CN101924523B

CN101924523B - 具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路

Info

Publication number: CN101924523B
Application number: CN200910147508.3A
Authority: CN
Inventors: 万光烈
Original assignee: Ali Corp
Current assignee: Ali Corp; Richwave Technology Corp
Priority date: 2009-06-16
Filing date: 2009-06-16
Publication date: 2014-03-05
Anticipated expiration: 2029-06-16
Also published as: CN101924523A

Abstract

功率放大器集成电路用来放大射频输入信号以产生相对应的射频输出信号，包含温度检测电路、反馈电路、逻辑判断电路、增益调整电路，以及放大电路。温度检测电路依据操作温度来产生温度补偿信号，而反馈电路依据射频输出信号的功率变动来产生功率补偿信号。逻辑判断电路依据温度补偿信号和功率补偿信号来输出补偿信号。增益调整电路依据补偿信号来调整射频输入信号的电平以产生相对应的第1级射频信号。放大电路可放大第1级射频信号以产生相对应的射频输出信号。

Description

具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路

技术领域

本发明相关于一种功率放大器集成电路，尤指一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路。

背景技术

近年来，功率放大器集成电路（power amplifier integrated circuit,PAIC）已被广泛地应用于各种有线或无线的通讯装置中。请参考图1，图1为现有技术中一功率放大器集成电路100的功能方块图。功率放大器集成电路100包含多个连接端口101a～101c、n级放大单元OP1～OPn，以及一偏压电路110。输入端口101a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口101b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口101c则用来接收一偏压Vc。偏压电路110包含n组电流源，可分别提供固定操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管（BipolarJunction Transistor,BJT），其集电极耦接于电压输入端口101c以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路110以分别接收操作电流IS1～ISn，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。因此，功率放大器集成电路100的总增益为g_m1*g_m2*…*g_mn，亦即RFout=（g_m1*g_m2*…*g_mn）RFin。当操作环境的温度有所改变时，BJT的特性会随之变动而影响信号增益值g_m1～g_mn，使得射频输出信号RFout无法维持恒定功率。另一方面，当射频输出信号RFout因故产生波动，现有技术的功率放大器集成电路100也无法加以补偿。

请参考图2，图2为现有技术中另一功率放大器集成电路200的功能方块图。功率放大器集成电路200包含多个连接端口201a～201c、n级放大单元OP1～OPn、一偏压电路210、一温度检测电路220，以及一反馈电路230。输入端口201a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口201b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口201c则用来接收一偏压Vc。温度检测电路220可检测操作环境的温度变动，并依此产生一相对应的温度补偿信号St。反馈电路230可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生一相对应的功率补偿信号Sp。偏压电路210包含n组电流源，可依据温度补偿信号St和功率补偿信号Sp分别提供操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口201c以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路210以分别接收操作电流IS1～ISn，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。当操作环境的温度有所改变时，现有技术的功率放大器集成电路200利用温度检测电路220来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路230来检测射频输出信号RFout的功率变动，再依此调整操作电流IS1～ISn的值，通过调整放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn来补偿温度效应或输出功率变动。然而，改变操作电流IS1～ISn对信号增益值g_m1～g_mn的影响有限，无法有效地稳定射频输出信号RFout的功率。

请参考图3，图3为现有技术中另一功率放大器集成电路300的功能方块图。功率放大器集成电路300包含多个连接端口301a～301c、n级放大单元OP1～OPn、一偏压电路310、一温度检测电路320、一反馈电路330，以及一调节器(regulator)340。输入端口301a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口301b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口301c则用来接收射频输出信号RFout。温度检测电路320可检测操作环境的温度变动，并依此产生一相对应的温度补偿信号St。反馈电路330可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生一相对应的功率补偿信号Sp。偏压电路310包含n组电流源，可分别提供固定操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。调节器340可依据温度补偿信号St和功率补偿信号Sp射频来产生一偏压Vc。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于调节器340以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路310以分别接收操作电流IS1～ISn，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。现有技术的功率放大器集成电路300利用温度检测电路320来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路330来检测射频输出信号RFout的功率变动，再依此调整偏压Vc的值，通过调整放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn来补偿温度效应或输出功率变动。然而，改变偏压Vc对信号增益值g_m1～g_mn的影响有限，无法有效地稳定射频输出信号RFout的功率。

发明内容

本发明提供一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含一输入端口，用来接收一射频输入信号；一输出端口，用来提供一射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入信号；一温度补偿电路，耦接该输入端口，用来接收该射频输入信号，并根据一温度来调节该射频输入信号后输出；以及一放大电路，耦接该温度补偿电路，用来接收并放大该调节过后的该射频输入信号。

本发明另提供一种具有温度和功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含一输入端口，用来接收一射频输入信号；一输出端口，用来提供一射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入信号；一反馈电路，用来检测该射频输出信号的电位变动，并依此产生一相对应的功率补偿信号；一增益调整电路，用来依据该功率补偿信号调整该射频输入信号的电平，以产生相对应的一第1级射频信号；一放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。

本发明另提供一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含一输入端口，用来接收一射频输入信号；一输出端口，用来提供一射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入信号；一温度检测电路，其依据一操作温度来产生一温度补偿信号；一反馈电路，用来检测该射频输出信号的功率变动，并依此产生一相对应的功率补偿信号；一逻辑判断电路，其依据该温度补偿信号和该功率补偿信号来输出一补偿信号；一增益调整电路，用来依据该补偿信号调整该射频输入信号的电平以产生相对应的一第1级射频信号；一放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。

附图说明

图1为现有技术中一功率放大器集成电路的功能方块图。

图2为现有技术中另一功率放大器集成电路的功能方块图。

图3为现有技术中另一功率放大器集成电路的功能方块图。

图4为本发明第一实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。

图5为本发明第二实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。

图6为本发明第三实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。

图7为本发明第四实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。

图8为本发明实施例中温度检测电路的示意图。

图9A和图9B为温度补偿信号的特性曲线的示意图。

图10A和图10B为本发明第一至第四实施例中增益调整电路的示意图。

主要组件符号说明

Vs 控制信号 OP1～OPn 放大单元

VDC 电压源 11～12反向器

R 可变电阻 D1～Dp 二极管

N1 端点 m1、m2 斜率

Vd 跨压 RFin 射频输入信号

Vc 偏压 RFout 射频输出信号

80 二极管组 St、St’ 温度补偿信号

340 调节器 Sp 功率补偿信号

650 逻辑电路 Stp 温度/功率补偿信号

750 判断电路 g_m1～g_mn 信号增益值

FET1～FET3 场效晶体管开关

230、530、630、730 反馈电路

440、540、640、740 增益调整电路

100、200、300、400、

500、600、700 功率放大器集成电路

101a～101c、201a～201c、

301a～301c、401a～401c、

501a～501c、601a～601c、

701a～701c 连接端口

110、210、310、410、

510、610、710 偏压电路

220、320、420、620、720温度检测电路

具体实施方式

请参考图4，图4为本发明第一实施例中一功率放大器集成电路400的功能方块图。功率放大器集成电路400包含多个连接端口401a～401c、n级放大单元OP1～OPn、一偏压电路410、一温度检测电路420，以及一增益调整电路440。输入端口401a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口401b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口401c则用来接收一固定偏压Vc。偏压电路410包含n组电流源，可分别提供固定操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。温度检测电路420和增益调整电路440组成一温度补偿电路：温度检测电路420可检测操作环境的温度变动，并依此产生相对应的一温度补偿信号St；增益调整电路440耦接于输入端口401a以接收射频输入信号RFin，可依据温度补偿信号St来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin′。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口401c以接收固定偏压Vc，其基极耦接于偏压电路410以分别接收固定操作电流IS1～ISn。放大单元OP1中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口401a，而放大单元OP2～OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。本发明的功率放大器集成电路400利用温度检测电路420来检测操作环境的温度变化，再依此调整射频输入信号RFin的值以补偿温度效应。其结果为，在温度改变且不调整放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn的情况下，RFout仍等于（g_m1*g_m2*…*g_mn）RFin′。因此，本发明利用温度检测电路来检测操作环境的温度变化，再依此调整功率放大器集成电路的射频输入信号的值以补偿温度效应，其能有效地稳定功率放大器集成电路的射频输出信号的功率。

请参考图5，图5为本发明第二实施例中一功率放大器集成电路500的功能方块图。功率放大器集成电路500包含多个连接端口501a～501c、n级放大单元OP1～OPn、一偏压电路510、一反馈电路530，以及一增益调整电路540。输入端口501a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口501b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口501c则用来接收一固定偏压Vc。偏压电路510包含n组电流源，可分别提供固定操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。反馈电路530可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生相对应的一功率补偿信号Sp。增益调整电路540耦接于输入端口501a以接收射频输入信号RFin，可依据功率补偿信号Sp来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin′。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口501c以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路510以分别接收固定操作电流IS1～ISn。放大单元OP1中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口501a，而放大单元OP2～OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。本发明的功率放大器集成电路500利用反馈电路530来检测射频输出信号RFout的电位变动，再依此调整射频输入信号RFin的值以补偿功率变动。其结果为，在输出电位改变且不调整放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn的情况下，RFout仍等于（g_m1*g_m2*…*g_mn）RFin′。因此，本发明利用反馈电路来检测射频输出信号的电位变动，再依此调整功率放大器集成电路的射频输入信号的值以做功率补偿，其能有效地稳定功率放大器集成电路的射频输出信号的功率。

请参考图6，图6为本发明第三实施例中一功率放大器集成电路600的功能方块图。功率放大器集成电路600包含多个连接端口601a～601d、n级放大单元OP1～OPn、一偏压电路610、一温度检测电路620、一反馈电路630、一增益调整电路640，以及一逻辑电路650。输入端口601a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口601b用来提供一射频输出信号RFout、供给电压输入端口601c用来接收一固定偏压Vc，而控制端口601d则用来接收一控制信号Vs。偏压电路610包含n组电流源，可分别提供固定操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。温度检测电路620可检测操作环境的温度变动，并依此产生相对应的一温度补偿信号St。反馈电路630可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生相对应的一功率补偿信号Sp。逻辑电路650可接收控制端口601d传来的控制信号Vs、温度检测电路620传来的温度补偿信号St以及反馈电路630传来的功率补偿信号Sp，并依据控制信号Vs来输出温度补偿信号St或功率补偿信号Sp其中的一至增益调整电路640。增益调整电路640耦接于输入端口601a以接收射频输入信号RFin，可依据增益调整电路640传来的温度补偿信号St或功率补偿信号Sp来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin′。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口601c以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路610以分别接收操作电流IS1～ISn。放大单元OP1中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口601a，而放大单元OP2～OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。本发明的功率放大器集成电路600利用温度检测电路620来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路630来检测射频输出信号RFout的电位变动，再依据不同运作模式调整射频输入信号RFin的值以进行温度或功率补偿。其结果为，在温度或输出电位改变且不调整放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn的情况下，RFout仍等于（g_m1*g_m2*…*g_mn）RFin′。因此，本发明利用温度检测电路来检测操作环境的温度变化或利用反馈电路来检测射频输出信号的电位变动，再依此调整功率放大器集成电路的射频输入信号的值以进行温度补偿或功率补偿，其能有效地稳定功率放大器集成电路的射频输出信号的功率。

请参考图7，图7为本发明第四实施例中一功率放大器集成电路700的功能方块图。功率放大器集成电路700包含多个连接端口701a～701c、n级放大单元OP1～OPn、一偏压电路710、一温度检测电路720、一反馈电路730、一增益调整电路740，以及一判断电路750。输入端口701a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口701b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口701c则用来接收一固定偏压Vc。偏压电路710包含n组电流源，可分别提供固定操作电流IS1～ISn至n级放大单元OP1～OPn。温度检测电路720可检测操作环境的温度变动，并依此产生相对应的一温度补偿信号St。反馈电路730可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生相对应的一功率补偿信号Sp。判断电路750可接收温度检测电路720传来的温度补偿信号St及反馈电路730传来的功率补偿信号Sp，并依此产生一温度/功率补偿信号Stp至增益调整电路740，温度/功率补偿信号Stp同时反应温度和输出功率变动对增益造成的影响。增益调整电路740耦接于输入端口701a以接收射频输入信号RFin，可依据判断电路750传来的温度/功率补偿信号Stp来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin′。n级放大单元OP1～OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口701c以接收固定偏压Vc，其基极耦接于偏压电路710以分别接收固定操作电流IS1～ISn。放大单元OP1中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口701a，而放大单元OP2～OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供的信号增益值分别由g_m1～g_mn来表示。本发明的功率放大器集成电路700利用温度检测电路720来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路730来检测射频输出信号RFout，利用判断电路750来整合温度和功率变化的影响，再依此调整射频输入信号RFin的值以同时进行温度和功率补偿。其结果为，在温度和输出电位改变且不调整放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn的情况下，RFout仍等于（g_m1*g_m2*…*g_mn）RFin′。因此，本发明利用温度检测电路来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路来检测射频输出信号RFout的电位变动，利用判断电路来整合温度和功率变化的影响，再依此调整功率放大器集成电路的射频输入信号的值以进行温度补偿和功率补偿，其能有效地稳定功率放大器集成电路的射频输出信号的功率。

请参考图8，图8为本发明第一、第三和第四实施例中温度检测电路420、、620或720的示意图。图8所示的温度检测电路包含一电压源VDC、一可变电阻R，以及一二极管组80，可于端点N1输出温度补偿信号St。二极管组80包含p个串接的二极管D1～Dp，二极管组80上的跨压由Vd来表示，因此温度补偿信号St的值如下：

St=(VDC-Vd)/R

由于二极管D1～Dp的特性会随操作温度而变，跨压Vd和操作温度成负相关，藉由选择适合的电阻值R和二极管数目p，增益调整电路提供的温度补偿信号St为负斜率m1的特性曲线，如图9A所示。若对温度补偿信号St进行反向处理，可得到具有正斜率m2（m2=-m1）特性曲线的温度补偿信号St’，如图9B所示。斜率m1和m2皆能反应操作环境的温度变化对输出功率的影响。

请参考图10A和图10B，图10A和图10B为本发明第一至第四实施例中增益调整电路440、540、640或740的实施例的示意图。图10A所示的增益调整电路采用π型场效晶体管衰减器（π-network FET attenuator）的架构，包含场效晶体管开关FET1～FET3和反向器11～12。场效晶体管开关FET1的栅极可接收温度补偿信号St，而场效晶体管开关FET2和FET3的栅极可接收温度补偿信号St’（分别通过反向器11和12接收温度补偿信号St）；图10B所示的增益调整电路采用T型场效晶体管衰减器（T-network FET attenuator）的架构，包含场效晶体管开关FET1～FET3和反向器11。场效晶体管开关FET1和FET2的栅极可接收温度补偿信号St，而场效晶体管开关FET3的栅极可接收温度补偿信号St’（通过反向器11接收温度补偿信号St）。因此，π型场效晶体管衰减器可依据温度补偿信号St来衰减射频输入信号RFin，并输出衰减后的射频输入信号RFin′以进行温度补偿。

在本发明前述实施例中使用双载子接面晶体管来作为放大单元OP1～OPn，然而本发明亦可使用其它具有类似功能的组件，例如场效晶体管（FieldEffect Transistor,FET），而偏压电路可提供固定操作电流或固定操作电压。同时，图8、图9A、图9B、图10A、图10B所示仅为本发明的实施例，并不局限本发明的范畴。本发明的功率放大器集成电路依据温度或功率变化来调整射频输入信号RFin的值，在不改变放大单元OP1～OPn的信号增益值g_m1～g_mn的情况下能提供稳定的射频输出信号RFout。

以上所述仅为本发明的示例实施例，凡依本发明的精神所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims

1.一种具有温度补偿机制的功率放大器集成电路，其包含：

输入端口，用来接收射频输入信号；

输出端口，用来提供射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入信号；

温度补偿电路，耦接该输入端口，用来接收该射频输入信号，并根据温度来调节该射频输入信号后输出；以及

放大电路，耦接该温度补偿电路，用来接收并放大该调节过后的该射频输入信号，

其中该温度补偿电路包含：

温度检测电路，其依据该温度来产生温度补偿信号；以及

增益调整电路，其依据该温度补偿信号来调整该射频输入信号的电平以产生相对应的第1级射频信号，包含：

第一场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口；

第二端；以及

控制端，用来接收该温度补偿信号；

第二场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；

第二端，用来输出该第1级射频信号；以及

控制端，耦接于该第一场效晶体管的控制端；以及

第三场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；

第二端，耦接于接地电位；以及

控制端，用来接收相关于该温度补偿信号的反向信号。

2.如权利要求1所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含：

输出端，用来输出该温度补偿信号；

电压源；

电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及

二极管，耦接于该输出端。

3.如权利要求1所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含：

输出端，用来输出该温度补偿信号；

电压源；

电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及

多个串接的二极管，耦接于该输出端。

4.如权利要求1所述的功率放大器集成电路，其中该放大电路包含n级串接的放大单元，用来分别以第1至第n增益值放大第1级至第n级射频信号，以分别产生相对应的第2级至第（n+1）级射频信号，并输出该第（n+1）级射频信号以做为该射频输出信号。

5.如权利要求4所述的功率放大器集成电路，其中该n级放大单元各包含一双载子接面晶体管或一场效晶体管。

6.一种具有输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含：

输入端口，用来接收射频输入信号；

反馈电路，用来检测该射频输出信号的电位变动，并依此产生相对应的功率补偿信号；

增益调整电路，其依据该功率补偿信号来调整该射频输入信号的电平，以产生相对应的第1级射频信号，该增益调整电路包含：

第一场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口；

第二端；以及

控制端，用来接收该功率补偿信号；

第二场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；

第二端，用来输出该第1级射频信号；以及

控制端，耦接于该第一场效晶体管的控制端；以及

第三场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；

第二端，耦接于接地电位；以及

控制端，用来接收相关于该功率补偿信号的反向信号；以及放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。

7.如权利要求6所述的功率放大器集成电路，其中该放大电路包含n级串接的放大单元，用来分别以第1至第n增益值放大第1级至第n级射频信号，以分别产生相对应的第2级至第（n+1）级射频信号，并输出该第（n+1）级射频信号以做为该射频输出信号。

8.如权利要求7所述的功率放大器集成电路，其中该n级放大单元各包含一双载子接面晶体管或一场效晶体管。

9.一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含：

输入端口，用来接收射频输入信号；

温度检测电路，其依据操作温度来产生温度补偿信号；

逻辑判断电路，其依据该温度补偿信号和该功率补偿信号来输出补偿信号；

增益调整电路，其依据该补偿信号来调整该射频输入信号的电平以产生相对应的第1级射频信号，包含：

第一场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口；

第二端；以及

控制端，用来接收该温度补偿信号；

第二场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；

第二端，用来输出该第1级射频信号；以及

控制端，耦接于该第一场效晶体管的控制端；以及

第三场效晶体管，其包含：

第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；

第二端，耦接于接地电位；以及

控制端，用来接收相关于该温度补偿信号的反向信号；以及

放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。

10.如权利要求9所述的功率放大器集成电路，其中该逻辑判断电路输出该温度补偿信号或该功率补偿信号其中之一以作为该补偿信号。

11.如权利要求9所述的功率放大器集成电路，其中该逻辑判断电路输出同时相关于该温度补偿信号和该功率补偿信号的该补偿信号。

12.如权利要求9所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含：

输出端，用来输出该温度补偿信号；

电压源；

电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及

二极管，耦接于该输出端。

13.如权利要求9所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含：

输出端，用来输出该温度补偿信号；

电压源；

电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及

多个串接的二极管，耦接于该输出端。

14.如权利要求9所述的功率放大器集成电路，其中该放大电路包含n级串接的放大单元，用来分别以第1至第n增益值放大第1级至第n级射频信号以分别产生相对应的第2级至第（n+1）级射频信号，并输出该第（n+1）级射频信号以做为该射频输出信号。

15.如权利要求14所述的功率放大器集成电路，其中该n级放大单元各包含一双载子接面晶体管或一场效晶体管。