CN113162564B - 片上具有温度补偿功能的cmos功率放大器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及应用于移动设备的射频模块集成技术，公开了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，包括多路带隙基准电流源、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路，多路带隙基准电流源分别为三个偏置电路提供电流，射频信号输入总端口与第一级放大电路的输入端连接，第一级放大电路的输出端与第二级放大电路的输入端连接，第二级放大电路的输出端与第三级放大电路的输入端连接，第三级放大电路的输出端与射频信号输出总端口连接。本申请采用三级放大电路结构，实现了补偿高低温状态下增益波动和输出功率波动，能够很好的满足系统的需求。

Description

片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器

技术领域

本申请涉及应用于移动设备的射频模块集成技术，具体涉及一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器。

背景技术

随着通信技术的不断发展，无线通信技术也越来越成熟，射频功率放大器是各种无线通信系统中不可或缺的关键器件，它主要用于将收发信机输出的已调制射频信号进行功率放大，以得到满足无线通信需求的射频信号。

在实际应用过程中，通常需要射频功率放大器的增益和输出功率在高低温状态下保持不变，从而保证在高低温环境下无线通信系统仍然可以保持同样的性能。参照说明书附图6，传统CMOS功率放大器由于硅基的特殊性，在高低温状态下增益波动特别剧烈，因此不能满足系统需求，并且随着工作温度的升高，参照说明书附图8，传统CMOS功率放大器的输出功率也会随着温度的升高而降低。

例如在现有技术中，公开号为CN103762948A，公开日为2014年04月30日，发明名称为“一种集成于片上系统的CMOS射频功率放大器”的发明专利申请，其具体的技术方案为：本发明提供一种集成于片上系统的CMOS射频功率放大器，所述功率放大器集成于片上系统SOC中，实现输出信号功率放大的功能；所述功率放大器包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路及输出匹配电路。本发明的功率放大器采用CMOS工艺实现，很好地集成到SOC芯片中，因此能够单芯片实现功率控制和脉宽调制(PWM)；与以往分立元件或者III-V族化合物半导体实现的功率放大器相比，本发明的功率放大器具有双重功率可调，不需要单独的外部控制芯片，大大节省了应用系统的成本，更方便了系统的调试；并且本发明的功率放大器具有多频段输出功率可调，可以广泛运用在从10MHz到1GHz范围内的多种应用中。

上述现有技术中，采用两级放大电路的结构，第一级放大电路和第二放大电路的偏置电路都与绝对温度成正比的IPTAT连接，只对电路的输出功率降低的问题进行了补偿，但是并没有解决放大电路增益降低的问题。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题和缺陷，本申请提供了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，解决了现有技术中CMOS功率放大器受温度影响大，导致电路输出功率以及增益降低的问题。

为了实现上述发明目的，本申请的技术方案如下：

一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，包括多路带隙基准电流源、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路，射频信号输入总端口与第一级放大电路的输入端连接，第一级放大电路的输出端与第二级放大电路的输入端连接，第二级放大电路的输出端与第三级放大电路的输入端连接，第三级放大电路的输出端与射频信号输出总端口连接；

所述第一偏置电路的电流输入端与多路带隙基准电流源产生的与绝对温度成正比电流连接，输出端与第一级放大电路的偏置端口Ⅰ连接，第一级放大电路通过第一偏置电路镜像电流，实现第一级放大电路低温低增益，高温高增益；

所述第二偏置电路的电流输入端与多路带隙基准电流源产生的与绝对温度成正比电流连接，输出端与第二级放大电路的偏置端口Ⅱ连接，第二级放大电路通过第二偏置电路镜像电流，实现第二级放大电路低温低增益，高温高增益；

所述第三偏置电路的电流输入端与多路带隙基准电流源产生的与绝对温度无关电流连接，输出端与第三级放大电路的偏置端口Ⅲ连接，第三级放大电路通过第三偏置电路镜像电流，实现第三级放大电路低温高增益，高温低增益。

优选地，所述第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路的结构相同，均包括NMOS管M以及电阻R，NMOS管M的源极接地，栅极和漏极短接，漏极与电流输入端i_in连接，栅极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与电流输出端i_out连接。

优选地，所述第一级放大电路包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1以及NMOS管M1，射频信号输入总端口通过电容C1连接至电感L1的一端，电感L1的另一端分别与电阻R1的一端以及NMOS管M1的栅极连接，电阻R1的另一端与第一级放大电路的偏置端口Ⅰ连接，NMOS管M1的源极与电感L2的一端连接，电感L2的另一端接地，NMOS管M1的漏极分别与电感L3的一端以及电感L4的一端连接，电感L3的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C3的一端连接，电容C3的另一端接地，电感L4的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端为第一级放大电路射频信号输出端。

