JP2004300418A - 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法 - Google Patents

希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004300418A
JP2004300418A JP2004065942A JP2004065942A JP2004300418A JP 2004300418 A JP2004300418 A JP 2004300418A JP 2004065942 A JP2004065942 A JP 2004065942A JP 2004065942 A JP2004065942 A JP 2004065942A JP 2004300418 A JP2004300418 A JP 2004300418A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
numerical value
compound
group
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004065942A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Nakamura
茂 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2004065942A priority Critical patent/JP2004300418A/ja
Publication of JP2004300418A publication Critical patent/JP2004300418A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

【課題】希土類ケイ酸塩系蛍光体の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】1)希土類カルボン酸塩をアルコキシアルコールと一緒に加熱して溶液とする工程、2)この溶液にケイ素アルコキシドおよび付活剤元素A、そして必要に応じて付活剤元素Lの化合物を添加して、混合する工程、3)得られた混合液に水分を作用させて混合液をゲル化する工程、および4)得られたゲル体を熱分解する工程からなる組成式:LuxyGdzSiOp:aA,bLで表される蛍光体の製造法。[AはCe、Pr,Nd,Sm,Eu等、LはZr、Nb,Hf,Ta,Sn等である。x,y,z、a、bはそれぞれ、x≧0,y≧0,z≧0、1.5≦x+y+z≦2.2、2×10−5<a<6×10−2、0≦b<10−2であり、pは化合物の電荷を0にする数値を表す。]
【選択図】なし

Description

本発明は、希土類ケイ酸塩系蛍光体の新規な製造方法に関するものである。
従来より、希土類系ケイ酸塩(Ln2SiO5、ただし、LnはY、Gd及び/またはLuである)を希土類元素で付活した蛍光体は、放射線または紫外線を吸収して可視光を高効率で発光する性質(瞬時発光)があることが知られている。この蛍光体はまた、放射線あるいは紫外線を吸収蓄積(一次励起)した後に、可視光線や赤外線などの光の照射(二次励起)を受けると、可視領域に発光する性質(輝尽性発光)を示すことも知られている(非特許文献1)。一方、輝尽性蛍光体を用いる放射線画像記録再生方法において、放射線像変換パネル(イメージングプレートともいう)用の蛍光体としての利用が提案されている(特許文献1、2)。
放射線画像記録再生方法は、輝尽性蛍光体等の蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得ることからなる方法であり、広く実用に供されている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われたのち、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。
また、放射線画像記録再生方法の別法として、従来の蓄積性蛍光体における放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、蓄積性蛍光体(エネルギー蓄積用蛍光体)を含有する放射線像変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍光体(放射線吸収用蛍光体)を含有する蛍光スクリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提案されている(特許文献3)。この方法は、被検体を透過などした放射線をまず、該スクリーンまたはパネルの放射線吸収用蛍光体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光をパネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報として蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を走査して発光光を放出させ、この発光光を光電的に読み取って画像信号を得るものである。
上記の放射線画像記録再生方法(及び放射線画像形成方法)において、少ない放射線量でより鮮明な画像を得るには、放射線像変換パネル(または蛍光スクリーン)の蛍光体層を高密度にして放射線に対する吸収効率を高めることが重要であり、そのためには蛍光体自体に真密度の高いものを使用することが望ましい。
例えば、ルテチウムのケイ酸塩は真密度が7.4g/cm2と高い。しかしながら、ルテチウムを主体とするケイ酸塩系蛍光体は融点が2000℃を超え、その製造法の多くは、このような高温で原料化合物を溶融し、これから引き上げ法により単結晶を得る方法である。従って、密度の高い上記のような希土類ケイ酸塩系蛍光体、特にルテチウム等の重希土類を含むケイ酸塩系蛍光体のより簡便な製造法が望まれている。
また、上記希土類ケイ酸塩系蛍光体は、X線等の放射線を吸収して可視領域に瞬時発光を示すことも知られていて、放射線吸収率の高い高密度の蛍光体を必要とするシンチレータへの利用が検討されている(非特許文献2〜4)。
非特許文献1には、Y2SiO5:(Ce,Sm)蛍光体の製法(固相反応法)として、Y23、CeO2、Sm23、SiO2、およびフラックスとしてNH4Fを混合した後、混合物を焼成する方法が開示されている。
特許文献1には、次式: YxLuyGdzSiO5:aA,bB(ただし、x+y+z=2、x>0、y≧0、z≧0であり、AはCeおよび/またはTbであり、BはZr及び/又はSmであり、aは2×10-5<a<0.02であり、そしてbは2×10-5<b<0.02である)で表される輝尽性蛍光体が開示されている。この蛍光体の製造法(ゾルゲル法)として、Y23およびLu23、CeO2および/またはTbO2、Zrおよび/またはSmの酸化物または硝酸塩を希硝酸に溶解した後、溶液をアルコールとテトラエチルオルトケイ酸塩に完全に混合し、混合液に希アンモニアを添加してゲルを生成させ、次いでゲルを熱処理する(温度1400〜1600℃)方法が記載されている。
特許文献2には、次式: Y2-xLnxSiO5・yM:zAc(Lnは、Y、GdおよびLuからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、AcはEu、Ce、SmおよびZrからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、MはAlおよびMgからなる少なくとも一種の元素を表し、そしてx、yおよびzはそれぞれ0<x≦2、0<y≦1.0、および0<z≦0.1の数値を表す)で表される輝尽性蛍光体が開示されている。この蛍光体の製造法(固相反応法)として、Y23および/またはLn23、SiO2、およびAcの酸化物を混合し、これに更にAlF3および/またはMgF2を加えて固相撹拌した後、原料組成物を焼成する方法が記載されている。
非特許文献4には、金属ルテチウムとイソプロパノールとの反応でアルコキシドを生成させたのち焼成してルテチウムケイ酸塩蛍光体を得る方法が開示されている。この方法によれば、高いシンチレーション能を有する蛍光体が1200℃の焼成温度で得られるが、製造には環境有害性の高い水銀が使用されている。
特開平2−300696号公報 特許第3290497号公報 特開2001−255610号公報 メイジャリンク、外、ジャーナル・オブ・フィジクス・ディ:アプライド・フィジクス(J. Phys. D: Appl. Phys.)第24巻、1991年、p.997−1002 「フィジクス・リサーチA、核計測器および計測法(Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A)」第416巻、1998年、p.333 「IEEEトランスアクション、核科学(IEEE Transaction on Nuclear Science)」第41巻、第4号、1994年、p.689 「IEEEトランスアクション、核科学(IEEE Transaction on Nuclear Science)」第47巻、第6号、2000年、p.1781
本発明は、希土類元素で付活された希土類ケイ酸塩系蛍光体の新規な製造方法を提供することにある。本発明は特に、放射線吸収率が高く、輝尽発光強度の高い希土類元素で付活された希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法を提供することにある。
本発明者は、希土類ケイ酸塩、特にルテチウム等の重希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造法について検討を重ねた結果、従来は非常に高温での溶融又は焼成工程を経なければ、優れた発光特性を得ることが困難であった希土類ケイ酸塩系蛍光体を、比較的低温で、また希土類アルコキシドのような特殊な原料化合物を用いることなく、簡便に製造できること、そして得られた蛍光体は化学的に安定で、耐湿性が高く、かつ優れた発光特性を示すことを見い出し、本発明に到達したものである。
従って、本発明は第一に、下記基本組成式(I)を有する蛍光体を製造するための少なくとも下記の工程からなる方法にある。

LuxyGdzSiOp:aA,bL …(I)
[AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;Lは、Aと同一であることなく、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Sm、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;x、y及びzはそれぞれ、x≧0、y≧0、z≧0であってかつ1.5≦x+y+z≦2.2を満足する数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す。]
1)下記式(II)で表される希土類カルボン酸塩を、下記式(III)で表されるアルコキシアルコールと一緒に加熱して溶液を得る工程、

(R1−COO)3M・mH2O …(II)
[MはLu、YおよびGdからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し;R1は炭素数1〜4の置換又は未置換の脂肪族炭化水素基を表し;そしてmは0≦m≦4の範囲内の数値を表す]

2−O−(CH2nOH …(III)
[R2は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基または炭素数3〜6の置換脂肪族炭化水素基を表し;そしてnは2または3を表す。]
2)上記溶液に、下記式(IV)で表されるケイ素アルコキシド、および上記A元素の化合物、そして必要により上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、および

Si(OR34 …(IV)
[R3は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す]
3)得られた混合液を熱分解する工程。
本発明は第二に、下記基本組成式(I)を有する蛍光体を製造するための少なくとも下記の工程からなる方法にもある。

LuxyGdzSiOp:aA,bL …(I)
[AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;Lは、Aと同一であることなく、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Sm、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;x、y及びzはそれぞれ、x≧0、y≧0、z≧0であってかつ1.5≦x+y+z≦2.2を満足する数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す。]
1)下記式(II)で表される希土類カルボン酸塩を、下記式(III)で表されるアルコキシアルコールと一緒に加熱する工程、

(R1−COO)3M・mH2O …(II)
[MはLu、YおよびGdからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し;R1は炭素数1〜4の置換又は未置換の脂肪族炭化水素基を表し;そしてmは0≦m≦4の範囲内の数値を表す]

2−O−(CH2nOH …(III)
[R2は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基または炭素数3〜6の置換脂肪族炭化水素基を表し;そしてnは2または3を表す。]
2)加熱して得られた溶液に、下記式(IV)で表されるケイ素アルコキシド、および上記A元素の化合物、そして必要により上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、

Si(OR34 …(IV)
[R3は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す]
3)得られた混合液に水分を作用させて混合液をゲル化する工程、および
4)得られたゲル体を熱分解する工程。
本発明の方法では、希土類アルコキシドを熱分解により、特にゲル化したのち熱分解に掛けて反応させることによって、希土類元素で付活された希土類ケイ酸塩系蛍光体を従来よりも低い温度で、また特殊な原料化合物を用いることなく、容易に製造することができる。また、得られた蛍光体、特にルテチウムを含有する蛍光体は、高い放射線吸収率および高い輝尽発光強度を示し、かつ化学的に安定で、耐湿性が高いものである。従って、本発明に係る蛍光体は、放射線画像記録再生方法および放射線画像形成方法用の輝尽性蛍光体として、またシンチレータや放射線増感スクリーンを用いる放射線写真撮影法用の蛍光体として有利に使用することができる。
本発明の第一及び第二の蛍光体の製造方法において、式(II)におけるR1はメチル基であることが好ましい。
式(III)で表されるアルコキシアルコールは、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノールおよび3−エトキシ−1−プロパノールからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることが好ましい。
式(IV)におけるR3はエチル基であることが好ましい。
本発明の第一および第二の製造方法により得られる蛍光体は、下記基本組成式(V)を有する蛍光体であることが好ましい。

LuxSiOp:aA’,bL’ …(V)
[A’はCe及び/又はTbを表し;L’は、A’と同一であることなく、Zr、Hf、Sm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;xは1.5≦x≦2.2の範囲内の数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す]
本発明の第一の製造方法は、下記工程からなることが好ましい:
1)ルテチウム、イットリウム及び/又はガドリニウムの酢酸塩を、2−メトキシエタノールおよび/または2−エトキシエタノールと一緒に加熱して溶液を得る工程、
2)上記溶液に、テトラエトキシシランおよび上記A元素の化合物、そして必要に応じて上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、および
3)得られた混合液を熱分解する工程。
本発明の第二の製造方法は、下記工程からなることが好ましい:
1)ルテチウム、イットリウム及び/又はガドリニウムの酢酸塩を、2−メトキシエタノールおよび/または2−エトキシエタノールと一緒に加熱する工程、
2)加熱して得られた溶液に、テトラエトキシシランおよび上記A元素の化合物、そして必要に応じて上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、
3)得られた混合液に水分を作用させてゲル化する工程、および
4)得られたゲル体を熱分解する工程。
以下に、本発明の蛍光体の製造方法について詳細に説明する。
(1)加熱工程
希土類カルボン酸塩とアルコキシアルコールとを一緒に加熱する。
希土類カルボン酸塩としては、下記式(II)で表される化合物が用いられる。

(R1−COO)3M・mH2O …(II)
[MはLu、YおよびGdからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し;R1は置換又は未置換の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し;そしてmは0≦m≦4の範囲内の数値を表す]
好ましい希土類カルボン酸塩としては、酢酸ルテチウム、酢酸イットリウム、酢酸ガドリニウム、メトキシ酢酸ルテチウム、ヒドロキシ酢酸ルテチウム、プロピオン酸ルテチウム、プロピオン酸イットリウムおよびプロピオン酸ガドリニウムなどの無水塩および水和塩を挙げることができる。特に好ましくは、酢酸ルテチウム、酢酸イットリウムおよび酢酸ガドリニウムの無水塩および水和塩である。目的とする蛍光体の組成に応じて、単独でもしくは二種以上を組み合わせて使用される。なお、蛍光体母体を構成する希土類元素は、ルテチウムもしくはルテチウムとイットリウムの組合せであることが好ましい。
これらの希土類カルボン酸塩は、製造の前段階として合成容器の中で調製し、これを用いて引き続き合成を行うこともできる。例えば、上記希土類元素の金属単体、酸化物または水酸化物を過剰量の酢酸水溶液に溶解した後、余剰の酢酸と水を留去することによって希土類酢酸塩が得られる。
アルコキシアルコールとしては、下記式(III)で表される化合物が用いられる。

2−O−(CH2nOH …(III)
[R2は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基または炭素数3〜6の置換脂肪族炭化水素基を表し;そしてnは2または3を表す。]
で表されるアルコキシアルコールと一緒に加熱する工程。
好ましいアルコキシアルコールとしては、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシー2−プロパノール、3−エトキシー1−プロパノール、2(2−エトキシエトキシ)エタノール、2(2−メトキシエトキシ)エタノール、アセトキシエタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−ブトキシエタノールを挙げることができる。特に好ましくは、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシー2−プロパノール、3−エトキシー1−プロパノール、3−エトキシー1−プロパノールである。これらのアルコキシアルコールは、単独で使用してもよいし、あるいは複数を組み合わせて使用してもよい。またあるいは、これらと混和性のある溶媒、例えばジオキサン、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等と混合して使用してもよい。
上記の希土類カルボン酸塩をアルコキシアルコール中に分散させて加熱する。これら化合物の量は、目的とする蛍光体の組成に応じて調節されるが、アルコキシアルコール1リットルに対して、希土類カルボン酸塩は合計で0.01乃至1モルの範囲、好ましくは0.05乃至0.5モルの範囲にある。加熱温度および時間は、これら化合物の種類や量によっても異なるが、一般には100℃乃至150℃の範囲の温度で、約3乃至8時間である。加熱後、得られた溶液には必要により減圧蒸留を行って濃縮化してもよい。
(2)混合工程
得られた溶液(反応液)に、下記式(IV)で表されるケイ素アルコキシド、および付活剤成分である化合物を添加して混合する。

Si(OR34 …(IV)
[R3は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す]
好ましいケイ素アルコキシド(アルコキシシラン)としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、およびテトライソブトキシシラン等を挙げることができる。なかでもテトラエトキシシランが好ましく使用される。
これらのケイ素アルコキシドは一般に、上記希土類カルボン酸塩中の希土類元素に対して45乃至67モル%の範囲で添加される。
付活剤元素Aは、蛍光体に発光性を付与する発光中心を構成する成分であり、付活剤元素Lは、蛍光体に輝尽性を付与する目的で加えられ、それぞれ目的とする蛍光体性能を発現するように、選択される。
付活剤成分Aの原料となる化合物は、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、および/またはYbの可溶性化合物であり、また、付活剤成分Lの原料となる化合物は、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Sm、Tmおよび/またはYbの可溶性化合物である。これらの化合物は、たとえば、塩、あるいはキレート化合物もしくはアルコキシド化合物である。これらの希土類元素の化合物は、硝酸塩であることが好ましい。また、周期律表のIV族あるいはV族に属するZr、Hf、Nbおよび/またはTaは、エトキシ化合物あるいはイソプロポキシ化合物などのアルコキシド化合物として添加することが好ましい。付活剤元素Aとしては、CeあるいはTbが好ましく、特に、Ceが好ましい。
希土類ケイ酸塩系蛍光体が、瞬時発光を利用するシンチレータとして用いる蛍光体である場合には、付活剤元素Aのみの添加で目的を達することができるが、輝尽性蛍光体とするには、付活剤元素Aと付活剤元素Lとを組合せて添加することが望ましい。添加剤元素Lとして好ましいのはZrあるいはSmである。添加剤元素Aと添加剤元素Lとの組合せとして好ましいものは、CeとSmとの組合せ、そしてCeとZrとの組合せである。
付活剤元素Aの場合、その付活剤化合物は、付活剤元素Aの量に換算して、蛍光体母体成分である上記希土類カルボン酸塩中の希土類元素(Lu、Y、Gd)の合計量に対して、0.005乃至3モル%の範囲、好ましくは0.002乃至0.3モル%の範囲で添加される。付活剤元素Bは添加しない場合もあるが、添加する場合には、2モル%以下である。
上記のケイ素アルコキシドおよび付活剤化合物は、イソプロパノールなどの溶媒に溶解した後、加熱工程後の溶液に添加混合することが好ましい。また、添加混合後、混合溶液を更に加熱して溶液の均一性を高めることが好ましい。
(3)ゲル化工程
上記の混合液に水分を作用させて混合液をゲル化する。
本発明において、このゲル化工程は必ずしも実施する必要はなく、加熱工程で得られた反応液にケイ素アルコキシドおよび付活剤化合物などを添加混合し、必要により溶媒を留去した後、直接熱分解工程に掛けてもよい(第一の製造方法)。ただし、ゲル化したのちゲル体を熱分解工程に掛けることがより好ましい(第二の製造方法)。
混合液のゲル化は、混合液に水混和性溶媒で希釈した水を加える、あるいは適度な湿度の大気に晒すなどにより行うことができる。ゲル化に先立って、大半の溶媒を留去することが望ましい。
(4)熱分解工程
ゲル化により得られたゲル体を熱分解する。
熱分解は、ゲル体をアルミナるつぼ、白金るつぼ、石英ボートなどの耐熱性容器に充填し、これを電気炉の炉芯に入れて焼成することにより行う。焼成温度は、一般に800乃至1700℃の範囲にある。焼成時間は、充填量、焼成温度および炉からの取出し温度などによっても異なるが、一般には1乃至18時間が適当であり、好ましくは2乃至12時間である。焼成雰囲気は、大気雰囲気、窒素雰囲気、カーボンが存在する雰囲気、水素と水蒸気が共存する雰囲気、あるいは一酸化炭素/二酸化炭素が共存する雰囲気を使用することができる。焼成は一段階で行ってもよいが、温度と雰囲気を調節した多段階で行うこともできるが、ゲル体の有機成分を酸化分解する為の酸化雰囲気下での第一焼成と、これに続いて雰囲気を還元性に調整して行なう第二焼成とからなる工程をとることが、より好ましい。
焼成に先立って、ゲル体を粉砕して粒子状にしてもよい。また、焼成をより効率良く行うために、フラックスとして少量のフッ化物(例えば、NH4F、AlF3、MgF2)をゲル体に添加してもよい。
焼成により、ゲル体中の有機成分の熱分解および/または脱水により、ゲル体は複合酸化物であるケイ酸塩化合物に変換される。
得られた焼成物には、必要に応じて更に粉砕、篩分けなど蛍光体の製造における各種の一般的な操作を行ってもよい。さらに、発光特性を改善する目的で、これら操作の後に粒子間の燒結が起きない範囲の温度で焼成物にアニール処理を行ってもよい。
このようにして、下記基本組成式(I)を有する希土類ケイ酸塩系蛍光体が得られる。本発明において蛍光体は、放射線吸収率および発光強度の点から、蛍光体母体成分として主にルテチウムを含有していることが好ましく、特には好ましくは下記基本組成式(V)を有するものである。

LuxSiOp:aA’,bL’ …(V)
[A’はCe及び/又はTbを表し;L’は、A’と同一であることなく、Zr、Hf、Sm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;xは1.5≦x≦2.2の範囲内の数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す]
本発明において、得られた蛍光体の結晶構造はX線回折法により同定することができる。例えば、主成分としてルテチウムを含有するケイ酸塩系蛍光体は、JCPDSカード番号No.410239の回折パターンを示す。あるいは、本発明の蛍光体は結晶構造とアモルファス構造との複合構造であってもよい。
蛍光体の平均粒子径は、一般には0.05μm以上、20μm以下であり、好ましくは0.5μm以上、10μm以下である。蛍光体粒子は、単一の結晶から構成することも可能であるし、あるいはより微細な10nm以上、500nm以下の粒子径の結晶子からなる多結晶もしくは微結晶の凝集した二次粒子から構成することもできる。
このようにして本発明の方法に従って製造した希土類ケイ酸塩系蛍光体は、電磁波の照射により、瞬時発光、あるいは瞬時発光と共に輝尽発光を示し、公知の各種の用途に使用することができるが、特に前述した放射線像変換パネルを用いる放射線画像記録再生方法、並びに放射線像変換パネルと蛍光スクリーンとの組合せ(パネルとスクリーンとが一体化されていてもよい)を用いる放射線画像形成方法に有利に使用することができる。
以下に、本発明に係る蛍光体を含有する放射線像変換パネルについて述べる。
本発明に係る輝尽性蛍光体に放射線を吸収蓄積させる放射線像変換パネルは、少なくとも輝尽性蛍光体層を有する。該蛍光体層は自立性膜の形態でもよいが、通常は支持体上に付設される。さらに、蛍光体層の表面にこれに隣接して保護層を付設するのが好ましい。また、画像の鮮鋭度を向上させる為に、蛍光体層および/または保護層は、励起光を吸収し、輝尽発光光は吸収しないような着色剤を含んでいてもよいし、あるいはこの着色剤を含む独立した中間層が設けられていてもよい。その他必要に応じて、これらの他に光反射層、密着改良層その他の中間層を設置してもよい。
放射線像変換パネルの別な形態では、画像様の放射線を吸収して紫外乃至可視領域の瞬時発光をする蛍光体を含有する放射線吸収性蛍光体層とこれに隣接し、該放射線吸収性蛍光体層から放出される発光光を吸収して輝尽発光を示す本発明に係る輝尽性蛍光体を含有する蓄積性蛍光体層とが一対として形成される。その他、支持体、保護層、その他の中間層は前記形態の放射線像変換パネルと同様である。
(支持体)
本発明の放射線記録材料に用いられる支持体は、平面性のよい材料であれば目的に応じて任意の材料を用いることが可能である。例えば高分子シートあるいはアルミニウム等の金属板、セラミック板、ガラス板等を挙げることができる。支持体は透明であってもよく、あるいは支持体に、励起光もしくは輝尽発光光を反射させるための光反射性材料(例、アルミナ粒子、二酸化チタン粒子、硫酸バリウム粒子)を充填してもよく、あるいは空隙を設けてもよい。または、支持体に励起光もしくは輝尽発光光を吸収させるため光吸収性材料(例、カーボンブラック)を充填してもよい。
高分子シートの好ましい例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド樹脂、ポリイミド樹脂などの各種樹脂材料を挙げることができる。
これらの好ましい厚みは50μmから1mmであり、更に好ましくは120から350μmである。この高分子支持体は、炭素繊維シートやアルミニウムシートなどの基板に付設されていてもよい。
(保護層)
蛍光体層の表面には、蛍光体層を物理的および化学的に保護するために透明な保護層を設けてもよい。保護層は、励起光の入射や輝尽発光光の出射に殆ど影響を与えないように、光吸収を実質的に示さないことが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定でかつ高い物理的強度を持つことが望ましい。保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解させて調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中にはパーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。
形成される放射線画像の鮮鋭度を高めるためには、保護層を一定範囲で光散乱性とすることが望ましい。一般に保護層の光散乱長は、輝尽性蛍光体からの発光光の主発光波長において5乃至80μmの範囲にあり、好ましくは10乃至70μmの範囲にある。光散乱性の保護層は、上記保護層用材料中に光散乱性微粒子を分散、含有させることによって形成することができる。光散乱性微粒子としては、光屈折率が1.6以上であり、粒子径が0.1乃至1.0μmの範囲にあるのが好ましい。特に好ましくは光屈折率は1.9以上であり、粒子径は0.1乃至0.5μmの範囲である。好適な光散乱性微粒子の例としては、ベンゾグアナミン樹脂粒子、メラミンホルムアルデヒド縮合樹脂粒子、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化チタンおよび炭酸鉛の微粒子を挙げることができる。
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解(または分散)させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は0.5μm乃至20μmの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。
放射線像変換パネルのカセッテへの挿入と引き出し時の取り扱い性を高めるために、保護層またはフッ素樹脂塗布層はその最大摩擦係数が0.18以下とすることも好ましい。特に好ましくは0.12以下である。また、表面の平均粗さが0.05乃至0.5μmの範囲にあることが好ましく、特に好ましくは0.1乃至0.3μmの範囲である。例えば、保護層またはフッ素樹脂塗布層の表面に、エンボス処理を行うことなどにより微小な凹凸を設けてもよい。
放射線像変換パネルの帯電による放電によるスタチックマークの発生を防ぐ為に保護層中にあるいはこれと独立した層の中に帯電防止材料を含有させることも好ましい。また、放射線撮影に際してはカセッテに記録材料を挿入する前に除電することが好ましい。
保護層の層厚は、一般には約1μmから20μmの範囲にあり、好ましくは3から15μmの範囲である。
(蛍光体層)
蛍光体層は、通常は結合剤中に蛍光体粒子を分散されてなる層であるが、これ以外に結合剤を含まず蛍光体粒子相互の付着力で形成された膜、あるいはこうした膜中の蛍光体粒子の間隙に後から高分子材料を含浸せしめた膜の形態であってもよい。以下に結合剤で分散されてなる蛍光体層の形成方法を具体的に示す。
まず、蛍光体粒子と結合剤とを溶剤に加え、これを十分に混合して、結合剤溶液中に放射線吸収蛍光体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。蛍光体粒子を分散する結合剤については様々な種類の樹脂材料が知られており、本発明においても、それらの公知の樹脂を中心とした任意の樹脂材料から適宜選択して用いることができる。これらの例としては、アラビアゴム、デキストラン、ポリビニル酢酸、ヒドロキシエチルセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリビニルアルコールなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。塗布液における結合剤と蛍光体との混合比は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比率(結合剤/蛍光体)は、1から0.01(重量比)の範囲から選ばれる。なお、塗布液にはさらに、塗布液中における蛍光体の分散性を向上させるための分散剤、形成後の蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の結合力を向上させるための可塑剤、蛍光体層の変色を防止するための黄変防止剤、硬化剤、架橋剤など各種の添加剤が混合されていてもよい。
このようにして調製された塗布液を次に、支持体に均一に塗布することにより塗膜を形成する。塗布操作は、通常の塗布手段、たとえばドクターブレード、ロールコータ、ナイフコータなどを用いる方法により行うことができる。この塗膜を乾燥して、支持体上への蛍光体層の形成を完了する。なお、蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、例えば、別にガラス板、金属板、プラスチックシートなどの仮支持体上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体層を形成した後、これを支持体上に押圧するか、あるいは接着剤を用いるなどして支持体上に蛍光体層を接合する方法を利用してもよい。
蛍光体層は単一層として付設される他、必要に応じて複数の層から形成されてもよい。例えば蛍光体層中での光の散乱を制御する目的で同一組成で粒子径の異なる二種類の蛍光体層を設置することも好ましい。また、放射線吸収性蛍光体層と蓄積性蛍光体層とを分離し、前者からの紫外線発光を後者の蓄積性蛍光体層に入射させる形態の放射線像変換パネルの場合にも、放射線吸収性蛍光体層と蓄積性蛍光体層とを、上記の方法により順次付設することができる。
輝尽性蛍光層の厚みは、放射線像変換パネルの構成により異なる。輝尽性蛍光層で放射線を吸収する一般的な形態においては蛍光体層の厚みは、一般には50から500μmの範囲にあり、好ましくは100乃至300μmの範囲にある。また、放射線吸収性蛍光体層と蓄積性蛍光体層とを設ける形態においては該蓄積性蛍光層の厚みは1から50μm、好ましくは5から20μmが好ましい。
(瞬時発光蛍光体)
放射線吸収性蛍光体層と蓄積性蛍光体層とを分離し、前者からの紫外線発光を後者の蓄積性蛍光体層に入射させる形態の放射線像変換パネルに於いて、前者の放射線吸収性蛍光体層に用いられる蛍光体は、母体の主成分として、原子番号が37以上の元素を含む蛍光体であり且つ、本発明の希土類元素で付活された希土類ケイ酸塩系蛍光体よりも高い真密度を有す瞬時発光の蛍光体である。好ましい化合物の例としては、LnTaO4:(Nb,Gd,Tm)系蛍光体、LuAlO3:Ce、Lu23:Gdなどを挙げることができる。瞬時発光蛍光体層の厚みは、一般には50から500μmの範囲にあり、好ましくは100から300μmの範囲にある。
マッチングの点から、瞬時発光性蛍光体の発光波長領域と輝尽性蛍光体の一次励起波長領域とは70%以上重なっていることが好ましい。この規定において各波長領域は、発光スペクトルまたは励起スペクトルのピーク値の10%以上の値を有する波長範囲を意味する。
蛍光体層は、蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるのものばかりでなく、結合剤を含まないで蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、あるいは蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されている蛍光体層などでもよい。
(隔壁)
放射線像変換パネルにおいては、蓄積性蛍光体層および/または放射線吸収性蛍光体層には必要に応じて、光の散乱を抑制し画像の鮮鋭度を高める為に隔壁を設けることもできる。隔壁は蛍光体層を平面方向に沿って細分区画するように設置される。蛍光体層は層厚が比較的厚いので、隔壁を設けることにより発光光の拡散を有効に防止することができる。隔壁は縞状、格子状など任意の形状で設けることができ、あるいは円形、六角形など任意の形状の放射線吸収蛍光体が充填された領域を隔壁が囲むように形成されてもよい。また、隔壁の頂部と底部はともに蛍光体層の両表面に露出していてもよいし、あるいは頂部と底部の両方あるいはいずれか一方が蛍光体層に埋没していてもよい。
隔壁は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレスなど金属製の板、酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウムなどセラミックス製の板、あるいは感光性樹脂など有機高分子物質からなるシートに好適なエッチング処理をすることにより、多数の凹部(穴)もしくは透孔が形成されたハニカム状のシートを用意し、このハニカム状シートの上に上記の蛍光体層を載せたのち加熱圧縮することにより、ハニカム状シートを蛍光体層の中に押し込んで形成することができる。あるいは、蛍光粒子を分散含有する結合剤からなる多数の薄膜状の蛍光体シートと高分子物質からなる多数の薄膜状の隔壁用シートをそれぞれ形成し、蛍光体シートと隔壁用シートを交互に多数枚積層した後、積層方向に垂直に裁断することからなる積層スライス法によっても形成することができる。隔壁には、酸化アルミニウム、二酸化チタン等の低光吸収性微粒子が分散含有されていてもよいし、あるいは放射線吸収蛍光体からの発光光を選択的に吸収するような着色剤で着色されていてもよい。あるいは、隔壁を蛍光体層材料(ただし、結合剤:蛍光体の比率および/または粒子サイズは、蛍光体層を形成する場合とは変える)から形成してもよい。
放射線像変換パネルには必要に応じて、選択的反射層、拡散反射層などを付設することもできる。
(着色)
放射線画像の鮮鋭度を高める目的で、上記放射線像変換パネルの少なくともいずれかの層を、瞬時発光蛍光体からの発光光および/または輝尽性蛍光体の二次励起光(潜像(蓄積放射線画像)の読み取り時に用いる)を吸収する着色剤、あるいは場合により、輝尽性蛍光体から放出される発光光の一部を吸収する着色剤によって着色してもよい。具体的には、蛍光体層、保護層、更に下塗層などの中間層を、瞬時発光蛍光体からの発光光および/または輝尽性蛍光体の二次励起光を吸収する着色剤で着色することが望ましい。着色は、上記の層のいずれか一つだけであってもよいし、あるいは部分的であってもよく、また任意に組み合わせてもよい。着色剤は、後述の光電子倍増管を用いた点検出系では、輝尽性蛍光体からの発光光を吸収しないものであることが望ましい。
輝尽性蛍光体が画像様の放射線を直接吸収する形態の放射線像変換パネルにおいては、着色剤は二次励起光を透過せず、輝尽発光を透過するように、用いられる蛍光体の特性に応じて選択される。通常は青から緑色の光を透過し、赤色の光を透過しないような着色剤が用いられる。
放射線を吸収する瞬時発光性の蛍光体とこれからの発光を吸収し輝尽性を示す蛍光体とが組み合わされてなる放射線像変換パネルにおいては、着色剤はこの瞬時発光光と二次励起光の双方を吸収するように選択される。例えば、瞬時発光蛍光体からの発光光が緑色発光光であり、輝尽性蛍光体が緑色光を吸収し、近赤外光で二次励起されて、赤色の発光光を放出する場合には、緑色領域および近赤外領域の光を吸収し、赤色領域の光を吸収しない着色剤が好ましい(点検出系で用いられる場合)。二種類以上の着色剤を組み合わせて使用してもよい。
上記の目的に適した赤色着色剤の例としては、カドミウムレッド、べんがら、モリブデンレッドなどの無機顔料を挙げることができる。ただし、これらの赤色着色剤は近赤外領域の光を殆ど吸収しないので、特開平11−109126号公報に記載されているシアニン色素、インドアニリン色素、スクアリリウム色素などの近赤外吸収材料を併用することが望ましい。
また例えば、瞬時発光蛍光体からの発光光が近紫外発光光であり、輝尽性蛍光体が近紫外光を吸収し、赤色光で励起されて、青乃至緑色の発光光を放出する場合には、近紫外領域および赤色領域の光を吸収し、青乃至緑色領域の光を吸収しない着色剤が好ましい(点検出系で用いられる場合)。適した青乃至緑色の有機系着色剤の例としては、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト社製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学(株)製)、スミアクリルブルーF−GSL(住友化学(株)製)、D&CブルーNo1(ナショナル・アニリン社製)、スピリットブルー(保土谷化学(株)製)、オイルブルーNo603(オリエント(株)製)、キトンブルーA(チバ・ガイギー社製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土谷化学(株)製)、レイクブルーA、F、H(協和産業(株)製)、ローダリンブルー6GX(協和産業(株)製)、ブリモシアニンブルー6GX(稲畑産業(株)製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学(株)製)、シアニンブルーBNRS(東洋インキ(株)製)、ライオノルブルーSL(東洋インキ(株)製)を挙げることができる。また、無機系着色剤の例としては、群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−CoO−NiO系顔料を挙げることができる。
あるいは、放射線画像情報の読み取りを光電子増倍管等を用いる点検出の代わりに、ラインセンサ等を用いるライン検出により行う場合には、瞬時発光蛍光体層、さらに下塗層などの中間層は、瞬時発光蛍光体からの発光光、輝尽性蛍光体の二次励起光、および/または輝尽性蛍光体からの発光光を吸収する着色剤で着色することが望ましい。輝尽性蛍光体からの発光光のうち励起部分よりも広がった分が画像のボケを招くからである。
着色剤としては、放射線吸収蛍光体からの発光が緑色発光、輝尽性蛍光体の二次励起光が近赤外光、そして輝尽性蛍光体からの発光が赤色発光である場合には、緑色、赤色および/または近赤外領域の光を吸収する着色剤が好ましい。すなわち、赤色、青乃至緑色または灰色の着色剤であって近赤外吸収を有する着色剤が好ましい。適した赤色着色剤としては、上記の着色剤を用いることができる。青乃至緑色の着色剤であって近赤外吸収を有する着色剤の例としては、チタニルフタロシアニンTiO−Pc(山陽色素(株)製)を挙げることができる。上記の青乃至緑色着色剤と近赤外吸収材料とを組み合わせてもよい。灰色着色剤の例としては、カーボンブラック、Cu−Fe−Mn酸化物を挙げることができる。
[実施例1] Lu2SiO5:0.001Ce蛍光体
酢酸ルテチウム四水和物21.2gをエトキシエタノール500mlに分散させた後、分散液を136℃で7時間かけて還流しながら蒸留分約170mlを留去した。得られた淡黄色の透明液に、テトラエトキシシラン5.86mlと硝酸セリウム六水和物11mgとをイソプロパノール50mlに溶解した液を添加した後、これを2時間かけて還流しながら充分に混合した。その後、約10mmHgの減圧下、90℃で混合液から溶媒を減圧留去して、黄色の粘稠なプレカーサ液を得た。プレカーサ液をガラス製シャーレに広げて大気湿度に約10時間晒して、黄色透明なガラス状のゲルを得た。
得られたゲル体を粉砕して粒子径を揃えた後、アルミナるつぼに充填し、これをマッフル炉の炉芯に入れて1000℃で1時間、大気雰囲気下で焼成し、次いで下記表1に示す各温度で4時間、少量のカーボンが存在する弱還元性雰囲気下で再度焼成して、本発明に従う各種のLu2SiO5:0.001Ce蛍光体A〜Dを得た。
[蛍光体の評価1]
得られた各蛍光体粉末A〜Dについて、X線回折法により結晶構造を調べた。
また、蛍光体粉末A〜Dの各々を250μmの窪みを有する測定ホルダに充填した。これに40kVpのX線を4.6J/m2(200mR)の量で照射し、その10秒後にHe−Neレーザ光(波長633nm)を照射して、蛍光体から放出された輝尽発光光を光学フィルタ(B−410)を通して光電子増倍管で受光し、そして発光後10秒間の積算値(相対値)を求め、輝尽発光強度として評価を行った。
得られた結果をまとめて表1に示す。
Figure 2004300418
表1に示した結果から、本発明の熱分解による製造法(実施例1)では、目的とするルテチウムオルトケイ酸塩(LSO)の結晶構造を得るためには、1100℃の焼成温度で充分であることが明らかである。また、本発明の製造方法によれば、比較的低い焼成温度であっても充分に高い輝尽性発光強度を示す蛍光体が得られることが分かる。
[実施例2] Lu2SiO5:0.001Ce,L'蛍光体
酢酸ルテチウム四水和物21.2gをエトキシエタノール500mlに分散させた後、分散液を136℃で7時間かけて還流しながら、蒸留分約170mlを留去した。得られた淡黄色の透明液に、テトラエトキシシラン5.86mlとトリエトキシセリウム7mgと下記表2に示す共付活剤化合物とをイソプロパノール50mlに溶解した液を添加した後、これを2時間かけて還流しながら充分に混合した。その後、約10mmHgの減圧下、90℃で混合液から溶媒を減圧留去して、黄色の粘稠なプレカーサ液を得た。プレカーサ液をガラス製シャーレに広げて大気湿度に約10時間晒して、黄色透明なガラス状のゲルを得た。
得られたゲル体を粉砕して粒子径を揃えた後、アルミナるつぼに充填し、これをマッフル炉の炉芯に入れて1000℃で1時間、大気雰囲気下で焼成し、次いで1400℃で4時間、少量のカーボンが存在する弱還元性雰囲気下で再度焼成して、本発明に従う蛍光体E〜Iを得た。

