JP5141944B2 - 熱cvd装置および成膜方法 - Google Patents
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Description
21 真空槽
22 反応室
23 加熱ランプ
24 ステージ
25 窓
26 原料ガス導入系
27 アセチレンガス導入系
28 窒素ガス導入系
29A,29B 第1,第2真空バルブ
30A,30B 第1,第2真空ポンプ
31 真空計
32 冷却管
33 反射板
34 ガスノズル
35 冷却ガス導入系
36 加熱部
W 基板
Claims (3)
- 原料ガスを熱分解させて基板にカーボンナノチューブを気相成長させる熱CVD装置であって、
反応室を内部に形成する真空槽と、
前記反応室内に配置され、前記基板の周縁部を支持する支持部と、該基板の該周縁部より内側の部分に対向する開口部と、を有するステージと、
前記反応室を真空排気する真空排気系と、
前記反応室内に前記原料ガスを導入する原料ガス導入系と、
前記支持部によって支持された前記基板を、前記開口部を介して、前記原料ガスの導入前から気相成長時にわたって前記原料ガスの熱分解温度以上に加熱することが可能な赤外線ランプからなる加熱源と、
前記真空槽の周囲に配置された冷却管を有し、前記赤外線ランプの点灯時に前記反応室を前記熱分解温度より低い温度にすることが可能な真空槽冷却機構と、
前記赤外線ランプから放射された赤外線を前記基板に向けて反射することが可能であり、前記冷却管の一部が引き回されることで冷却可能に構成される反射部材と、
前記支持部に支持された前記基板と前記加熱源とに対向し、前記基板に冷却用ガスを吹き付けて前記基板の温度を前記熱分解温度より低くする基板冷却機構と、
を備えた
ことを特徴とする熱CVD装置。 - 反応室に原料ガスを導入し、前記反応室内に設置した基板にカーボンナノチューブを気相成長させる成膜方法であって、
前記反応室内のステージによって前記基板の周縁部を支持し、
前記反応室を形成する真空槽の周囲に配置された冷却機構により前記真空槽を冷却することで前記反応室を前記原料ガスの熱分解温度より低い温度にし、かつ前記基板の中心部に対向する前記ステージの開口部を介して赤外線ランプから前記基板に向けて赤外線を放射することで、前記基板を局所的に前記熱分解温度以上に加熱し、
前記原料ガスの導入前に、前記原料ガスの導入量と導入時間とをあらかじめ設定し、かつ前記反応室内の圧力を1気圧に維持するように調整し、
前記基板を前記熱分解温度に保持しつつ前記反応室内に前記原料ガスを導入して前記基板に成膜を行い、
前記成膜を行った後に、前記基板の加熱を停止し、
前記成膜を行った後に、前記反応室から前記原料ガスを排気し、
前記成膜を行った後に、該基板に冷却用ガスを吹き付けて前記基板の温度を前記熱分解温度より低くする
ことを特徴とする成膜方法。 - 前記基板の成膜面に前記冷却用ガスを吹き付ける
ことを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
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