JP2008153387A - 表示装置とその製造方法 - Google Patents
表示装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008153387A JP2008153387A JP2006338924A JP2006338924A JP2008153387A JP 2008153387 A JP2008153387 A JP 2008153387A JP 2006338924 A JP2006338924 A JP 2006338924A JP 2006338924 A JP2006338924 A JP 2006338924A JP 2008153387 A JP2008153387 A JP 2008153387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polycrystalline semiconductor
- insulating film
- semiconductor film
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 123
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 313
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 31
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- -1 or Ta Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【課題】ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板上に形成されたソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂ並びにチャネル領域１４ｃを有する多結晶半導体膜１４と、多結晶半導体膜１４上のチャネル領域１４ｃ以外に形成された金属膜１５と、多結晶半導体膜１４上のチャネル領域１４ｃの表面及びテーパ部に形成された第１のゲート絶縁膜１６と、第１のゲート絶縁膜１６及び金属膜１５上に形成された第２のゲート絶縁膜１７と、第２のゲート絶縁膜１７上に多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃと対向する位置に形成されたゲート電極１９とを有する。
【選択図】図５
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板上に形成されたソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂ並びにチャネル領域１４ｃを有する多結晶半導体膜１４と、多結晶半導体膜１４上のチャネル領域１４ｃ以外に形成された金属膜１５と、多結晶半導体膜１４上のチャネル領域１４ｃの表面及びテーパ部に形成された第１のゲート絶縁膜１６と、第１のゲート絶縁膜１６及び金属膜１５上に形成された第２のゲート絶縁膜１７と、第２のゲート絶縁膜１７上に多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃと対向する位置に形成されたゲート電極１９とを有する。
【選択図】図５
Description
本発明は、薄膜トランジスタをアレイ状に配列したアクティブマトリクス方式の表示装置及びその製造方法に関する。
近年の高度情報化社会の本格的な進展や、マルチメディアシステムの急速な普及に伴い、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）や有機ＥＬ表示装置（ＥＬ：Electro Luminescence）等の重要性が増大している。これらの表示装置の画素の駆動方式としては、アレイ状に配列された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式が広く採用されている。アクティブマトリクス型表示装置では、ＴＦＴがアレイ状に配列されたＴＦＴアレイ基板が用いられる。
このような表示装置に用いられるＴＦＴとしては、シリコン膜を用いたＭＯＳ構造が多用される。このシリコン膜には、非晶質シリコン（アモルファスシリコン：ａ−Ｓｉ）膜や多結晶シリコン（ポリシリコン：ｐ−Ｓｉ）膜が利用される。ポリシリコンはａ−Ｓｉに比べ、キャリア移動度が２桁程度も大きいため、ＴＦＴの性能を向上させることができる。他方、ポリシリコンの製造には、約１０００℃もの高温を要し、絶縁基板として融点が１０００℃以上の石英ガラス基板を使用する必要があるため、製造コストが高くなるという問題があった。しかし、低温プロセスの開発により、上記問題点を解決した低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low-Temperature Poly-Silicon）ＴＦＴが登場し、表示装置の大型化や高精細化に大きく寄与している。
ここで、低温ポリシリコンＴＦＴを用いた表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板の製造方法の一例について説明する。まず、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法により下地窒化膜、下地酸化膜、及び非晶質半導体膜としてアモルファスシリコンを形成する。次に、アモルファスシリコンをアニール処理し、アモルファスシリコン中の水素濃度を低下させる。そして、レーザアニール法により、アモルファスシリコンを結晶化させて多結晶半導体膜であるポリシリコンを形成する。次に、ポリシリコン上にスパッタ法を用いて金属膜を形成し、金属膜を写真製版によって所望のパターンにパターニングする。そして、多結晶半導体膜のチャネル領域となる部分の金属膜をエッチングして除去する。すなわち、金属膜を多結晶半導体膜のチャネル領域を除いたソース・ドレイン領域上及び保持容量部上に形成する。
次に、金属膜上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にスパッタ法を用いてゲート配線を形成する。ここで、ゲート配線は例えばＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ等の金属材料又は合金材料である。そして、写真製版法を用いてレジストパターンを形成して、エッチング液でゲート配線を所望の形状にパターニングし、レジストを除去する。形成したゲート配線をマスクにして、多結晶半導体膜のソース・ドレイン領域にイオンドーピング法を用いて不純物を注入する。ここで、注入する不純物元素としては、例えばＰ（リン）又はＢ（ホウ素）がある。Ｐを注入した場合、ｎ型のＴＦＴを形成することができる。一方、Ｂを注入した場合、ｐ型のＴＦＴを形成することができる。また、表示デバイスの仕様に応じてｎ型又はｐ型の片チャネル型の低温ポリシリコンＴＦＴを作り分けることができる。さらに、ＣＭＯＳ構造のようにｐ型及びｎ型の両チャネルを有する低温ポリシリコンＴＦＴを用いた表示デバイスを形成することもできる。
次に、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜はＳｉＨ４とＮ２Ｏ、又はＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈＯｘｙＳｉｌａｎｅ、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）とＯ２を反応させた酸窒化シリコン膜の単層膜又は積層膜を用いることができる。そして、イオン注入したＰ（リン）又はＢ（ボロン）等を拡散させるために熱処理を行う。次に、スパッタ法を用いて層間絶縁膜上に信号線を形成する。信号線は、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ又はこれらを主成分とする合金膜で形成する。次に、写真製版によってレジストパターンを形成し、エッチング液で信号線を所望の形状にパターニングし、レジストを除去する。
そして、プラズマＣＶＤ法を用いて保護膜を形成する。次に、写真製版法によってレジストパターンを形成し、ドライエッチング法でゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び保護膜にコンタクトホールを形成し、レジストを除去する。そして、スパッタ法を用いて画素電極を形成する。画素電極は、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有する導電膜であればよい。次に、写真製版法によりレジストパターンを形成して、エッチング液で画素電極を所望の形状にパターニングし、レジストを除去することによってＴＦＴアレイ基板を製造する。
なお、多結晶半導体膜上に金属膜を有する半導体装置には特許文献１がある。特許文献１に記載の半導体装置は、基板と、基板上に形成された活性層と、活性層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する。活性層はソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有し、ソース領域及びドレイン領域の表面はシリサイド化され、シリサイド層が形成されている。すなわち、ソース領域及びドレイン領域上に金属層が形成されている。
特開平１１―２６１０７６号公報
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法は、多結晶半導体膜上に金属膜を形成し、多結晶半導体膜のチャネル領域上の金属膜をエッチングして除去する。このため、多結晶半導体膜のチャネル領域は、金属膜の形成と除去プロセスにより欠陥が生じる。すなわち、多結晶半導体膜上に形成された金属膜の形成の際にエッチング等によって、多結晶半導体膜内に金属不純物等が混入する。そのため、多結晶半導体膜のチャネル領域の界面における欠陥密度が増加する。チャネル領域の欠陥密度が増大した状態で低温ポリシリコンＴＦＴを製造する場合、ＴＦＴ特性が低下するという問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、低温ポリシリコンＴＦＴを用いた表示デバイスにおいて、ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、基板上に形成されたソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する多結晶半導体膜と、前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域以外に形成された金属膜と、前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域の表面及びテーパ部に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜及び前記金属膜上に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に前記多結晶半導体膜の前記チャネル領域と対向する位置に形成されたゲート電極とを有するものである。
また、本発明にかかる表示装置の製造方法は、基板上にソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する多結晶半導体膜を形成する工程と、前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域以外に金属膜を形成する工程と、前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域の表面及びテーパ部に第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第１のゲート絶縁膜及び前記金属膜上に第２のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第２のゲート絶縁膜上に前記多結晶半導体膜の前記チャネル領域と対向する位置にゲート電極を形成する工程とを有するものである。
本発明に係る半導体装置によれば、低温ポリシリコンＴＦＴを用いた表示デバイスにおいて、ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させることができる。
実施の形態１．
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の実施の形態にかかる表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１を有している。図１は本実施の形態にかかるアクティブマトリクス表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板１の構成を示す平面模式図である。本発明の実施の形態にかかるＴＦＴアレイ基板１は、表示領域２と、表示領域２を囲んで設けられた額縁領域３とを有する。この表示領域２には、複数のゲート信号線４及び複数のソース信号線５とが形成されている。複数のゲート信号線４はそれぞれ平行に設けられている。同様に、複数のソース信号線５はそれぞれ平行に設けられている。またゲート信号線４と、ソース信号線５とは直交している。そして、ゲート信号線４とソース信号線５とに囲まれた領域が画素６となる。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１上では、画素６がマトリクス状に配列される。
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の実施の形態にかかる表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１を有している。図１は本実施の形態にかかるアクティブマトリクス表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板１の構成を示す平面模式図である。本発明の実施の形態にかかるＴＦＴアレイ基板１は、表示領域２と、表示領域２を囲んで設けられた額縁領域３とを有する。この表示領域２には、複数のゲート信号線４及び複数のソース信号線５とが形成されている。複数のゲート信号線４はそれぞれ平行に設けられている。同様に、複数のソース信号線５はそれぞれ平行に設けられている。またゲート信号線４と、ソース信号線５とは直交している。そして、ゲート信号線４とソース信号線５とに囲まれた領域が画素６となる。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１上では、画素６がマトリクス状に配列される。
さらに、ＴＦＴアレイ基板１の額縁領域３には、ゲート信号駆動回路７とソース信号駆動回路８とが設けられている。ゲート信号線４及びソース信号線５は、それぞれ表示領域２から額縁領域３まで延設されている。ゲート信号線４は、ＴＦＴアレイ基板１の端部でゲート信号駆動回路７と接続される。そして、ゲート信号駆動回路７の近傍には、図示せぬ外部配線が形成されていて、ゲート信号駆動回路７と接続されている。ソース信号線５は、ＴＦＴアレイ基板１の端部で、ソース信号駆動回路８と接続される。また、ソース信号駆動回路８の近傍には、図示せぬ外部配線が形成されていて、ソース信号駆動回路８と接続される。
画素６内には、少なくとも１つのＴＦＴ９と保持容量１０が形成されている。ＴＦＴ９はゲート信号線４とソース信号線５が交差する近傍に形成されている。また、ＴＦＴ９には保持容量１０が直列に接続されている。
次に、このように構成された本実施の形態にかかるＴＦＴアレイ基板１の製造方法について、図２を用いて更に詳細に説明する。まず、図２にＴＦＴアレイ基板１の画素の構成を示す平面図を示す。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１上にゲート信号線４とソース信号線５とが互いに交差するように形成されている。すなわち、ゲート信号線４とソース信号線５は直交して形成されている。そして、隣接するゲート信号線４とソース信号線５とで囲まれた領域が図１に示す画素６である。ゲート信号線４からゲート電極１９が延在して形成されている。また、保持容量の上部電極１８となる保持容量配線１８ａが形成されている。保持容量配線１８ａとゲート信号線４とは略平行に形成されている。ゲート電極１９の下には、ゲート絶縁膜を介して多結晶半導体膜１４（図示せず）が形成されている。多結晶半導体膜１４のうち、ゲート電極１９の直下部がチャネル領域となる。
本実施の形態では、ゲート絶縁膜の被膜性を向上させるために、多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃの表面及びテーパ部に第１のゲート絶縁膜１６を形成する。さらに、第１のゲート絶縁膜１６上及び多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃ以外に形成された金属膜１５上に第２のゲート絶縁膜１７を形成する。これにより、ゲート絶縁膜の被膜性を向上させることができる。すなわち、ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減することができゲート絶縁膜の耐圧を向上させることができる。また、多結晶半導体膜１４の端部のテーパ部に第１のゲート絶縁膜１６を形成することにより、多結晶半導体膜１４のテーパ部のゲート絶縁膜の膜厚が厚くなり、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させることができる。詳細については後述する。また、多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃを挟んでソース領域１４ａ（図示せず）及びドレイン領域１４ｂ（図示せず）が形成されている。このソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂ上には金属膜１５が形成されていて、コンタクトホール２３内に形成されたソース電極（図示せず）及びドレイン電極（図示せず）を介して画素電極２４と接続されている。
次に、図３（ａ）乃至（ｄ）、図４（ａ）乃至（ｃ）、及び図５（ａ）、（ｂ）を用いてＴＦＴアレイ基板１の製造方法について詳細に説明する。図３乃至図５は、図２のＡ−Ａ線における断面図であって、本実施の形態にかかるアクティブマトリクス表示装置の一部であるＴＦＴ部及び保持容量部の製造方法を示す製造工程断面図である。
図３（ａ）に示すように、ガラス基板又は石英基板等の透過性を有する絶縁性基板１１上にＣＶＤ法を用いて下地膜１２を形成する。この下地膜１２には、例えば、透過性絶縁膜であるＳｉＮ膜１２ａ又はＳｉＯ２膜１２ｂを使用する。この場合、例えばＳｉＮ膜１２ａを４０〜６０ｎｍの膜厚に形成し、ＳｉＯ２膜１２ｂを１８０〜２２０ｎｍの膜厚で形成して積層構造とすることができる。この下地膜１２はガラス基板１１からＮａ等の可動イオンが半導体膜へ拡散することを防止するために形成され、膜の構成及び膜厚等に限られるものではない。
下地膜１２の上に非晶質半導体膜１３をＣＶＤ法により形成する。非晶質半導体としては、例えばアモルファスシリコンを使用する。アモルファスシリコンの膜厚は３０〜１００ｎｍとし、さらに６０〜８０ｎｍに形成することが好ましい。これらの下地膜１２及び非晶質半導体膜１３は同一装置又は同一チャンバ内で連続して形成することが好ましい。これにより、大気雰囲気中に存在するボロン等の汚染物質が各膜の界面に付着することを防止することができる。なお、非晶質半導体膜１３の形成後、高温中でアニールを行うことが好ましい。これにより、ＣＶＤ法によって形成した非晶質半導体膜１３の膜中に多量に含有された水素を低減する。本実施の形態では、窒素雰囲気の低真空状態で保持したチャンバ内を、例えば略４８０℃に加熱し、このチャンバ内で非晶質半導体膜を形成した基板を、例えば４５分間保持する。すなわち、非晶質半導体膜１３の形成後、高温中でアニールを行うことにより、非晶質半導体膜１３が結晶化する際に温度が上昇する。このとき水素の急激な脱離を防止することができる。また、非晶質半導体膜１３の表面荒れを防止することができる。そして、非晶質半導体膜１３表面に形成された自然酸化膜をフッ酸等でエッチングして除去する。
次に、図３（ｂ）に示すように、非晶質半導体膜１３に窒素等のガスを吹き付けつつ非晶質半導体膜１３の上からレーザ光を照射し、非晶質半導体膜１３を多結晶半導体膜１４にする。レーザ光は所定の光学系を介して線状のビームに変換された後、非晶質半導体膜１３に照射される。本実施の形態ではレーザ光としてＹＡＧレーザの第２高調波（発振波長：５３２ｎｍ）を用いたが、例えば、エキシマレーザを用いてもよい。ここで、窒素を吹き付けつつ非晶質半導体膜１３にレーザ光を照射することにより、多結晶半導体膜１４の結晶粒界部分に発生する隆起の隆起高を抑制することができる。この場合、多結晶半導体膜１４の結晶表面の平均の粗さは、例えば略３ｎｍ以下とすることができる。
このように形成された多結晶半導体膜１４であるポリシリコン膜を用いて、ＴＦＴ及び保持容量を形成する。多結晶半導体膜１４には、不純物がイオン注入されてソース領域及びドレイン領域となる導電性領域が形成される。そして、ソース領域とドレイン領域の間がチャネル領域となる。
次に、図３（ｃ）に示すように、多結晶半導体膜１４の上に金属膜１５を形成する。この場合、多結晶半導体膜１４上であってＴＦＴに直列に接続され後述する保持容量を形成する領域並びにソース領域及びドレイン領域に金属膜１５を形成する。この低抵抗の金属膜１５を保持容量の下部電極となる多結晶半導体膜１４の上に形成することにより、下部電極に所定の電圧を印加することができ、安定した容量を形成することができる。さらに、保持容量の下部電極となる多結晶半導体膜１４の上に金属膜１５を形成することにより、多結晶半導体膜１４を低抵抗化するためのドーピング工程を削減することができる。すなわち、写真製版工程を削減することが可能となるため、表示装置の生産性を向上させることができる。また、多結晶半導体膜１４上に金属膜１５を形成しているため、後述する画素電極である透明導電性酸化膜を、コンタクトホールを介して接続した場合に、多結晶半導体膜１４が酸化することを防止することができる。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。
ここで、多結晶半導体膜１４上に形成する金属膜１５は、例えば、ＤＣマグネトロンを用いるスパッタリング法（以下、ＤＣマグネトロンスパッタ法という。）を用いてＭｏ膜を、例えば略２０ｎｍの膜厚に形成する。この金属膜１５はＣｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、若しくはＴａ（タンタル）からなる金属膜、又はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ若しくはＴａを主成分とする合金膜を用いることができる。また、本実施の形態では金属膜１５の膜厚を略２０ｎｍとしたが、金属膜１５の膜厚は２５ｎｍ以下であればよい。２５ｎｍを超える膜厚の場合、金属膜１５が後述する不純物イオンドーピングのマスクとなり、下層の多結晶半導体膜１４に不純物イオンが十分に到達することができない場合がある。すなわち、金属膜１５と多結晶半導体膜１４とのオーミックコンタクトを得ることができない場合がある。このため、金属膜１５の膜厚は略２５ｎｍ以下が好ましい。
次に図３（ｄ）に示すように、金属膜１５の上に感光性樹脂であるレジストをスピンコートによって塗布し、塗布したレジストを写真製版法によって露光及び現像する。これにより、所望の形状にフォトレジストがパターニングされる。そして、金属膜１５をエッチングして、フォトレジストパターンを除去する。これにより、金属膜１５を所望の形状にパターニングする。例えば、リン酸及び硝酸を混合した薬液を用いたウエットエッチング法により、金属膜１５を所望の形状に加工する。
そして、写真製版法を用いて多結晶半導体膜１４及び金属膜１５を島状に形成する。例えば、ＣＦ４とＯ２を混合したガスを用いたドライエッチング法により、多結晶半導体膜１４を島状に形成する。また、エッチングガスにＯ２を混合しているため、写真製版法により形成したレジストを後退させながらエッチングすることができる。これにより、多結晶半導体膜１４の端部にテーパ部を有する形状、すなわちテーパ形状とすることができる。以上により、図４（ａ）に示すように多結晶半導体膜１４及び金属膜１５を所望の形状とすることができる。
また、図３（ｃ）、図３（ｄ）及び図４（ａ）の工程において、多結晶半導体膜１４及び多結晶半導体膜１４上に形成された金属膜１５はハーフトーンマスクを用いることにより、１回の写真製版工程で形成してもよい。すなわち、多結晶半導体膜１４及び金属膜１５を図４（ａ）に示すような所望の形状にするために、フォトレジスト膜厚において、多結晶半導体膜１４上に金属膜１５を形成しない領域の膜厚を薄く形成し、多結晶半導体膜１４上に金属膜１５を形成する領域の膜厚を厚く形成する。このフォトレジストパターンを用いて、金属膜１５及び多結晶半導体膜１４を１回の写真製版工程でパターニングする。これにより、図３（ｄ）に示すような形状とすることができる。そして、アッシング処理によってフォトレジスト膜厚を予め薄く形成した部分のレジストを除去し、多結晶半導体膜１４上に金属膜１５を形成する領域のフォトレジストパターンのみ残す。残したフォトレジストパターンを用いて、金属膜１５を所望の形状に形成する。これにより図４（ａ）に示すように多結晶半導体層１４及び金属膜１５を所望の形状とすることができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、多結晶半導体膜１４のチャネル領域表面及びテーパ部を酸化させることにより、第１のゲート酸化膜１６を形成する。この酸化膜１６は、例えば、Ｏ２ガスを用いたプラズマ処理によって酸化させることで形成することができる。このとき、例えば、ＲＦパワー１００Ｗ、圧力１７５Ｐａ、Ｏ２流量３ＳＬＭ、３００ｓｅｃ、３００℃とすることができる。なお、Ｏ２ガスを用いるプラズマ処理の酸化方法ではなく、その他の酸化方法であってもよい。例えば、オゾン水を用いた酸化方法でもよい。このとき、金属膜１５の表面も酸化されるが、後述するコンタクトホールのエッチングプロセスによって金属膜１５表面の酸化層は除去される。
そして、図４（ｃ）に示すように、絶縁性基板１１上の全面に第２のゲート絶縁膜１７を形成する。これにより、金属膜１５と第１のゲート絶縁膜１６の上に第２のゲート絶縁膜１７が形成される。例えば、第２のゲート酸化膜１７は、ＳｉＯ２膜を用いてＣＶＤ法によって７０〜１００ｎｍの膜厚に形成する。また、第２のゲート絶縁膜１７はＳｉＯ２膜以外にも例えばＳｉＮ膜等を用いてもよい。
本実施の形態では、多結晶半導体膜１４のチャネル領域表面及びテーパ部を酸化させることにより、第１のゲート絶縁膜１６を形成する。さらに、その全面に第２のゲート絶縁膜１７を形成しているため、ゲート絶縁膜の被覆性を高くし、ゲート耐圧を向上させることができる。すなわち、従来は、多結晶半導体膜１４上に形成された金属膜１５のエッチング等によって、多結晶半導体膜１４内に金属不純物が混入していた。そのため、多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃの界面における欠陥密度が増加していた。ここで、金属の拡散係数は半導体内より酸化物半導体内の方が小さいため、酸化物半導体内を金属不純物が通過することが容易でない。また、多結晶半導体膜１４の端部のテーパ部に第２のゲート絶縁膜１７のみを形成する場合、テーパ部上に形成されるゲート絶縁膜の膜厚が薄いため、テーパ部のゲート絶縁耐圧が低下する場合があった。すなわち、ＴＦＴ特性を低下させてしまっていた。そこで、本実施の形態では多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃ及び端部のテーパ部に第１のゲート酸化膜１６を形成し、さらに、金属膜１５及びゲート絶縁膜１６上に第２のゲート絶縁膜１７を形成する。これにより、多結晶半導体膜１４のチャネル領域の界面欠陥密度を低減させることができるため、ＴＦＴ特性を向上させることができる。また、多結晶半導体膜１４のテーパ部に第１のゲート絶縁膜１６を形成し、その上に第２のゲート絶縁膜１７を形成する。これにより、多結晶半導体膜１４のテーパ部のゲート絶縁膜の膜厚を厚くすることができるため、ゲート絶縁膜の被覆性を向上させることができる。すなわち、ＴＦＴ特性を向上させることができる。さらに、ゲート耐圧を向上させることができるため、表示装置の初期故障を大幅に低減することができる。
次に、第２のゲート絶縁膜１７上に保持容量の上部電極１８及びゲート電極１９となるゲート配線を形成するために、導電膜を形成する。導電膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、若しくはＴａからなる金属膜、又はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、若しくはＴａを主成分とする合金膜とすることができる。この場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法により膜厚２００〜４００ｎｍのＭｏを形成することができる。そして、導電膜を、写真製版法を用いて所望の形状にパターニングし、保持容量の上部電極１８及びゲート電極１９となるゲート配線を形成する。ここで、導電膜のエッチングは、例えばリン酸と硝酸を混合した薬液を用いたウエットエッチング法により行う。これにより、上部電極１８、金属膜１５が形成され下部電極となる多結晶半導体膜１４の一部、及び誘電体層として機能する第２のゲート絶縁膜１７の一部で保持容量が形成される。次に、ゲート電極１９をマスクとして多結晶半導体膜１４のソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂにイオンドーピング法を用いて不純物を注入する。ここで、注入する不純物としてはＰ又はＢ等を用いることができる。Ｐを注入する場合、ｎ型ＴＦＴを形成することができる。一方、Ｂを注入する場合、ｐ型ＴＦＴを形成することができる。また、ｎ型ＴＦＴ用ゲート電極とｐ型ＴＦＴ用ゲート電極の２つのゲート電極１９を形成し、それぞれのゲート電極１９をマスクとしてイオンドーピング等を行うことによってｎ型ＴＦＴとｐ型ＴＦＴとを同一基板上に形成することができる。
図５（ａ）に示すように、第２ゲート絶縁膜１７、上部電極１８、及びゲート電極１９上に層間絶縁膜２０を形成する。層間絶縁膜２０は、例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を膜厚５００〜１０００ｎｍに形成する。そして、層間絶縁膜２０が形成されたＴＦＴアレイ基板を窒素雰囲気中で、例えば４５０℃に加熱したアニール炉に、例えば略１時間保持する。これにより、多結晶半導体膜１４のソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂに注入した不純物元素を活性化させることができる。そして、層間絶縁膜２０上に信号線２１を形成するための導電膜を形成する。導電膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、若しくはＴａからなる金属膜、又はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、若しくはＴａを主成分とする合金膜とすることができる。本実施の形態では、導電膜は上層にＭｏ、下層にＡｌを用いる積層構造とする。また、例えば、Ｍｏは膜厚１００〜２００ｎｍ、Ａｌは膜厚２００〜４００ｎｍとし、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて形成する。
次に、導電膜を、写真製版法を用いて所望の形状にパターニングし、信号線２１を形成する。信号線２１の形成は、例えば、ＳＦ６とＯ２の混合ガス及びＣＬ２とＡｒの混合ガスを用いたドライエッチング法により行う。そして、層間絶縁膜２０及び信号線２１上に保護膜２２を形成する。例えば、保護膜２２は膜厚２００〜３００ｎｍのＳｉＮ膜とし、ＣＶＤ法により形成する。
そして、図５（ｂ）に示すように、第２のゲート絶縁膜１７、層間絶縁膜２０、及び保護膜２２を、写真製版法を用いて所望の形状にパターニングする。すなわち、多結晶半導体膜１４のソース領域１４ａ上及びドレイン領域１４ｂ上の金属膜１５並びに信号線２１が露出するようにコンタクトホール２３を形成する。多結晶半導体膜１４のソース領域１４ａ上及びドレイン領域１４ｂ上の金属膜１５を露出させるコンタクトホール２３によって、第２のゲート絶縁膜１７、層間絶縁膜２０、及び保護膜２２の一部が除去される。また、信号線２１を露出させるコンタクトホール２３によって、保護膜２２の一部が除去される。このコンタクトホール２３の形成は、例えばＣＨＦ３、Ｏ２、及びＡｒの混合ガスを用いたドライエッチング法により行う。
そして、保護膜２２上に画素電極２４を形成するために導電膜を形成する。この導電膜はコンタクトホール２３内にも形成され、多結晶半導体膜１４のソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂ上に形成された金属膜１５と接続される。そして、ソース電極又はドレイン電極となる。導電膜はＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明性を有するものであればよい。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＩＴＯを用いて膜厚８０〜１２０ｎｍの透明性導電膜を形成する。また、ＤＣマグネトロンスパッタ法は、例えばＡｒガス、Ｏ２ガス、及びＨ２Ｏガスを混合したガスを用いる。これにより、加工が容易である非晶質性の透明導電膜を形成する。次に、透明性導電膜を、写真製版法を用いて所望の形状にパターニングし、画素電極２４を形成する。本実施の形態では、透明性導電膜のエッチングはシュウ酸を主成分とする薬液を用いたウエットエッチング法により行う。そして、非晶質性透明導電膜を結晶化させるためにアニールを行い、低温ポリシリコンＴＦＴ構造の表示装置を形成する。
本実施の形態では、多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃの表面及びテーパ部を酸化させて、第１のゲート絶縁膜１６を形成する。さらに、金属膜１５上及び多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃ及びテーパ部の第１のゲート絶縁膜１６上に第２のゲート絶縁膜１７を形成する。これにより、多結晶半導体膜１４上に形成された金属膜１５をエッチング等する際に多結晶半導体膜１４に不純物等が混入し、多結晶半導体膜１４の界面において欠陥が発生する場合に、ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃとの界面の欠陥密度を低減させることができる。また、ゲート絶縁膜の破壊耐圧を向上させることができる。そして、多結晶半導体膜１４のテーパ部に第１のゲート絶縁膜１６を形成し、その上に第２のゲート絶縁膜１７を形成することにより、多結晶半導体膜１４のテーパ部のゲート絶縁膜の膜厚を厚くすることができる。このため、ゲート絶縁膜の被覆性を向上させることができる。これにより、高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置を形成することができる。
なお、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。
１ ＴＦＴアレイ基板、２ 表示領域、３ 額縁領域、４ ゲート信号線、５ ソース信号線、６ 画素、７ ゲート信号駆動回路、８ ソース信号駆動回路、９ ＴＦＴ、１０ 保持容量、１１ 絶縁性基板、１２ 下地膜、１２ａ ＳｉＮ膜、１２ｂ ＳｉＯ２膜、１３ 非晶質半導体膜、１４ 多結晶半導体膜、１５ 金属膜、１６ ゲート酸化膜、１７ ゲート絶縁膜、１８ 上部電極、１８ａ 保持容量配線、１９ ソース配線、２０ 層間絶縁膜、２１ 信号線、２２ 保護膜、２３ コンタクトホール、２４ 画素電極
Claims (6)
- 基板上に形成されたソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する多結晶半導体膜と、
前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域以外に形成された金属膜と、
前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域の表面及びテーパ部に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記金属膜上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に前記多結晶半導体膜の前記チャネル領域と対向する位置に形成されたゲート電極とを有する表示装置。 - 前記基板と前記多結晶半導体膜の間に絶縁膜を有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 前記ゲート電極と同一層に形成され、前記金属膜が形成された前記多結晶半導体膜の一部及び前記第２のゲート絶縁膜の一部と供に保持容量を構成する上部電極と、
前記ゲート電極及び前記上部電極上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された保護膜と、
前記保護膜上であってコンタクトホールを介して前記金属膜と接続される画素電極を有する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。 - 基板上にソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する多結晶半導体膜を形成する工程と、
前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域以外に金属膜を形成する工程と、
前記多結晶半導体膜上の前記チャネル領域の表面及びテーパ部に第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記金属膜上に第２のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のゲート絶縁膜上に前記多結晶半導体膜の前記チャネル領域と対向する位置にゲート電極を形成する工程とを有する表示装置の製造方法。 - 前記基板と前記多結晶半導体膜の間に絶縁膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項４記載の表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極と同一層に、前記金属膜が形成された前記多結晶半導体膜の一部及び前記第２のゲート絶縁膜の一部と供に保持容量を構成する上部電極を形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記上部電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上であってコンタクトホールを介して前記金属膜と接続される画素電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする請求項４又は５記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006338924A JP5117711B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006338924A JP5117711B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 表示装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008153387A true JP2008153387A (ja) | 2008-07-03 |
| JP5117711B2 JP5117711B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=39655263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006338924A Active JP5117711B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5117711B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212284A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Sharp Corp | 半導体装置、半導体装置製造方法、ｔｆｔ基板、および表示装置 |
| JP2015092638A (ja) * | 2009-12-25 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548107A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに高耐圧薄膜電界効果トランジスタ |
| JP2000223712A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2000332254A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ装置 |
| JP2002164543A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置およびそれらの製造方法 |
| JP2002319580A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および常圧ｃｖｄ装置 |
| JP2003298059A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006338924A patent/JP5117711B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548107A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに高耐圧薄膜電界効果トランジスタ |
| JP2000223712A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2000332254A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ装置 |
| JP2002164543A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置およびそれらの製造方法 |
| JP2002319580A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および常圧ｃｖｄ装置 |
| JP2003298059A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212284A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Sharp Corp | 半導体装置、半導体装置製造方法、ｔｆｔ基板、および表示装置 |
| JP2015092638A (ja) * | 2009-12-25 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US9543445B2 (en) | 2009-12-25 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laborartory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5117711B2 (ja) | 2013-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008218960A (ja) | 薄膜トランジスタ装置、その製造方法、及び表示装置 | |
| JP2008147516A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR100811997B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 포함한평판표시장치 | |
| JP2000077665A (ja) | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 | |
| JP2009076736A (ja) | 半導体装置、表示装置及びその製造方法 | |
| JP5117711B2 (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
| JP2001189462A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2010177325A (ja) | 薄膜トランジスターの製造方法 | |
| JP2010262965A (ja) | トランジスターの製造方法 | |
| JP2008218626A (ja) | Ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法 | |
| JP2014033136A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JPH11135797A (ja) | 積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR20140087608A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| JP2009054719A (ja) | 半導体製造方法、半導体製造装置および表示装置 | |
| CN108878456B (zh) | 结晶金属氧化物层的制造方法、主动元件基板及制造方法 | |
| CN108321122B (zh) | Cmos薄膜晶体管及其制备方法和显示装置 | |
| JP2009147232A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2009283554A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001036097A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008058850A (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
| JP4249512B2 (ja) | 絶縁ゲイト型半導体装置 | |
| JP2007142059A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP2001094108A (ja) | 電界効果トランジスタ、トランジスタアレイ基板、およびその製造方法 | |
| JP2004064056A (ja) | 半導体集積回路の作製方法 | |
| JP2007109731A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120919 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121018 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5117711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |