JP2008166756A - カーボンナノチューブに基づく層間配線要素 - Google Patents

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Abstract

【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。
【選択図】図２ｂ

Description

本発明は、マイクロエレクトロニクスの領域、より詳細には集積回路内部の層間配線要素の領域に関する。
集積回路の２つの異なるプラン間の電気的接続は、従来、ビアホールによって具体化されている。ビアホールは、下側導電層と上側導電層とを分離している絶縁層を横断する孔としてみなすことができ、この孔は、両層間の電気的接続を保証するために、一般に銅といった金属で充填される。
この種の接続は、マイクロメートル的な層間配線手段には良好である。しかし、より小さいラテラル寸法を備える設計には、１００ｎｍ未満の、または５０ｎｍ未満でさえもの直径のビアホールを利用するという制約がある。それゆえホールの高さ／直径比は高くなり、当該のホールが最終的に完全に充填される前にその上部で部分的な閉塞を受けやすいという事実のために、金属デポジットを特に微妙にさせる。加えて、ビアホールの直径がより小さくなればなるほど、エレクトロマイグレーション現象が過敏になり、それによって流れることができる最大電流および接続の寿命の両方を低減させる。最終的に、ビアホールの直径の縮小は増大した層間配線抵抗をもたらし、集積回路の最大機能速度を同じ程度だけ低減させる。
上記の欠点を克服するために、金属ビアホールをカーボンナノチューブの配列によって代替することが提案された。それらの優れた伝導特性および、それらの機械的および熱的安定性のために、カーボンナノチューブは、極めて小さい寸法のビアホールへの使用に実に適している。そのようなビアホールは、例えばＷＯ０１／６１７５３出願に記載されている。
図１は、当業において既知のナノチューブを用いたビアホールを例示している。簡略化の理由で、基板は図示されていない。
ビアホールは、誘電層１３０によって分離された下側導体１１０と上側導体１２０との間の接続を付与する。ホール１４０は、下側導体から上側導体まで及んでいるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１５０を含む。
ＣＮＴは触媒合成によって作られる。より正確には、触媒（一般にニッケルナノ粒子を使用）は、蒸気相での化学蒸着段階（ＣＶＤ）の間にＣＮＴ形成を開始させるために下側導体上に付着される。ＣＮＴは引き続き下側導体から上側導体へ成長する。触媒デポジットはビアホールの底部において局所化されなければならない。それに反して、触媒がホールの壁面に付着した場合、これはＣＮＴのラテラル成長を増強し、それは下側および上側導体間の電気的接続の唯一の効果的な関与者である垂直配列の成長を乱すか、または妨げさえする。ホールの壁面への付着を防ぐことは、直径が小さい場合、よりいっそう肝要である。
ＣＮＴの寄生的ラテラル成長を回避するために、Ｆ．クループル（Kreupl）により発表された「層間配線用途のためのカーボンナノチューブ（Carbon Nanotubes for Interconnect Applications）」（マイクロエレクトロニックエンジニアリング（Microelectron.Eng.）６４、ｐ．３９９−４０８、２００２）と題する論文において、誘電層の付着に着手する前に初めに下側導体上での触媒の付着に着手することが提案された。ホールは引き続き、ＣＮＴを成長させる前に触媒領域までエッチングされる。この技法を具体化することは、それがエッチングプロセスを数ナノメートルの厚さの触媒層で停止させることを要求するので、極めて繊細である。さらに、触媒層の物理化学的特性は誘電層の付着およびエッチングの諸段階によって影響を受けるかもしれず、そしてその触媒活性は結果的に著しく影響を受けるかもしれない。
どのような触媒付着の様式が選択されるにせよ、それはＣＮＴを下側導体から成長させることを伴い、そして一般的に言えば、次のステップは化学機械的平坦化（ＣＭＰ）に移ることを含む。引き続き、上側導体が平坦化された表面に付着される。
この技法で生じる主な難題は、ＣＮＴと下側および上側導体との間でオーム接点を得ることである。上側導体の付着は比較的低い温度で実行され、アニーリングは集積回路の熱収支に負担をかけるであろう。
本発明の第１の目的は、ナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を実現することである。
本発明の第２の目的は、触媒層への損傷の危険にさらすことなくＣＮＴのラテラル成長を制限または著しく低減することである。
本発明の第３の目的は、カーボンナノチューブの成長後の研磨ステップを排除することである。
本発明は、マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素によって規定され、要素は、
−下側導体と称する第１の導体と、
−前記第１の導体上の誘電層と、
−前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体と、
−一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞とを含んでおり、
上側導体は下側導体の上方にブリッジを形成しており、空洞はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベントを形成している。
第１の実施形態によれば、前記要素は、前記下側導体の上面にカーボンナノチューブの成長を助長する触媒層を含む。
この場合、それはまた、下側導体の上面と触媒層との間に拡散バリア層を含んでもよい。
変種によれば、それはカーボンナノチューブの成長を抑制するための層を含んでおり、前記抑制層は触媒層上に付着されており、付着される領域は後者上へのベントの直角投影にほぼ対応する区域を被う。
引き続きナノチューブの導電性配列が空洞に形成され、前記配列は触媒層から上側導体の下面まで及んでいる。
有利には、電気的接触層が上側導体の下に直接配置されてもよい。
本発明の第２の実施形態によれば、前記要素は、前記上側導体の下面上にカーボンナノチューブの成長を助長する触媒層を含む。
この場合、それはまた上側導体と触媒層の下面との間に拡散バリア層を含んでもよい。
引き続きナノチューブの導電性配列が空洞に形成され、前記配列は触媒層から下側導体の上面まで及んでいる。
有利には、電気的接触層が上側導体の下に直接配置されてもよい。
この特定の場合において、カーボンナノチューブの配列が空洞に形成され、前記配列は触媒層から電気的接触面まで及んでいる。
電気的接触層の構成材料はパラジウムまたはニッケルであるとしてよい。
拡散バリア層の構成材料は、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルであるとしてよい。
触媒層は、ニッケル系金属ナノ粒子、ニッケル−パラジウム合金、鉄、イットリウム、プラチナまたはコバルトを含むとしてよい。
カーボンナノチューブは、単層または多層タイプのナノチューブを含むとしてよい。
下側導体および／または上側導体の構成材料は、銅、アルミニウム、ケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトであるとしてよい。
本発明はまた、マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素を製造する方法に関連し、方法は、
−下側導体と称する第１の導体を実現するステップと、
−下側導体上への第１の誘電体の層を実現するステップと、
−前記誘電層上での上側導体と称する第２の導体を実現するステップと、
−一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる空洞を実現するステップとを含んでおり、
上側導体は下側導体の上方にブリッジを形成しており、空洞はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベントを形成している。
第１の実施形態によれば、方法は以下のステップ、
−ダマシン形式技法を用いた前記誘電体の層において下側導体のデザインを実現するステップと、
−拡散バリア層の付着が先立つにせよしないにせよ、カーボンナノチューブの成長を助長する触媒層の付着と、
−第１の誘電層の付着および触媒層上に現れるその空洞のエッチングと、
−第２の誘電体の付着による前記空洞の充填と、
−ダマシン形式技法を用いた第２の誘電体における上側導体の実現と、
−第２の誘電体の選択エッチングとを含む。
好ましくは、第２の誘電体の選択エッチングステップの後に、カーボンナノチューブの成長を抑制するための層の直接付着が続くべきであり、それにより前記抑制層は、上側導体の下面に対面する空洞の底部の区域を除き、前記空洞の内部を被う。
有利には、電気的接触層は第２の誘電体の付着後かつ上側導体の実現の前に付着される。
第２の実施形態によれば、方法は以下のステップ、
−ダマシン形式技法を用いた前記誘電体の層における第１の導体のデザインの実現と、
−第１の誘電層の付着および下側導体上に現れるその空洞のエッチングと、
−第２の誘電体の付着による前記空洞の充填と、
