TWI406497B - 具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路 - Google Patents

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Description

具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路
本發明相關於一種功率放大器積體電路，尤指一種具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路。
近年來，功率放大器積體電路(power amplifier integrated circuit,PAIC)已被廣泛地應用於各種有線或無線的通訊裝置中。請參考第1圖，第1圖為先前技術中一功率放大器積體電路100之功能方塊圖。功率放大器積體電路100包含複數個連接埠101a~101c、n級放大單元OP1~OPn，以及一偏壓電路110。輸入埠101a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠101b用來提供一射頻輸出訊號RFout，而供給電壓輸入埠101c則用來接收一偏壓Vc。偏壓電路110包含n組電流源，可分別提供固定操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)，其集極耦接於電壓輸入埠101c以接收偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路110以分別接收操作電流IS1~ISn，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。因此，功率放大器積體電路100之總增益為gm1 *gm2 *...*gmn ，亦即RFout=(gm1 *gm2 *...*gmn )RFin。當操作環境的溫度有所改變時，BJT的特性會隨之變動而影 響訊號增益值gm1 ~gmn ，使得射頻輸出訊號RFout無法維持恆定功率。另一方面，當射頻輸出訊號RFout因故產生波動，先前技術之功率放大器積體電路100也無法加以補償。
請參考第2圖，第2圖為先前技術中另一功率放大器積體電路200之功能方塊圖。功率放大器積體電路200包含複數個連接埠201a~201c、n級放大單元OP1~OPn、一偏壓電路210、一熱偵測電路220，以及一回授電路230。輸入埠201a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠201b用來提供一射頻輸出訊號RFout，而供給電壓輸入埠201c則用來接收一偏壓Vc。熱偵測電路220可偵測操作環境的溫度變動，並依此產生一相對應之熱偵測訊號St。回授電路230可偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號Sp。偏壓電路210包含n組電流源，可依據熱偵測訊號St和功率補償訊號Sp分別提供操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體，其集極耦接於電壓輸入埠201c以接收偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路210以分別接收操作電流IS1~ISn，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。當操作環境的溫度有所改變時，先前技術之功率放大器積體電路200利用熱偵測電路220來偵測操作環境的溫度變化，利用回授電路230來偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，再依此調整操作電流IS1~ISn之值，透過調整放大單元OP1 ~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 來補償溫度效應或輸出功率變動。然而，改變操作電流IS1~ISn對訊號增益值gm1 ~gmn 的影響有限，無法有效地穩定射頻輸出訊號RFout之功率。
請參考第3圖，第3圖為先前技術中另一功率放大器積體電路300之功能方塊圖。功率放大器積體電路300包含複數個連接埠301a~301c、n級放大單元OP1~OPn、一偏壓電路310、一熱偵測電路320、一回授電路330，以及一調節器(regulator)340。輸入埠301a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠301b用來提供一射頻輸出訊號RFout，而供給電壓輸入埠301c則用來接收射頻輸出訊號RFout。熱偵測電路320可偵測操作環境的溫度變動，並依此產生一相對應之熱偵測訊號St。回授電路330可偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號Sp。偏壓電路310包含n組電流源，可分別提供固定操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。調節器340可依據熱偵測訊號St和功率補償訊號Sp射頻來產生一偏壓Vc。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體，其集極耦接於調節器340以接收偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路310以分別接收操作電流IS1~ISn，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。先前技術之功率放大器積體電路300利用熱偵測電路320來偵測操作環境的溫度變化，利用回授電路330來偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，再依此調整偏壓 Vc之值，透過調整放大單元OP1~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 來補償溫度效應或輸出功率變動。然而，改變偏壓Vc對訊號增益值gm1 ~gmn 的影響有限，無法有效地穩定射頻輸出訊號RFout之功率。
