JP5414987B2 - カーボンナノチューブに基づく層間配線要素 - Google Patents
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Description
−下側導体と称する第1の導体と、
−前記第1の導体上の誘電層と、
−前記誘電層上の第2の導体であって、前記下側導体の上方にブリッジを形成する、上側導体と称する前記第2の導体と、
−一方で前記下側導体の方に現れ、そして他方で前記上側導体の方に現れる、前記誘電層における空洞とを含んでおり、
前記空洞は、該空洞が前記上側導体の方に現れる水平面で、該上側導体の両側に2つのベントを形成しており、
前記要素は更に、
前記下側導体の上面にあるか又は前記上側導体の下面にある、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層と、
前記空洞に配置された前記カーボンナノチューブの配列とを含んでいる。
−下側導体と称する第1の導体を実現するステップと、
−前記下側導体上への第1の誘電層を実現するステップと、
−前記第1の誘電層上での、上側導体と称する第2の導体を実現するステップと、
−一方で前記下側導体の方に現れ、そして他方で前記上側導体の方に現れる空洞を実現するステップとを含んでおり、
前記上側導体は、前記下側導体の上方にブリッジを形成し、前記空洞は、該空洞が前記上側導体の方に現れる水平面で、前記上側導体の両側に2つのベントを形成し、
前記方法は更に、
前記下側導体の上面にあるか又は前記上側導体の下面にある、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層を実現するステップと、
前記触媒層から前記カーボンナノチューブを前記空洞において成長させるステップとを含む。
−ダマシン形式技法により前記第1の誘電層における前記下側導体のデザインを実現するステップと、
−拡散バリア層の付着が先立つにせよしないにせよ、前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層の付着のステップと、
−前記第1の誘電層の付着および前記触媒層上に現れる前記空洞のエッチングのステップと、
−第2の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
−ダマシン形式技法による前記第2の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
−前記第2の誘電層の選択エッチングのステップとを含む。
−ダマシン形式技法による前記第1の誘電層における前記下側導体のデザインの実現のステップと、
−前記第1の誘電層の付着および前記下側導体上に現れる空洞のエッチングのステップと、
−第2の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
−前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層とともに、ダマシン形式技法による前記第2の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
−前記第2の誘電層の選択エッチングのステップとを含む。
−TiNまたはTaNの(例えば10nmの)キャリア層上に付着された厚さが3nmのニッケルの層;
−厚さ3nmのニッケル−パラジウム合金Pd0.25Ni0.75;
−銅(第1または第2の導体)上に直接付着された、各層が(10nmのAl、3nmのNi)によって画成されるバイレイヤ;
−各層が(5nmのSi、3nmのFe)によって画成されるバイレイヤ。
−各層が(20のAl、0.5nmのFe、0.2のAl)によって画成されるバイレイヤ;
−各層が(5nmのSi、0.5nmのFe)によって画成されるバイレイヤ;
−各層が(3nmのSi、1nmのCo)によって画成されるバイレイヤ。当業者は、単層および多層タイプのカーボンナノチューブ両方の任意の混合物を得るために触媒の厚さを適応させることができるであろう。
−温度は0.4mBarのH2下での反応装置において10mnで540℃まで高められる;
−反応装置エンクロージャは空にされる;
−CNTは0.4mBarのC2H2下で540℃で成長させられる;
−温度は、デバイスを急速に冷却するような方式で、H2またはHeの流れに露呈中に低減される。
−温度は0.4mBarのH2下での反応装置において700℃まで高められる;
−反応装置エンクロージャは空にされる;
−CNTは、C2H2の5sccm、H2 50sccmおよびHe 50sccmの流量による0.4mBarのC2H2、H2およびHeの混合物を伴う雰囲気下で700℃にある。
120 上側導体
130 誘電層
140 ビアホール
150 カーボンナノチューブ(CNT)
200 層間配線要素
210 下側導体
220 上側導体
230 誘電層
240 空洞
243 ベント
250 カーボンナノチューブ(CNT)
260 触媒層
261 抑制層
263 犠牲層
270 導電層
223 コンタクト層
Claims (27)
- マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも2つの導体を層間配線するための要素であって、
下側導体と称する第1の導体(210)と、
前記第1の導体上の誘電層(230)と、
前記誘電層上の第2の導体(220)であって、前記下側導体(210)の上方にブリッジを形成する、上側導体と称する前記第2の導体(220)と、
一方で前記下側導体(210)の方に現れ、そして他方で前記上側導体(220)の方に現れる、前記誘電層における空洞(240)と、を含んでおり、
前記空洞(240)は、該空洞(240)が前記上側導体(220)の方に現れる水平面で、該上側導体(220)の両側に2つのベント(243)を形成しており、
前記要素は更に、
前記下側導体(210)の上面にあるか又は前記上側導体(220)の下面にある、カーボンナノチューブ(250)の成長を助ける触媒層(260)と、
前記空洞(240)に配置された前記カーボンナノチューブ(250)の配列とを含んでいる、要素。 - 前記触媒層(260)が前記下側導体(210)の上面にある場合の請求項1に記載の前記要素であって、前記下側導体(210)の上面と前記触媒層(260)との間に拡散バリア層を含む、要素。
- 前記触媒層(260)が前記下側導体(210)の上面にある場合の請求項1又は2に記載の前記要素であって、該要素は更に、前記カーボンナノチューブ(250)の成長を抑制するための抑制層(261)を含んでおり、該抑制層(261)は前記触媒層(260)上に付着されており、前記抑制層(261)が前記触媒層(260)への前記ベント(243)の直角投影にほぼ対応する区域を被っている、要素。
- 前記触媒層(260)が前記下側導体(210)の上面にある場合の請求項1〜3のいずれか1項に記載の前記要素であって、導電性の前記カーボンナノチューブ(250)の配列は、前記触媒層(260)から前記上側導体(220)の下面まで及んでいる、要素。
- 前記触媒層(260)が前記下側導体(210)の上面にある場合の請求項1〜3のいずれか1項に記載の前記要素であって、前記上側導体(220)の下に直接配置された電気的接触層(223)を更に含む、要素。
- 前記触媒層(260)が前記上側導体(220)の下面にある場合の請求項1に記載の前記要素であって、更に、前記上側導体(220)の下面と前記触媒層(260)との間に拡散バリア層を含む、要素。
- 前記触媒層(260)が前記上側導体(220)の下面にある場合の請求項1又は6に記載の前記要素であって、前記カーボンナノチューブ(250)の配列は、前記触媒層(260)から前記下側導体(210)の上面まで及んでいる、要素。
- 前記触媒層(260)が前記上側導体(220)の下面にある場合の請求項1又は6に記載の前記要素であって、更に、前記下側導体(210)に直接配置された電気的接触層(211)を含む、要素。
- 前記触媒層(260)が前記上側導体(220)の下面にある場合の請求項1又は8に記載の前記要素であって、前記カーボンナノチューブ(250)の配列は、前記触媒層(260)から前記電気的接触層(211、223)まで及んでいる、要素。
- 前記電気的接触層の構成材料はパラジウムまたはニッケルである、請求項5、8、9のいずれか1項に記載の要素。
- 前記拡散バリア層の構成材料は、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルである、請求項2又は6に記載の要素。
- 前記下側導体(210)の上面にある、前記カーボンナノチューブ(250)の成長を助ける第1の触媒層と、前記上側導体(210)の下面にある第2の触媒層とを備える、請求項1に記載の要素。
- 前記触媒層は、ニッケル系、ニッケル−パラジウム合金系、鉄系、イットリウム系、プラチナ系またはコバルト系の金属ナノ粒子を含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の要素。
- 前記カーボンナノチューブ(250)は単層タイプナノチューブを含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載の要素。
- 前記カーボンナノチューブ(250)は多層タイプナノチューブを含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の要素。
- 前記下側導体(210)および/または前記上側導体(220)の構成材料は、銅、アルミニウム、ニッケルまたはケイ化コバルトである、請求項1〜15のいずれか1項に記載の要素。
- 前記誘電層(230)は埋め込み導電層(270)を含む、請求項1〜16のいずれか1項に記載の要素。
- マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも2つの導体を層間配線するための要素を製造する方法であって、
下側導体と称する第1の導体を実現するステップと、
前記下側導体上への第1の誘電層を実現するステップと、
前記第1の誘電層上での、上側導体と称する第2の導体を実現するステップと、
一方で前記下側導体の方に現れ、そして他方で前記上側導体の方に現れる空洞を実現するステップと、を含んでおり、
前記上側導体は、前記下側導体の上方にブリッジを形成し、前記空洞は、該空洞が前記上側導体の方に現れる水平面で、前記上側導体の両側に2つのベントを形成し、
前記方法は更に、
前記下側導体の上面にあるか又は前記上側導体の下面にある、カーボンナノチューブの成長を助ける触媒層を実現するステップと、
前記触媒層から前記カーボンナノチューブを前記空洞において成長させるステップと、を含む、方法。 - 請求項18に記載の方法であって、更に
ダマシン形式技法により前記第1の誘電層における前記下側導体のデザインを実現するステップと、
拡散バリア層の付着が先立つにせよしないにせよ、前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層の付着のステップと、
前記第1の誘電層の付着および前記触媒層上に現れる前記空洞のエッチングのステップと、
第2の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
ダマシン形式技法による前記第2の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
前記第2の誘電層の選択エッチングのステップとを含む、方法。 - 前記第2の誘電層の選択エッチングのステップの後に前記カーボンナノチューブの成長を抑制するための抑制層の直接付着が続いて、該抑制層により、前記上側導体の下側に対面している前記空洞の底部の領域を除き、前記空洞の内部を被う、請求項19に記載の方法。
- 前記第2の誘電層の付着後かつ前記上側導体の実現の前に、電気的接触層を付着させる、請求項19又は20に記載の方法。
- 請求項18に記載の方法であって、更に
ダマシン形式技法による前記第1の誘電層における前記下側導体のデザインの実現のステップと、
前記第1の誘電層の付着および前記下側導体上に現れる空洞のエッチングのステップと、
第2の誘電層の付着による前記空洞の充填のステップと、
前記カーボンナノチューブの成長を助ける前記触媒層とともに、ダマシン形式技法による前記第2の誘電層における前記上側導体の実現のステップと、
前記第2の誘電層の選択エッチングのステップと、を含む、方法。 - 前記触媒層を実現するステップの後に拡散バリア層の付着が続く、請求項22に記載の方法。
- 前記触媒層は、前記上側導体のデザインを画成しているエッチングエッジの上方に突出部を形成するハードマスクを通じて付着される、請求項22又は23に記載の方法。
- 電気的接触層が前記第1の誘電層の付着の前に前記下側導体上に直接付着される、請求項22〜24のいずれか1項に記載の方法。
- 前記カーボンナノチューブを成長させる前記ステップの後、次のステップは、前記上側導体を被う前記第2の誘電層の付着のステップであり、このようにして得られた構造は、前記上側導体が前記構造の表面で明瞭になるまで、研磨によって平坦化される、請求項25に記載の方法。
- 請求項18〜21または22〜26に記載の方法の諸ステップは、請求項26に記載された前記付着のステップを実行する前に繰り返され、現在の繰り返しの前記上側導体は後続する繰り返しにおいて前記下側導体の役割を果たす、請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0655839 | 2006-12-21 | ||
FR0655839A FR2910706B1 (fr) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | Element d'interconnexion a base de nanotubes de carbone |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166756A JP2008166756A (ja) | 2008-07-17 |
JP5414987B2 true JP5414987B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=38196647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007320949A Expired - Fee Related JP5414987B2 (ja) | 2006-12-21 | 2007-12-12 | カーボンナノチューブに基づく層間配線要素 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8598708B2 (ja) |
EP (1) | EP1936680B1 (ja) |
JP (1) | JP5414987B2 (ja) |
FR (1) | FR2910706B1 (ja) |
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-
2006
- 2006-12-21 FR FR0655839A patent/FR2910706B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-12 JP JP2007320949A patent/JP5414987B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-18 EP EP07123467A patent/EP1936680B1/fr not_active Not-in-force
- 2007-12-20 US US12/004,883 patent/US8598708B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080150152A1 (en) | 2008-06-26 |
FR2910706B1 (fr) | 2009-03-20 |
US8598708B2 (en) | 2013-12-03 |
EP1936680A3 (fr) | 2008-07-09 |
EP1936680B1 (fr) | 2012-08-15 |
EP1936680A2 (fr) | 2008-06-25 |
FR2910706A1 (fr) | 2008-06-27 |
JP2008166756A (ja) | 2008-07-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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