JP2008147685A - Mramメモリアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセル150のアレイと、第1の方向に延びる複数の非線形のワードライン110と、第2の方向に延びる複数の実質的に線形のビットライン120とからなり、ワードライン110がビットライン120と複数のメモリセル位置130で交差し、メモリセル150が、ワードライン110とビットライン120の間にあるメモリセル位置130に配置され、メモリセル位置130においてワードライン110の一部がビットライン120の一部と実質的に同延になっており、ワードライン110は、端部と端部が接続され互いにある角度を成して配置された複数の脚部を含み、脚部のそれぞれが、隣接する脚部と鋭角を成している。
【選択図】図4
Description
一般的なMRAM装置は、メモリセルのアレイを含む。図1は、従来のメモリセルアレイ10を示す。メモリセルアレイ10は、メモリセルアレイ10の行に沿って延在するワードライン14と、メモリセルアレイ10の列に沿って延在するビットライン16とを含む。メモリセル12は、各ワードライン14とビットライン16との交点に位置する。各メモリセル12は、情報のビットを磁化の方向として記憶する。各メモリセル12の磁化の方向は、その時々で2つの安定方向のうちの1つをとる。2つの安定方向、すなわち平行および逆平行は、2値論理値「1」および「0」を表す。
1.メモリセル(150)のアレイと、第1の方向(x)に延在する複数の非線形のワードライン(110)と、第2の方向(y)に延在する複数の実質的に線形のビットライン(120)であって、前記ワードライン(110)が該ビットライン(120)と複数のメモリセル位置(130)で交差し、前記メモリセル(150)が該メモリセル位置(130)に配置される、複数のビットライン(120)と、からなるMRAMメモリアレイ(100)。
2.前記ワードライン(110)は、端部と端部が接続され、互いにある角度を成して配置された複数の脚(112,114,116,118)を含む、項番1のMRAMメモリアレイ(100)。
3.前記脚(112,114,116,118)のそれぞれが、隣接する脚(112,114,116,118)と実質的に直交している、項番2のMRAMメモリアレイ(100)。
4.前記脚(112,114,116,118)のそれぞれが、隣接する脚(112,114,116,118)と鋭角を成している、項番2のMRAMメモリアレイ(100)。
5.前記ワードライン(110)の交互の脚(112,114,116,118)が、前記メモリセル位置(130)において前記ビットライン(120)の一部と実質的に同延になっている、項番2のMRAMメモリアレイ(100)。
6.前記ワードライン(110)の一部が、前記メモリセル位置(130)において前記ビットライン(120)の一部と実質的に同延になっている、項番1のMRAMメモリアレイ。
7.前記ワードライン(110)の一部が、前記メモリセル位置(130)において前記ビットライン(120)の一部と平行になっている、項番6のMRAMメモリアレイ。
8.前記メモリセル(150)のそれぞれが、前記第2の方向(y)に横方向磁界を生成する、項番1のMRAMメモリアレイ。
9.前記メモリセル(150)のそれぞれは、前記横方向磁界を生成する横配向磁性層(162)と、磁化容易方向(164)を有するデータ記憶層(152)と、前記横方向磁界が前記磁化容易方向(164)を横切るピン層(156)と、を含む、項番8のMRAMメモリアレイ(100)。
10.前記ワードライン(110)は、ワード電流を受容するように構成され、前記ビットライン(120)は、ビット電流を受容するように構成され、ワード電流が、メモリセル位置(130)においてビット電流と45度未満の角度を成して配置されている、項番1のMRAMメモリアレイ(100)。
110 ワードライン、
112 第1の脚、
114 第2の脚、
116 第3の脚、
118 第4の脚、
120 ビットライン、
130 メモリセル位置、
150 メモリセル、
152 データ記憶層、
156 ピン層、
162 横配向磁性層、
164 磁化容易方向。
Claims (13)
- メモリセルのアレイと、
第1の方向に延びる複数の非線形のワードライン(110)と、
第2の方向に延びる複数の実質的に線形のビットラインと
からなり、
前記ワードラインが前記ビットラインと複数のメモリセル位置で交差し、前記メモリセルが、前記ワードラインと前記ビットラインの間にある前記メモリセル位置に配置され、前記メモリセル位置において前記ワードラインの一部が前記ビットラインの一部と実質的に同延になっており、
前記ワードラインは、端部と端部が接続され互いにある角度を成して配置された複数の脚部を含み、
前記脚部のそれぞれが、隣接する脚部と鋭角を成している、MRAMメモリアレイ。 - 前記鋭角は、前記脚部と前記隣接する脚部との位置間を電流が最短経路を流れる角度であり、
前記最短経路を流れる電流は、前記メモリセルにおける磁界を前記第2方向に整列させる、請求項1のMRAMメモリアレイ。 - 前記ワードラインの交互の脚部が、前記メモリセル位置において前記ビットラインの一部と実質的に同延になっている、請求項1のMRAMメモリアレイ。
- 前記メモリセルのそれぞれが、前記第2の方向に横方向磁界を生成する、請求項1のMRAMメモリアレイ。
- 前記メモリセルのそれぞれが、前記横方向磁界を生成する横配向磁性層を含む、請求項4のMRAMメモリアレイ。
- 前記メモリセルのそれぞれが、磁化容易方向を有するデータ記憶層と、ピン層とを含み、
前記横方向磁界が前記磁化容易方向を横切る、請求項4のMRAMメモリアレイ。 - 前記横配向磁性層は、永久磁性層およびピン止めされた磁性体の層のうちの一方を含む、請求項5のMRAMメモリアレイ。
- 前記ワードラインがワード電流を受け取るように構成され、前記ビットラインがビット電流を受け取るように構成され、前記メモリセル位置において前記ワード電流がビット電流と45度未満の角度を成して配置される、請求項1のMRAMメモリアレイ。
- 少なくとも1つのメモリセルと、
第1の方向に延び、第1の電流を受け取るように構成された、少なくとも1本のワードラインと、
第2の方向に延び、第2の電流を受け取るように構成された、少なくとも1本のビットラインと
からなり、前記ワードラインが前記ビットラインと少なくとも1つのメモリセル位置で交差し、前記メモリセルが、前記ワードラインと前記ビットラインの間にある前記メモリセル位置に配置され、前記メモリセル位置において前記第1の電流が前記第2の電流に対して45度未満の角度を成して配置され、
前記少なくとも1つのメモリセルが複数のメモリセルのアレイを含み、
前記少なくとも1本のワードラインが複数のワードラインを含み、
前記少なくとも1本のビットラインが複数のビットラインを含み、
前記ワードラインは、端部と端部が接続され互いにある角度を成して配置された複数の脚部を含む、MRAMメモリアレイ。 - 前記メモリセルのそれぞれが、前記第2の方向に横方向磁界を生成する横配向磁性層を含む、請求項9のMRAMメモリアレイ。
- 前記メモリセルのそれぞれが、磁化容易方向を有するデータ記憶層と、ピン層とを含み、
前記横方向磁界が前記磁化容易方向に対して実質的に直交するように配置される、請求項10のMRAMメモリアレイ。 - 前記メモリセル位置において前記第1の電流が前記第2の電流と実質的に整列する、請求項9のMRAMメモリアレイ。
- メモリセルのアレイであって、該メモリセルのそれぞれが、磁化容易軸方向を有するデータ記憶層と、ピン層と、前記磁化容易軸方向に対して実質的に直交する横方向磁界を生成する横向きに配置された磁性層とからなる、メモリセルのアレイと、
第1の方向に延びる複数のワードラインであって、該ワードラインのそれぞれが、端部と端部が接続され互いにある角度を成して配置された複数の脚部を含み、前記脚部のそれぞれが、隣接する前記脚部と鋭角を成している複数のワードラインと、
第2の方向に延びる複数の実質的に線形のビットラインと
からなり、前記ワードラインが前記ビットラインと複数のメモリセル位置で交差し、前記メモリセルが、前記ワードラインと前記ビットラインの間にある前記メモリセル位置に配置され、前記メモリセル位置において前記ワードラインの一部が前記ビットラインの一部と実質的に同延になっており、
前記複数のワードラインのそれぞれがワード電流を受け取るように構成され、前記複数のビットラインのそれぞれがビット電流を受け取るように構成され、前記メモリセル位置において前記ワード電流が前記ビット電流と実質的に整列する、MRAMメモリアレイ。
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