本發明提供一種具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路，其包含一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一溫度補償電路，耦接該輸入埠，用來接收該射頻輸入訊號，並根據一溫度來調節該射頻輸入訊號後輸出；以及一放大電路，耦接該溫度補償電路，用來接收並放大該調節過後之該射頻輸入訊號。
本發明另提供一種具溫度和功率補償機制之功率放大器積體電路，其包含一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一回授電路，用來偵測該射頻輸出訊號之電位變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號；一調整電路，用來依據該功率補償訊號調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號；一放大電路，用來放大該第1級射頻訊號以產生相對應之該射頻輸出訊號。
本發明另提供一種具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路，其包含一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一熱偵測電路，其依據一操作溫度來產生一熱偵測訊號；一回授電路，用來偵測該射頻輸出訊號之功率變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號；一邏輯判斷電路，其依據該熱偵測訊號和該功率補償訊號來輸出一補償訊號；一調整電路，用來依據該補償訊號調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號；一放大電路，用來放大該第1級射頻訊號以產生相對應之該射頻輸出訊號。
請參考第4圖，第4圖為本發明第一實施例中一功率放大器積體電路400之功能方塊圖。功率放大器積體電路400包含複數個連接埠401a~401c、n級放大單元OP1~OPn、一偏壓電路410、一熱偵測電路420，以及一調整電路440。輸入埠401a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠401b用來提供一射頻輸出訊號RFout，而供給電壓輸入埠401c則用來接收一固定偏壓Vc。偏壓電路410包含n組電流源，可分別提供固定操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。熱偵測電路420和調整電路440組成一溫度補償電路：熱偵測電路420可偵測操作環境的溫度變動，並依此產生相 對應之一熱偵測訊號St；調整電路440耦接於輸入埠401a以接收射頻輸入訊號RFin，可依據熱偵測訊號St來調整射頻輸入訊號RFin之大小，並輸出相對應之射頻輸入訊號RFin'。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體，其集極耦接於電壓輸入埠401c以接收固定偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路410以分別接收固定操作電流IS1~ISn。放大單元OP1中雙載子接面電晶體之基極透過電容耦接至輸入埠401a，而放大單元OP2~OPn中雙載子接面電晶體之基極則透過電容分別耦接至前一級放大單元中雙載子接面電晶體之集極，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。本發明之功率放大器積體電路400利用熱偵測電路420來偵測操作環境的溫度變化，再依此調整射頻輸入訊號RFin之值以補償溫度效應。其結果為，在溫度改變且不調整放大單元OP1~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 的情況下，RFout仍等於(gm1 *gm2 *...*gmn )RFin'。故，本發明利用熱偵測電路來偵測操作環境的溫度變化，再依此調整功率放大器積體電路之射頻輸入訊號之值以補償溫度效應，其能有效地穩定功率放大器積體電路之射頻輸出訊號之功率。
請參考第5圖，第5圖為本發明第二實施例中一功率放大器積體電路500之功能方塊圖。功率放大器積體電路500包含複數個連接埠501a~501c、n級放大單元OP1~OPn、一偏壓電路510、一回授電路530，以及一調整電路540。輸 入埠501a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠501b用來提供一射頻輸出訊號RFout，而供給電壓輸入埠501c則用來接收一固定偏壓Vc。偏壓電路510包含n組電流源，可分別提供固定操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。回授電路530可偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，並依此產生相對應之一功率補償訊號Sp。調整電路540耦接於輸入埠501a以接收射頻輸入訊號RFin，可依據功率補償訊號Sp來調整射頻輸入訊號RFin之大小，並輸出相對應之射頻輸入訊號RFin'。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體，其集極耦接於電壓輸入埠501c以接收偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路510以分別接收固定操作電流IS1~ISn。放大單元OP1中雙載子接面電晶體之基極透過電容耦接至輸入埠501a，而放大單元OP2~OPn中雙載子接面電晶體之基極則透過電容分別耦接至前一級放大單元中雙載子接面電晶體之集極，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。本發明之功率放大器積體電路500利用回授電路530來偵測射頻輸出訊號RFout之電位變動，再依此調整射頻輸入訊號RFin之值以補償功率變動。其結果為，在輸出電位改變且不調整放大單元OP1~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 的情況下，RFout仍等於(gm1 *gm2 *...*gmn )RFin'。故，本發明利用回授電路來偵測射頻輸出訊號之電位變動，再依此調整功率放大器積體電路之射頻輸入訊號之值以作功率補償，其能有效地穩定功率放大器積體電路之射頻輸出訊號 之功率。
請參考第6圖，第6圖為本發明第三實施例中一功率放大器積體電路600之功能方塊圖。功率放大器積體電路600包含複數個連接埠601a~601d、n級放大單元OP1~OPn、一偏壓電路610、一熱偵測電路620、一回授電路630、一調整電路640，以及一邏輯電路650。輸入埠601a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠601b用來提供一射頻輸出訊號RFout、供給電壓輸入埠601c用來接收一固定偏壓vc，而控制埠601d則用來接收一控制訊號Vs。偏壓電路610包含n組電流源，可分別提供固定操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。熱偵測電路620可偵測操作環境的溫度變動，並依此產生相對應之一熱偵測訊號St。回授電路630可偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，並依此產生相對應之一功率補償訊號Sp。邏輯電路650可接收控制埠601d傳來之控制訊號vS、熱偵測電路620傳來之熱偵測訊號St以及回授電路630傳來之功率補償訊號Sp，並依據控制訊號Vs來輸出熱偵測訊號St或功率補償訊號Sp其中之一至調整電路640。調整電路640耦接於輸入埠601a以接收射頻輸入訊號RFin，可依據調整電路640傳來之熱偵測訊號St或功率補償訊號Sp來調整射頻輸入訊號RFin之大小，並輸出相對應之射頻輸入訊號RFin'。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體，其集極耦接於電壓輸入埠601c以接 收偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路610以分別接收操作電流IS1~ISn。放大單元OP1中雙載子接面電晶體之基極透過電容耦接至輸入埠601a，而放大單元OP2~OPn中雙載子接面電晶體之基極則透過電容分別耦接至前一級放大單元中雙載子接面電晶體之集極，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。本發明之功率放大器積體電路600利用熱偵測電路620來偵測操作環境的溫度變化，利用回授電路630來偵測射頻輸出訊號RFout之電位變動，再依據不同運作模式調整射頻輸入訊號RFin之值以進行溫度或功率補償。其結果為，在溫度或輸出電位改變且不調整放大單元OP1~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 的情況下，RFout仍等於(gm1 *gm2 *...*gmn )RFin'。故，本發明利用熱偵測電路來偵測操作環境的溫度變化或利用回授電路來偵測射頻輸出訊號之電位變動，再依此調整功率放大器積體電路之射頻輸入訊號之值以進行溫度補償或功率補償，其能有效地穩定功率放大器積體電路之射頻輸出訊號之功率。
請參考第7圖，第7圖為本發明第四實施例中一功率放大器積體電路700之功能方塊圖。功率放大器積體電路700包含複數個連接埠701a~701c、n級放大單元OP1~OPn、一偏壓電路710、一熱偵測電路720、一回授電路730、一調整電路740，以及一判斷電路750。輸入埠701a用來接收一射頻輸入訊號RFin、輸出埠701b用來提供一射頻輸出訊號 RFout，而供給電壓輸入埠701c則用來接收一固定偏壓Vc。偏壓電路710包含n組電流源，可分別提供固定操作電流IS1~ISn至n級放大單元OP1~OPn。熱偵測電路720可偵測操作環境的溫度變動，並依此產生相對應之一熱偵測訊號St。回授電路730可偵測射頻輸出訊號RFout的功率變動，並依此產生相對應之一功率補償訊號Sp。判斷電路750可接收熱偵測電路720傳來之熱偵測訊號St及回授電路730傳來之功率補償訊號Sp，並依此產生一溫度/功率補償訊號Stp至調整電路740，溫度/功率補償訊號Stp同時反應溫度和輸出功率變動對增益造成的影響。調整電路740耦接於輸入埠701a以接收射頻輸入訊號RFin，可依據判斷電路750傳來之溫度/功率補償訊號Stp來調整射頻輸入訊號RFin之大小，並輸出相對應之射頻輸入訊號RFin'。n級放大單元OP1~OPn各包含一雙載子接面電晶體，其集極耦接於電壓輸入埠701c以接收固定偏壓Vc，其基極耦接於偏壓電路710以分別接收固定操作電流IS1~ISn。放大單元OP1中雙載子接面電晶體之基極透過電容耦接至輸入埠701a，而放大單元OP2~OPn中雙載子接面電晶體之基極則透過電容分別耦接至前一級放大單元中雙載子接面電晶體之集極，所提供之訊號增益值分別由gm1 ~gmn 來表示。本發明之功率放大器積體電路700利用熱偵測電路720來偵測操作環境的溫度變化，利用回授電路730來偵測射頻輸出訊號RFout，利用判斷電路750來整合溫度和功率變化的影響，再依此調整射頻輸入 訊號RFin之值以同時進行溫度和功率補償。其結果為，在溫度和輸出電位改變且不調整放大單元OP1~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 的情況下，RFout仍等於(gm1 *gm2 *...*gmn )RFin'。故，本發明利用熱偵測電路來偵測操作環境的溫度變化，利用回授電路來偵測射頻輸出訊號St之電位變動，利用判斷電路來整合溫度和功率變化的影響，再依此調整功率放大器積體電路之射頻輸入訊號之值以同時進行溫度補償和功率補償，其能有效地穩定功率放大器積體電路之射頻輸出訊號之功率。
請參考第8圖，第8圖為本發明第一、第三和第四實施例中熱偵測電路420、、620或720之示意圖。第8圖所示之熱偵測電路包含一電壓源VDC、一可變電阻R，以及一二極體組80，可於端點N1輸出熱偵測訊號St。二極體組80包含p個串接之二極體D1~Dp，二極體組80上之跨壓由Vd來表示，因此熱偵測訊號St之值如下：St=(VDC-Vd)/R
由於二極體D1~Dp之特性會隨操作溫度而變，跨壓Vd和操作溫度成負相關，藉由選擇適合的電阻值R和二極體數目p，調整電路提供之熱偵測訊號St為負斜率m1之特性曲線，如第9A圖所示。若對熱偵測訊號St進行反向處理，可得到具正斜率m2(m2=-m1)特性曲線之熱偵測訊號St’， 如第9B圖所示。斜率m1和m2皆能反應操作環境之溫度變化對輸出功率的影響。
請參考第10A圖和第10B圖，第10A圖和第10B圖為本發明第一至第四實施例中調整電路440、540、640或740之實施例的示意圖。第10A圖所示之調整電路採用π型場效電晶體衰減器(π-network FET attenuator)之架構，包含場效電晶體開關FET1~FET3和反向器11~12。場效電晶體開關FET1之閘極可接收熱偵測訊號St，而場效電晶體開關FET2和FET3之閘極可接收熱偵測訊號St’(分別透過反向器11和12接收熱偵測訊號St)；第10B圖所示之調整電路採用T型場效電晶體衰減器(T-network FET attenuator)之架構，包含場效電晶體開關FET1~FET3和反向器11。場效電晶體開關FET1和FET2之閘極可接收熱偵測訊號St，而場效電晶體開關FET3之閘極可接收熱偵測訊號St’(透過反向器11接收熱偵測訊號St)。因此，π型場效電晶體衰減器可依據熱偵測訊號St來衰減射頻輸入訊號RFin，並輸出衰減後之射頻輸入訊號RFin'以進行溫度補償。
在本發明前述實施例中使用雙載子接面電晶體來作為放大單元OP1~OPn，然而本發明亦可使用其它具類似功能之元件，例如場效電晶體(Field Effect Transistor,FET)，而偏壓電路可提供固定操作電流或固定操作電壓。同時，第8、 9A、9B、10A、10B圖所示僅為本發明之實施例，並不侷限本發明之範疇。本發明之功率放大器積體電路依據溫度或功率變化來調整射頻輸入訊號RFin之值，在不改變放大單元OP1~OPn之訊號增益值gm1 ~gmn 的情況下能提供穩定的射頻輸出訊號RFout。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
Vs‧‧‧控制訊號
OP1~OPn‧‧‧放大單元
VDC‧‧‧電壓源
11~12‧‧‧反向器
R‧‧‧可變電阻
D1~Dp‧‧‧二極體
N1‧‧‧端點
m1、m2‧‧‧斜率
Vd‧‧‧跨壓
RFin‧‧‧射頻輸入訊號
Vc‧‧‧偏壓
RFout‧‧‧射頻輸出訊號
80‧‧‧二極體組
St、St’‧‧‧熱偵測訊號
340‧‧‧調節器
Sp‧‧‧功率補償訊號
650‧‧‧邏輯電路
Stp‧‧‧溫度/功率補償訊號
750‧‧‧判斷電路
gm1 ~gmn ‧‧‧訊號增益值
FET1~FET3‧‧‧場效電晶體開關
230、530、630、730‧‧‧回授電路
440、540、640、740‧‧‧調整電路
100、200、300、400、500、600、700‧‧‧功率放大器積體電路
101a~101c、201a~201c、301a~301c、401a~401c、 501a~501c、601a~601c、701a~701c‧‧‧連接埠
110、210、310、410、510、610、710‧‧‧偏壓電路
220、320、420、620、720‧‧‧熱偵測電路
第1圖為先前技術中一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第2圖為先前技術中另一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第3圖為先前技術中另一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第4圖為本發明第一實施例中一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第5圖為本發明第二實施例中一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第6圖為本發明第三實施例中一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第7圖為本發明第四實施例中一功率放大器積體電路之功能方塊圖。
