JP2008187033A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板上に基板側から順次積層された、第1のn型窒化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層と、金属層と、第2のn型窒化物半導体層と、を含み、第2のn型窒化物半導体層の表面上または第2のn型窒化物半導体層の表面上方に電極を備えた窒化物半導体発光素子である。ここで、金属層は水素吸蔵合金であることが好ましい。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の一例の模式的な断面図を示す。ここで、窒化物半導体発光ダイオード素子は、たとえばサファイア等からなる基板1上に、たとえばGaN等からなるバッファ層2、たとえばn型GaN等からなるn型窒化物半導体下地層3、たとえばn型GaN等からなるn型窒化物半導体コンタクト層4、たとえばIn0.25Ga0.75N層とGaN層とを交互に積層した多重量子井戸構造を有する発光層5、たとえばp型AlGaN等からなるp型窒化物半導体クラッド層6、たとえばp型GaN等からなるp型窒化物半導体コンタクト層7、たとえばPd等からなる金属層20、およびn型GaN等からなるn型窒化物半導体層11がこの順序で積層された構成を有している。また、n型窒化物半導体コンタクト層4の表面上にはn側用パッド電極9が形成されており、n型窒化物半導体層11の表面上にはp側用パッド電極10が形成されている。
図7に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図7に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、p型窒化物半導体コンタクト層7と金属層20との間にn型ドーパントとp型ドーパントの双方がドーピングされた半導体層21を含むことに特徴がある。
(実施の形態3)
図8に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図8に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、金属層20とn型窒化物半導体層11との間にn型ドーパントとp型ドーパントの双方がドーピングされた半導体層21を含むことに特徴がある。
(実施の形態4)
図9に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図9に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、p型窒化物半導体コンタクト層7と金属層20との間にn型ドーパントがドーピングされた層とp型ドーパントがドーピングされた層とが交互に積層された半導体層22を含むことに特徴がある。
(実施の形態5)
図10に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図10に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、金属層20とn型窒化物半導体層11との間に、p型窒化物半導体コンタクト層7およびn型窒化物半導体層11のそれぞれよりもバンドギャップの小さい窒化物半導体層23を含むことに特徴がある。
(実施の形態6)
図11に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図11に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、p型窒化物半導体コンタクト層7と金属層20との間に、p型窒化物半導体コンタクト層7およびn型窒化物半導体層11のそれぞれよりもバンドギャップの小さい窒化物半導体層23を含むことに特徴がある。
(実施の形態7)
図12に、本発明に係る窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図12に示す窒化物半導体発光ダイオード素子は、金属層20上にバンドギャップエネルギが発光層5から発光した光の波長に対応するエネルギよりも大きいn型窒化物半導体層110を含むことに特徴がある
このように、n型窒化物半導体層110のバンドギャップエネルギが発光層5から発光した光の波長に対応するエネルギよりも大きい場合には、発光層5から発光した光がn型窒化物半導体層110で吸収されにくくなるため、窒化物半導体発光ダイオード素子の光取り出し効率をさらに向上することができると推測される。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (9)
- 基板と、前記基板上に前記基板側から順次積層された、第1のn型窒化物半導体層と、発光層と、p型窒化物半導体層と、金属層と、第2のn型窒化物半導体層と、を含み、前記第2のn型窒化物半導体層の表面上または前記第2のn型窒化物半導体層の表面上方に電極を備えた、窒化物半導体発光素子。
- 前記金属層は水素吸蔵合金であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記p型窒化物半導体層と前記金属層との間にn型ドーパントとp型ドーパントとを含む半導体層が含まれることを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記半導体層が複数の層からなることを特徴とする、請求項3に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記金属層と前記第2のn型窒化物半導体層との間にn型ドーパントとp型ドーパントとを含む半導体層が含まれることを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記半導体層が複数の層からなることを特徴とする、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記p型窒化物半導体層と前記金属層との間に、前記p型窒化物半導体層および前記第2のn型窒化物半導体層のそれぞれよりもバンドギャップの小さい窒化物半導体層を含むことを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記金属層と前記第2のn型窒化物半導体層との間に、前記p型窒化物半導体層および前記第2のn型窒化物半導体層のそれぞれよりもバンドギャップの小さい窒化物半導体層を含むことを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2のn型窒化物半導体層のバンドギャップエネルギが前記発光層から発光した光の波長に対応するエネルギよりも大きいことを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
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