
下記のようにして、細孔構造を有する多孔質シリカ担体に複合金属酸化物が担持されている担持触媒を製造した。
(担持触媒の製造−多孔質シリカ担体の製造)
担持触媒のための多孔質シリカ担体は、特開2008−12382に記載の方法と類似の方法によって製造した。すなわち、多孔質シリカ担体は、下記のようにして製造した。
蒸留水600mL(ミリリットル)に、セチルトリメチルアンモニウムクロライド100.0gを溶解した。得られた水溶液を1時間にわたって泡が発生しない程度に撹拌して、セチルトリメチルアンモニウムクロライドを自己配列させた。次に、セチルトリメチルアンモニウムクロライドを自己配列させた溶液に、テトラエトキシシラン(オルトケイ酸テトラエチルとも呼ばれる)69.35gを添加して5分程度、均一になるまで撹拌し、そして28%アンモニア水12.1mLを添加し、均一になるまで撹拌した。得られた溶液のpHは9.5であった。
この溶液を1日放置して、溶液中のテトラエトキシシランを加水分解して、配列したヘキサデシルアミンの周りにシリカを析出させて、ナノサイズの細孔を有する一次粒子からなる二次粒子を形成し、多孔質シリカ担体前駆体を得た。
その後、得られた多孔質シリカ担体前駆体を、120℃で一晩乾燥し、そして図4で示すダイアグラムに従って仮焼成し、600℃の空気中で2時間にわたって焼成し、そして800℃の空気中で2時間にわたってさらに焼成して、多孔質シリカ担体を得た。
(担持触媒の製造−複合金属酸化物の担持)
複合酸化物は、吸水担持法によって、多孔質シリカ担体に担持した。具体的には、初めに、セリウムの硝酸塩を水に溶解した水溶液を作り、この水溶液を担体に吸水させ、150℃で乾燥し、350℃で1時間にわたって仮焼成した。次に、メタバナジン酸アンモニウムを水に溶解し、この水溶液を担体に吸水させ、150℃で乾燥し、800℃で1時間にわたって焼成して、参考例A1の担持触媒を得た。
また、参考例A1の担持触媒に、メタタングステン酸アンモニウムの水溶液を吸水させ、150℃で乾燥し、600℃で1時間にわたって焼成して、実施例A1の担持触媒を得た。
なお、担持量は、バナジウムが0.12mol/100g−担体となるようにし、他の成分については表2で示す割合で担持した。
《参考例A2及び実施例A2》
参考例A2及び実施例A2ではそれぞれ、セリウムの代わりにランタンを用い、且つ組成比を表2に示すように変更したことを除いて、参考例A1及び実施例A1と同様にして担持触媒を製造した。
《参考例A3及び実施例A3》
参考例A3及び実施例A3ではそれぞれ、セリウムの代わりにネオジムを用い、且つ組成比を表2に示すように変更したことを除いて、参考例A1及び実施例A1と同様にして担持触媒を製造した。
(評価)
参考例1等についての評価と同様にして、下記式(X1−2)の三酸化硫黄分解反応の転化率を評価した:
(X1−2)SO → SO + 1/2O
参考例及び実施例についての評価結果を下記の表2に示す。
Figure 0005497688
表2からは、参考例A1〜A3、及び実施例A1〜A3の触媒がいずれも、650℃という比較的低い温度において、有意に好ましい三酸化硫黄分解特性を有していることが理解される。また、表2からは、実施例A1〜A3の触媒が、700℃の触媒温度において100%に近い平衡転化への到達率を示していることが理解される。
1 窒素供給部
3 硫酸供給部
4 石英製反応管
4a、4b、4c ヒーター
10 触媒床

Claims (14)

  1. 遷移金属及び希土類元素からなる群より選択される少なくとも1つの金属と
    バナジウムと
    タングステンと
    の複合酸化物を含かつ
    前記少なくとも1つの金属が、ランタン(La)、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、及びそれらの組合せからなる群より選択される、
    三酸化硫黄分解触媒。
  2. 前記複合酸化物において、前記少なくとも1つの金属とバナジウムとの原子比が、1:0.1〜1:10である、請求項1に記載の触媒。
  3. 前記複合酸化物において、前記少なくとも1つの金属とタングステンとの原子比が、1:0.01〜1:1である、請求項1に記載の触媒。
  4. 前記複合酸化物において、前記少なくとも1つの金属とバナジウムとの原子比が、1:0.1〜1:10であり、かつ前記少なくとも1つの金属とタングステンとの原子比が、1:0.01〜1:1である、請求項1に記載の触媒。
  5. 前記複合酸化物が担体に担持されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の触媒。
  6. 前記担体が、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア及びそれらの組合せからなる群より選択される、請求項5に記載の触媒。
  7. 前記担体が、細孔構造を有する多孔質シリカ担体である、請求項6に記載の触媒。
  8. 前記複合酸化物が、前記多孔質シリカ担体の細孔構造内に担持されており、且つ
    前記多孔質シリカ担体の細孔分布において、シリカの一次粒子間の間隙に起因するピークが、細孔径5〜50nmの範囲にあり、且つシリカ粒子内の細孔構造に起因するピークが、細孔径1〜5nmの範囲にある、
    請求項7に記載の触媒。
  9. 遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液、バナジウム塩の水溶液、タングステンの塩の水溶液のうちの1つの水溶液を、前記担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
    遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液、バナジウム塩の水溶液、タングステンの塩の水溶液のうちの他の1つの水溶液を、前記担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
    遷移金属元素又は希土類元素の塩の水溶液、バナジウム塩の水溶液、タングステンの塩の水溶液のうちのさらに他の1つの水溶液を、前記担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、そして
    得られた担体を焼成すること
    を含む、請求項5〜8のいずれか一項に記載の触媒を製造する方法。
  10. 請求項1〜8のいずれか一項の三酸化硫黄分解触媒を用いて、三酸化硫黄を二酸化硫黄と酸素とに分解することを含む、二酸化硫黄の生成方法。
  11. 前記分解を600℃以上の温度で行う、請求項10に記載の方法。
  12. 前記分解を800℃以下の温度で行う、請求項10又は11に記載の方法。
  13. 水を、水素及び酸素に分解することを含む、水素生成方法であって、下記式(X1)で示される反応で、硫酸を、水、二酸化硫黄、及び酸素に分解することを含み、且つ下記式(X1)で示される反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、請求項10〜12のいずれか一項に記載の方法によって行う、水素生成方法:
    (X1)HSO → HO + SO + 1/2O
    (X1−1)HSO → HO + SO
    (X1−2)SO → SO + 1/2O
  14. I−Sサイクル法、ウエスティングハウス・サイクル法、又はIspra−Mark 13サイクル法である、請求項13に記載の水素生成方法。
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