JPWO2014010211A1 - 発光モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
次に、透光性セラミックス蛍光体について説明する。透光性セラミックス蛍光体は、その高い分光透過率を特徴とし、可視光領域を含む波長350〜900nmの波長域において透過率(空気中で測定した場合)が70〜85%、好ましくは80%以上である。ただし、蛍光体自体の吸収帯(励起帯の波長範囲)ではこの限りではない。また、理論最大透過率(空気中測定)は蛍光体自体の屈折率により一意的に決まる。また、蛍光体媒質内のみの透過率は80〜100%、好ましくは90%以上である。ただし、蛍光体自体の吸収帯(励起帯の波長範囲)ではこの限りではない。
本実施の形態に係る蛍光体1は、紫外光又は短波長可視光により励起され、青色で発光する青色蛍光体である。例えば、
(i)一般式がM1 a(M2O4)bXc:Redで表されている蛍光体
(M1は、Ca、Sr、Baのうち一種以上を必須とし、一部をMg、Zn、Cd、K、Ag、Tlからなる群の元素に置き換えることができる。M2は、Pを必須とし、一部をV,Si,As,Mn,Co,Cr,Mo,W,Bからなる群の元素に置き換えることができる。Xは少なくとも1種のハロゲン元素、Reは、Eu2+必須とする少なくとも1種の希土類元素又はMnを示す。aは4.2≦a≦5.8、bは2.5≦b≦3.5、cは0.8<c<1.4、dは0.01<d<0.1の範囲である。)
(M1は、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、aは0.001≦a≦0.5の範囲である。)
(M1は、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、aは0.001≦a≦0.8の範囲である。)
(M1は、Ca、Sr、Ba、Znからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、Xは少なくとも1種のハロゲン元素、aは0.001≦a≦0.5の範囲である。)
本実施の形態に係る蛍光体2は、紫外光又は短波長可視光により励起され、緑〜黄色で発光する蛍光体である。例えば、
(i)一般式が(Ca1−x−y−z−w、Srx、MII y、Euz、MR w)7(SiO3)6X2で表されている蛍光体
(MIIは、Mg、Ba又はZn、MRは希土類元素又はMn、Xは、Cl又はClを必須とする複数のハロゲン元素、xは0.1<x<0.7、yは0≦y<0.3、zは0<z<0.4、wは0≦w<0.1の範囲である。)
(M1はCa、Sr、aは0.001≦a≦0.5の範囲である。)
(iii)一般式がBa2−aMgSi2O7:Eu2+ aで表されている蛍光体
(aは0.001≦a≦0.5の範囲である。)
(1)発光モジュール内の色安定性
近紫外光を発するLEDチップと、上述の蛍光体1、蛍光体2を組み合わせた白色LEDモジュールは、製造工法に由来する近紫外発光LEDチップの強度差、波長ずれに対し白色の色度がずれにくい。
InGaN系LEDに代表される近紫外発光LEDチップは、同系の青色発光LEDチップに対し、原理的には1.2倍高効率であり、特にパワー系発光モジュールにおいては有効なLEDチップである。そして、少なくとも1種類の蛍光体を透光性セラミックス化することで蛍光体層における散乱を軽減し、高効率化(省電力化)が可能となる。
パワー系発光モジュールとしての使用を想定した場合、蛍光体のストークスロスによる発熱量が大きくなり、この放熱が重要となる。蛍光体自体の熱伝導率は、一般的な封止材(例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。)に対し2倍以上であるため、蛍光体の透光性セラミックス化により放熱性が大きく改善され、発光モジュールとしての温度特性が向上する。
一般的に有機物は紫外線に弱い。そこで、複数の蛍光体層を全て透光性セラミックス板化し、更に蛍光体層間、蛍光体層−LEDチップ間の接着をゾルゲル接着剤等を用いた場合は、有機物レスの発光モジュールを実現でき、パワー系発光モジュールとしての信頼性が大幅に向上する。
(実施例1)
図1は、実施例1に係る発光モジュールの概略構造を示す断面図である。発光モジュール10は、素子搭載用基板12と、素子搭載用基板12の上にフリップチップ実装されている半導体発光素子14と、半導体発光素子14の発光面上に設けられている第1の波長変換層16と、第1の波長変換層16の上に設けられている第2の波長変換層18と、を備えている。ここで、「層の上に設けられ」とは、層の上に直接設けられている場合だけでなく、層の上に他の部材(接着剤やフィルタ等)を介して間接的に設けられている場合も含まれる。
図2は、比較例に係る発光モジュールの概略構造を示す断面図である。発光モジュール22は、第1の波長変換層24および第2の波長変換層26の構成が実施例1に係る発光モジュール10と異なる。第1の波長変換層24は、実施例1と同様の蛍光体1の粉末をシリコーン樹脂に分散させたものである。また、第2の波長変換層26は、実施例1と同様の蛍光体2の粉末をシリコーン樹脂に分散させたものである。この際、白色発光モジュールとしての発光色温度が5500K近傍となるように蛍光体1、2のRed、Srx、Euzの濃度が調整されている。その後、第1の波長変換層24および第2の波長変換層26を、それぞれ厚さ100μm、1.2mm角に加工した。半導体発光素子14と第1の波長変換層24との間、第1の波長変換層24と第2の波長変換層26との間は、シリコーン樹脂により接着されている。
図3、図4に示すように、蛍光体1を用いた、実施例1に係る第1の波長変換層16と比較例1に係る第1の波長変換層24を比較すると、セラミックス層と封止樹脂層という形態の違いがあるものの、透過率に大きな差はない。このような蛍光体の場合には、蛍光体の粉末を樹脂で封止した波長変換層を用いても性能の低下はほとんどなく、製造コストを低減できる。
実施例3に係る発光モジュールは、実施例1に係る第1の波長変換層および第2の波長変換層の積層順を変更した点が特徴の一つである。図9は、実施例3に係る発光モジュールの概略構造を示す断面図である。発光モジュール30は、第1の波長変換層16と第2の波長変換層18の積層順を、実施例1に係る発光モジュール10と反対にした以外は、形状、大きさや発光色温度を含め実施例1に係る発光モジュール10と同じ構成である。
比較例2に係る発光モジュールは、比較例1に係る第1の波長変換層および第2の波長変換層の積層順を変更した点が特徴の一つである。図10は、比較例2に係る発光モジュールの概略構造を示す断面図である。発光モジュール32は、第1の波長変換層24と第2の波長変換層26の積層順を、比較例1に係る発光モジュール22と反対にした以外は、形状、大きさや発光色温度を含め比較例1に係る発光モジュール22と同じ構成である。
図14は、実施例4に係る発光モジュールの概略構造を示す断面図である。発光モジュール34は、第2の波長変換層18の上に、緑色で発光する蛍光体2を含む第3の波長変換層36を更に備えている点が特徴の一つであり、それ以外は、概ね実施例1に係る発光モジュール10と同様の構成である。第3の波長変換層36は、一般式がBa2−aMgSi2O7:Eu2+ aで表されている蛍光体2が樹脂で封止されたものである。
図15は、比較例3に係る発光モジュールの概略構造を示す断面図である。発光モジュール38は、第2の波長変換層26の上に、緑色で発光する蛍光体2を含む第3の波長変換層36を更に備えている点が特徴の一つであり、それ以外は、概ね比較例1に係る発光モジュール22と同様の構成である。第3の波長変換層36は、一般式がBa2−aMgSi2O7:Eu2+ aで表されている蛍光体2が樹脂で封止されたものである。
紫外線又は短波長可視光を発する発光素子と、
前記紫外線又は短波長可視光により励起され、可視光を発光する第1の蛍光体を有する第1の波長変換層と、
前記紫外線又は短波長可視光により励起され、第1の蛍光体が発光する可視光のピーク波長よりも長波長側のピーク波長を有する可視光を発光する第2の蛍光体を有する第2の波長変換層と、を備え、
前記第1の波長変換層および前記第2の波長変換層は、前記発光素子の発光面上に積層されており、
前記第1の波長変換層および前記第2の波長変換層の少なくともいずれか一方は、セラミックス層である。
Claims (6)
- 紫外線又は短波長可視光を発する発光素子と、
前記紫外線又は短波長可視光により励起され、青色光を発光する第1の蛍光体を有する第1の波長変換層と、
前記紫外線又は短波長可視光により励起され、黄色光を発光する第2の蛍光体を有する第2の波長変換層と、を備え、
前記第1の波長変換層および前記第2の波長変換層は、前記発光素子の発光面上に積層されており、
前記第1の波長変換層および前記第2の波長変換層の少なくともいずれか一方は、セラミックス層であり、
前記第2の蛍光体は、
300nm以上の波長域における励起スペクトルの最大強度をImax、
前記発光素子が発する前記紫外線又は短波長可視光のピーク波長における励起スペクトルの強度をIaとすると、
0.2×Imax<Iaを満たすことを特徴とする発光モジュール。 - 前記第1の波長変換層は、前記発光素子と前記第2の波長変換層との間に配置されており、
前記第2の波長変換層は、セラミックス層であることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。 - 前記第2の蛍光体は、
300nm以上の波長域における励起スペクトルの最大強度をImax、
前記第1の蛍光体が発する可視光のピーク波長における励起スペクトルの強度をIbとすると、Ib<0.8×Imaxを満たすことを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。 - 前記第1の波長変換層は、前記第1の蛍光体が透明性の封止材に分散されて構成されており、厚みが15〜1000μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光モジュール。
- 前記第1の波長変換層は、前記第1の蛍光体を0.5〜35体積%含んでいることを特徴とする請求項4に記載の発光モジュール。
- 前記第2の波長変換層は、厚みが30〜1000μmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光モジュール。
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