−カーボンナノチューブの成長を助長する触媒層とともに、ダマシン形式技法による第２の誘電体における上側導体の実現と、
−第２の誘電体の選択エッチングとを含む。
好ましくは、触媒層の実現の後に拡散バリア層の付着が続くべきである。
有利には、触媒層および、適用可能であれば、拡散バリア層は、上側導体のパターンを画成しているエッチング側壁の上方に突出部を形成するハードマスクを通じて付着される。
電気的接触層が誘電層の付着の前に下側導体上に直接付着される。
方法は引き続き触媒層からのカーボンナノチューブの成長のステップを含んでもよい。
ナノチューブの成長の前記ステップの後、誘電材料の第２の層の付着に移ることが有利であり、それは上側導体を被っており、上側導体が当該構造の表面に見えるようになるまでそうして得られた構造を研磨することによって平坦化される。
上記の方法のステップは繰り返すことができ、現在の繰り返しの上側導体は以後の繰り返しにおいて下側導体の役割を果たす。
本発明のさらなる特徴および利益は、添付図面に関してなされる本発明の好ましい実施形態の読解時に明白となるであろう。
本発明の基本概念は、誘電層に作られた空洞の上方にブリッジ構造を備える層間配線要素を実現することであり、前記空洞は、一方で下側導体の上へ現れており、他方で上側導体の両側にベントを形成している。
一般的な様態において、本発明は、マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つのコネクタを層間配線するために設計された要素の実現を可能にする。要素はその後、反応装置に入れられ、そこにおいてさらにカーボンナノチューブの成長が実行される。
ＣＮＴ成長段階の前または後のいずれかの要素の構造は本発明の一部であると理解することが重要である。
図２ａは、ＣＮＴ成長段階前の層間配線要素の平面図を図示している。図２ｂおよび２ｃはそれぞれ、ＸＸ’軸に沿った下側導体およびＹＹ’軸に沿った上側導体の同じ要素の断面を図示している。
簡略化の理由で、基板は図２ａ〜２ｃには図示されておらず、そしてそれは以降の図にも当てはまる。
層間配線要素２００は、ここでは導電ラインの形態を有する下側導体２１０を含む。下側導体は誘電層２３０によって被われており、その上に上側導体２２０が、同様にここでは第１のものに直交する導電ラインの形態で示されて配置されている。しかし、本発明が直交する導電ラインに限定されないことは明らかなはずである。導体は、連結されたかまたは別様に、より複雑なデザインまたはパターンを呈していてもよく、同様に本発明の範囲内に留まりながら非直交的な交差を呈してもよい。下側導体は、例えば、ＣｕまたはＡｌの金属層である。誘電層２３０は、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４であり、またはＳｉＯＣであってもよい。
空洞２４０が、一方で下側導体２１０上に、そして他方で上側導体上に現れるように誘電層２３０に設けられている。上側導体２２０は、空洞および下側導体の上方にブリッジを形成する。この空洞は、それが酸化物の上面に現れる水平面で、上側導体２２０の両側に２つのベント２４３を形成している。そうするために、酸化物の上面の平面内の層間配線点Ｐで上側導体の直交軸に従って得られる空洞の寸法ｌｃ ｓｕｐは、この導体の幅Ｌｓｃよりも著しく大きくなるように選定される。
ベント２４３の大きさは、図２ｂにおいて矢線で示されたように、上側導体の下で空洞のガスの流れの自由な循環を可能にするために十分に大きいように選定される。
有利には、層間配線点Ｐにおいて、それが下側導体上に現れる水平面で、下側導体の直交軸に従って得られる空洞の寸法ｌｃ ｉｎｆは、その上面の幅全体が空洞の底面で開かれるように、導体の幅Ｌｉｃよりもわずかに大きいとして選定される。
図３ａおよび３ｂは、本発明の第１の実施形態に従った層間配線要素を図示している。図３ａは、ＣＮＴ成長段階の後の前記要素の上面図を図示している。図３ｂは、ＸＸ’軸に沿ったこの要素の断面を図示している。
この実施形態では、触媒層２６０が、空洞２４０の底部の下側導体２１０の上面に付着された。有利には、バリア層が触媒層上に前もって付着され、それによって下側導体への触媒の拡散を回避するであろう。上側導体の両側にあるベント２４３は、ＣＮＴの触媒合成段階の間のガスの循環を可能にする。ナノチューブ２５０は、下側導体の上面上で開始し、それらが上側導体の下面と接触するまで自由に成長する。ベント２４３の水平面で、ナノチューブの成長は、２５１において示したように、上側導体２２０の両側で誘電層２３０を越えて生じる。２５１でのＣＮＴ突出部は、付加的な任意の平坦化ステップによって除去することができる。このステップは、後に明らかにする通り、複数水平面の層間配線が要求される場合、必要であろう。
図４ａおよび４ｂは本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を図示している。以前と同様、図４ａはＣＮＴ成長段階の後の前記要素の上面図を図示しており、図４ｂはＸＸ’軸に沿ったこの要素の断面を図示している。
この第２の実施形態は、触媒層２６０が保護または抑制層２６１で部分的に被覆されるという点で第１のものと異なる。より正確には、この抑制層は、空洞の底でベントの直角投影にほぼ対応する触媒層２６０の領域を被う。このようにして、ＣＮＴ成長はベントの上で抑制され、それはＣＮＴ成長を上側導体および下側導体と対面する区域に制限する。同様に、ガスの循環は結果的に助長され、それは空洞におけるＣＮＴ成長を著しく高める。
図５ａおよび５ｂは、本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を図示している。以前と同様、図５ａはＣＮＴ成長段階の後の前記要素の上面図を図示しており、図５ｂはＸＸ’軸に沿ったこの要素の断面を図示している。
この好ましい実施形態は、触媒層２６０が上側導体２２０の下面にあるという点で前のものと異なる。ＣＮＴ成長は従ってこの表面から生じ、やがてナノチューブは下側導体２１０の上面と接触する。この実施形態は抑制層の付着を必要とすることなく寄生的ラテラル成長をもたらさない点に留意しなければならない。さらに、ベント２４３は成長段階全体の間のガスの循環を可能にする。有利には、ナノチューブと下側導体との改善された電気的接触を可能にする層を後者の表面に直接付着させてもよい。
本発明の第４の実施形態によれば（図示せず）、触媒層は、第１または第２の実施形態と同様に下側導体２１０の上面および、第３の実施形態と同様に上側導体２２０の下面の両方に付着される。従って、ナノチューブの成長は２つの対向する方向で生じる。より具体的には、ＣＮＴの第１の配列が下側導体の上面から上側導体の下面に向けて成長するのに対し、ＣＮＴの第２の配列が上側導体の下面から下側導体の上面に向けて成長する。この実施形態は、空洞におけるＣＮＴのより高い密度につながり、それゆえ接続品質を向上させる。
第１から第４の実施形態の変種によれば、誘電層２３０は、例えば金属層などの埋め込み導電層を含んでもよい。この導電層は、図３ｂにおいて、すなわち第１の実施形態の例証として表現されている。この導電層２７０に適切に極性を与えることによって、ＣＮＴの導電率は増大させることができる。
図６ａ〜６ｊは、本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法のステップを図示している。第１の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法は、繰り返しを避けるために明示的には説明しない。それが第２の実施形態とどのように異なるかの詳細は以下で詳述する。
図６ａ〜６ｊのそれぞれで、下側導体のＸＸ’軸に沿った層間配線要素の断面は左に図示され、上側導体のＹＹ’軸に沿った断面は右に図示されている。
方法の最初のステップは、２３０で参照された絶縁層Ａを、基板（図示せず）上に付着させて、絶縁層の内部に下側導体２１０を実現することにある。これを行うために、当業において周知のダマシン形式（Damascene-type）技法が使用される。すなわち、導電性パターンが絶縁層にエッチングされてから、例えば銅などの金属で充填される。その後、絶縁層の上面は研磨されて図６ａに図示された構造を得る。ここで、それは絶縁層２３０に形成された導電ライン２１０より構成される。
次のステップは、下側導体２１０上への触媒層２６０の付着である。そうするために、犠牲層２６３が下側導体およびハードマスク２６５上に前もって付着され、触媒デザインを区切る。エッチングはリソグラフィによって（例えば電子ビームによって）実行される。触媒の付着後の結果は図６ｂに図示されている。
有利には、１０〜５０ｎｍ（図示せず）のバリア層が触媒層の前に下側導体上に付着される。バリア層は、例えばチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）またはアルミニウム（Ａｌ）で実現することができる。
触媒の選択は成長することが望まれるＣＮＴのタイプに依存する。一般に、金属粒子が使用される（ニッケル、コバルト、鉄、イットリウム、プラチナその他、または前記材料の合金）。ある特定の場合には、バリア層は必要ではない。
一例として、多層タイプのナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）を好適に作成するために、以下のものが選択される。
