JP5100935B2 - Mramの性能を向上させるための最適な書込導体レイアウト - Google Patents
Mramの性能を向上させるための最適な書込導体レイアウト Download PDFInfo
- Publication number
- JP5100935B2 JP5100935B2 JP2001221215A JP2001221215A JP5100935B2 JP 5100935 B2 JP5100935 B2 JP 5100935B2 JP 2001221215 A JP2001221215 A JP 2001221215A JP 2001221215 A JP2001221215 A JP 2001221215A JP 5100935 B2 JP5100935 B2 JP 5100935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- width
- layer
- conductor
- write
- data storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の最適な書込導体レイアウトに関し、特に、書込導体の幅がデータ記憶層の幅よりも小さく作製され、書込導体の幅がデータ記憶層の幅内に完全に含まれる、書込導体レイアウトに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的なMRAMデバイスは、メモリセルのアレイを含む。ワードラインは、複数のメモリセルからなる行に沿って伸び、ビットラインは、複数のメモリセルからなる列に沿って伸びる。ワードラインとビットラインとの交差点に位置する各メモリセルは、1ビットの情報を磁化方向として格納する。各メモリセルの磁化方向は、所与の時間で2つの安定した方向のうちの1つをとる。これら2つの安定した方向、すなわち平行及び逆平行(anti-parallel)は、論理値「1」及び「0」を表すものとなる。選択されたメモリセルの磁化方向は、選択されたメモリセルと交差するワードライン及びビットラインに電流を供給することにより変更することができる。該電流は、その結合時に選択されたメモリセルの磁化方向を平行から逆平行へ又はその逆に切り替えることができる磁界を生成する。ワードライン及びビットラインが協働して、選択されたメモリセルの磁化方向を切り替える(すなわちメモリセルに対する書き込みを行う)ため、ワードライン及びビットラインを包括的に書込ラインと呼ぶことができる。更に、該書込ラインはまた、メモリセルに格納されている論理値を読み出すために使用することもできる。
【0003】
図1aは、簡略化された従来技術によるMRAMアレイ100の平面図を示している。該アレイ100は、ワードライン130、ビットライン132、及びメモリセル120を含む。メモリセル120は、ワードライン130とビットライン132との各交差部分に配置されている。多くのMRAM設計では、書込ライン(130,132)は、ビットライン132の幅dxとワードライン130の幅dyとで示すように、メモリセル120と同じ幅で作製される。したがって、メモリセル120は、書込ライン(130,132)の幅により規定される矩形寸法dx,dyを有する。一般に、図1bに示すように、書込ライン(130,132)は互いに直交する関係で配置されており、メモリセル120は書込ライン(130,132)の間に配置される。例えば、ビットライン132をメモリセル120の上に配置することができ、ワードライン130をメモリセル120の下に配置することができる。
【0004】
図2aないし図2cは、1つのメモリセル120における1ビットのデータの格納を示す。図2aにおいて、メモリセル120は、誘電体領域126により互いに分離されたアクティブ磁気データフィルム122及び固定(pinned)磁気フィルム124を含む。アクティブ磁気データフィルム122における磁化方向は、一定ではなく、矢印M1で示すような2つの安定した方向をとることができる。一方、固定磁気フィルム124は、矢印M2で示すように一定の磁化方向を有する。アクティブ磁気データフィルム122は、メモリセル120への書き込み動作中に、書込ライン(130,132,図示せず)に加えられる電流に応じて、その磁化方向を回転させる。図2bに示すように、M1,M2が互いに平行である場合には、メモリセル120に格納されるデータビットの第1の論理状態が示される。例えば、M1,M2が平行である場合には、論理「1」状態がメモリセル120に格納される。逆に、図2cに示すようにM1,M2が互いに逆平行である場合には、第2の論理状態が示される。同様に、M1,M2が逆平行である場合には、論理「0」状態がメモリセル120に格納される。図2b及び図2cでは、誘電体領域126は省略されている。図2aないし図2cは、固定磁気フィルム124の上に配置されたアクティブ磁気データフィルム122を示しているが、固定磁気フィルム124をアクティブ磁気データフィルム122の上に配置することもできる。
【0005】
メモリセル120の抵抗は、M1,M2の方向により異なる。M1,M2が逆平行である、すなわち論理「0」状態である場合には、メモリセル120の抵抗はその最高値となる。一方、M1,M2の方向が平行である、すなわち論理「1」状態である場合には、メモリセル120の抵抗はその最低値となる。その結果として、メモリセル120に格納されているデータビットの論理状態は、その抵抗を測定することにより決定することができる。メモリセル120の抵抗は、書込ライン(130,132)に印加された読出電圧に応じて流れるセンス電流123(図2a参照)の大きさに影響される。
【0006】
図3において、メモリセル120は、書込ライン(130,132)の間に配置されている。アクティブ及び固定磁気フィルム(122,124)は図3には示されていない。アクティブ磁気データフィルム122の磁化方向は、磁界Hyを生成する電流Ixと磁界Hxを生成する電流Iyとに応じて回転する。該磁界Hx及びHyが協働してメモリセル120の磁界方向を回転させる。図3において、書込ライン(130,132)は、図1a及び図1bに関して上述したように、メモリセル120と同じ幅(dx,dy)を有するよう図示されている。
【0007】
理想的には、書込ライン(130,132)は共に、メモリセル120上の対応する幅(dx,dy)と同じ幅(dx,dy)を有するべきである。したがって、ビットライン132は、図4aに示すように、メモリセル120の垂直方向Yの幅WDVと等しい垂直方向Yの幅WCVを有するべきである。同様に、ワードライン130は、図5aに示すように、メモリセル120の水平方向Xの幅WDHと等しい水平方向Xの幅WCHを有するべきである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、アレイ100の書込ライン(130,132)とメモリセル120との間のミスアライメントに起因して(図1a及び図1b参照)、ワードライン130及びビットライン132がメモリセル120からオフセットする可能性がある。該ミスアライメントは、MRAMデバイスの作製に使用されるリソグラフプロセスに固有のリソグラフアライメントの不精確さに起因するものである。図4bにおいて、ビットライン132は、オフセットδだけメモリセル120からオフセットしている。同様に、図5bにおいて、ワードライン130は、オフセットδだけメモリセル120からオフセットしている。該δの値は、MRAM装置を作製するために使用されるリソグラフプロセスにより決まる。例えば、最新技術におけるδの値は、0.05μmのオーダーとなり得る。該δの値は、サブミクロンサイズのメモリセルにとっては極めて大きなものである。
【0009】
該オフセットδの1つの欠点は、図4b及び図5bのそれぞれにおいてメモリセル120の露出した縁部を取り囲む破線141,145で示すような、書込ライン(130,132)により覆われていないメモリセル120の部分で磁界が低減することである。その結果として、書込ライン(130,132)からの結合された磁界が、メモリセル120を選択する書込み動作中に平行方向から逆平行方向へ(又はその逆に)磁界M1の方向を回転させることができない場合がある。
【0010】
オフセットδの別の欠点は、それぞれ図4b及び図5bにおいてクロスハッチング領域143,147で示すように、書込ライン(130,132)の一部がメモリセル120の幅の外側に位置することである。その結果として、それら部分により生成される磁界は主に無駄になり、磁界M1の方向の回転に寄与することができない。更に、極端な場合には、クロスハッチング領域143,147により生成される磁界の部分が、隣接するメモリセル(図示せず)の選択されていないビットに干渉し、これにより、それら隣接するメモリセルに既に書き込まれている情報のデータ破壊が生じる可能性がある。
【0011】
更に、磁界Hy,Hxをそれぞれ生成する電流Ix,Iyの大きさが、メモリセル120への書き込みを行うには不十分なものとなる。これは、磁界Hy,Hxの一部が無駄になるからである。最も高密度のMRAM設計では、電流及び磁界は極めて貴重なものであり、電力消費を低下させ、及び磁界Hy,Hxをアクティブ磁気データフィルム122に効率良く結合させるために、書込み電流Ix,Iyを効率良く利用する試みがなされなければならない。
【0012】
したがって、MRAMメモリセルのデータ記憶層と該データ記憶層と交差する書込ラインとの間のミスアライメントをなくす、MRAMメモリの電流伝達用導体のためのレイアウト構造が必要とされている。
【0013】
また、書込ラインにより生成される磁界が無駄にならずにデータ記憶層と効率良く結合されるように、書込ラインがデータ記憶層の幅内に含まれている必要がある。
【0014】