表 2


蛍光体 共付活剤化合物 添加量
(Luに対するモル量)


E テトライソプロポキシジルコニウム 5×10-4
F テトライソプロポキシジルコニウム 2.5×10-4
G トリイソプロポキシサマリウム 5×10-4
H トリイソプロポキシサマリウム 2.5×10-4
I − −

[蛍光体の評価2]
得られた各蛍光体粉末E〜Iについて、上記と同様にして輝尽発光強度の評価を行った。得られた結果をまとめて表3に示す。

表 3


実施例 蛍光体組成 輝尽発光強度


E Lu2SiO5:0.001Ce,0.001Zr 150
F Lu2SiO5:0.001Ce,0.0005Zr 120
G Lu2SiO5:0.001Ce,0.001Sm 160
H Lu2SiO5:0.001Ce,0.0005Sm 130
I Lu2SiO5:0.001Ce 90

表3に示した結果から、本発明の方法においては、付活剤Ceに加えて共付活剤ZrまたはSmで蛍光体を付活することによって、蛍光体は更に高い輝尽発光強度を示すことが明らかである。
[実施例3] LuxySiO5:0.001Ce,0.001Sm蛍光体
実施例1において、酢酸ルテチウム四水和物の一部もしくは全部を当量の酢酸イットリウムで置き換えたこと、硝酸セリウム六水和物の代わりに当量のトリエトキシセリウムと更に共付活剤化合物としてトリイソプロポキシサマリウムを用いたこと、および1400℃で再焼成したこと以外は実施例1と同様にして、本発明に従う各種の蛍光体J〜Nを得た。
[蛍光体の評価3]
得られた各蛍光体粉末J〜Nについて、上記と同様にして輝尽発光強度の評価を行った。得られた結果をまとめて表4に示す。