−ＴｉＮまたはＴａＮの（例えば１０ｎｍの）キャリア層上に付着された厚さが３ｎｍのニッケルの層；
−厚さ３ｎｍのニッケル−パラジウム合金Ｐｄ０．２５Ｎｉ０．７５；
−銅（第１または第２の導体）上に直接付着された、各層が（１０ｎｍのＡｌ、３ｎｍのＮｉ）によって画成されるバイレイヤ；
−各層が（５ｎｍのＳｉ、３ｎｍのＦｅ）によって画成されるバイレイヤ。
逆に、単層タイプのナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）が好ましい場合、以下のものが選択される。
−各層が（２０のＡｌ、０．５ｎｍのＦｅ、０．２のＡｌ）によって画成されるバイレイヤ；
−各層が（５ｎｍのＳｉ、０．５ｎｍのＦｅ）によって画成されるバイレイヤ；
−各層が（３ｎｍのＳｉ、１ｎｍのＣｏ）によって画成されるバイレイヤ。当業者は、単層および多層タイプのナノチューブ両方の任意の混合物を得るために触媒の厚さを適応させることができるであろう。
触媒の付着後、引き続き犠牲層２６３が除去され、新しい絶縁層Ａが付着される。その後、空洞２４０が、化学またはリアクティブエッチングプロセス（ＲＩＥ）を用いてこの絶縁層に開けられる。エッチングのプロフィールは有利には、図６ｃに図示されたように傾斜勾配として選択できる。エッチングは触媒層で止まる。
空洞はその後、２３５で示された第２の絶縁体Ｂで充填されてから、引き続き上面の平坦化に移り、図６ｄに図示された構造を得る。
上側導体はその後、図６ｅ〜６ｇに図示された、ダマシン形式方法によって絶縁体Ｂにおいて実現される。
より正確には、上側導体のデザイン２２１（ここではＹＹ’軸に従った単純な導電ライン）は、絶縁体Ｂにおいてエッチングされる。エッチングは絶縁体Ａとの界面で止まる。エッチングの結果は図６ｅに図示されている。
引き続き、例えばパラジウムまたはチタンのコンタクト層２２３が付着されてから、例えば銅の上側導体２２０が付着される。操作の結果は図６ｆに図示されている。
上面は、ここでは図６ｇに図示されたように単純な導電ラインである上側導体のデザインが明瞭になるまで、ＣＭＰ平坦化によって平坦化される。
その後、絶縁体Ｂの完全なエッチングが行われ、それは図６ｈに図示されたように空洞２４０をもたらす。その後、保護層２６１が方向性付着（directional deposition）技法を用いて付着される。保護層は有利であるが、必ずしも絶縁体Ａの材料から構成される必要があるわけではない。操作の結果は図６ｉに図示されている。
最後に、カーボンナノチューブが成長させられる。触媒が下側導体に配置されているので、成長は底部から上方へ生じる。最終結果は図６ｊに図示されている。
成長方法は、要求されるＣＮＴタイプの成長に依存し、すなわち多層ナノチューブが好ましい場合、
−温度は０．４ｍＢａｒのＨ２下での反応装置において１０ｍｎで５４０℃まで高められる；
−反応装置エンクロージャは空にされる；
−ＣＮＴは０．４ｍＢａｒのＣ２Ｈ２下で５４０℃で成長させられる；
−温度は、デバイスを急速に冷却するような方式で、Ｈ２またはＨｅの流れに露呈中に低減される。
単層ナノチューブが好ましい場合、
−温度は０．４ｍＢａｒのＨ２下での反応装置において７００℃まで高められる；
−反応装置エンクロージャは空にされる；
−ＣＮＴは、Ｃ２Ｈ２の５ｓｃｃｍ、Ｈ２ ５０ｓｃｃｍおよびＨｅ ５０ｓｃｃｍの流量による０．４ｍＢａｒのＣ２Ｈ２、Ｈ２およびＨｅの混合物を伴う雰囲気下で７００℃にある。
当業者は、ＮＷＣＮＴおよびＳＷＣＮＴの任意の混合物を得るために触媒の厚さを適応させることが可能であろう。
第１の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法は保護層の付着（図６ｉ参照）の省略だけに関して上に概説したものと異なる点に留意しなければならない。
図７ａ〜７ｉは、本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造するために使用される方法のステップを図示している。
最初のステップ（図７ａ参照）は、図６ａに関して述べたそれと、すなわちダマシン形式方法を用いて、２３０で示された誘電層Ａにおける第１の導体２１０の形成においてと同一である。
引き続き、任意ではあるが好ましくは、例えばパラジウムまたはチタンのコンタクト層２１１が、例えば銅の下側導体上に電気化学的手段によって付着される。付着の結果は図７ｂに見ることができる。
次のステップは、図７ｃに図示されたように、絶縁層Ａの付着に続く下側導体の上方での空洞２４０の開口を含む。空洞のエッチングは有利には、傾斜勾配に従って行われるはずであり、コンタクト層の水平面で止まるはずである（図７ｃ参照）。
空洞はその後、２３５で参照された第２の絶縁体Ｂによって充填される。上面は、図７ｄに図示されたプロフィールを得るためにＣＭＰによって平坦化される。
その後ハードマスク２２５が絶縁体Ｂに付着され、上側導体のパターン２２１（ここではＹＹ’軸における単純な導電ライン）が図７ｅに図示されたようにこの絶縁体においてエッチングされる。エッチングは絶縁体Ａの水平面で止められる。ハードマスクは、エッチングのエッジに突き出る「キャップ」が作られるのを可能にする。
次のステップは、触媒層２６０の付着に続く、適用可能であれば、バリア層のそれを含む（図示せず）。触媒およびバリア層に使用される材料は、第２の実施形態について述べたそれらと同じである。キャップ形のハードマスクは、エッチングのエッジにおける触媒の付着を回避するのを助ける。引き続き、好ましくは銅である上側導体が付着される。このステップの結果は図７ｆに図示されている。
引き続き、上面は、絶縁体Ｂの表面において上側導体のパターンの表面を露呈するためにＣＭＰによって平坦化される。平坦化の結果は図７ｇに図示されている。
次のステップは絶縁体Ｂの完全なエッチングであり、それは空洞２４０を露呈させる。ブリッジ形構造はこのようにして、図７ｈに図示されたように得られる。
最後に、ＣＮＴ２５０が第２の実施形態について前述したそれらと同じ状態で成長させられる。当然、ここでの成長は上側導体の下面から生起し、やがてナノチューブはコンタクト層２１１（またはコンタクト層がない場合は下側導体２１０）と接触する。これは図７ｉに図示された構造を完成させる。
上述の実施形態において、絶縁体または誘電体Ａは、マイクロエレクトロニクスで広範に使用されている、シリコンまたは低誘電係数を備える材料（低ｋ誘電体）である。絶縁体Ｂは有利には、水素化シルセスキオキサン（ＨＳＱ）または窒化ケイ素とすることができる。絶縁体ＡおよびＢは、Ａと比較して顕著な選択性を伴うＢのエッチングを可能にするように選択される。
本発明に従った層間配線要素は、いくつかの水平面の層間配線を実現するために使用することができる。そうするために、図６ｉまたは７ｈに図示された構造に始まり、２３０で参照された絶縁層Ａは、図８ａに図示されたように、上側導体を被うためにさらに付着される。上面はその後、上側導体に達するまで、すなわち図８ｂに図示されたデザインが得られるまで、ＣＭＰ研磨によって平坦化される。従って、上側導体２２０は、プロセスの開始時に下側導体２１０によってそれまで果たされた役割を果たすことができる。言い換えれば、図６ａ〜６ｊまたは図７ａ〜７ｉに続き図８ａおよび８ｂのそれらのステップより構成されるシーケンスは、マイクロエレクトロニクス回路のいくつかの水平面を接続するために繰り返すことができる。
本発明に従った接続要素は、ＶＬＳＩ集積回路のための極めて小さな直径のビアホールを実現することに特に適用可能である。それはまた、トランジスタにおける第１の水平面の層間配線を実現することを可能にする。この場合、下側導体は、例えばニッケルまたはケイ化コバルトより構成される、ソース電極、ドレイン電極またはゲート電極である。
当業において既知の層間配線要素を図示している。 カーボンナノチューブの成長段階前の本発明に従った層間配線要素の一般的構造を図示している。 カーボンナノチューブの成長段階前の本発明に従った層間配線要素の一般的構造を図示している。 カーボンナノチューブの成長段階前の本発明に従った層間配線要素の一般的構造を図示している。 本発明の第１の実施形態に従った層間配線要素を図式的に例示している。 本発明の第１の実施形態に従った層間配線要素を図式的に例示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を図式的に例示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を図式的に例示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を図式的に例示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を図式的に例示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第２の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 本発明の第３の実施形態に従った層間配線要素を製造する方法を図示している。 層間配線のいくつかの水平面を実現するために本発明に従った層間配線要素の適用を図示している。 層間配線のいくつかの水平面を実現するために本発明に従った層間配線要素の適用を図示している。
符号の説明
１１０ 下側導体
１２０ 上側導体
１３０ 誘電層
１４０ ビアホール
１５０ カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
２００ 層間配線要素
２１０ 下側導体
２２０ 上側導体
２３０ 誘電層
２４０ 空洞
２４３ ベント
２５０ カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
２６０ 触媒層
２６１ 抑制層
２６３ 犠牲層
２７０ 導電層
２２３ コンタクト層
２６５ ハードマスク

Claims (30)

  1. マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するための要素であって、
    −下側導体と称する第１の導体（２１０）と、
    −前記第１の導体上の誘電層（２３０）と、
    −前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体（２２０）と、
    −一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞（２４０）とを含んでおり、
    導体（２２０）は下側導体（２１０）の上方にブリッジを形成することと、空洞（２４０）はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント（２４３）を形成していることとを特徴とする、要素。
  2. それは前記下側導体の上面にカーボンナノチューブの成長を助ける触媒層（２６０）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の要素。
  3. それは下側導体（２１０）の上面と触媒層（２６０）との間に拡散バリア層を含むことを特徴とする、請求項２に記載の要素。
  4. それはカーボンナノチューブの成長を抑制するための層（２６１）を含んでおり、前記抑制層は触媒層（２６０）上に付着されており、前者の層は後者のベントの直角投影にほぼ対応する区域を被っていることを特徴とする、請求項２または３に記載の要素。
  5. それは空洞に配置された導電性ナノチューブ（２５０）の配列を含んでおり、前記配列は触媒層（２６０）から上側導体の下面まで及んでいることを特徴とする、請求項２〜４のうちの１項に記載の要素。
  6. それは上側導体の下に直接配置された電気的接触層（２２３）を含むことを特徴とする、請求項２〜４のうちの１項に記載の要素。
  7. それは前記上側導体（２２０）の下面上にカーボンナノチューブの成長を助ける触媒層（２６０）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の要素。
  8. それは上側導体（２２０）の下面と触媒層（２６０）との間に拡散バリア層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の要素。
  9. それは空洞に配置されたカーボンナノチューブ（２５０）の配列を含んでおり、前記配列は触媒層（２６０）から下側導体（２１０）の上面まで及んでいることを特徴とする、請求項７または８に記載の要素。
  10. それは下側導体に直接配置された電気的接触層（２１１）を含むことを特徴とする、請求項７または８に記載の要素。
  11. それは空洞に配置されたカーボンナノチューブ（２５０）の配列を含んでおり、前記配列は触媒層から電気的接触層（２１１、２２３）まで及んでいることを特徴とする、請求項６または１０に記載の要素。
  12. 電気的接触層の構成材料はパラジウムまたはニッケルであることを特徴とする、請求項６、１０、１１のうちの１項に記載の要素。
  13. 拡散バリア層の構成材料は、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルであることを特徴とする、請求項３または８に記載の要素。
  14. それは前記下側導体の上面にカーボンナノチューブの成長を助ける第１の触媒層および前記上側導体の下面上に第２の触媒層を備えることを特徴とする、請求項１に記載の要素。
  15. 前記触媒は、ニッケル系、ニッケル−パラジウム合金系、鉄系、イットリウム系、プラチナ系またはコバルト系の金属ナノ粒子を含むことを特徴とする、請求項２〜１４のうちの１項に記載の要素。
  16. カーボンナノチューブは単層タイプナノチューブを含むことを特徴とする、請求項５、９、１１のうちの１項に記載の要素。
  17. カーボンナノチューブは多層タイプナノチューブを含むことを特徴とする、請求項５、９、１１、１６のうちの１項に記載の要素。
