JP2012104531A - 発光モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光モジュール10において、発光素子は、紫外線又は短波長可視光を発する。第1の光波長変換層24は、紫外線又は短波長可視光により励起され、可視光を発光する第1の蛍光体を含む。第2の光波長変換層26は、紫外線又は短波長可視光により励起され、第1の蛍光体が発光する可視光と異なる色の可視光を発光する第2の蛍光体を含む。第1の光波長変換層24は、発光素子の出射面上に設けられている。第2の光波長変換層26は、第1の光波長変換層24の上に設けられている。第2の蛍光体の励起スペクトルの吸収端は、第1の蛍光体の励起スペクトルの吸収端よりも長波長側まで広がっている。
【選択図】図1
Description
(1)実装する蛍光体の変換効率が高いこと
(2)発光素子の紫外線又は短波長可視光が外部に漏れることなく、蛍光体において可視光に変換されること
(3)蛍光体の吸収・励起帯が450nm以上の可視光領域にほとんどなく、蛍光体同士の相互作用による2段変換(多重励起)が少ないこと
図1は、第1の実施の形態に係る発光モジュールの概略断面図である。発光モジュール10は、基板12上に一対の電極14(陽極)及び電極16(陰極)が形成されている。電極14上には半導体発光素子18がマウント部材20により固定されている。半導体発光素子18と電極14はマウント部材20により導通されており、半導体発光素子18と電極16はワイヤー22により導通されている。半導体発光素子18の出射面上には、第1の蛍光体を含む第1の光波長変換層24が設けられている。第2の蛍光体を含む第2の光波長変換層26は、第1の光波長変換層24の上に設けられている。
(i)シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ゾルゲルシリカ、シルセスキオキサン等のバインダーに蛍光体を分散させコーティングしたもの
(ii)(i)に記載の蛍光体分散樹脂をフィルム成形したもの
(iii)蛍光体をガラスマトリックスに分散したのち板状に成形し、蛍光ガラス板としたもの
(iv)蛍光体を高温高圧で焼結させ、セラミックス板状化したもの
図2は、第2の実施の形態に係る発光モジュールの概略断面図である。第2の実施の形態に係る発光モジュール110は、第1の実施の形態に係る発光モジュール10と比較して、半導体発光素子の上に積層されている光波長変換層が3層ある点が大きな相違点である。以下の説明で特に言及していない構成については、第1の実施の形態と同様である。
第1の蛍光体は、発光スペクトルのピーク波長が430〜480nmの波長域にあり、吸収励起スペクトルの吸収(バンド)端が約410〜420nmの波長域にあり、励起により青色光を発する蛍光体である。このような第1の蛍光体は、紫外線または短波長可視光を効率的に吸収し、ドミナント波長が440〜470nmの光を放射する。第1の蛍光体として用いることができる蛍光体として、特に組成の限定はないが、例えば下記の一般式で表されるユーロピウム付活クロロリン酸塩系蛍光体が挙げられる。
第2の蛍光体は、その発光色が第1の蛍光体の発光色と補色関係である。また、第2の蛍光体は、紫外線又は短波長可視光により励起され可視光を発光する蛍光体であり、一般式が(M2 x,M3 y,M4 z)mM1O3X(2/n)(ここで、M1はSi、Ge、Ti、Zr及びSnからなる群より選ばれる少なくともSiを含む1種以上の元素、M2はCa、Mg、Ba及びZnからなる群より選ばれる少なくともCaを含む1種以上の元素、M3はSr、Mg、Ba及びZnからなる群より選ばれる少なくともSrを含む1種以上の元素、Xは少なくとも1種のハロゲン元素、M4は希土類元素及びMnからなる群より選ばれる少なくともEu2+を含む1種以上の元素を示す。また、mは1≦m≦4/3、nは5≦n≦7の範囲であってもよい。また、x、y、zは、x+y+z=1、0<x<0.99、0<y<0.99、0.01≦z≦0.3を満たす範囲であってもよい。)で表される蛍光体である。
(1)M’1O2(M’1はSi、Ge、Ti、Zr、Sn等の4価の元素を示す。)
(2)M’2O(M’2はMg、Ca、Ba、Zn等の2価の元素を示す。)
(3)M’3X2(M’3はMg、Sr、Ba、Zn等の2価の元素、Xはハロゲン元素を示す。)
(4)M’4(M’4はEu2+等の希土類元素及び/又はMnを示す。)
第3の蛍光体は、発光スペクトルのピーク波長が600nm付近の波長域にあり、吸収励起スペクトルの吸収(バンド)端が約410〜420の波長域にあり、励起により橙(赤)色光を発する蛍光体である。このような第3の蛍光体は、紫外線または短波長可視光を効率的に吸収する。
蛍光体1は、(Ca4.67Mg0.5)(PO4)3Cl:Eu0.08で表される蛍光体である。蛍光体1は、前述の第1の蛍光体の一例である。蛍光体1は、一般式 M1 a(M2O4)bXc:Redにおいて、M1=Ca/Mg(モル比90.3/9.7)、M2=P、X=Cl、Re=Eu2+、a=5.17、b=3、c=1,d=0.08となるように合成した蛍光体である。蛍光体2の製造は、まず、CaCO3、MgCO3、CaCl2、CaHPO4、及びEu2O3の各原料を、これらのモル比がCaCO3:MgCO3:CaCl2:CaHPO4:Eu2O3=0.42:0.5:3.0:1.25:0.04となるよう秤量し、秤量した各原料をアルミナ乳鉢に入れ約30分粉砕混合し、原料混合物を得た。この原料混合物をアルミナ坩堝に入れ、2〜5%のH2を含むN2雰囲気中で、温度800℃以上1200℃未満で3時間焼成し、焼成物を得た。得られた焼成物を温純水で丹念に洗浄し、本蛍光体1を得た。