更に、メモリセルに対する書込み動作時にデータ記憶層の磁化方向を回転させるために必要となる書込み電流の大きさを低減させることによりMRAMメモリセルの電力消費を低減させる必要がある。例えば、電力消費の低減の結果として、MRAMメモリに組み込まれている電子デバイスにより生成される廃熱を低減させることが可能となる。更に、携帯型機器の場合には、電池寿命を延長させるために電力消費を低減させることが望ましい。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上述の必要とされている事項は、本発明の書込導体レイアウト構造により満たされる。書込ライン(すなわちワードライン又はビットライン)とデータ記憶層との間のミスアライメントは、書込ラインの幅を該書込ラインが交差するデータ記憶層の幅よりも狭くすることにより対処される。更に、書込ラインは、その幅がデータ記憶層の幅内に完全に含まれるように配置される。また、磁界の漏れ、無駄になる磁界、及びデータ記憶層との磁界の低減された結合に関する問題も、書込ラインの幅を狭くすること、及び該書込ラインをデータ記憶層の幅内に配置することにより解決される。更に、書込ラインの幅を狭くすることにより、所与の電流に対してより大きい磁界を生成することができ、また、データ記憶層の磁化方向を回転させるために必要な大きさの磁界をより小さな電流で生成することができ、これにより電力消費を低減させることができる。
【0016】
広範には、本発明は、第1の方向に第1の層幅を有すると共に第2の方向に第2の層幅を有するデータ記憶層を含む磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造において実施される。該データ記憶層は、第1の方向で第1の幅を有する第1の導体と第2の方向で第2の幅を有する第2の導体との間に配置される。該第1及び第2の導体は、それぞれ第1及び第2の方向にデータ記憶層と交差する。第1の導体の第1の幅は、データ記憶層の第1の層幅よりも狭く、該第1の層幅が該第1の導体の第1の幅の全体に重なるように配置される。同様に、第2の導体の第2の幅は、データ記憶層の第2の層幅よりも狭く、該第2の層幅が該第2の導体の第2の幅の全体に重なるように配置される。更に、第1の導体、第2の導体、又は第1及び第2の導体の両方は、第1及び第2の層幅よりもそれぞれ狭い幅で作製することも可能である。
【0017】
本発明の一実施形態では、第1及び第2の幅は、それらそれぞれ第1及び第2の層幅よりもプロセスアライメントオフセットだけ小さくなるよう選択することができる。該プロセスアライメントオフセットは、MRAM装置の製造に使用されるリソグラフプロセスのアライメント公差に基づくものとすることができる。
【0018】
本発明の別の実施形態では、第1及び第2の導体の何れかを、その対応する層幅内で中央に配置すること、その対応する層幅内で左にシフトすること、又はその対応する層幅内で右にシフトすることが可能である。
【0019】
本発明の一実施形態では、第1及び第2の導体は、MRAM装置のワードライン又はビットライン(書込ライン)とすることができる。
【0020】
本発明の別の実施形態では、第1の導体に加えられる電流により生成される書込磁界の第1の部分の大きさは、第1の幅が少なくとも第1の層幅と等しい場合よりも大きい。
【0021】
本発明の一実施形態では、第2の導体に加えられる電流により生成される書込磁界の第2の部分の大きさは、第2の幅が少なくとも第2の層幅と等しい場合よりも大きい。
【0022】
本発明の別の実施形態では、第1の幅の位置は、第1の導体に加えられる電流の大きさが、第1の幅が少なくとも第1の層幅と等しい場合よりも小さくなるように、書込磁界の第1の部分をデータ記憶層に有効に結合する。
【0023】
本発明の更に別の実施形態では、第2の幅の位置は、第2の導体に加えられる電流の大きさが、第2の幅が少なくとも第2の層幅と等しい場合よりも小さくなるように、書込磁界の第2の部分をデータ記憶層に有効に結合する。
【0024】
本発明の他の態様及び利点は、本発明の原理を例示する図面に関して行う以下の詳細な説明から明らかとなろう。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下の詳細な説明及び幾つかの図面では、同様の要素は同様の符号で識別される。
【0026】
解説を目的として図示するように、本発明は、磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造で実施される。該書込導体レイアウト構造は、第1の幅を有する第1の導体と第2の幅を有する第2の導体とを含む。データ記憶層は、第1及び第2の導体間に配置され、第1の方向における第1の層幅と第2の方向における第2の層幅とを含む。第1及び第2の導体は、それぞれ実質的に第1及び第2の方向にデータ記憶層と交差する。第1の導体の第1の幅は、第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、該第1の層幅が該第1の幅の全体に重なるように該第1の幅が該第1の層幅に対して配置される。第2の導体の第2の幅は、第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、該第2の層幅が該第2の幅の全体に重なるように該第2の幅が該第2の層幅に対して配置される。
【0027】
第1及び第2の幅が第1及び第2の層幅よりも小さいことの利点には、以下の点が含まれる(但しそれらに限定されるものではない)。すなわち、データ記憶層と第1及び/又は第2の導体との間のミスアライメントに起因して書込磁界が無駄にされ又は低減されないように、書込磁界のデータ記憶層との結合が改善される。上述のミスアライメントがなくなるように第1及び/又は第2の幅がそれぞれの層幅内に含まれる。第1及び第2の幅をそれぞれの層幅内に配置することにより、近くのメモリセルに干渉する可能性のある漏れ磁界が低減され又は排除される。第1及び/又は第2の導体の幅を狭くすることにより、所与の電流についてより大きな磁界を生成することができる。第1及び/又は第2の導体の幅を狭くすることにより、データ記憶層の磁化方向を回転させるために必要な磁界を大きさが低減された電流で生成することができ、これにより電力消費が低減される。
【0028】
図6及び図7において、磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造10は、第1の幅WC1(図6参照)を有する第1の導体30と第2の幅WC2(図7参照)を有する第2の導体32とを含む。データ記憶層20は、第1の導体30及び第2の導体32の両方により生成される書込磁界(図示せず)の結果としてデータ記憶層20のアクティブ層(図示せず)の磁化方向の回転が生じるように、該第1の導体30と該第2の導体32との間に配置される(図示せず)。第1及び第2の導体(30,32)に加えられる電流は、書込み動作時に書込磁界を生成する。データ記憶層20は、破線矢印Vにより示す第1の方向に第1の層幅WD1を有し、破線矢印Hにより示す第2の方向に第2の層幅WD2を有する。第1及び第2の導体(30,32)は、それぞれ実質的に第1及び第2の方向(V,H)でデータ記憶層20と交差する。
【0029】
第1の導体30の第1の幅WC1は、第1の層幅WD1よりも小さくなるよう予め選択され、第2の導体32の第2の幅WC2は、第2の層幅WD2よりも小さくなるよう予め選択される。第1の幅WC1は、図6に示すように、第1の層幅WD1が該第1の幅WC1の全体に重なるように、該第1の層幅WD1に対して配置される。第2の幅WC2は、図7に示すように、第2の層幅WD2が該第2の幅WC2の全体に重なるように、該第2の層幅WD2に対して配置される。
【0030】
説明のために、第1の導体30はデータ記憶層20の上に配置され(図6参照)、第2の導体32はデータ記憶層20の下に配置される(図7参照)。しかし、第1及び第2の導体(30,32)の位置は逆にすることも可能である。更に、明瞭化のため、図6及び図7では、データ記憶層20に関する第1及び第2の導体(30,32)の位置を別個に示す。しかし、図10aないし図10cに関して後述するように、第1及び第2の導体(30,32)はデータ記憶層20と公差するものである。
【0031】
図6及び図7は、第1の方向Vに垂直方向を有する第1の導体30と、第2の方向Hに水平方向を有する第2の導体32とを示しているが、本発明の書込導体レイアウト構造に関する上述の利点は、上述の垂直及び水平方向が逆になった場合、すなわち、第1の導体30が水平方向を有し、第2の導体32が垂直方向を有する場合にも該当する。更に、本発明の書込導体レイアウト構造10は、水平及び垂直導体方向に限定されるものではなく、水平及び垂直方向以外の方向もまた本発明の原理に含まれる。
【0032】
データ記憶層20は、スピン依存トンネルデバイス、スピンバルブデバイス、及び巨大磁気抵抗デバイスを含む磁気電気(magnetoelectric)デバイスとすることができる(但しこれらに限定されるものではない)。データ記憶層20は、本明細書では矩形形状を有するものとして示されているが、矩形形状、弓形形状、及び多角形形状を含む形状を有することができる(但しこれらに限定されるものではない)。
【0033】
図13a及び図13bは、多角形形状のデータ記憶層21と弓形形状のデータ記憶層22とをそれぞれ示している。なお、図13a及び図13bでは、第1及び第2の導体(30,32)は、第1及び第2の方向(V、H)にそれぞれのデータ記憶層と交差し、第1の層幅WD1及び第2の層幅WD2は、それぞれ第1及び第2の方向(V,H)におけるデータ記憶層の最大幅である。例えば、図13aでは、第1の層幅WD1は、第1の方向Vにおけるデータ記憶層21の最大幅であり、第1の幅WC1は、第1の層幅WD1が該第1の幅WC1の全体に重なるように、第1の層幅WD1に対して配置される。同様に、第2の層幅WD2は、第2の方向Hにおけるデータ記憶層21の最大幅であり、第2の幅WC2は、第2の層幅WD2が該第2の幅WC2の全体に重なるように、該第2の層幅WD2に対して配置される。
【0034】