第8圖為本發明實施例中熱偵測電路之示意圖。
第9A圖和第9B圖為熱偵測訊號之特性曲線的示意圖。
第10A圖和第10B圖為本發明第一至第四實施例中調整電路之示意圖。
Vc‧‧‧偏壓
OP1~OPn‧‧‧放大單元
St‧‧‧熱偵測訊號
gm1 ~gmn ‧‧‧訊號增益值
RFin‧‧‧射頻輸入訊號
RFout‧‧‧射頻輸出訊號
410‧‧‧偏壓電路
420‧‧‧熱偵測電路
440調‧‧‧整電路
401a~401c‧‧‧連接埠
400‧‧‧功率放大器積體電路

Claims (18)

  1. 一種具溫度補償機制之功率放大器積體電路(power amplifier integrated circuit,PAIC)，其包含：一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一溫度補償電路，其包含：一熱偵測電路，其依據該溫度來產生一熱偵測訊號；以及一π型場效電晶體衰減器(π-network FET attenuator)，其依據該熱偵測訊號來調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號，該π型場效電晶體衰減器包含：一第一場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠；一第二端，用來輸出該第1級射頻訊號；以及一控制端，用來接收該熱偵測訊號；一第二場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠； 一第二端，耦接於一接地電位；以及一控制端，用來接收相關於該熱偵測訊號之一反向訊號；以及一第三場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，耦接於該接地電位；以及一控制端，用來接收該反向訊號；以及一放大電路，耦接該溫度補償電路，用來接收並放大該調節過後之該射頻輸入訊號。
  2. 如請求項1所述之功率放大器積體電路，其中該熱偵測電路係包含：一輸出端，用來輸出該熱偵測訊號；一電壓源；一電阻，耦接於該電壓源和該輸出端之間；以及一二極體，耦接於該輸出端。
  3. 如請求項1所述之功率放大器積體電路，其中該熱偵測電路係包含：一輸出端，用來輸出該熱偵測訊號；一電壓源；一電阻，耦接於該電壓源和該輸出端之間；以及 複數個串接之二極體，耦接於該輸出端。
  4. 如請求項1所述之功率放大器積體電路，其中該放大電路係包含n級串接之放大單元，用來分別以第1至第n增益值放大第1級至第n級射頻訊號以分別產生相對應之第2級至第(n+1)級射頻訊號，並輸出該第(n+1)級射頻訊號以做為該射頻輸出訊號。
  5. 如請求項4所述之功率放大器積體電路，其中該n級放大單元各包含一雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)或一場效電晶體(Field Effect Transistor,FET)。
  6. 一種具溫度補償機制之功率放大器積體電路，其包含：一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一溫度補償電路，其包含：一熱偵測電路，其依據該溫度來產生一熱偵測訊號；以及一T型場效電晶體衰減器(T-network FET attenuator)，其依據該熱偵測訊號來調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射 頻訊號，該T型場效電晶體衰減器係包含：一第一場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠；一第二端；以及一控制端，用來接收該熱偵測訊號；一第二場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，用來輸出該第1級射頻訊號；以及一控制端，耦接於該第一場效電晶體之控制端；以及一第三場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，耦接於一接地電位；以及一控制端，用來接收相關於該熱偵測訊號之一反向訊號；以及一放大電路，耦接該溫度補償電路，用來接收並放大該調節過後之該射頻輸入訊號。
  7. 一種具輸出功率補償機制之功率放大器積體電路，其包含： 一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一回授電路，用來偵測該射頻輸出訊號之電位變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號；一π型場效電晶體衰減器，其依據該功率補償訊號來調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號，該π型場效電晶體衰減器係包含：一第一場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠；一第二端，用來輸出該第1級射頻訊號；以及一控制端，用來接收該功率補償訊號；一第二場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠；一第二端，耦接於一接地電位；以及一控制端，用來接收相關於該功率補償訊號之一反向訊號；以及一第三場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，耦接於該接地電位；以及一控制端，用來接收該反向訊號；以及 一放大電路，用來放大該第1級射頻訊號以產生相對應之該射頻輸出訊號。
