JP2008177487A - 半導体デバイスを形成する方法 - Google Patents
半導体デバイスを形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008177487A JP2008177487A JP2007011651A JP2007011651A JP2008177487A JP 2008177487 A JP2008177487 A JP 2008177487A JP 2007011651 A JP2007011651 A JP 2007011651A JP 2007011651 A JP2007011651 A JP 2007011651A JP 2008177487 A JP2008177487 A JP 2008177487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- group iii
- iii nitride
- region
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】膜15、17を含む積層19をIII族窒化物領域13上に形成する。膜15は、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を構成元素として含みIII族窒化物と異なる無機化合物からなる。膜17はIII族窒化物からなる。積層19の膜15、17をエッチングしてマスク19aを形成する。マスク19aは最下層15aと最上層17aを含む。マスク19aは、第2の領域13bに位置する開口19bを有し、開口19bには第2の領域13bが露出され、最下層15aで第2の領域13bが覆われる。マスク19aを用いてIII族窒化物領域13の主面13c上にMOCVD炉でIII族窒化物が再成長されると共に、成膜ガスがマスク19a上でも消費されてマスク19a上にも堆積物25が生じる。
【選択図】図2
Description
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.42 (2003) pp.6276
図1〜図3は、本発明の実施の形態に係る半導体デバイスを形成する方法における製造工程を模式的に示す図面である。引き続く説明では、半導体デバイスの一例としてショットキバリアダイオードを製造する方法を説明する。図1(A)を参照すると、基板11上にIII族窒化物領域13が成長されている。基板11としては、GaN、AlGaN、AlNといったIII族窒化物基板を用いることができ、しかしながら、本実施の形態に係る半導体デバイスは、III族窒化物基板に限定されることなく、例えばサファイア基板、Si基板、SiC基板、ZrB2基板等も用いることができる。III族窒化物領域13は、例えば、AlNおよび窒化ガリウム系半導体といったIII族窒化物であることができ、窒化ガリウム系半導体としてはGaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等が用いられる。
MOCVD法を用いて、低転位GaN基板上に6μmのGaNエピタキシャル層を成長した。このGaNエピタキシャル層上に、プラズマCVD(pCVD)装置を用いて1μmのSiN層を成長した後、スパッタを用いて0.1μmのAlNを成長した。レジストマスクを形成して、アンモニア水を用いてAlNをエッチングした後、(110)バッファードフッ酸(以下、「BHF(110)」と記す)を用いてSiN膜のエッチングを行った。レジストを除去した後、p型GaNの選択成長を行った。選択成長したp型GaN膜の平均膜厚は0.3μmであった。その後、BHF(110)を用いて、選択成長用マスク(AlN/SiNマスク)の除去を行った後、Au電極(ショットキ電極)を蒸着した。これらの工程により、再成長を用いたガードリング構造を有するショットキバリアダイオードが完成した。
MOCVD法を用いて、低転位GaN基板上に6μmのGaNエピタキシャル層を成長した。このGaNエピタキシャル層上に、pCVD装置を用いて1μmのSiN層を成長した後、スパッタ装置を用いて0.1μmのAlN層を成長した。フォトリソグラフィ法でレジストマスクを形成し、アンモニア水を用いてAlN層をエッチングした後、BHF(110)を用いてSiN膜のエッチングを行った。さらに、ドライエッチング(Cl2ガス使用、出力100W)で0.3μmのn型GaN層をエッチングした。レジストマスクを除去した後、p型GaNの選択成長を行った。選択成長したp型GaNの平均膜厚は0.3μmであった。その後、BHF(110)を用いて、選択成長用マスク(AlN/SiNマスク)の除去を行った後、Au電極(ショットキ電極)を蒸着した。これらの工程により、埋め込み成長を用いたガードリング構造が完成した。
本実施の形態に係る半導体デバイスを形成する方法は、ショットバリアダイオードを作製する方法に限定されることなく、引き続く説明される別の構造を有する縦型トランジスタを作製する方法にも適用される。図6〜図8は、本発明の実施の形態に係る縦型トランジスタを形成する方法における製造工程を模式的に示す図面である。
MOCVD法を用いて、低転位GaN基板上に6μmのGaNエピタキシャル層を成長した。その上に、pCVD装置を用いて1μmのSiN層を成長した後、スパッタ装置を用いて1μmのAlN層を成長した。レジストマスクを形成し、アンモニア水を用いてAlN層をエッチングした後、BHF(110)を用いて、SiN膜をエッチングした。さらに、ドライエッチング(Cl2ガス、出力100ワット)で、0.3μmのn型GaN層をエッチングした。レジストを除去した後、p型GaNウェル層の選択成長を行った。選択成長したp型GaN膜の平均膜厚は0.3μmであった。その後、BHF(110)を用いて、選択成長用マスク(AlN/SiNマスク)を除去した。その後、Siイオン注入および活性化アニールを行って、n+GaNコンタクト層を形成した。p型ウエル層上にゲート絶縁膜を形成し、さらにドレイン電極、ソース電極、ゲート電極を形成した。これらの工程により、p型ウェル層の埋め込み成長を用いた縦型トランジスタ構造が完成した。