本発明の一実施形態では、図8aないし図8cに示すように、第1の導体30の第1の幅WC1は、第1の方向Vにおけるデータ記憶層20の第1の層幅WD1よりも第1のプロセスアライメントオフセットΔ1だけ小さくなるよう予め選択される。該第1のプロセスアライメントオフセットΔ1は、書込導体レイアウト構造10を組み込んだMRAMデバイスの作製に使用されるリソグラフプロセスのアライメント公差によって決まる値とすることができる。例えば、アライメント公差が0.05μmである場合には、第1の幅WC1は、第1の層幅WD1よりもΔ1=0.05μmだけ又はΔ1の何分の1又は何パーセントかだけ狭くすることができる。例えば、Δ1=0.05μmである場合には、第1の幅WC1は、第1の層幅WD1よりもΔ1の80%(0.8×0.05μm=0.04μm)だけ狭くすることができ、したがって、第1の幅WC1は第1の層幅WD1よりも幅が0.04μmだけ小さくなる。一方、Δ1=0.05μmである場合、第1の幅WC1は第1の層幅WD1よりもΔ1の1と1/4(すなわち1.25)(1.25×0.05μm=0.06275μm)だけ狭くすることができ、したがって、第1の幅WC1は第1の層幅WD1より0.06275μmだけ幅が小さくなる。何れの場合も、第1の幅WC1は第1の層幅WD1より狭く、第1の層幅WD1はその全体で第1の幅WC1に重なる。上記例はまた、Δ2、第2の層幅WD2、及び第2の幅WC2にも当てはまる。
【0035】
第1の幅WC1は、図8aに示すように、第1の層幅WD1内の実質的に中央位置を有することができる。図8aにおいて、第1の導体30の両縁部33は、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1÷2に等しい距離だけ第1の層幅WD1の内側に配置され、これにより、第1の幅WC1が第1の層幅WD1内の実質的に中央位置になり、第1の層幅WD1は第1の幅WC1の全体に重なる。図8bにおいて、第1の幅WC1は、第1の層幅WD1内で、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1に等しい距離だけ左にシフトした位置にあるが、第1の層幅WD1は第1の幅WC1の全体に重なっている。同様に、図8cにおいて、第1の幅WC1は、第1の層幅WD1内で、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1に等しい距離だけ右にシフトした位置にあるが、第1の層幅WD1は第1の幅WC1の全体に重なっている。第1の幅WC1は、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1の何分の1か何パーセントかだけ左にシフトし又は右にシフトすることが可能である。
【0036】
本発明の別の実施形態では、図9aないし図9cに示すように、第2の導体32の第2の幅WC2は、第2の方向Hにおけるデータ記憶層20の第2の層幅WD2よりも第2のプロセスアライメントオフセットΔ2だけ小さくなるよう予め選択される。該第2のプロセスアライメントオフセットΔ2は、書込導体レイアウト構造10を組み込んだMRAMデバイスの作製に使用されるリソグラフプロセスのアライメント公差によって決定される値とすることができる。例えば、アライメント公差が0.07μmである場合、第2の幅WC2は、第2の層幅WD2よりもΔ2=0.07μm又はΔ2の何分の1又は何パーセントかだけ小さくすることができる。第2の幅WC2は、図9aに示すように、第1の層幅WD2内で実質的に中央位置にすることができる。図9aにおいて、第2の導体32の両縁部35は、第2のプロセスアライメントオフセットΔ2÷2に等しい距離だけ第2の層幅WD2の内側に配置され、これにより、第2の幅WC2が第2の層幅WD2内の実質的に中央に位置し、第2の層幅WD2は第2の幅WC2の全体に重なる。図9bにおいて、第2の幅WC2は、第2の層幅WD2内において第2のプロセスアライメントオフセットΔ2に等しい距離だけ左にシフトした(ここでは上にシフトするものとして示す)位置にある。しかし、第2の層幅WD2は、第2の幅WC2の全体に重なる。同様に、図9cにおいて、第2の幅WC2は、第2の層幅WD2内において第2のプロセスアライメントオフセットΔ2に等しい距離だけ右にシフトした(ここでは下にシフトするものとして示す)位置にある。しかし、第2の層幅WD2は、第2の幅WC2の全体に重なる。第2の幅WC2は、第2のプロセスアライメントオフセットΔ2の何分の1又は何パーセントかだけ左にシフトし又は右にシフトすることが可能である。
【0037】
本発明の一実施形態では、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1及び第2のプロセスアライメントオフセットΔ2は、約0.01μmから約0.08μmの範囲にある。本発明の更に別の実施形態では、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1及び第2のプロセスアライメントオフセットΔ2は互いに等しくなる(Δ1=Δ2)。
【0038】
代替的には、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1及び第2のプロセスアライメントオフセットΔ2は、リソグラフプロセスのアライメント公差に基づくものである必要はない。その代わりに、第1のプロセスアライメントオフセットΔ1及び第2のプロセスアライメントオフセットΔ2は、それぞれ第1の方向Vにおける第1の層幅WD1のパーセンテージと第2の方向Hにおける第2の層幅WD2のパーセンテージとに基づき予め決められた値とすることができる。
【0039】
本発明の一実施形態では、図10aに示すように、第1の導体30はデータ記憶層20の上に配置され、第2の導体32はデータ記憶層20の下に配置される。第1の方向V及び第2の方向Hは、互いに実質的に直交することができ、これにより第1の導体30及び第2の導体32は互いに実質的に直交する関係でデータ記憶層20と交差する。更に、上述したように、第1の導体30は、その第1の幅WC1を、第1の層幅WD1内で、中央に配置し(C)、左にシフトさせ(L)、又は右にシフトさせる(R)ことができ、第2の導体32は、その第2の幅WC2を、第2の層幅WD2内で、中央に配置し(C)、左にシフトさせ(U)、又は右にシフトさせる(D)ことができる。
【0040】
本発明の別の実施形態では、第1の方向V又は第2の方向Hは、データ記憶層20の磁化容易軸E(すなわち長手軸)と同一線上にある。図10aにおいて、第2の方向Hは、データ記憶層20の磁化容易軸Eと同一線上にある。
【0041】
第1及び第2の導体(30,32)は、別個の導体部分として示されているが、図11に関して後述するように、MRAMアレイは更なるデータ記憶層20を含み、第1及び第2の導体(30,32)は第1の方向V及び第2の方向Hに延びてそれらの更なるデータ記憶層20と交差することになる。
【0042】
図10bは、図10aの書込導体レイアウト構造10の第1の方向Vにおける断面図であり、データ記憶層20の第1の層幅WD1内に配置されその第1の層幅WD1が完全に重ねられている、第1の幅WC1を示している。図10cは、図10aの書込導体レイアウト構造10の第2の方向Hにおける断面図であり、データ記憶層20の第2の層幅WD2内に配置されその第2の層幅WD2が完全に重ねられている、第2の幅WC2を示している。
【0043】
明瞭化のため、図10b及び図10cはまた、第1の方向Vにおける第1の層幅WD1と第2の方向Hにおける第2の層幅WD2とを有するデータ記憶層20が何を意味するかを示している。図10bでは、第1の方向Vを+(十字)で示す。該+は、ページ内に向かう第1の方向Vのための方向を表している。従って、第1の層幅WD1は、第1の方向Vにおいて測定され、図13bの断面図に示す第1の方向Vと直交する(図10a参照)。更に、第1の導体30の第1の幅WC1は、第1の層幅WD1により完全に重複されており、第1の導体30は、第1の方向Vでデータ記憶層20と交差する(図10a参照)。
【0044】
同様に、図10cでは、第2の方向Hを・(ドット)で示す。該・は、ページを出る第2の方向Hのための方向を表している。したがって、第2の層幅WD2は、第2の方向Hにおいて測定され、図13cの断面図に示す第2の方向Hと直交する(図10a参照)。更に、第2の導体32の第2の幅WC2は、第2の層幅WD2により完全に重複されており、第2の導体32は、(図10aに示すように)第2の方向Hでデータ記憶層20と交差する。
【0045】
本発明の一実施形態では、図8aないし図8cに示すように、書込導体レイアウト構造10は、第1の幅WC1を有する第1の導体30と、実質的に第2の層幅WD2と等しい第2の幅WC2(WC2=WD2)を有する第2の導体32(図示せず)とを含む。第1及び第2の導体(30,32)は、実質的に第1及び第2の方向(V,H)でそれぞれデータ記憶層20と交差し、データ記憶層20は、第1及び第2の導体(30,32)間に配置される。第1の導体30の第1の幅WC1は、データ記憶層20の第1の層幅WD1よりも小さくなるよう予め選択され、第1の層幅WD1が第1の幅WC1の全体に重なるように第1の幅WC1が第1の層幅WD1に対して配置される。
【0046】
上述したように、第1の導体30の第1の幅WC1は、第1の方向Vにおけるデータ記憶層20の第1の層幅WD1よりも第1のプロセスアライメントオフセットΔ1だけ小さくなるよう予め選択することができる。該第1のプロセスアライメントオフセットΔ1は、約0.01μmから約0.08μmの範囲にすることができる。第1の幅WC1は、第1の層幅WD1内で、実質的に中央位置、左にシフトした位置、及び右にシフトした位置を有することができる(図8a、図8b、及び図8cを参照)。
【0047】
本発明の別の実施形態では、第1の導体30は、磁気メモリセルの通電(current carrying)ビットライン又は通電ワードラインとすることができる。第1の導体30がビットラインである場合には、第2の導体32をワードラインとすることができ、その逆もまた可能である。図8aないし図8cは、第1の方向Vに垂直方向を有する第1の導体30と第2の方向Hに水平方向を有する第2の導体32(図示せず)とを示すが、第1の導体30が水平方向を有し、第2の導体32が垂直方向を有することも可能である。
【0048】