  8. 如請求項7所述之功率放大器積體電路，其中該放大電路係包含n級串接之放大單元，用來分別以第1至第n增益值放大第1級至第n級射頻訊號以分別產生相對應之第2級至第(n+1)級射頻訊號，並輸出該第(n+1)級射頻訊號以做為該射頻輸出訊號。
  9. 如請求項8所述之功率放大器積體電路，其中該n級放大單元各包含一雙載子接面電晶體或一場效電晶體。
  10. 一種具輸出功率補償機制之功率放大器積體電路，一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一回授電路，用來偵測該射頻輸出訊號之電位變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號；一T型場效電晶體衰減器，其依據該功率補償訊號來調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號，該T型場效電晶體衰減器係包含：一第一場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠； 一第二端；以及一控制端，用來接收該功率補償訊號；一第二場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，用來輸出該第1級射頻訊號；以及一控制端，耦接於該第一場效電晶體之控制端；以及一第三場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，耦接於一接地電位；以及一控制端，用來接收相關於該功率補償訊號之一反向訊號；以及一放大電路，用來放大該第1級射頻訊號以產生相對應之該射頻輸出訊號。
  11. 一種具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路，其包含：一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一熱偵測電路，其依據一操作溫度來產生一熱偵測訊號；一回授電路，用來偵測該射頻輸出訊號之電位變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號；一邏輯判斷電路，其依據該熱偵測訊號和該功率補償訊 號來輸出一補償訊號；一π型場效電晶體衰減器，其依據該補償訊號來調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號，該π型場效電晶體衰減器係包含：一第一場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠；一第二端，用來輸出該第1級射頻訊號；以及一控制端，用來接收該熱偵測訊號；一第二場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠；一第二端，耦接於一接地電位；以及一控制端，用來接收相關於該熱偵測訊號之一反向訊號；以及一第三場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，耦接於該接地電位；以及一控制端，用來接收該反向訊號；以及一放大電路，用來放大該第1級射頻訊號以產生相對應之該射頻輸出訊號。
  12. 如請求項11所述之功率放大器積體電路，其中該邏輯判 斷電路係輸出該熱偵測訊號或該功率補償訊號其中之一以作為該補償訊號。
  13. 如請求項11所述之功率放大器積體電路，其中該邏輯判斷電路係輸出同時相關於該熱偵測訊號和該功率補償訊號之該補償訊號。
  14. 如請求項11所述之功率放大器積體電路，其中該熱偵測電路係包含：一輸出端，用來輸出該熱偵測訊號；一電壓源；一電阻，耦接於該電壓源和該輸出端之間；以及一二極體，耦接於該輸出端。
  15. 如請求項11所述之功率放大器積體電路，其中該熱偵測電路係包含：一輸出端，用來輸出該熱偵測訊號；一電壓源；一電阻，耦接於該電壓源和該輸出端之間；以及複數個串接之二極體，耦接於該輸出端。
  16. 如請求項11所述之功率放大器積體電路，其中該放大電路係包含n級串接之放大單元，用來分別以第1至第n 增益值放大第1級至第n級射頻訊號以分別產生相對應之第2級至第(n+1)級射頻訊號，並輸出該第(n+1)級射頻訊號以做為該射頻輸出訊號。
  17. 如請求項16所述之功率放大器積體電路，其中該n級放大單元各包含一雙載子接面電晶體或一場效電晶體。
  18. 一種具溫度和輸出功率補償機制之功率放大器積體電路，其包含：一輸入埠，用來接收一射頻輸入訊號；一輸出埠，用來提供一射頻輸出訊號，其中該射頻輸出訊號對應於放大後之該射頻輸入訊號；一溫度偵測電路，其依據一操作溫度來產生一熱偵測訊號；一回授電路，用來偵測該射頻輸出訊號之電位變動，並依此產生一相對應之功率補償訊號；一邏輯判斷電路，其依據該熱偵測訊號和該功率補償訊號來輸出一補償訊號；一T型場效電晶體衰減器，其依據該補償訊號來調整該射頻輸入訊號之準位以產生相對應之一第1級射頻訊號，該T型場效電晶體衰減器係包含：一第一場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該功率放大器積體電路之輸入埠； 一第二端；以及一控制端，用來接收該熱偵測訊號；一第二場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，用來輸出該第1級射頻訊號；以及一控制端，耦接於該第一場效電晶體之控制端；以及一第三場效電晶體，其包含：一第一端，耦接於該第一場效電晶體之第二端；一第二端，耦接於一接地電位；以及一控制端，用來接收相關於該熱偵測訊號之一反向訊號；以及一放大電路，用來放大該第1級射頻訊號以產生相對應之該射頻輸出訊號。
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