优选地，所述第二级放大电路包括电感L5、电感L6、电容C4、电容C5、电阻R2以及NMOS管M2，第二级放大电路射频信号输入端分别与电阻R2的一端以及NMOS管M2的栅极连接，电阻R2的另一端与第二级放大电路的偏置端口Ⅱ连接，NMOS管M2的源极与电感L5的一端连接，电感L5的另一端接地，NMOS管M2的漏极分别与电感L6以及电容C4的一端连接，电感L6的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C5的一端连接，电容C5的另一端接地，电容C4的另一端为第二级放大电路射频信号输出端。

优选地，所述第三级放大电路包括电容C6、电容C7、电容C8、电阻R3、电阻R4、NMOS管M3、NMOS管M4、巴伦B1以及巴伦B2，第三级放大电路射频信号输入端与巴伦B1的单端输入端连接，巴伦B1的差分输出第一端口分别与电容C6、电阻R3的一端以及NMOS管M3的栅极连接，巴伦B1的差分输出第二端口分别与电容C7、电阻R4的一端以及NMOS管M4的栅极连接，电阻R3以及电阻R4的另一端与第三级放大电路的偏置端口Ⅲ连接，NMOS管M3的源极接地，NMOS管M4的源极接地，NMOS管M3的漏极和电容C7的另一端分别与巴伦B2的差分输入第二端口连接，NMOS管M4的漏极和电容C6的另一端分别与巴伦B2的差分输入第一端口连接，巴伦B2的差分输入端中间抽头连接至电源电压Vdd以及电容C8的一端，电容C8的另一端接地，巴伦B2的单端输出端为功率放大器的输出端。

本申请的有益效果：

（1）本申请采用三级放大电路结构，第一级放大电路和第二放大电路的偏置电路都是和与温度成正比的电流源连接，第三级放大电路和与温度无关的电流源相连接，从而实现了补偿高低温状态下增益波动和输出功率波动，能够很好的满足系统的需求。

（2）本申请前两级放大器的功率晶体管采用了共源结构，第三级放大器的功率晶体管采用了伪差分结构，第二级放大和第三级放大之间采用巴伦匹配，第三级放大器输出也采用巴伦匹配，不但简化了匹配电路结构，还减小了芯片面积，实现了芯片小型化的目的。

（3）本申请对三级放大管的偏置电流进行了数字量化，通过数字控制位a1<0:3>、a2<0:3>、a3<0:3>分别控制第一路电流源、第二路电流源和第三路电流源的大小，通过数字控制位b1<0:3>、b2<0:3>、b3<0:3>分别控制第一路电流源第二路电流源和第三路电流源的斜率，控制放大器增益和输出功率的变化更加精准。

附图说明

本申请的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚，附图中：

图1为本申请芯片结构框图；

图2为本申请偏置电路原理图；

图3为本申请第一级放大电路原理图；

图4为本申请第二级放大电路原理图；

图5为本申请第三级放大电路原理图；

图6为传统CMOS功率放大器高低温（-55℃~+85℃）状态下的增益曲线；

图7为本申请高低温（-55℃~+85℃）状态下的增益曲线；

图8为传统CMOS功率放大器高低温（-55℃~+85℃）状态下的输出功率随频率变化的曲线；

图9为本申请高低温（-55℃~+85℃）状态下的输出功率随频率变化的曲线。

图中：

1、多路带隙基准电流源；2、第一级放大电路；3、第二级放大电路；4、第三级放大电路；5、第一偏置电路；6、第二偏置电路；7、第三偏置电路；8、射频信号输入总端口；9、射频信号输出总端口；10、偏置端口Ⅰ；11、偏置端口Ⅱ；12、偏置端口Ⅲ；13、第一级放大电路射频信号输出端；14、第二级放大电路射频信号输入端；15、第二级放大电路射频信号输出端；16、第三级放大电路射频信号输入端。

具体实施方式

下面通过几个具体的实施例来进一步说明实现本申请发明目的的技术方案，需要说明的是，本申请要求保护的技术方案包括但不限于以下实施例。

实施例1

本实施例公开了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，参照说明书附图1所示，所述功率放大器包括多路带隙基准电流源1、第一级放大电路2、第二级放大电路3、第三级放大电路4、第一偏置电路5、第二偏置电路6以及第三偏置电路7，三个放大电路依次连接，其中射频信号输入总端口8与第一级放大电路2的输入端连接，第一级放大电路2的输出端与第二级放大电路3的输入端连接，第二级放大电路3的输出端与第三级放大电路4的输入端连接，第三级放大电路4的输出端与射频信号输出总端口9连接；

所述第一偏置电路5的电流输入端与多路带隙基准电流源1产生的与绝对温度成正比电流连接，输出端与第一级放大电路2的偏置端口Ⅰ10连接，第一级放大电路2通过第一偏置电路5镜像电流，实现第一级放大电路2低温低增益，高温高增益；

所述第二偏置电路6的电流输入端与多路带隙基准电流源1产生的与绝对温度成正比电流连接，输出端与第二级放大电路3的偏置端口Ⅱ11连接，第二级放大电路3通过第二偏置电路6镜像电流，实现第二级放大电路3低温低增益，高温高增益；

所述第三偏置电路7的电流输入端与多路带隙基准电流源1产生的与绝对温度无关电流连接，输出端与第三级放大电路4的偏置端口Ⅲ12连接，第三级放大电路4通过第三偏置电路7镜像电流，实现第三级放大电路4低温高增益，高温低增益。

本实施例中，采用三级放大电路结构，第一级放大电路和第二放大电路的偏置电路都是和与温度成正比的电流源连接，第三级放大电路和与温度无关的电流源相连接，从而实现了补偿高低温状态下增益波动和输出功率波动，能够很好的满足系统的需求。

实施例2

本实施例公开了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，本实施例在实施例1的基础上对三个偏置电路以及三级放大电路做出了进一步的限定。

第一偏置电路5、第二偏置电路6以及第三偏置电路7内部电路结构如图2所示，三者的电路结构相同，均包括一个NMOS管M以及一个电阻R，其中，NMOS管M的源极接地，栅极和漏极短接，该NMOS管M的漏极与电流输入端i_in连接，该NMOS管M的栅极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与电流输出端i_out连接。该偏置电路和放大器中的NMOS管构成镜像电流，把i_in端输入的电流按照NMOS管M和放大器中的NMOS管的栅宽比例镜像到放大器中的NMOS管中，实现放大器管子偏置的功能。

参照说明书附图3所示，第一级放大电路2分别有输入端口、输出端口、一个偏置端口和电源端口，具体的，所述第一级放大电路2包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1以及NMOS管M1，射频信号输入总端口8通过电容C1连接至电感L1的一端，电感L1的另一端分别与电阻R1的一端以及NMOS管M1的栅极连接，电阻R1的另一端与第一级放大电路2的偏置端口Ⅰ10连接，NMOS管M1的源极与电感L2的一端连接，电感L2的另一端接地，NMOS管M1的漏极分别与电感L3的一端以及电感L4的一端连接，电感L3的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C3的一端连接，电容C3的另一端接地，电感L4的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端为第一级放大电路射频信号输出端13。

第一级放大电路2为共源极放大器，其中电容C1为隔直作用，电感L1为输入匹配电路，电感L2提供负反馈回路，起稳定作用，电感L3为电源电路和输出匹配电路，电容C3滤除电源杂波。

参照说明书附图4所示，第二级放大电路3同样的有输入端口、输出端口、一个偏置端口和电源端口，具体的，所述第二级放大电路3包括电感L5、电感L6、电容C4、电容C5、电阻R2以及NMOS管M2，第二级放大电路射频信号输入端14的一端与第一级放大电路射频信号输出端13连接，另一端分别与电阻R2的一端以及NMOS管M2的栅极连接，电阻R2的另一端与第二级放大电路3的偏置端口Ⅱ11连接，NMOS管M2的源极与电感L5的一端连接，电感L5的另一端接地，NMOS管M2的漏极分别与电感L6以及电容C4的一端连接，电感L6的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C5的一端连接，电容C5的另一端接地，电容C4的另一端为第二级放大电路射频信号输出端15。

第二级放大电路3为共源极放大器，电感L4和电感L3共同构成第二级放大输入端和第一级放大输出端的级间匹配电路，电感L5提供负反馈回路，起稳定作用，电感L6为电源电路和输出匹配电路，电容C5滤除电源杂波，电容C4为隔直作用。

参照说明书附图5所示，第三级放大电路4同样的有输入端口、输出端口、一个偏置端口和电源端口，具体的，所述第三级放大电路4包括电容C6、电容C7、电容C8、电阻R3、电阻R4、NMOS管M3、NMOS管M4、巴伦B1以及巴伦B2，第三级放大电路射频信号输入端17的一端与第二级放大电路射频信号输出端15连接，另一端与巴伦B1的单端输入端连接，巴伦B1的差分输出第一端口分别与电容C6、电阻R3的一端以及NMOS管M3的栅极连接，巴伦B1的差分输出第二端口分别与电容C7、电阻R4的一端以及NMOS管M4的栅极连接，电阻R3以及电阻R4的另一端与第三级放大电路4的偏置端口Ⅲ12连接，NMOS管M3的源极接地，NMOS管M4的源极接地，NMOS管M3的漏极和电容C7的另一端分别与巴伦B2的差分输入第二端口连接，NMOS管M4的漏极和电容C6的另一端分别与巴伦B2的差分输入第一端口连接，巴伦B2的差分输入端中间抽头连接至电源电压Vdd以及电容C8的一端，电容C8的另一端接地，巴伦B2的单端输出端为功率放大器的输出端，即射频信号输出总端口9。

第一级放大电路2中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a1<0:3>来调节，电流斜率通过4bit控制位b1<0:3>来调节。通过该方法可以在高低温状态下为整个放大器提供足够的增益、驱动功率以及高低温增益补偿。

进一步地，第二级放大电路3中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a2<0:3>来调节，电流的斜率通过4bit控制位b2<0:3>来调节。通过该方法可以在高低温状态下为整个放大器提供足够的增益、驱动功率以及高低温增益补偿。

进一步地，第三级放大电路4中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a3<0:3>来调节，电流的斜率通过4bit控制位b3<0:3>来调节。通过该方法可以在高低温状态下为整个放大器提供足够的增益以及输出功率。

本实施例对三级放大管的偏置电流进行了数字量化，通过数字控制位a1<0:3>、a2<0:3>、a3<0:3>分别控制第一路电流源、第二路电流源和第三路电流源的大小，通过数字控制位b1<0:3>、b2<0:3>、b3<0:3>分别控制第一路电流源第二路电流源和第三路电流源的斜率，控制放大器增益和输出功率的变化。

参照说明书附图6所示，传统CMOS功率放大器在低温（-55℃）时增益最高，常温（25℃）时增益在中间，高温（85℃）时增益最低。在高低温（-55℃~+85℃）状态下，传统CMOS功率放大器增益差值太大，无法满足现代通信系统需求。

本申请CMOS功率放大器芯片的仿真结果如图7所示，其工作频率为14GHz~15GHz，在不同温度（-55℃、25℃和85℃）下的幅频特性曲线。从图7中可以看出，在14.5GHz频点处增益有一个交叉点，在14GHz~14.5GHz频段范围内低温（-55℃）时增益最高，常温（25℃）时增益在中间，高温（85℃）时增益最低，高低温（-55℃、25℃和85℃）状态下增益差值在±0.5dB范围内；在14.5GHz ~15GHz频段范围内低温（-55℃）时增益在中间，常温（25℃）时增益最高，高温（85℃）时增益最低，高低温（-55℃、25℃和85℃）状态下增益差值在±0.5dB范围内。本发明所述的一种具有温度补偿功能的CMOS功率放大器芯片在整个工作频段14GHz~15GHz内，高低温（-55℃、25℃和85℃）状态下的增益波动在±0.5dB范围内，很好的实现了增益温度补偿功能。

参照说明书附图8所示，传统的CMOS功率放大器在低温（-55℃）时功率最高，常温（25℃）时功率在中间，高温（85℃）时功率最低。在高低温（-55℃~+85℃）状态下，传统CMOS功率放大器功率差值太大，无法满足现代通信系统需求。

本申请CMOS功率放大器芯片的仿真结果如图9所示，其工作频率为14GHz~15GHz，在不同温度（-55℃、25℃和85℃）下功率随频率变化的曲线。从图9中可以看出，在14GHz处低温（-55℃）和常温（25℃）状态下输出功率有一个交叉点，在14GHz处常温（25℃）和高温（85℃）状态下输出功率有一个交叉点。本发明所述的一种具有温度补偿功能的CMOS功率放大器芯片在整个工作频段14GHz~15GHz内，高低温（-55℃、25℃和85℃）状态下的功率波动在±0.15dB范围内，很好的实现了功率温度补偿功能。

本申请电路结构简单、面积小、成本低、性能优良，能够实现增益温度补偿和输出功率温度补偿。该设计方法也可以应用于其他频段放大器的设计里，在各种小型化系统中具有广阔的应用前景，在其他相关领域也有重要的应用价值。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

以上所述，仅是本申请的较佳实施例，并非对本申请做任何形式上的限制，凡是依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本申请的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，其特征在于：包括多路带隙基准电流源（1）、第一级放大电路（2）、第二级放大电路（3）、第三级放大电路（4）、第一偏置电路（5）、第二偏置电路（6）以及第三偏置电路（7），射频信号输入总端口（8）与第一级放大电路（2）的输入端连接，第一级放大电路（2）的输出端与第二级放大电路（3）的输入端连接，第二级放大电路（3）的输出端与第三级放大电路（4）的输入端连接，第三级放大电路（4）的输出端与射频信号输出总端口（9）连接；

所述第一偏置电路（5）的电流输入端与多路带隙基准电流源（1）产生的与绝对温度成正比电流连接，输出端与第一级放大电路（2）的偏置端口Ⅰ（10）连接，第一级放大电路（2）通过第一偏置电路（5）镜像电流，实现第一级放大电路（2）低温低增益，高温高增益；

所述第二偏置电路（6）的电流输入端与多路带隙基准电流源（1）产生的与绝对温度成正比电流连接，输出端与第二级放大电路（3）的偏置端口Ⅱ（11）连接，第二级放大电路（3）通过第二偏置电路（6）镜像电流，实现第二级放大电路（3）低温低增益，高温高增益；

所述第三偏置电路（7）的电流输入端与多路带隙基准电流源（1）产生的与绝对温度无关电流连接，输出端与第三级放大电路（4）的偏置端口Ⅲ（12）连接，第三级放大电路（4）通过第三偏置电路（7）镜像电流，实现第三级放大电路（4）低温高增益，高温低增益；

所述第一偏置电路（5）、第二偏置电路（6）以及第三偏置电路（7）的结构相同，均包括NMOS管M以及电阻R，NMOS管M的源极接地，栅极和漏极短接，漏极与电流输入端i_in连接，栅极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与电流输出端i_out连接；

所述第一级放大电路（2）包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1以及NMOS管M1，射频信号输入总端口（8）通过电容C1连接至电感L1的一端，电感L1的另一端分别与电阻R1的一端以及NMOS管M1的栅极连接，电阻R1的另一端与第一级放大电路（2）的偏置端口Ⅰ（10）连接，NMOS管M1的源极与电感L2的一端连接，电感L2的另一端接地，NMOS管M1的漏极分别与电感L3的一端以及电感L4的一端连接，电感L3的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C3的一端连接，电容C3的另一端接地，电感L4的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端为第一级放大电路射频信号输出端（13）；

第一级放大电路2中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a1<0:3>来调节，电流斜率通过4bit控制位b1<0:3>来调节；

第二级放大电路3中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a2<0:3>来调节，电流的斜率通过4bit控制位b2<0:3>来调节；

第三级放大电路4中的电流大小通过多路带隙基准电流源中4bit控制位a3<0:3>来调节，电流的斜率通过4bit控制位b3<0:3>来调节。

2.根据权利要求1所述的片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，其特征在于：所述第二级放大电路（3）包括电感L5、电感L6、电容C4、电容C5、电阻R2以及NMOS管M2，第二级放大电路射频信号输入端（14）分别与电阻R2的一端以及NMOS管M2的栅极连接，电阻R2的另一端与第二级放大电路（3）的偏置端口Ⅱ（11）连接，NMOS管M2的源极与电感L5的一端连接，电感L5的另一端接地，NMOS管M2的漏极分别与电感L6以及电容C4的一端连接，电感L6的另一端分别与电源电压Vdd以及电容C5的一端连接，电容C5的另一端接地，电容C4的另一端为第二级放大电路射频信号输出端（15）。

3.根据权利要求1所述的片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器，其特征在于：所述第三级放大电路（4）包括电容C6、电容C7、电容C8、电阻R3、电阻R4、NMOS管M3、NMOS管M4、巴伦B1以及巴伦B2，第三级放大电路射频信号输入端（16）与巴伦B1的单端输入端连接，巴伦B1的差分输出第一端口分别与电容C6、电阻R3的一端以及NMOS管M3的栅极连接，巴伦B1的差分输出第二端口分别与电容C7、电阻R4的一端以及NMOS管M4的栅极连接，电阻R3以及电阻R4的另一端与第三级放大电路（4）的偏置端口Ⅲ（12）连接，NMOS管M3的源极接地，NMOS管M4的源极接地，NMOS管M3的漏极和电容C7的另一端分别与巴伦B2的差分输入第二端口连接，NMOS管M4的漏极和电容C6的另一端分别与巴伦B2的差分输入第一端口连接，巴伦B2的差分输入端中间抽头连接至电源电压Vdd以及电容C8的一端，电容C8的另一端接地，巴伦B2的单端输出端为功率放大器的输出端。

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