データ記憶層20は、1ビットのデータを1つの磁化方向として格納するよう構成される。1ビットの論理値(すなわち論理「0」又は論理「1」)は、磁化方向を1つの安定状態から他の安定状態へと回転させることにより書き込まれる。該磁化方向は、データ記憶層20と交差する第1及び第2の導体(30,32)に加えられる電流によって生成される書込磁界に応じて回転する。第1の導体30は、第1の導体30に加えられた電流に応じて書込磁界の第1の部分を生成する。同様に、第2の導体32は、第2の導体32に加えられた電流に応じて書込磁界の第2の部分を生成する。該書込磁界の第1及び第2の部分が組み合わせで作用して磁化方向を回転させる。
【0049】
図11において、複数のデータ記憶層20を複数の第1及び第2の導体(30,32)により交差されてMRAMアレイ50が形成される。特に、データ記憶層20sは、書込み動作時に選択され、その磁化方向が書込磁界の第1の部分Hxと書込磁界の第2の部分Hyとにより回転される。書込磁界の第1の部分Hxは、データ記憶層20sを横切る第1の導体30に加えられる電流Iyにより生成され、書込磁界の第2の部分Hyは、データ記憶層20sを横切る第2の導体32に加えられる電流Ixにより生成される。書込磁界の第1及び第2の部分(Hx,Hy)は、右手の法則により決定されるベクトルを有する。電流Iy,Ixは、アレイ50の外部にあり第1及び第2の導体(30,32)と電気的に連絡した電子回路により加えることができる。書込磁界の第1及び第2の部分(Hx,Hy)は、第1及び第2の導体(30,32)の全長に沿って生成されるが、これがデータ記憶層20sの磁化方向を回転させるよう動作するのは、該第1及び第2の導体(30,32)とデータ記憶層20sとの交差部で書込磁界の第1及び第2の部分(Hx,Hy)が結合される効果によるものである。
【0050】
本発明の一実施形態では、第1の導体30の第1の幅WC1のみが、第1の方向Vにおけるデータ記憶層20sの第1の層幅WD1よりも小さくなるよう予め選択され、第2の導体32の第2の幅WC2は、第2の方向Hにおける第2の層幅WD2と少なくとも同じ幅となる。上述したように、第1の幅WC1は、第1の層幅WD1内にあるように、及び第1の層幅WD1が該第1の幅WC1の全体に重なるように、配置される。第1の幅WC1の位置は、書込磁界の第1の部分Hxをデータ記憶層20sに結合する。第1の導体30に加えられる電流Iyの大きさは、第1の幅WC1が第1の層幅WD1と少なくとも等しい(WC1=WD1)場合よりも小さくすることができる。基本的に、第1の幅WC1を狭くすることにより、同一の印加電流Iyに対する書込磁界の第1の部分Hxの大きさが大きくなり、該Hxの大きさは、磁化方向を回転させるために必要な最小限の磁界強度を超えるものとなる。その結果として、Iyを低減させることができ、Hxの大きさは、磁化方向を回転させるのに十分なものとなる。Iyが低減されるため、データ記憶層20sに対する書込み動作により消費される電力もまた低減される。また、電力消費の低減は、書込み動作に対して選択されるアレイ50中の他のデータ記憶層20にも該当する。上述したように、電力消費の低減は、バッテリー電力を節約するために携帯型アプリケーションとって望ましく、また廃熱を低減させることが望ましい用途においても望ましい。
【0051】
本発明の別の実施形態では、第2の導体32の第2の幅WC2が、第2の方向Hにおけるデータ記憶層20sの第2の層幅WD2よりも小さくなるように予め選択される(すなわち第1及び第2の導体30,32を共に狭くする)場合に、電力消費の更なる低減を実現することができる。第2の幅WC2は、それが第2の層幅WD2内にあるように、かつ第2の層幅WD2が第2の幅WC2の全体に重なるように、配置される。該第2の幅WC2の位置により、書込磁界の第2の部分Hyがデータ記憶層20sに結合する。第1の導体30に対して上述したのと同じ理由により、第2の導体32に加えられる電流Ixの大きさは、第2の幅WC2が少なくとも第2の層幅WD2と等しい場合(WC2=WD2)よりも小さくすることができる。電力消費の更なる低減は、書込み動作のために選択されるアレイ50中の他のデータ記憶層20にも該当する。
【0052】
図12は、図4b及び図5bに関して上述したような、ワードラインWcの幅とビットラインWbの幅とが等しい(Wc=Wb)従来技術による磁気メモリセルレイアウトに関する電流スイッチング曲線SC1を示すグラフである。ワードラインWc及びビットラインWbは磁気メモリセルと交差する。更に、ワードラインWcは、メモリセルの電流スイッチング特性に対する導体のミスアライメントの影響をシミュレートするために、磁気メモリセルから0.05μmだけオフセットしている。該オフセットは、図4b及び図5bにδで示されている。スイッチング曲線SC1は、メモリセルへの書込み動作時に1ビットを書き込むために磁化方向M1を回転させるのに十分な、グラフのy軸上のビットライン電流Ixの大きさ、及びグラフのx軸上のワードライン電流Iyの大きさに関する値を表している。ビットライン電流Ixは磁界Hyを生成し、ワードライン電流Iyは磁界Hxを生成する。スイッチング曲線SC1上の点1に関し、磁化方向を回転させるために約1.75mAのビットライン電流Ixと約3.60mAのワードライン電流Iyとが必要である。
【0053】
図12はまた、本発明の磁気メモリセルレイアウト10の電流スイッチング曲線SC2のグラフも示している。該スイッチング曲線SC2の場合、ビットラインの幅は、ビットラインがデータ記憶層と交差する方向におけるデータ記憶層(図示せず)の幅と同じである。しかし、ワードラインは、ワードラインがデータ記憶層と交差する方向におけるデータ記憶層の幅よりも0.05μmだけ小さい幅を有している。更に、ワードラインは、データ記憶層内で中央に配置され、データ記憶層は、該ワードラインの幅の全体に重なる(図9a参照)。したがって、スイッチング曲線SC2上の点2に関し、磁化方向を回転させるために約1.75mAのビットライン電流Ixと約3.00mAのワードライン電流Iyとが必要である。したがって、同じビットライン電流Ix=1.75mAについて、本発明の磁気メモリセルレイアウト10が必要とするワードライン電流Iyは、従来技術による磁気メモリセルレイアウトよりも約20%小さくなる(すなわち3.00mA対3.60mA)。その結果として、本発明の磁気メモリセルレイアウト10の場合の電力消費が低減される。更に、ワードラインを狭くすることにより見られる改善は、ビットラインでも同様に行うことができ、その結果として電力消費が更に低減される。
【0054】
本発明の一実施形態では、第1の導体30の第1の幅WC1は、第1の方向Vにおけるデータ記憶層20の第1の層幅WD1よりも小さくなるよう予め選択される。第2の導体32の第2の幅WC2は、第2の方向Hにおいて少なくとも第2の層幅WD2と同じ幅となる。第1の幅WC1は、それが第1の層幅WD1内にあるように、かつ第1の層幅WD1が該第1の幅WC1の全体に重なるように、配置される。第1の幅WC1の位置は、書込磁界の第1の部分Hxをデータ記憶層20に結合する。第1の導体30に電流Iyが加えられる結果として、書込磁界の第1の部分Hxの大きさが、第1の幅WC1が少なくとも第1の層幅WD1と等しい(WC1=WD1)場合よりも大きくなる。基本的に、第1の幅WC1を狭くした結果として、印加電流Iyが同じ場合の書込磁界の第1の部分Hxの大きさが大きくなる。その結果として、データ記憶層の磁化方向を回転させるために必要な書込磁界の大きさが、書込磁界の第1の部分Hxからの寄与によって増大することになる。
【0055】
本発明の別の実施形態では、書込磁界の大きさは、第2の導体32の第2の幅WC2が第2の方向Hにおけるデータ記憶層20の第2の層幅WD2よりも小さくなるよう予め選択される場合に更に増大する。第2の幅WC2は、それが第2の層幅WD2内にあるように、かつ第2の層幅WD2が該第2の幅WC2の全体に重なるように、配置される。該第2の幅WC2の位置によって、書込磁界の第2の部分Hyがデータ記憶層20に結合される。第1の導体30に関して上述したのと同じ理由により、第2の導体32に加えられる電流Ixにより、書込磁界の第2の部分Hyの大きさが、第2の幅WC2が少なくとも第2の層幅WD2と等しい(WC2=WD2)場合よりも大きくなる。
【0056】
上述の実施形態では、第1の導体30の第1の幅WC1は、第1の方向Vにおけるデータ記憶層20の第1の層幅WD1よりも第1のプロセスアライメントオフセットΔ1だけ小さくなるよう予め選択することができる。更に、第2の導体32の第2の幅WC2は、第2の方向Hにおけるデータ記憶層20の第2の層幅WD2より第2のプロセスアライメントオフセットΔ2だけ小さくなるよう予め選択することができる。該第1及び第2のプロセスアライメントオフセットΔ1,Δ2は、約0.01μmから約0.08μmの範囲とすることができる。
【0057】
本明細書で説明した実施形態に関し、データ記憶層20の構造及び材料は、本発明に関連する当業者には十分によく理解されているものである。しかし、データ記憶層20のアクティブ層(磁化方向が自由に回転できる)及び基準層(磁化方向が固定されており自由に回転できない)に適した材料には、ニッケル−鉄(NiFe)、コバルト(Co)、Fe3O4、CrO2、合金、又は、それらの材料、強磁性材料、及びフェリ磁性材料の組み合わせを含む層が含まれる。該アクティブ層及び基準層は、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、二酸化珪素(SiO2)、及び窒化珪素(Si3N4)を含む誘電体材料の1つ又は2つ以上の層により分離することができる。第1及び第2の導体(30,32)は、銅又はアルミニウムなどの導電材料から作製することができる。
【0058】
本発明の書込導体レイアウト構造10を、磁気メモリセルとの使用に関して説明してきたが、本発明の原理はMRAMに限定されるものではない。書込導体レイアウト構造10は、磁性材料の磁化方向を切り替えるための局所的な磁界を生成する通電導体にも適用することが可能である。
本発明の幾つかの実施形態を説明し図示してきたが、本発明は、かかる説明し図示した構成要素の特定の形態又は配置に限定されるものではない。本発明は、特許請求の範囲のみにより限定されるものである。
【0059】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
1.磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造であって、
第1の幅を有する第1の導体と、
第2の幅を有する第2の導体と、
該第1及び第2の導体間に配置されたデータ記憶層であって、第1の方向における第1の層幅と第2の方向における第2の層幅とを有し、前記第1及び第2の導体が実質的に前記第1及び第2の方向にそれぞれ交差する、データ記憶層と
を備えており、
前記第1の幅が前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、
前記第2の幅が前記第2の幅よりも小さくなるよう予め選択され、
前記第1の層幅が前記第1の幅の全体に重なるように該第1の幅が該第1の層幅に対して配置され、
前記第2の層幅が前記第2の幅の全体に重なるように該第2の幅が該第2の層幅に対して配置される、
書込導体レイアウト構造。
2.前記第1の幅が、第1のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、前記第2の幅が、第2のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択される、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
3.前記第1のプロセスアライメントオフセット及び前記第2のプロセスアライメントオフセットが、約0.01μmから約0.08μmまでの範囲内にある、前項2に記載の書込導体レイアウト構造。
4.前記第1及び第2のプロセスアライメントオフセットが、互いに等しい、前項2に記載の書込導体レイアウト構造。
5.前記第1及び第2のプロセスアライメントオフセットが、リソグラフプロセスのアライメント公差により決定される、前項2に記載の書込導体レイアウト構造。
6.前記第1及び第2の導体が実質的に互いに直交する関係で前記データ記憶層と交差するように前記第1及び第2の方向が実質的に互いに直交している、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
7.前記第1の方向又は前記第2の方向の選択された一方が、前記データ記憶層の磁化容易軸と同一線上にある、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
8.前記データ記憶層が、スピン依存トンネルデバイス、スピンバルブデバイス、及び巨大磁気抵抗デバイスからなるグループから選択される磁気電気デバイスである、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
9.前記データ記憶層が、矩形形状、弓形形状、及び多角形形状からなるグループから選択される形状を有する、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
10.前記第1の導体が、前記データ記憶層の上に配置され、前記第2の導体が、前記データ記憶層の下に配置される、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
11.前記第1及び第2の幅の選択された一方が、その対応する層幅内において、実質的に中央位置、左にシフトした位置、及び右にシフトした位置からなるグループから選択される位置を有する、前項1に記載の書込導体レイアウト構造。
12.磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造であって、
第1の幅を有する第1の導体と、
第2の幅を有する第2の導体と、
該第1及び第2の導体間に配置されたデータ記憶層であって、第1の方向における第1の層幅と第2の方向における第2の層幅とを有し、前記第1及び第2の導体が実質的に前記第1及び第2の方向にそれぞれ交差する、データ記憶層と
を備えており、
前記第1の幅が前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、
前記第2の幅が前記第2の層幅と実質的に等しく、
前記第1の層幅が前記第1の幅の全体に重なるように該第1の幅が該第1の層幅に対して配置される、書込導体レイアウト構造。
13.前記第1の幅が、第1のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択される、前項12に記載の書込導体レイアウト構造。
14.前記第1のプロセスアライメントオフセットが、約0.01μmから約0.08μmまでの範囲内にある、前項13に記載の書込導体レイアウト構造。
15.前記第1の導体が、ワードライン及びビットラインからなるグループから選択される通電ラインである、前項12に記載の書込導体レイアウト構造。
16.前記第1の幅が、前記第1の層幅内において、実質的に中央位置、左にシフトした位置、及び右にシフトした位置からなるグループから選択される位置を有する、前項12に記載の書込導体レイアウト構造。
17.低電力磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造であって、
第1の方向における第1の層幅と第2の方向における第2の層幅とを有するデータ記憶層と、
加えられる電流に応じて書込磁界の第1の部分を生成する第1の導体であって、前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択された第1の幅を有しており、該第1の幅が、前記第1の層幅が該第1の幅の全体に重なるように該第1の層幅に対して配置されている、第1の導体と、
加えられる電流に応じて書込磁界の第2の部分を生成する第2の導体であって、少なくとも前記第2の層幅に等しい第2の幅を有する、第2の導体と
を備えており、
前記データ記憶層が、前記第1及び第2の導体間に配置され、該第1及び第2の導体が、それぞれ実質的に前記第1及び第2の方向に前記データ記憶層と交差しており、
該データ記憶層が、1ビットのデータを1つの磁化方向として格納し、及び前記書込磁界の前記第1及び第2の部分に応じて該磁化方向を回転させるよう構成されており、
前記第1の幅の位置により、前記書込磁界の前記第1の部分が前記データ記憶層に結合されて、前記第1の導体に加えられる電流の大きさが、前記第1の幅が少なくとも前記第1の層幅と等しい場合よりも小さくなる、
書込導体レイアウト構造。
18.前記第1の幅が、第1のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択される、前項17に記載の書込導体レイアウト構造。
19.前記第2の幅が、前記第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、及び該第2の層幅が該第2の幅の全体に重なるように該第2の層幅に対して配置され、
該第2の幅の位置により、前記書込磁界の前記第2の部分が前記データ記憶層に結合されて、前記第2の導体に加えられる電流の大きさが、前記第2の幅が少なくとも前記第2の層幅と等しい場合よりも小さくなる、
前項17に記載の書込導体レイアウト構造。
20.前記第2の幅が、第2のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択される、前項19に記載の書込導体レイアウト構造。
21.磁気メモリセルにおける書込磁界を増大させるための書込導体レイアウト構造であって、
第1の方向における第1の層幅と第2の方向における第2の層幅とを有するデータ記憶層と、
加えられる電流に応じて書込磁界の第1の部分を生成する第1の導体であって、前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択された第1の幅を有しており、前記第1の層幅が該第1の幅の全体に重なるように該第1の幅が該第1の層幅に対して配置されている、第1の導体と、
加えられる電流に応じて書込磁界の第2の部分を生成する第2の導体であって、少なくとも前記第2の層幅に等しい第2の幅を有する、第2の導体と
を備えており、
前記データ記憶層が、前記第1及び第2の導体間に配置され、該第1及び第2の導体がそれぞれ実質的に前記第1及び第2の方向に前記データ記憶層と交差しており、
該データ記憶層が、1ビットのデータを1つの磁化方向として格納し、及び前記書込磁界の前記第1及び第2の部分に応じて該磁化方向を回転させるよう構成されており、
前記第1の導体に加えられる前記電流により生成される前記書込磁界の前記第1の部分の大きさが、前記第1の幅が少なくとも前記第1の層幅と等しい場合よりも大きくなる、
書込導体レイアウト構造。
22.前記第1の幅が、第1のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択される、前項21に記載の書込導体レイアウト構造。
23.前記第2の幅が、前記第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、及び該第2の層幅が該第2の幅の全体に重なるように該第2の層幅に対して配置されており、
前記第2の導体に加えられる前記電流により生成される前記書込磁界の前記第2の部分の大きさが、前記第2の幅が少なくとも前記第2の層幅と等しい場合よりも大きくなる、前項21に記載の書込導体レイアウト構造。
24.前記第2の幅が、第2のプロセスアライメントオフセットに基づいて前記第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択される、前項23に記載の書込導体レイアウト構造。
【図面の簡単な説明】
【図1a】従来技術によるMRAMアレイを示す平面図である。
【図1b】従来技術によるMRAMアレイを示す斜視図である。
【図2a】アクティブ磁気フィルム及び基準磁気フィルムの磁化方向を示す従来技術によるMRAMメモリセルの斜視図である。
【図2b】アクティブ磁気フィルム及び基準磁気フィルムの磁化方向を示す従来技術によるMRAMメモリセルの側面図である。