  18. 下側導体および／または上側導体の構成材料は、銅、アルミニウム、ニッケルまたはケイ化コバルトであることを特徴とする、いずれか上記請求項に記載の要素。
  19. 誘電層（２３０）は埋め込み導電層（２７０）を含むことを特徴とする、いずれか上記請求項に記載の要素。
  20. マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するための要素を製造する方法であって、
    −下側導体と称する第１の導体の実現のステップと、
    −下側導体上への第１の誘電層の実現のステップと、
    −誘電層上での上側導体と称する第２の導体の実現のステップと、
    −一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる空洞の実現のステップとを含んでおり、
    方法は、上側導体は下側導体の上方にブリッジを形成することと、空洞はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベントを形成していることとを特徴とする、方法。
  21. それは以下のステップ、
    −ダマシン形式技法による前記誘電体の層における下側導体のデザインの実現と、
    −拡散バリア層の付着が先立つにせよしないにせよ、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層の付着と、
    −初期誘電層の付着および触媒層上に現れる空洞のエッチングと、
    −第２の誘電体の付着による前記空洞の充填と、
    −ダマシン形式技法による第２の誘電体における上側導体の実現と、
    −第２の誘電体の選択エッチングとを含むことを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
  22. 第２の誘電体の選択エッチングステップの後にカーボンナノチューブの成長を抑制するための層の直接付着が続き、それにより前記抑制層は、上側導体の下側に対面している空洞の底部の領域を除き、前記空洞の内部を被うことを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
  23. 電気的接触層は第２の誘電体の付着後かつ上側導体の実現の前に付着されることを特徴とする、請求項２１または２２に記載の方法。
  24. それは以下のステップ、
    −ダマシン形式技法による前記誘電体の層における下側導体のデザインの実現と、
    −第１の誘電層の付着および下側導体上に現れる空洞のエッチングと、
    −第２の誘電体の付着による前記空洞の充填と、
    −カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層とともに、ダマシン形式技法による第２の誘電体における上側導体の実現と、
    −第２の誘電体の選択エッチングとを含むことを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
  25. 触媒層の実現の後に拡散バリア層の付着が続くことを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
  26. 触媒層および、適用可能であれば、拡散バリア層は、上側導体のデザインを画成しているエッチングエッジの上方に突出部を形成するハードマスクを通じて付着されることを特徴とする、請求項２４または２５に記載の方法。
  27. 電気的接触層が誘電層の付着の前に下側導体上に直接付着されることを特徴とする、請求項２４〜２６のうちの１項に記載の方法。
  28. それは触媒層からカーボンナノチューブを成長させるステップを含むことを特徴とする、請求項２１〜２７のうちの１項に記載の方法。
  29. ナノチューブを成長させる前記ステップの後、次のステップは上側導体を被う誘電材料の第２の層の付着であることと、このように得られた構造は上側導体が前記構造の表面で明瞭になるまで研磨によって平坦化されることとを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
  30. 請求項２０〜２３または２０、２４〜２８に記載の方法のステップは、請求項２９に記載されたステップを実行する前に繰り返され、現在の繰り返しの上側導体は後続する繰り返しにおいて下側導体の役割を果たすことを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
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