蛍光体2は、第2の蛍光体の一種であり、(Ca0.47,Sr0.48,Eu0.05)7/6SiO3Cl2/6で表される蛍光体である。蛍光体2は、一般式(M2 x,M3 y,M4 z)mM1O3X2/nにおいて、M1=Si、M2=Ca、M3=Sr、X=Cl、M4=Eu2+、m=7/6、n=6、M2,M3,M4の各含有量x,y、zは、それぞれ0.47,0.48,0.05となるように合成されている。蛍光体2の製造は、まず、SiO2、Ca(OH)2、SrCl2・6H2O、及びEu2O3の各原料をこれらのモル比がSiO2:Ca(OH)2:SrCl2・6H2O:Eu2O3=1.1:0.45:1.0:0.13となるように秤量し、秤量した各原料をアルミナ乳鉢に入れ約30分粉砕混合し、原料混合物を得た。この原料混合物をアルミナ坩堝に入れ、還元雰囲気の電気炉で所定の雰囲気(H2:N2=5:95)、温度1000℃で5〜40時間焼成し、焼成物を得た。得られた焼成物を温純水で丹念に洗浄し、蛍光体2を得た。
蛍光体3は、第1の蛍光体の一種であり、(Sr、Eu)5(PO4)3Clで表されるユーロピウム付活クロロリン酸塩系蛍光体(化成オプトニクス社:KX−663)を用いた。
蛍光体4は、第3の蛍光体の一種であり、Ca2P2O7:Eu,Mnで表されるユーロピウム・マンガン共付活ピロリン酸塩系蛍光体を用いた。蛍光体4の製造は、まず、CaHPO4、NH4H2PO4,Eu2O3及びMnCO3の各原料を、これらのモル比がCaHPO4:NH4H2PO4:Eu2O3:MnCO3=1.7:0.6:0.1:0.1となるように秤量し、秤量した各原料をアルミナ乳鉢に入れ約30分粉砕混合し、原料混合物を得た。この原料混合物をアルミナ坩堝に入れ、2〜5%のH2を含むN2雰囲気中で、温度1000℃以上1200℃未満で3時間焼成し、焼成物を得た。得られた焼成物を温純水で丹念に洗浄し、蛍光体4を得た。
蛍光体5は、第2の蛍光体の一種であり、(Ca0.51,Sr0.44,Eu0.05)7/6SiO3(Cl0.72,Br0.28)2/6で表される蛍光体である。蛍光体5は、一般式(M2 x,M3 y,M4 z)mM1O3X2/nにおいて、M1=Si、M2=Ca、M3=Sr、X=Cl及びBr、M4=Eu2+、m=7/6、n=6、M2,M3,M4の各含有量x,y、zは、それぞれ0.51,0.44,0.05となるように合成されている。蛍光体5の製造は、まず、SiO2、Ca(OH)2、SrBr2、SrCl2・6H2O、及びEu2O3の各原料をこれらのモル比がSiO2:Ca(OH)2:SrBr2:SrCl2・6H2O:Eu2O3=1.1:0.45:0.65:0.65:0.13となるように秤量し、その後は蛍光体2と同様の方法で蛍光体5を得た。
(実施例1)
実施例1に係る発光モジュールは、図1に示した形状の発光モジュールにおいて下記の具体的な構成を用いたものである。
(1)図4に示すように、発光モジュールの発光スペクトルには、半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長である405nmの発光がほとんど含まれておらず、半導体発光素子の光が効率よく可視光に変換されている。
(2)図3に示すように、半導体発光素子は、405nmをピーク波長とし、半値幅が15〜20nmのブロードな発光を示す。
(3)蛍光体1、蛍光体2は、半導体発光素子の発光帯域に(半導体発光素子の発光を吸収し蛍光を発する)励起帯域を有している。
(4)蛍光体1の励起帯域よりも蛍光体2の励起帯域の方が長波側まで広がっており、半導体発光素子の発光帯域を十分カバーしている。
(5)蛍光体1の励起帯域は、半導体発光素子の発光帯域における長波側の吸収効率は低い。つまり、蛍光体1は、半導体発光素子の発光スペクトルの発光帯域(波長域)における短波長側の励起スペクトルの強度よりも長波長側の励起スペクトルの強度が小さい。
(6)蛍光体2の励起帯域は、蛍光体1の発光帯域ではほとんど励起特性を示さない。
実施例2係る発光モジュールは、図2に示した形状の発光モジュールにおいて下記の具体的な構成を用いたものである。
(1)図6に示すように、発光モジュールの発光スペクトルには、半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長である405nmの発光がほとんど含まれておらず、半導体発光素子の光が効率よく可視光に変換されている。
(2)図5に示すように、半導体発光素子は、405nmをピーク波長とし、半値幅が15〜20nmのブロードな発光を示す。
(3)蛍光体3乃至蛍光体5は、半導体発光素子の発光帯域に(半導体発光素子の発光を吸収し蛍光を発する)励起帯域を有している。
(4)蛍光体3、蛍光体4の励起帯域よりも蛍光体5の励起帯域の方が長波側まで広がっており、半導体発光素子の発光帯域を十分カバーしている。
(5)蛍光体3、蛍光体4の励起帯域は、半導体発光素子の発光帯域における長波側の吸収効率は低い。つまり、蛍光体3、蛍光体4は、半導体発光素子の発光スペクトルの発光帯域(波長域)における短波長側の励起スペクトルの強度よりも長波長側の励起スペクトルの強度が小さい。
(6)蛍光体4、蛍光体5の励起帯域は、蛍光体3の発光帯域ではほとんど励起特性を示さない。
比較例1に係る発光モジュールは、実施例1に係る発光モジュールが備える2つの蛍光フィルムの積層順を反対にしたものである。つまり、比較例1に係る発光モジュールは、半導体発光素子18の上に前述の第2の蛍光フィルムが積層され、その上に前述の第1の蛍光フィルムが積層されている。また、実施例1に係る発光モジュールの発光色と同等の色度となるように、比較例1に係る発光モジュールでは、第1の蛍光フィルムに含まれている蛍光体1は10vol%、第2の蛍光フィルムに含まれている蛍光体2は10vol%である。なお、各蛍光フィルムの製造方法や各蛍光フィルムの半導体発光素子への実装方法は、実施例1と同様である。図7は、比較例1に係る発光モジュールに20mAの電流を流した場合の発光スペクトルを示す図である。
比較例2に係る発光モジュールは、実施例2に係る発光モジュールが備える3つの蛍光フィルムの積層順を反対にしたものである。つまり、比較例2に係る発光モジュールは、半導体発光素子18の上に前述の第2の蛍光フィルムが積層され、その上に前述の第3の蛍光フィルムが積層され、更にその上に第1の蛍光フィルムが積層されている。また、実施例1に係る発光モジュールの発光色と同等の色度となるように、比較例1に係る発光モジュールでは、第1の蛍光フィルムに含まれている蛍光体3は20vol%、第2の蛍光フィルムに含まれている蛍光体5は20vol%、第3の蛍光フィルムに含まれている蛍光体4は10vol%である。なお、各蛍光フィルムの製造方法や各蛍光フィルムの半導体発光素子への実装方法は、実施例2と同様である。図8は、比較例2に係る発光モジュールに20mAの電流を流した場合の発光スペクトルを示す図である。
Claims (5)
- 紫外線又は短波長可視光を発する発光素子と、
前記紫外線又は短波長可視光により励起され、可視光を発光する第1の蛍光体を含む第1の光波長変換層と、
前記紫外線又は短波長可視光により励起され、前記第1の蛍光体が発光する可視光と異なる色の可視光を発光する第2の蛍光体を含む第2の光波長変換層と、を備え、
前記第1の光波長変換層は、前記発光素子の出射面上に設けられており、
前記第2の光波長変換層は、前記第1の光波長変換層の上に設けられており、
前記第2の蛍光体の励起スペクトルの吸収端は、前記第1の蛍光体の励起スペクトルの吸収端よりも長波長側にあり、
前記第2の蛍光体の、前記発光素子の発光スペクトルのピーク波長での励起光の吸収率をSmax、
前記第2の蛍光体の、前記第1の蛍光体の発光スペクトルのピーク波長での励起光の吸収率をSaとすると、
Sa<0.5×Smaxを満たしている、
ことを特徴とする発光モジュール。 - 前記紫外線又は短波長可視光により励起され、前記第2の蛍光体が発光する可視光よりもピーク波長が長い可視光を発光する第3の蛍光体を含む第3の光波長変換層を更に備え、
前記第3の光波長変換層は、前記第1の光波長変換層と前記第2の光波長変換層の間に設けられており、
前記第3の蛍光体の励起スペクトルの吸収端は、前記第1の蛍光体の励起スペクトルの吸収端よりも長波長側にあり、かつ、前記第2の蛍光体の励起スペクトルの吸収端よりも短波長側にあり、
前記第3の蛍光体の、前記発光素子のスペクトルのピーク波長での励起光の吸収率をSmax’、
前記第3の蛍光体の、前記第1の蛍光体の発光スペクトルのピーク波長での励起光の吸収率をSa’とすると、
Sa’<0.5×Smax’を満たしている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。 - 前記第3の蛍光体は、前記発光素子の発光スペクトルの波長域における短波長側の励起スペクトルの強度よりも長波長側の励起スペクトルの強度が小さいことを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。
- 前記第1の蛍光体は、前記発光素子の発光スペクトルの波長域における短波長側の励起スペクトルの強度よりも長波長側の励起スペクトルの強度が小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光モジュール。
- 前記第2の蛍光体は、一般式が(M2 x,M3 y,M4 z)mM1O3X(2/n)(ここで、M1はSi、Ge、Ti、Zr及びSnからなる群より選ばれる少なくともSiを含む1種以上の元素、M2はCa、Mg、Ba及びZnからなる群より選ばれる少なくともCaを含む1種以上の元素、M3はSr、Mg、Ba及びZnからなる群より選ばれる少なくともSrを含む1種以上の元素、Xは少なくとも1種のハロゲン元素、M4は希土類元素及びMnからなる群より選ばれる少なくともEu2+を含む1種以上の元素を示す。また、mは1≦m≦4/3、nは5≦n≦7の範囲である。また、x、y、zは、x+y+z=1、0<x<0.99、0<y<0.99、0.01≦z≦0.3を満たす範囲である。)で表されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光モジュール。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014236202A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
JP2015129254A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-07-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 酸塩化物蛍光体、発光装置、照明装置、及び車両 |
JP2015522954A (ja) * | 2012-07-20 | 2015-08-06 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | セラミック緑色蛍光体と保護された赤色蛍光体層とを有するled |
JPWO2014010211A1 (ja) * | 2012-07-10 | 2016-06-20 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
WO2017138180A1 (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 日東電工株式会社 | セラミックスプレート、その製造方法および光半導体装置 |
CN115216296A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-21 | 烟台布莱特光电材料有限公司 | 一种用于紫光led激发的高效蓝色荧光粉的合成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176201A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2003332631A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 白色発光素子 |
JP2007049114A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
JP2009038348A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-02-19 | Koito Mfg Co Ltd | 発光装置 |
JP2009289829A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
-
2010
- 2010-11-08 JP JP2010249425A patent/JP5566263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176201A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2003332631A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 白色発光素子 |
JP2007049114A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
JP2009038348A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-02-19 | Koito Mfg Co Ltd | 発光装置 |
JP2009289829A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014010211A1 (ja) * | 2012-07-10 | 2016-06-20 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
JP2015522954A (ja) * | 2012-07-20 | 2015-08-06 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | セラミック緑色蛍光体と保護された赤色蛍光体層とを有するled |
US10205067B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-02-12 | Lumileds Llc | LED with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer |
JP2014236202A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
JP2015129254A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-07-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 酸塩化物蛍光体、発光装置、照明装置、及び車両 |
WO2017138180A1 (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 日東電工株式会社 | セラミックスプレート、その製造方法および光半導体装置 |
CN115216296A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-21 | 烟台布莱特光电材料有限公司 | 一种用于紫光led激发的高效蓝色荧光粉的合成方法 |
CN115216296B (zh) * | 2022-08-09 | 2023-10-24 | 烟台布莱特光电材料有限公司 | 一种用于紫光led激发的高效蓝色荧光粉的合成方法 |
Also Published As
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