【図2c】アクティブ磁気フィルム及び基準磁気フィルムの磁化方向を示す従来技術によるMRAMメモリセルの側面図である。
【図3】従来技術によるメモリセル、その書込ライン、及び該書込ラインを流れる電流により生成される磁界を示す斜視図である。
【図4a】垂直方向に向けられた理想的な従来技術による書込導体及びメモリセルレイアウトを示す平面図である。
【図4b】ミスアライメントされた従来技術による書込導体及びメモリセルレイアウトを示す平面図である。
【図5a】水平方向に向けられた理想的な従来技術による書込導体及びメモリセルレイアウトを示す平面図である。
【図5b】ミスアライメントされた従来技術による書込導体及びメモリセルレイアウトを示す平面図である。
【図6】本発明による書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図7】本発明による書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図8a】本発明による中央に配置された垂直方向の書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図8b】本発明による左にシフトされた垂直方向の書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図8c】本発明による右にシフトされた垂直方向の書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図9a】本発明による中央に配置された水平方向の書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図9b】本発明による上にシフトされた水平方向の書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図9c】本発明による下にシフトされた水平方向の書込導体レイアウト構造を示す平面図である。
【図10a】本発明による、データ記憶層よりも狭い第1及び第2の導体を示す平面図である。
【図10b】本発明による、データ記憶層よりも狭い第1及び第2の導体を示す断面図である。
【図10c】本発明による、データ記憶層よりも狭い第1及び第2の導体を示す断面図である。
【図11】本発明による書込導体レイアウト構造を組み込んだMRAMメモリアレイの一部を示す平面図である。
【図12】従来技術による電流スイッチング曲線と、本発明の書込導体レイアウト構造の電流スイッチング曲線(本発明による書込導体の幅を狭くした結果としての導体電流の低減を示している)とを示すグラフである。
【図13a】本発明による多角形形状を有し書込導体により交差されるデータ記憶層を示す平面図である。
【図13b】本発明による弓形形状を有し書込導体により交差されるデータ記憶層を示す平面図である。
【符号の説明】
10 書込導体レイアウト構造
20 データ記憶層
30 第1の導体
32 第2の導体
H 第2の方向
V 第1の方向
WC1 第1の幅
WC2 第2の幅
WD1 第1の層幅
WD2 第2の層幅
Claims (2)
- 磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造であって、第1の幅を有する第1の導体と、第2の幅を有する第2の導体と、該第1及び第2の導体間に配置されたデータ記憶層であって、
第1の方向における第1の層幅と第2の方向における第2の層幅とを有し、前記第1及び第2の導体が実質的に前記第1及び第2の方向にそれぞれ交差する、データ記憶層とを備えており、
前記第1の幅が前記第1の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、前記第2の幅が前記第2の層幅よりも小さくなるよう予め選択され、前記第1の層幅が前記第1の幅の全体に重なるように該第1の幅が該第1の層幅に対して配置され、前記第2の層幅が前記第2の幅の全体に重なるように該第2の幅が該第2の層幅に対して配置され、
前記第1の層幅と前記第1の幅との差、または、前記第2の層幅と前記第2の幅との差は、リソグラフプロセスのアライメント公差に基づいて決定される、書込導体レイアウト構造。 - 前記第1の層幅と前記第1の幅との差、または、前記第2の層幅と前記第2の幅との差は、0.01〜0.08μmである、請求項1に記載の書込導体レイアウト構造。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/624,134 US6236590B1 (en) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | Optimal write conductors layout for improved performance in MRAM |
US09/624134 | 2000-07-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002118239A JP2002118239A (ja) | 2002-04-19 |
JP5100935B2 true JP5100935B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=24500780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001221215A Expired - Fee Related JP5100935B2 (ja) | 2000-07-21 | 2001-07-23 | Mramの性能を向上させるための最適な書込導体レイアウト |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6236590B1 (ja) |
EP (1) | EP1174925A3 (ja) |
JP (1) | JP5100935B2 (ja) |
KR (1) | KR100832843B1 (ja) |
CN (1) | CN1172312C (ja) |
TW (1) | TW525162B (ja) |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6424561B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-07-23 | Micron Technology, Inc. | MRAM architecture using offset bits for increased write selectivity |
US7242922B2 (en) * | 2000-12-29 | 2007-07-10 | Vesta Corporation | Toll free calling account recharge system and method |
DE10104265B4 (de) * | 2001-01-31 | 2008-09-25 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung |
JP3677455B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2005-08-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性磁気記憶装置およびその製造方法 |
US6385083B1 (en) * | 2001-08-01 | 2002-05-07 | Hewlett-Packard Company | MRAM device including offset conductors |
JP2003091987A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Sony Corp | 磁気メモリ装置及びその記録制御方法 |
US6466475B1 (en) * | 2001-10-31 | 2002-10-15 | Hewlett-Packard Company | Uniform magnetic environment for cells in an MRAM array |
US6549447B1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-04-15 | Peter Fricke | Memory cell structure |
JP2003151260A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁性体記憶装置 |
JP3778100B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2006-05-24 | ソニー株式会社 | 強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置 |
US6567300B1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-05-20 | Infineon Technologies, Ag | Narrow contact design for magnetic random access memory (MRAM) arrays |
US6597049B1 (en) | 2002-04-25 | 2003-07-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Conductor structure for a magnetic memory |
JP3808802B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2004023062A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nec Electronics Corp | 半導体装置とその製造方法 |
US6816402B2 (en) * | 2002-06-21 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Row and column line geometries for improving MRAM write operations |
US6707087B2 (en) | 2002-06-21 | 2004-03-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Structure of chalcogenide memory element |
US6891193B1 (en) * | 2002-06-28 | 2005-05-10 | Silicon Magnetic Systems | MRAM field-inducing layer configuration |
US6988825B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-01-24 | Bio/Data Corporation | Method and apparatus for using vertical magnetic stirring to produce turbulent and chaotic mixing in various states, without compromising components |
US6906939B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-06-14 | Unity Semiconductor Corporation | Re-writable memory with multiple memory layers |
US6753561B1 (en) | 2002-08-02 | 2004-06-22 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple thin films |
US6850455B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-02-01 | Unity Semiconductor Corporation | Multiplexor having a reference voltage on unselected lines |
US6850429B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-02-01 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array with memory plugs exhibiting a characteristic hysteresis |
US6917539B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-07-12 | Unity Semiconductor Corporation | High-density NVRAM |
US6798685B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-09-28 | Unity Semiconductor Corporation | Multi-output multiplexor |
US6831854B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-12-14 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using distinct voltages |
US6834008B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-12-21 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple modes of operation |
US6970375B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-11-29 | Unity Semiconductor Corporation | Providing a reference voltage to a cross point memory array |
JP4596229B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2010-12-08 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
US7064974B2 (en) * | 2002-09-12 | 2006-06-20 | Nec Corporation | Magnetic random access memory and method for manufacturing the same |
US6740947B1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MRAM with asymmetric cladded conductor |
US7539045B2 (en) * | 2002-11-28 | 2009-05-26 | Nxp B.V. | Method and device for improved magnetic field generation during a write operation of a magnetoresistive memory device |
US6917087B2 (en) | 2003-02-21 | 2005-07-12 | Micron Technology, Inc. | Tilted array geometry for improved MRAM switching |
JP4534441B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Tdk株式会社 | 磁気記憶セル及びこれを用いた磁気メモリデバイス |
US6826086B1 (en) | 2003-08-05 | 2004-11-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method, apparatus and system for erasing and writing a magnetic random access memory |
US6751147B1 (en) | 2003-08-05 | 2004-06-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for adaptively writing a magnetic random access memory |
US7240275B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-07-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Logical data block, magnetic random access memory, memory module, computer system and method |
US7369428B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of operating a magnetic random access memory device and related devices and structures |
KR100615089B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 낮은 구동 전류를 갖는 자기 램 |
US6990012B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-01-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory device |
JP4533701B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
US7105879B2 (en) * | 2004-04-20 | 2006-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Write line design in MRAM |
US20070279971A1 (en) * | 2004-06-04 | 2007-12-06 | Micron Technology, Inc. | Modified pseudo-spin valve (psv) for memory applications |
US7120046B1 (en) | 2005-05-13 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines |
US7371627B1 (en) | 2005-05-13 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines |
US7888721B2 (en) | 2005-07-06 | 2011-02-15 | Micron Technology, Inc. | Surround gate access transistors with grown ultra-thin bodies |
US7768051B2 (en) | 2005-07-25 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | DRAM including a vertical surround gate transistor |
US7696567B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-04-13 | Micron Technology, Inc | Semiconductor memory device |