MOCVD炉を用いて、低転位GaN基板上に6μmのn型GaNエピタキシャル層、および0.3μmのp型GaNエピタキシャル層を成長した。この層上に、pCVD装置を用いて1μmのSiN層を成長した後、スパッタ装置を用いて0.1μmのAlN層を成長した。レジストマスクを形成し、アンモニア水を用いてAlN層をエッチングした後、BHF(110)を用いて、SiN膜のエッチングを行った。さらに、ドライエッチング(Cl2ガス、出力100ワット)でp型GaN層およびn型GaN層をエッチングして深さ0.5μmの溝を形成した。レジストを除去した後、n型GaNドリフト層の選択成長を行った。選択成長したn型GaNの平均膜厚は0.5μmであった。その後、BHF(110)を用いて、選択成長用マスク(AlN/SiNマスク)を除去した。シリコンのイオン注入・活性化アニールを行って、n+型GaNコンタクト層を形成した。ゲート絶縁膜を形成した後に、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極などを形成する。これらの工程により、n型GaNドリフト層の埋め込み成長を用いた縦型トランジスタが完成した。
MOCVD法を用いて、サファイア基板(以下、「Sap基板」と記す)上に6μm厚のGaNエピタキシャル層を成長した。その際、エピタキシャル層のシリコン(Si)濃度が1×1016cm−3となるようにSiドーパント(例えばSiH4)の流量を調整した。そのエピタキシャル層に対し、12種類の評価試料を以下のような準備した:
試料1:電子ビーム(EB)法を用いてSiO2膜を1μm成膜した。SiO2膜上にフォトリソグラフィを用いてレジストマスクを形成し、BHF(110)を用いてSiO2膜の選択エッチングを行った。
試料2:EB法を用いてSiN膜を1μm成膜した。SiN膜上にレジストマスクを形成し、BHF(110)を用いてSiN膜の選択エッチングを行った。
試料3:EB法を用いてSiO2膜を1μm成膜した後、スパッタを用いてAlNを0.1μm成膜した。AlN膜上にレジストマスクを形成し、アンモニア水を用いてAlNを選択エッチングを行った後、BHF(110)を用いてSiO2膜の選択エッチングを行った。
試料4:pCVD装置を用いSiO2膜を1μm成膜した。SiO2膜上にレジストを形成し、BHF(110)を用いSiO2膜の選択エッチングを行った。
試料5:pCVD装置を用いSiN膜を1μm成膜した。SiN膜上にレジストマスクを形成し、BHF(110)を用いSiN膜の選択エッチングを行った。
試料6:pCVD装置を用いてSiO2膜を1μm成膜した後、スパッタを用いてAlNを0.1um成膜した。AlN膜上にレジストマスクを形成し、アンモニア水を用いてAlNを選択エッチングを行った後、BHF(110)を用いてSiO2膜のエッチングを行った。
試料7:pCVD装置を用いてSiN膜を1μm成膜した後、スパッタを用いてAlNを0.1μm成膜した。AlN膜上にレジストマスクを形成した後に、アンモニア水を用いてAlNを選択エッチングを行い、この後にBHF(110)を用いてSiN膜のエッチングを行った。
試料8:スパッタを用いてAlNを1μm成膜した。AlN膜上にレジストマスクを形成し、アンモニア水を用いてAlNの選択エッチングを行った。
また、埋め込み成長に関しては
試料9:試料4に対し更に、レジストマスクを用いエッチングガスCl2によりGaNエピタキシャル層を0.5μmエッチングした。
試料10:試料6に対し更にレジストマスクを用いてエッチングガスCl2によりGaNエピタキシャル層を0.5μmエッチングした。
試料11:試料8に対して更にレジストマスクを用いてエッチングガスCl2によりGaNエピタキシャル層を0.5μmエッチングした。
参照のために
試料12:何も処理なし(マスク全くなし、as grown)
を準備した。フォトレジストマスクを除去した後、これらの試料上にMOCVD法でGaNエピタキシャル層を成長した。成膜条件は先ほどの成長条件と同じ条件であり、Si濃度が1×1016cm−3となるようにSiH4流量を調整した。
試料番号 Si濃度(cm−3)
試料1:5.2×1018 (SiO2:EB)
試料2:7.5×1018(SiN:EB)
試料3:8.2×1016(AlN/SiO2:EB)
試料4:4.2×1017(SiO2:pCVD)
試料5:5.3×1017(SiN:pCVD)
試料6:1.6×1016(AlN/SiO2:pCVD)
試料7:1.8×1016(AlN/SiN:pCVD)
試料8:1.4×1016(AlN)
試料9:5.1×1017(試料4の埋め込み成長)
試料10:1.9×1016(試料6の埋め込み成長)
試料11:1.7×1016(試料8の埋め込み成長)
試料12:1.0×1016(何もなし)
となった。選択成長マスク(SiO2やSiN)上の最表面にAlN膜を用いることにより、さらに大幅なSi混入を抑制することが可能となった。さらに、SiO2の成膜をEB法から、より緻密な膜が成膜できるpCVD法に変更することにより、エピタキシャル層中へのシリコン汚染を大幅に抑制することが可能となった。
(1)選択成長されたエピタキシャル層にシリコンの混入の大幅に抑制することができる。
(2)選択成長されたエピタキシャル層のエッジ部分の段差を小さくできる。
(3)マスク除去後におけるエピタキシャル層表面へのダメージのない。
特に、選択成長中のシリコンを大幅に低減して(例えば1×1017cm−3未満)することができ、選択成長されたエピタキシャル層の電気特性の幅広い制御が可能になる。すなわち、残留シリコンを大幅に低減することにより、パワーデバイスに不可欠な低キャリア濃度のエピタキシャル層の成長、高抵抗のエピタキシャル層の成長を提供できる。また、p型のエピタキシャル層を容易に作製することが可能となる。また、本実施例では、AlN/SiO2、AlN/SiNをマスクに用いたが、本実施の形態は、このような特定の実施例に限定されることなく、GaN/SiO2、GaN/SiN、AlGaN/SiO2、AlGaN/SiN等の組み合わせを用いることができ、同様の効果がある。また、2層からなるマスクだけでなく、AlN/GaN/SiO2、AlN/GaN/SiN等も用いることができる。さらに、本実施の形態は、半導体デバイスには、ショットキバリアダイオード、縦型トランジスタに限定されることはなく、HEMTのコンタクト層等にも適用される。
