JP2008171546A - 半導体メモリ素子及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体メモリ素子は、コア領域とインターフェス領域との間にデータを伝達するためのグローバルデータラインと、ターミネーションイネーブル信号に応答して、予定されたターミネーション電圧レベルで前記グローバルデータラインを駆動するメイン駆動手段と、前記ターミネーションイネーブル信号のアクティブ区間の初期に一定時間の間アクティブになるオーバードライビング信号に応答して、前記グローバルデータラインを予定されたターミネーション電圧レベルで駆動する補助駆動手段とを備える。
【選択図】図6
Description
110 メインターミネーション駆動部
120 補助ターミネーション駆動部
Claims (16)
- コア領域とインターフェス領域との間にデータを伝達するためのグローバルデータラインと、
ターミネーションイネーブル信号に応答して、予定されたターミネーション電圧レベルで前記グローバルデータラインを駆動するメイン駆動手段と、
前記ターミネーションイネーブル信号のアクティブ区間の初期に一定時間の間アクティブになるオーバードライビング信号に応答して、前記グローバルデータラインを予定されたターミネーション電圧レベルで駆動する補助駆動手段と
を備えることを特徴とする半導体メモリ素子。 - 前記ターミネーションイネーブル信号を受信して、前記オーバードライビング信号を生成する信号生成手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。
- 前記オーバードライビング信号が、一定時間の間アクティブになる第1オーバードライビング信号及び第2オーバードライビング信号であることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。
- 前記信号生成手段が、
前記ターミネーションイネーブル信号を前記一定時間遅延させる遅延部と、
前記ターミネーションイネーブル信号と遅延部の出力信号とを受信して、前記第1オーバードライビング信号及び第2オーバードライビング信号を出力する出力部と
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子。 - 前記遅延部が、少なくとも一つ以上であって奇数個のインバータを備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ素子。
- 前記グローバルデータラインに載せられたデータをラッチするラッチ手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。
- 前記ラッチ手段が、前記ターミネーションイネーブル信号に応答する3状態ラッチであることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ素子。
- 前記補助駆動手段が、
前記第1オーバードライビング信号に応答して、第1電源電圧と前記グローバルデータラインとの間に第1電流経路を形成する第1補助駆動部と、
前記第2オーバードライビング信号に応答して、前記グローバルデータラインと第2電源電圧との間に第2電流経路を形成する第2補助駆動部と
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子。 - 前記メイン駆動手段が、
前記ターミネーションイネーブル信号を反転した信号に応答して、前記第1電源電圧と前記グローバルデータラインとの間に第3電流経路を形成する第1メイン駆動部と、
前記ターミネーションイネーブル信号に応答して、前記グローバルデータラインと第2電源電圧との間に第4電流経路を形成する第2メイン駆動部と
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子。 - 前記第1電源電圧が外部電圧であり、前記第2電源電圧が接地電圧であることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子。
- 前記一定時間の間前記第1補助駆動部及び第2補助駆動部と第1メイン駆動部及び第2メイン駆動部とが前記グローバルデータラインを駆動することを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ素子。
- 前記一定時間以後に前記第1メイン駆動部及び第2メイン駆動部が前記グローバルデータラインを駆動することを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ素子。
- 前記ターミネーション電圧レベルが、前記外部電圧の1/2であることを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ素子。
- コア領域とインターフェス領域との間にデータを伝達するためのグローバルデータラインを備える半導体メモリ素子の駆動方法であって、
ターミネーションイネーブル信号のアクティブ区間の初期に一定時間の間予定されたターミネーション電圧レベルで前記グローバルデータラインを駆動するステップと、
前記駆動ステップ以後に、前記グローバルデータラインを前記駆動時の駆動力より低い駆動力で駆動するステップと
を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の駆動方法。 - 前記予定されたターミネーション電圧レベルが、外部電圧の1/2であることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ素子の駆動方法。
- コア領域とインターフェス領域との間にデータを伝達するためのグローバルデータラインと、
ターミネーションイネーブル信号に応答して、予定されたターミネーション電圧レベルで前記グローバルデータラインを駆動するメイン駆動手段と、
前記ターミネーションイネーブル信号のアクティブ区間の初期に一定時間の間アクティブになるオーバードライビング信号に応答して、前記グローバルデータラインを予定されたターミネーション電圧レベルで駆動する補助駆動手段とを備え、
前記信号生成手段が、
前記ターミネーションイネーブル信号を前記一定時間遅延させる遅延部と、
前記ターミネーションイネーブル信号と遅延部の出力信号とを受信して、
前記オーバードライビング信号として、一定時間の間アクティブになる第1オーバードライビング信号及び第2オーバードライビング信号を出力する出力部とを備え、
前記遅延部が、少なくとも一つ以上であって奇数個のインバータを備えることを特徴とするターミネーション回路。
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