JP2008205119A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１の絶縁層内に形成されている第１の配線と、前記第１の絶縁層および前記第１の配線上に形成されている第２の絶縁層内に形成されている第２の配線とを有し、
   前記第１の配線はＣｕ配線であり、前記第２の配線はＣｕＡｌ配線であって、
   前記第２の配線は、複数のバリア層を介在して、前記第１の配線に電気的に接続しており、
   前記複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置。
2. 第１の絶縁層内に形成されている第１の配線と、前記第１の絶縁層および前記第１の配線上に形成されている第２の絶縁層内に形成されている第２の配線とを有し、
   前記第１の配線はＣｕ配線であり、前記第２の配線はＣｕと添加元素で構成されているＣｕ合金配線であって、
   前記第２の配線は、複数のバリア層を介在して、前記第１の配線に電気的に接続しており、
   前記複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記Ｃｕ合金配線と接触するＣｕ合金接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置。
3. 前記第１の配線と接触する第１のバリア層は、前記第２の配線のビアプラグ部の直下に選択的に形成されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１の配線と接触する第１のバリア層は、前記第１の配線の直上に選択的に形成されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
5. 前記ＣｕＡｌ接触バリア層の窒素原子含有量が１原子％未満である請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記Ｃｕ合金接触バリア層の窒素原子含有量が１原子％未満である請求項２に記載の半導体装置。
7. 窒素原子含有量が１０原子％以上である前記少なくとも１つのバリア層のうちの１つは、前記第１の配線たる前記Ｃｕ配線と接触するＣｕ接触バリア層である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
8. 第１の絶縁層内に形成された第１の配線を準備する工程と、
   前記第１の絶縁層および前記第１の配線上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記第２の絶縁層内に配線用溝および前記第１の配線に達するビアホールを形成する工程と、
   前記配線用溝および前記ビアホール内に複数のバリア層を形成する工程と、
   前記複数のバリア層上に第２の配線を形成する工程とを含み、
   前記第１の配線はＣｕ金属で形成され、前記第２の配線はＣｕＡｌ合金で形成され、
   前記複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記ＣｕＡｌ合金で形成された前記第２の配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置の製造方法。
9. 前記複数のバリア層を形成する工程において、前記第１の配線と接触する第１のバリア層を前記ビアホールの底面の直上に選択的に形成する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 窒素原子含有量が１０原子％以上である前記少なくとも１つのバリア層のうちの１つは、前記Ｃｕ金属で形成された前記第１の配線と接触するＣｕ接触バリア層である請求項８に記載の半導体装置。
11. 第１の絶縁層内に形成された第１の配線を準備する工程と、
    前記第１の配線の直上に第１のバリア層を選択的に形成する工程と、
    前記第１の絶縁層および前記第１のバリア層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記第２の絶縁層内に配線用溝および前記第１のバリア層に達するビアホールを形成する工程と、
    前記配線用溝および前記ビアホール内に１以上の他のバリア層を形成する工程と、
    前記他のバリア層上に第２の配線を形成する工程とを含み、
    前記第１の配線はＣｕ金属で形成され、前記第２の配線はＣｕＡｌ合金で形成され、
    前記第１のバリア層および前記他のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記ＣｕＡｌ合金で形成された前記第２の配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置の製造方法。
12. 窒素原子含有量が１０原子％以上である前記少なくとも１つのバリア層のうちの１つは、前記Ｃｕ金属で形成された前記第１の配線と接触するＣｕ接触バリア層である請求項１１に記載の半導体装置。