表 4


実施例 蛍光体組成 輝尽発光強度


J LuYSiO5:0.001Ce,0.001Sm 120
K Lu1.50.5SiO5:0.001Ce,0.001Sm 130
L Lu1.80.2SiO5:0.001Ce,0.001Sm 150
M Lu1.8SiO4.7:0.0009Ce,0.0009Sm 180
N Y2SiO5:0.001Ce,0.001Sm 72

表4に示した結果から、本発明の方法においては、蛍光体母体組成のYに対するLuの比率を高くするほど蛍光体の輝尽発光強度が増加することが明らかである。
[実施例4] 焼成雰囲気の調整
実施例1と同様にして得たゲル体を粉砕し、粒子径を調整したのち、これをアルミナルツボに充填してマッフル炉の炉心に入れ、1200℃で1時間、大気雰囲気中で焼成した。その後、ルツボを管状炉の炉心中に移し、水蒸気分圧と水素分圧とを調節することで、表5に示すように、炉心の平衡酸素分圧を調節しながら、1400℃で4時間焼成した。
得られた蛍光体粉末O乃至Sを、250μmの窪みを有する測定ホルダに充填し、これを蛍光分光光度計にセットし、これに40kVpのX線を200mRの強度で照射しながら、得られる発光のスペクトルを測定すると共に、そのピーク強度を測定した。

表5(蛍光体組成:Lu2SiO5:0.001Ce)
────────────────────────────────────
蛍光体粉末 平衡酸素分圧 瞬時発光波長 瞬時発光強度
(nm) (相対値)
────────────────────────────────────
O <10-14 400 20
P 10-11 400 120
Q 10-10 400 250
R 10-9 400 290
S 10-8 400 300
────────────────────────────────────
表5の結果から明らかなように、本発明により、焼成雰囲気の選択により、高い瞬時発光を示す、希土類ケイ酸塩系蛍光体が得られる。
[実施例5]
実施例2の蛍光体試料Eを用いて下記の方法により放射線変換パネルを作製した。
(蛍光体層塗布液の調製)
実施例2の蛍光体E356g、ポリウレタン樹脂(住友バイエルウレタン(株)製、デスモラック4125)15.8g、およびビスフェノールA型エポキシ樹脂2.0gをメチルエチルケトン−トルエン(1:1)混合溶液に添加し、プロペラ型ミキサーによって分散し、蛍光体層用塗布液を調製した。
(保護層用塗布液の調製)
フルオロエチレン−ビニルエーテル共重合体(旭硝子(株)製、ルミフロンLF100)70g、イソシアネート(住友バイエルウレタン(株)製、デスモジュールZ4370)25g、ビスフェノールA型エポキシ樹脂5g、およびシリコーン樹脂粉末(KMP−590、信越化学製、1〜2μm径)10gをトルエン−イソプロパノール(1:1)混合溶媒に添加して塗布液とした。
(蛍光体層及び保護層の形成)
下塗り付きのポリエチレンテレフタレートフイルム上に蛍光体層形成用の塗布液を、乾燥後の厚みが350μmになるように塗布し、100℃で15分乾燥した。乾燥後に保護層用の塗布液を乾燥後の厚みが10μmとなるように塗布し、120℃で30分乾燥した。このようにして、支持体、蛍光体層および保護層からなる放射線像変換パネルを得た。
(放射線像パターンの検出試験)
得られた放射線画像変換パネルに、80kvの管電圧のX線発生管より1mRの線量でスポット状に照射した。30秒後に半導体レーザーを用い、633nmの波長のビームでスキャンした。輝尽発光は380nmから500nmの光を透過するバンドパスフィルターを通して、光電子増倍管で検出した。放射線の照射されたスポット部と非照射部との信号強度の差は十分大きく、画像変換パネルとして用いるのに十分なディスクリミネーションであった。

Claims (12)

  1. 基本組成式(I):

    LuxyGdzSiOp:aA,bL …(I)

    [AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;Lは、Aと同一であることなく、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Sm、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;x、yおよびzはそれぞれ、x≧0、y≧0、z≧0であってかつ1.5≦x+y+z≦2.2を満足する数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す]
    を有する蛍光体を製造するための少なくとも下記の工程からなる方法:
    1)式(II):

    (R1−COO)3M・mH2O …(II)

    [MはLu、YおよびGdからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し;R1は置換又は未置換の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し;そしてmは0≦m≦4の範囲内の数値を表す]
    で表される希土類カルボン酸塩を、下記式(III):

    2−O−(CH2nOH …(III)

    [R2は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基または炭素数3〜6の置換脂肪族炭化水素基を表し;そしてnは2または3を表す]
    で表されるアルコキシアルコールと一緒に加熱して溶液を得る工程、
    2)上記溶液に、下記式(IV):

    Si(OR34 …(IV)

    [R3は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す]
    で表されるケイ素アルコキシド、および上記A元素の化合物、そして必要に応じて上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、そして
    3)得られた混合液を熱分解する工程。
  2. 式(II)においてR1がメチル基である請求項1に記載の蛍光体の製造方法。
  3. 式(III)で表されるアルコキシアルコールが、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシー2−プロパノールおよび3−エトキシー1−プロパノールからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物である請求項1または2のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  4. 式(IV)においてR3がエチル基である請求項1乃至3のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  5. 1)ルテチウム、イットリウム及び/又はガドリニウムの酢酸塩を、2−メトキシエタノールおよび/または2−エトキシエタノールと一緒に加熱して溶液を得る工程、
    2)上記溶液に、テトラエトキシシラン及び上記A元素の化合物、そして必要により上記元素Lの化合物を添加して、混合する工程、そして
    3)得られた混合液を熱分解する工程、
    からなる請求項1乃至4のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  6. 蛍光体が、下記基本組成式(V):

    LuxSiOp:aA’,bL’ …(V)

    [A’はCe及び/又はTbを表し;L’は、A’と同一であることなく、Zr、Hf、Sm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;xは1.5≦x≦2.2の範囲内の数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す]
    で表わされる蛍光体である請求項1乃至5のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  7. 下記基本組成式(I):

    LuxyGdzSiOp:aA,bL …(I)

    [AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;Lは、Aと同一であることなく、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Sm、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;x、yおよびzはそれぞれ、x≧0、y≧0、z≧0であってかつ1.5≦x+y+z≦2.2を満足する数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す]
    を有する蛍光体を製造するための少なくとも下記の工程からなる方法:
    1)下記式(II):

    (R1−COO)3M・mH2O …(II)

    [MはLu、YおよびGdからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し;R1は置換又は未置換の炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し;そしてmは0≦m≦4の範囲内の数値を表す]
    で表される希土類カルボン酸塩を、下記式(III):

    2−O−(CH2nOH …(III)

    [R2は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基または炭素数3〜6の置換脂肪族炭化水素基を表し;そしてnは2または3を表す。]
    で表されるアルコキシアルコールと一緒に加熱して溶液を得る工程、
    2)上記溶液に、下記式(IV):

    Si(OR34 …(IV)

    [R3は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す]
    で表されるケイ素アルコキシド、および上記A元素の化合物、そして必要により上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、
    3)得られた混合液に水分を作用させて混合液をゲル化する工程、および
    4)得られたゲル体を熱分解する工程。
  8. 式(II)においてR1がメチル基である請求項7に記載の蛍光体の製造方法。
  9. 式(III)で表されるアルコキシアルコールが、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシー2−プロパノールおよび3−エトキシー1−プロパノールからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物である請求項7または8のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  10. 式(IV)においてR3がエチル基である請求項7乃至9のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  11. 1)ルテチウム、イットリウム及び/又はガドリニウムの酢酸塩を、2−メトキシエタノールおよび/または2−エトキシエタノールと一緒に加熱して溶液を得る工程、
    2)上記溶液に、テトラエトキシシランおよび上記A元素の化合物、そして必要により上記L元素の化合物を添加して、混合する工程、
    3)得られた混合液に水分を作用させてゲル化する工程、および
    4)得られたゲル体を熱分解する工程、
    からなる請求項7乃至10のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
  12. 蛍光体が、下記基本組成式(V):

    LuxSiOp:aA’,bL’ …(V)

    [A’はCe及び/又はTbを表し;L’は、A’と同一であることなく、Zr、Hf、Sm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し;xは1.5≦x≦2.2の範囲内の数値を表し;pは化合物の電荷を0にするに足りる数値を表し;そしてaは2×10-5<a<6×10-2の範囲内の数値を表し、bは0≦b<1×10-2の範囲内の数値を表す]
    を有する蛍光体である請求項7乃至11のいずれかの項に記載の蛍光体の製造方法。
JP2004065942A 2003-03-14 2004-03-09 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法 Pending JP2004300418A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004065942A JP2004300418A (ja) 2003-03-14 2004-03-09 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003070441 2003-03-14
JP2004065942A JP2004300418A (ja) 2003-03-14 2004-03-09 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004300418A true JP2004300418A (ja) 2004-10-28

Family

ID=33421694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004065942A Pending JP2004300418A (ja) 2003-03-14 2004-03-09 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004300418A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007008983A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Hitachi Chem Co Ltd 無機シンチレータ
JP2007297584A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd シンチレータ用単結晶及びその製造方法
JP2008509270A (ja) * 2004-08-09 2008-03-27 サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール 残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
JP2008195779A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Sharp Corp 発光装置
WO2011148910A1 (ja) * 2010-05-25 2011-12-01 住友金属鉱山株式会社 Eu賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法
US9868900B2 (en) 2010-11-16 2018-01-16 Samuel Blahuta Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10324198B2 (en) 2004-08-09 2019-06-18 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Dense high-speed scintillator material of low afterglow
JP2008509270A (ja) * 2004-08-09 2008-03-27 サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール 残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
US11927708B2 (en) 2004-08-09 2024-03-12 Luxium Solutions, Llc Dense high-speed scintillator material of low afterglow
US8574458B2 (en) 2004-08-09 2013-11-05 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Dense high-speed scintillator material of low afterglow
US11927707B2 (en) 2004-08-09 2024-03-12 Luxium Solutions, Llc Dense high-speed scintillator material of low afterglow
US9534170B2 (en) 2004-08-09 2017-01-03 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Dense high-speed scintillator material of low afterglow
US10890670B2 (en) 2004-08-09 2021-01-12 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Dense high-speed scintillator material of low afterglow
JP4682718B2 (ja) * 2005-06-28 2011-05-11 日立化成工業株式会社 無機シンチレータ
JP2007008983A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Hitachi Chem Co Ltd 無機シンチレータ
JP2007297584A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd シンチレータ用単結晶及びその製造方法
JP2008195779A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Sharp Corp 発光装置
KR101414948B1 (ko) * 2010-05-25 2014-07-04 도호쿠 다이가쿠 Eu 활성화 알칼리 토류 금속 실리케이트 형광체의 제조 방법
JP5409906B2 (ja) * 2010-05-25 2014-02-05 住友金属鉱山株式会社 Eu賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法
WO2011148910A1 (ja) * 2010-05-25 2011-12-01 住友金属鉱山株式会社 Eu賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法
US10647916B2 (en) 2010-11-16 2020-05-12 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element in a tetravalent state
US9868900B2 (en) 2010-11-16 2018-01-16 Samuel Blahuta Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
US10907096B2 (en) 2010-11-16 2021-02-02 Saint-Gobain Cristaux & Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
US11926777B2 (en) 2010-11-16 2024-03-12 Luxium Solutions, Llc Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3987469B2 (ja) 放射線像変換パネル
US7138074B1 (en) Process of preparation of rare earth silicate phosphor
JP2005298678A (ja) セリウム付活ホウ酸ルテチウム系輝尽性蛍光体、放射線像変換パネルおよび放射線画像記録再生方法
JP3269802B2 (ja) 放射線像変換パネル
JP2006250639A (ja) 放射線像変換パネル
JP2004300418A (ja) 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法
US20040245479A1 (en) Stimulable cerium activated lutetium silicate phosphor
JP2001337199A (ja) 放射線像変換パネルおよびその製造方法
JP2006226912A (ja) 放射線像変換パネル
US7087916B2 (en) Radiation image storage panel
JP2006083275A (ja) 希土類ケイ酸塩系蛍光体の製造方法
JP3290497B2 (ja) 輝尽性蛍光体およびその製造法
JP3854000B2 (ja) 両面集光読取方法用放射線像変換パネル
JP2006105597A (ja) 放射線像変換パネル
JP3840424B2 (ja) 輝尽性蛍光体、放射線画像形成方法および放射線画像形成材料
JP2004339506A (ja) セリウム付活ルテチウムケイ酸塩系蓄積性蛍光体
JP2004226269A (ja) 放射線像変換器およびその製造方法
JP2004083809A (ja) 輝尽性蛍光体、放射線画像形成方法および放射線画像形成材料
JP3813794B2 (ja) アルカリハライド系蛍光体および放射線像変換パネル
US6048468A (en) Cerium activated alkaline earth metal fluorohalide phosphor
JP2005233891A (ja) 放射線像変換パネル
JP3796868B2 (ja) 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体の製造方法
JP2002296395A (ja) 放射線画像変換パネル
JP3996364B2 (ja) 放射線像変換パネルの製造方法
JP4054643B2 (ja) 放射線像変換パネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060420

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061213

A977 Report on retrieval

Effective date: 20081125

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20081205

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A601 Written request for extension of time

Effective date: 20090203

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

A602 Written permission of extension of time

Effective date: 20090206

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

A521 Written amendment

Effective date: 20090303

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090414