Claims (17)
- III族窒化物半導体を用いる半導体デバイスを形成する方法であって、
第1及び第2の領域を有するIII族窒化物領域上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いてIII族窒化物半導体を成長する工程と、
前記マスクを除去する工程と
を備え、
前記マスクは複数の層から構成され、
前記マスクの前記複数の層のうち最上層は、III族窒化物から成り、
前記マスクの前記複数の層のうち最下層は、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を構成元素として含みIII族窒化物と異なる無機化合物からなり、
前記最下層は前記第1の領域を覆っており、
前記マスクは、前記第2の領域に位置する開口を有している、ことを特徴とする方法。 - 前記マスクの前記最上層はGaNから成る、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記マスクの前記最上層はAlNから成る、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記マスクの前記最上層はAlGaNから成る、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記マスクの前記最上層は、構成元素として少なくともAlおよびInを含むIII族窒化物から成る、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記マスクの前記最下層はアルミニウム酸化物から成る、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載された方法。
- 前記マスクの前記最下層はシリコン無機化合物から成る、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載された方法。
- 前記III族窒化物半導体はp導電性を示す、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載された方法。
- 前記III族窒化物半導体は1×1017cm−3以下のシリコン濃度を示す、ことを特徴とする請求項7または請求項8に記載された方法。
- 前記マスクを用いて前記III族窒化物領域をエッチングして、前記III族窒化物領域の前記第2の領域に凹部を形成する工程を更に備え、
前記III族窒化物半導体は、前記マスクを用いて前記III族窒化物領域の前記凹部に埋め込み成長される、ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載された方法。 - 前記マスクの形成に先立って、主面を有するIII族窒化物層を形成する工程を更に備え、
前記III族窒化物領域は前記III族窒化物層を含み、
前記マスクは、前記III族窒化物層の前記主面上に形成されており、
前記III族窒化物半導体は、前記マスクを用いて前記III族窒化物層上に再成長される、ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載された方法。 - 前記半導体デバイスは、ショットキバリアダイオードであり、
当該方法は、前記マスクを除去した後に、前記III族窒化物領域上にショットキ電極を形成する工程とを更に備え、
前記III族窒化物領域は、前記ショットキバリアダイオードのためのn型ドリフト層を含み、
前記III族窒化物半導体は、前記III族窒化物領域上に再成長されたp型ガードリング層を含む、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載された方法。 - 前記半導体デバイスは、ショットキバリアダイオードであり、
前記III族窒化物領域は、前記ショットキバリアダイオードのためのn型ドリフト層を含み、
当該方法は、
前記III族窒化物半導体を成長するに先立って、前記マスクを用いて前記III族窒化物領域をエッチングして前記III族窒化物領域の前記第2の領域に凹部を形成する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記III族窒化物領域上にショットキ電極を形成する工程と
を更に備え、
前記III族窒化物半導体は、前記III族窒化物領域の前記凹部に埋め込み成長されたp型ガードリング領域を含む、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載された方法。 - 前記半導体デバイスは縦型トランジスタであり、
前記III族窒化物領域は前記縦型トランジスタのためのn型ドリフト層を含み、
前記III族窒化物半導体は、前記III族窒化物領域に埋め込み成長されたp型ウエル領域のために形成されており、
当該方法は、
前記III族窒化物半導体を成長するに先立って、前記マスクを用いて前記III族窒化物領域をエッチングして前記III族窒化物領域の前記第2の領域に凹部を形成する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記p型ウエル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と
を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載された方法。 - 前記半導体デバイスは縦型トランジスタであり、
当該方法は、
