JP2008214688A - 熱cvd装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の熱CVD装置20は、基板Wの加熱源に赤外線ランプ等の加熱ランプ23を用い、反応室22内の基板Wを局所的に加熱操作することで、反応室22に導入された原料ガスが基板に到達する前に成長温度に達することを防止し、基板上における成長速度の緩和を図る。これにより、所望の膜厚の薄膜を高精度に形成することが可能となる。また、加熱源に加熱ランプ23を用いることで、基板が長時間高温に晒されることを防止して基板に加わる熱的負荷を低減することが可能となる。更に、反応室内の基板を冷却する基板冷却機構を備えることで、成膜後において基板の強制冷却が可能となり、これにより基板に加わる熱的負荷の更なる低減を図れるようになる。
【選択図】図1
Description
21 真空槽
22 反応室
23 加熱ランプ
24 ステージ
25 窓
26 原料ガス導入系
27 アセチレンガス導入系
28 窒素ガス導入系
29A,29B 第1,第2真空バルブ
30A,30B 第1,第2真空ポンプ
31 真空計
32 冷却管
33 反射板
34 ガスノズル
35 冷却ガス導入系
36 加熱部
W 基板
Claims (6)
- 反応室を内部に形成する真空槽と、
前記反応室に配置された基板を加熱する加熱ランプからなる加熱源と、
前記反応室を真空排気する真空排気系と、
前記反応室に原料ガスを導入する原料ガス導入系と、
前記基板を冷却する基板冷却機構と、
を備えた
ことを特徴とする熱CVD装置。 - 前記基板冷却機構は、前記基板に対して冷却用ガスを吹き付ける冷却用ガス導入系からなる
ことを特徴とする請求項1に記載の熱CVD装置。 - 前記真空槽には、当該真空槽を冷却するための真空槽冷却機構が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の熱CVD装置。 - 前記基板冷却機構は、前記加熱源と対向する位置に設置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の熱CVD装置。 - 反応室に原料ガスを導入し、前記反応室内に設置した基板の表面にカーボンナノチューブを気相成長させる成膜方法であって、
前記基板をランプ加熱する工程と、
前記反応室へ原料ガスを導入する工程と、
前記基板の加熱を停止する工程と、
前記反応室から前記原料ガスを排気する工程と、
前記基板を冷却する工程と、
を有する
ことを特徴とする成膜方法。 - 前記基板を冷却する工程が、前記基板に対する冷却用のガスの吹き付けによって行われる
ことを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
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