JP2008148214A5 - - Google Patents
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Claims (24)
- 短絡されたベース及びコレクタに交流信号及び基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
第1の抵抗と、
ベースが前記第1の抵抗のみを介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのベース及びコレクタと接地点との間に設けられ、ダイオード接続された温度特性補償用トランジスタとを有し、
前記第2トランジスタの前記ベースが前記第1の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されていないことを特徴とする検波回路。 - 短絡されたベース及びコレクタに交流信号及び基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
第1の抵抗と、
ベースが前記第1の抵抗のみを介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのベース及びコレクタと接地点との間に設けられた温度特性補償用ダイオードとを有し、
前記第2トランジスタの前記ベースが前記第1の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されていないことを特徴とする検波回路。 - 短絡されたベース及びコレクタに交流信号及び基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
第1の抵抗と、
ベースが前記第1の抵抗のみを介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのベース及びコレクタと接地点との間に設けられた第1の温度特性補償用トランジスタと、
短絡されたベース及びコレクタが前記第1の温度特性補償用トランジスタのベースに接続された第2の温度特性補償用トランジスタと、
前記第2の温度特性補償用トランジスタのベース及びコレクタに電流を供給する正の温度傾斜を持つ定電流源とを有し、
前記第2トランジスタの前記ベースが前記第1の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されていないことを特徴とする検波回路。 - 短絡されたベース及びコレクタに交流信号及び第1の基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
第1の抵抗と、
ベースが前記第1の抵抗のみを介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
第2の基準電圧の入力端子と前記第2のトランジスタのコレクタとの間に設けられ、ダイオード接続された温度特性補償用トランジスタとを有し、
前記第2トランジスタの前記ベースが前記第1の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されていないことを特徴とする検波回路。 - 短絡されたベース及びコレクタに交流信号及び第1の基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
第1の抵抗と、
ベースが前記第1の抵抗のみを介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
第2の基準電圧の入力端子と前記第2のトランジスタのコレクタとの間に設けられた温度特性補償用ダイオードとを有し、
前記第2トランジスタの前記ベースが前記第1の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されていないことを特徴とする検波回路。 - 前記第1のトランジスタ、前記第1の抵抗及び前記温度特性補償用トランジスタを含むブロックが複数個設けられていることを特徴とする請求項1に記載の検波回路。
- 前記第2のトランジスタ及び前記第1の抵抗を含むブロックが複数個設けられていることを特徴とする請求項1に記載の検波回路。
- 前記第1の抵抗は抵抗値が可変であることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の検波回路。
- 前記第1のトランジスタの前記ベースと前記コレクタとの間に設けられた第2の抵抗を更に有することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の検波回路。
- 前記第1の抵抗はトランジスタのベース層を用いた抵抗であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の検波回路。
- 前記第1のトランジスタのミラー比は前記第2のトランジスタのミラー比よりも大きいことを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の検波回路。
- 短絡されたベース及びコレクタに交流信号が入力される第1のトランジスタと、
第1の抵抗と、
ベースが前記第1の抵抗のみを介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続された第2のトランジスタと、
エミッタが前記第1のトランジスタの前記コレクタに接続され、短絡されたベース及びコレクタに基準電圧が入力される第3のトランジスタと、
第2の抵抗と、
エミッタが前記第2のトランジスタのコレクタに接続され、ベースが前記第2の抵抗のみを介して前記第3のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタ側から検波電圧を出力する第4のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのベース及びコレクタと接地点との間に設けられ、ダイオード接続された温度特性補償用トランジスタとを有し、
前記第2トランジスタの前記ベースが前記第1の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されておらず、
前記第4トランジスタの前記ベースが前記第2の抵抗を除いた他の要素に直接に接続されていないことを特徴とする検波回路。 - 前記交流信号の入力端子と前記第3のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタとの間に設けられた第1のコンデンサを更に有することを特徴とする請求項12に記載の検波回路。
- 前記交流信号の入力端子と前記第1のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタとの間に設けられた可変容量コンデンサを更に有することを特徴とする請求項12又は13に記載の検波回路。
- 前記第1,3のトランジスタのミラー比は前記第2,4のトランジスタのミラー比よりも大きいことを特徴とする請求項12〜14の何れか1項に記載の検波回路。
- 前記第1のトランジスタのエミッタと接地点との間に設けられた第2のコンデンサを更に有することを特徴とする請求項1〜15の何れか1項に記載の検波回路。
- 前記第2のコンデンサは可変容量化されていることを特徴とする請求項16に記載の検波回路。
- 短絡されたベース及びコレクタに基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
短絡されたベース及びコレクタに交流信号が入力され、前記ベース及び前記コレクタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、エミッタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタと接地点との間に設けられ、ダイオード接続された温度特性補償用トランジスタとを有することを特徴とする検波回路。 - 短絡されたベース及びコレクタに基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
短絡されたベース及びコレクタに交流信号が入力され、前記ベース及び前記コレクタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、エミッタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタと接地点との間に設けられた温度特性補償用ダイオードとを有することを特徴とする検波回路。 - 短絡されたベース及びコレクタに基準電圧が入力される第1のトランジスタと、
短絡されたベース及びコレクタに交流信号が入力され、前記ベース及び前記コレクタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、エミッタ側から検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタと接地点との間に設けられ、ダイオード接続された第1の温度特性補償用トランジスタと、
前記第1のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタと接地点との間に設けられ、ベースが前記第1の温度特性補償用トランジスタのベースに接続された第2の温度特性補償用トランジスタとを有することを特徴とする検波回路。 - 電力増幅器と同一基板上に集積化され、
前記電力増幅器の終段トランジスタのベース側において検波を行い、
前記電力増幅器の終段トランジスタのベースラインとの間隔が前記交流信号の波長の1/20以下であることを特徴とする請求項1〜20の何れか1項に記載の検波回路。 - 互いに接続されたベース及びコレクタを持ち、ある波長を持つ交流信号及び基準電圧を前記ベース及び前記コレクタで入力する第1のトランジスタと、
入力端子と、出力端子と、接地端子とを持つ3端子回路網と、
ベースが前記3端子回路網を介して前記第1のトランジスタの前記ベースに接続され、コレクタから検波電圧を出力する第2のトランジスタと、
接地点と前記第1のトランジスタの前記ベース及び前記コレクタとの間に直列に設けられた、第1の抵抗、及び、ダイオード接続された温度特性補償用トランジスタとを有し、
前記3端子回路網だけが前記第1のトランジスタの前記ベースと前記コレクタの接続点と前記第2のトランジスタの前記ベースとの間に接続され、
前記3端子回路網の前記入力端子は前記第1のトランジスタの前記ベースと前記コレクタに接続され、
前記3端子回路網の前記出力端子は前記第2のトランジスタの前記ベースに接続され、
前記3端子回路網の前記接地端子は接地点に接続され、
前記3端子回路網の前記入力端子と前記出力端子との間のインピーダンスは第1の抵抗だけであり、
前記第1のトランジスタのエミッタは第2の抵抗を介して接地され、
前記第2のトランジスタのエミッタは第3の抵抗を介して接地され、
前記3端子回路網の前記出力端子が接地された場合は、前記入力端子と前記接地端子との間のインピーダンスが、前記3端子回路網の前記入力端子と前記出力端子との間の前記インピーダンスと同じであり、
前記3端子回路網の前記入力端子が接地された場合は、前記出力端子と前記接地端子との間のインピーダンスが、前記3端子回路網の前記入力端子と前記出力端子との間の前記インピーダンスと同じであることを特徴とする検波回路。 - 前記第1のトランジスタの前記エミッタと接地点との間に前記第2の抵抗に並列に容量が接続されていることを特徴とする請求項22に記載の検波回路。
- 前記第1のトランジスタの前記ベースと前記コレクタとの間に接続された第4の抵抗を更に有することを特徴とする請求項22に記載の検波回路。
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