前記マスクの形成に先立って、主面を有しており前記縦型トランジスタのp型ウエル領域のためのIII族窒化物層を形成する工程と、
前記III族窒化物半導体を成長するに先立って、前記マスクを用いて前記III族窒化物領域をエッチングして前記III族窒化物領域の前記第2の領域に凹部を形成する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記p型ウエル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と
を更に備え、
前記III族窒化物半導体は、前記III族窒化物層に埋め込み成長されたn型ドリフト領域のために形成されており、
前記III族窒化物領域は前記III族窒化物層を含み、
前記マスクは、前記III族窒化物層の前記主面上に形成されている、ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載された方法。 - 前記マスクは2層から成り、
前記最下層のマスク厚は前記最上層のマスク厚よりも厚い、ことを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載された方法。 - 前記マスクを用いて成長されるIII族窒化物半導体の膜厚は、前記マスクの厚さよりも薄い、ことを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載された方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007011651A JP4876927B2 (ja) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | 半導体デバイスを形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007011651A JP4876927B2 (ja) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | 半導体デバイスを形成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177487A true JP2008177487A (ja) | 2008-07-31 |
JP4876927B2 JP4876927B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=39704268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007011651A Expired - Fee Related JP4876927B2 (ja) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | 半導体デバイスを形成する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4876927B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010166012A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | オーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2011061000A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 |
WO2012053071A1 (ja) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014041917A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体を作製する方法、半導体素子を作製する方法、iii族窒化物半導体装置、熱処理を行う方法 |
JP2018107339A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
JP2018137393A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019036606A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
CN114846589A (zh) * | 2019-12-26 | 2022-08-02 | 京瓷株式会社 | 半导体元件的制造方法以及半导体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005119787A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-15 | Cree, Inc. | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions and nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions |
JP2006100645A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | GaN系半導体集積回路 |
-
2007
- 2007-01-22 JP JP2007011651A patent/JP4876927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005119787A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-15 | Cree, Inc. | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions and nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions |
JP2006100645A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | GaN系半導体集積回路 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010166012A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | オーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2011061000A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 |
WO2012053071A1 (ja) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8969921B2 (en) | 2010-10-20 | 2015-03-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2014041917A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体を作製する方法、半導体素子を作製する方法、iii族窒化物半導体装置、熱処理を行う方法 |
JP2018107339A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
JP2018137393A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019036606A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
CN114846589A (zh) * | 2019-12-26 | 2022-08-02 | 京瓷株式会社 | 半导体元件的制造方法以及半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4876927B2 (ja) | 2012-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5564815B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4876927B2 (ja) | 半導体デバイスを形成する方法 | |
JP5406452B2 (ja) | 窒化物ベースのトランジスタ及びトランジスタ構造体のキャップ層及び/又は不活性層並びにそれらの製造方法 | |
JP5396369B2 (ja) | 半導体基板構造および半導体素子 | |
JP2007165431A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
US20110042719A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device | |
JP4786730B2 (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2006279032A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011505064A (ja) | 電子デバイスの作製プロセス | |
US20090026466A1 (en) | QUASI SINGLE CRYSTAL NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER GROWN OVER POLYCRYSTALLINE SiC SUBSTRATE | |
KR101943356B1 (ko) | 선택 성장을 이용한 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
TW202220102A (zh) | 半導體結構及其製作方法 | |
JP6879177B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
TW202145579A (zh) | 具有鈹摻雜的肖特基接觸層的空乏型高電子遷移率場效電晶體(hemt)半導體裝置 | |
JP5056206B2 (ja) | Iii族窒化物系半導体トランジスタおよびiii族窒化物半導体積層ウエハ | |
JP2009246307A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010114219A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN113140630A (zh) | 增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法 | |
JP2011108724A (ja) | ヘテロ接合電界効果型トランジスタ用基板、ヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法およびヘテロ接合電界効果型トランジスタ | |
TWI497721B (zh) | 增強型氮化鎵電晶體及其形成方法 | |
JP6493005B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI791364B (zh) | 常關型氮化鎵元件的製造方法 | |
US11876120B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2009259952A (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
WO2022032576A1 (zh) | 半导体结构及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |