JP2008195779A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 近紫外光によって励起される、酸窒化物系青色蛍光体およびIII価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体を含む発光装置。好ましくは、酸窒化物系青色蛍光体が、La1-aCeaAl(Si6-bAlb)N10-bOb、(Sr,Ba)1-cEucSi2O2N2およびLa3-dCedSi8O11N4から選ばれる少なくともいずれかである。また好ましくは、III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体は、(Y,La,Gd,Lu)3-eSme(Al,Ga,In)5O12および/または(Y,La,Gd,Lu)2-eSmeSiO5の組成式で表される酸化物結晶体であるか、または、((Na,K)2O)f((Ca,Ba,Zn)O)g((Y,B)2O3)h((Al,La)2O3)i)(SiO2)j(Sm2O3)kの組成式で表される酸化物ガラス体である。
【選択図】図1
Description
(2)((Na,K)2O)f((Ca,Ba,Zn)O)g((Y,B)2O3)h((Al,La)2O3)i)(SiO2)j(Sm2O3)kの組成式で表される酸化物ガラス体。
酸窒化物系青色蛍光体としてLa0.5Ce0.5Al(Si5Al)N9Oを3.3g、III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体としてY2.007Sm0.003(Al0.6Ga0.38In0.02)5O12を1.0g秤量し、モールド樹脂(信越化学製、シリコーン樹脂)60gに混練した後、板状に成形して蛍光板2を作製した。この蛍光板2を一方に開口を有する箱状の筐体3の開口に取り付けた。また、筐体3内において、蛍光板2の直下に配置されるように半導体発光素子4としてピーク波長405nmのInGaN系半導体発光ダイオードを設置した。このようにして、図2に示した例の発光装置1を作製した。得られた発光装置1において、InGaN系半導体発光ダイオードを用いて蛍光板2を励起したところ、色度座標x=0.33、y=0.35の白色光が得られ、このときのパワー変換効率は60lm/Wであった。なお、色度座標は、白色発光のスペクトルを測定(堀場製作所製蛍光分光高度計、FluoroMax−3を用いた)してこれよりCIEスペクトルの3刺激値を計算し、CIE色度座標上にプロットすることで求めた。また、パワー変換効率は、発光装置1を積分球内に設置してInGaN系半導体発光ダイオードを照射し、蛍光板2から放射された発光を集光して全光束量を測定(Labsphere社製光量測定装置、SLMSを用いた)し、これをInGaN系半導体発光ダイオードの消費電力で除することで算出した。
III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体を1.0gの酸化物赤色蛍光体CaAlSiN:Eu2+に代えたこと以外は、実施例1と同様にして発光装置を作製した。得られた発光装置について、実施例1と同様に測定された色度座標はx=0.5、y=0.35であり、橙色を呈した。これを実施例1で作製された発光装置と同程度の色度とするためには、樹脂中に酸窒化物系青色蛍光体La0.5Ce0.5Al(Si5Al)N9Oを6.0g追加することが必要であった。酸窒化物系青色蛍光体を追加した場合について実施例1と同様にパワー変換効率を測定したところ、40lm/Wに低下していた。
酸窒化物系青色蛍光体として3.8gの(Ba0.75Sr0.25)0.95Eu0.05Si2O2N2を用い、III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体として0.8gの(Na2O)0.1(ZnO)0.3(B2O3)0.5(Al2O3)0.05(SiO2)0.037(Sm2O3)0.003を用いたこと以外は実施例1と同様にして、発光装置を作製した。実施例1と同様にInGaN系半導体発光ダイオードを用いて蛍光板2を励起したところ、色度座標x=0.3、y=0.3の白色光が得られ、このときのパワー変換効率は751m/Wであった。
III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体を0.8gの酸化物赤色蛍光体CaAlSiN:Eu2+に代えたこと以外は、実施例2と同様にして発光装置を作製した。得られた発光装置について、実施例1と同様に測定された色度座標はx=0.5、y=0.3であり、橙色を呈した。これを実施例1で作製された発光装置と同程度の色度とするためには、樹脂中に酸窒化物系青色蛍光体(Ba0.75Sr0.25)0.95Eu0.05Si2O2N2を4.0g追加することが必要であった。酸窒化物系青色蛍光体を追加した場合について実施例1と同様にパワー変換効率を測定したところ、60lm/Wに低下していた。
酸窒化物系青色蛍光体として3.0gのLa0.5Ce0.5Al(Si5Al)N9Oを用い、III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体として0.2gのY2.007Sm0.003(Al0.6Ga0.38In0.02)5O12を用い、さらに、緑色蛍光体として1.0gのSr0.95Eu0.05Al2O4を用いたこと以外は実施例1と同様にして発光装置を作製した。実施例1と同様にInGaN系半導体発光ダイオードを用いて蛍光板2を励起したところ、色度座標x=0.3、y=0.35の白色光が得られ、このときのパワー変換効率は601m/Wであった。なお、実施例1で得られた発光装置は、平均演色性評価指数Ra(基準光にCIE昼光(色温度:5000K)を用い、試験色として赤・黄・黄緑・緑・青緑・青紫・紫・赤紫(明度:6、輝度:7)の8色を用いて、発光スペクトルの演色評価数を、Ri=100−4.6×ΔEi(ここで、iは上記8つの試験色のいずれかを表す符号で、1〜8の値をとる)で算出し、各々の演色評価数の総加平均Ra=Σ(i=1〜8)Ri×1/8によって算出)は85であったが、実施例3で得られた発光装置では90であり、緑色蛍光体を添加することで演色性が向上されていた。
半導体発光素子4として405nmに発振ピークを有するInGaN半導体レーザ素子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして発光装置を作製した。得られた発光装置について、実施例1と同様にしてパワー変換効率を測定したところ、80lm/Wに向上した。これは、実施例1において半導体発光素子4として用いた発光ダイオードはスペクトル幅が50nm程度と広く、蛍光体を効率的に励起しにくいのに対し、本実施例において半導体発光素子4として用いた半導体レーザ素子はスペクトル幅が1nm以下であり、蛍光体の励起効率が高いため、パワー変換効率が変化したと考えられる。
III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体をEuを共付活したY2.0074Sm0.003Eu0.003(Al0.6Ga0.38In0.02)5O12に代えたこと以外は、実施例1と同様にして発光装置を作製したところ、赤色蛍光体の発光効率が向上し、充填量を25%削減できた。この結果、パワー変換効率は70lm/Wに向上した。
酸窒化物系青色蛍光体として3.5gのLa2.9Ce0.1Si8O11N4を用いたこと以外は実施例1と同様にして発光装置を作製した。実施例1と同様にInGaN系半導体発光ダイオードを用いて蛍光板2を励起したところ、色度座標x=0.3、y=0.3の白色光が得られ、このときのパワー変換効率は651m/Wであった。
III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体として(Y0.9La0.1)2.006Sm0.004SiO5を用いたこと以外は実施例6と同様にして、発光装置を作製した。実施例1と同様にInGaN系半導体発光ダイオードを用いて蛍光板2を励起したところ、色度座標x=0.3、y=0.3の白色光が得られ、このときのパワー変換効率は751m/Wであった。
Claims (8)
- 近紫外光によって励起される、酸窒化物系青色蛍光体およびIII価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体を含む発光装置。
- 400〜410nmに波長ピークを有する半導体発光素子を励起光源として備えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記酸窒化物系青色蛍光体が、La1-aCeaAl(Si6-bAlb)N10-bOb、(Sr,Ba)1-cEucSi2O2N2およびLa3-dCedSi8O11N4から選ばれる組成式で表される少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体が、(Y,La,Gd,Lu)3-eSme(Al,Ga,In)5O12および/または(Y,La,Gd,Lu)2-eSmeSiO5の組成式で表される酸化物結晶体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体が、((Na,K)2O)f((Ca,Ba,Zn)O)g((Y,B)2O3)h((Al,La)2O3)i)(SiO2)j(Sm2O3)kの組成式で表される酸化物ガラス体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記III価サマリウムイオンを付活した赤色蛍光体に、III価ユーロピウムイオンが共付活されていることを特徴とする請求項4または5に記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子が半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項2〜6のいずれかに記載の発光装置。
- 500〜570nmの範囲に発光ピーク波長を有する緑色蛍光体をさらに含む、請求項1〜7のいずれかに記載の発光装置。
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