US7687342B2 (en) | 2005-09-01 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing a memory device |
US7416943B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-08-26 | Micron Technology, Inc. | Peripheral gate stacks and recessed array gates |
US7557032B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-07-07 | Micron Technology, Inc. | Silicided recessed silicon |
JP4936701B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-05-23 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
JP4521354B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
US7923373B2 (en) | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
JP2010232475A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Renesas Electronics Corp | 磁気記憶装置およびその製造方法 |
JP5527649B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-06-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN107154458B (zh) * | 2016-03-04 | 2019-07-26 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式随机存取存储器结构及其制造方法 |
US9984736B2 (en) * | 2016-08-19 | 2018-05-29 | Toshiba Memory Corporation | Magnetic storage device and memory system |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4731757A (en) * | 1986-06-27 | 1988-03-15 | Honeywell Inc. | Magnetoresistive memory including thin film storage cells having tapered ends |
US5949707A (en) * | 1996-09-06 | 1999-09-07 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Giant magnetoresistive effect memory cell |
US5732016A (en) | 1996-07-02 | 1998-03-24 | Motorola | Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof |
US5838608A (en) | 1997-06-16 | 1998-11-17 | Motorola, Inc. | Multi-layer magnetic random access memory and method for fabricating thereof |
US5982658A (en) | 1997-10-31 | 1999-11-09 | Honeywell Inc. | MRAM design to reduce dissimilar nearest neighbor effects |
US5956267A (en) | 1997-12-18 | 1999-09-21 | Honeywell Inc | Self-aligned wordline keeper and method of manufacture therefor |
US5946228A (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-31 | International Business Machines Corporation | Limiting magnetic writing fields to a preferred portion of a changeable magnetic region in magnetic devices |
DE19823826A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Burkhard Hillebrands | MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher |
US6081445A (en) * | 1998-07-27 | 2000-06-27 | Motorola, Inc. | Method to write/read MRAM arrays |
US5982660A (en) | 1998-08-27 | 1999-11-09 | Hewlett-Packard Company | Magnetic memory cell with off-axis reference layer orientation for improved response |
US6072717A (en) | 1998-09-04 | 2000-06-06 | Hewlett Packard | Stabilized magnetic memory cell |
US6005800A (en) * | 1998-11-23 | 1999-12-21 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array with paired asymmetric memory cells for improved write margin |
-
2000
- 2000-07-21 US US09/624,134 patent/US6236590B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-18 TW TW090114735A patent/TW525162B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-19 KR KR1020010043386A patent/KR100832843B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-19 EP EP01306243A patent/EP1174925A3/en not_active Withdrawn
- 2001-07-20 CN CNB011230657A patent/CN1172312C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 JP JP2001221215A patent/JP5100935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1172312C (zh) | 2004-10-20 |
EP1174925A3 (en) | 2003-08-13 |
TW525162B (en) | 2003-03-21 |
EP1174925A2 (en) | 2002-01-23 |
KR100832843B1 (ko) | 2008-05-28 |
US6236590B1 (en) | 2001-05-22 |
CN1338755A (zh) | 2002-03-06 |
KR20020009428A (ko) | 2002-02-01 |
JP2002118239A (ja) | 2002-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5100935B2 (ja) | Mramの性能を向上させるための最適な書込導体レイアウト | |
EP1074992B1 (en) | Magnetic random access memory device | |
KR100893852B1 (ko) | 자기 메모리 셀 | |
US11600768B2 (en) | Magnetic memory | |
JP4959589B2 (ja) | Mramメモリアレイ | |
EP1248265A2 (en) | Magnetic memory cell | |
US7589994B2 (en) | Methods of writing data to magnetic random access memory devices with bit line and/or digit line magnetic layers | |
JP2001250206A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ装置 | |
JP2000030434A (ja) | 磁気メモリセル | |
US6661688B2 (en) | Method and article for concentrating fields at sense layers | |
JP2000100153A (ja) | 磁気メモリ・セル | |
US6906947B2 (en) | In-plane toroidal memory cell with vertically stepped conductors | |
US8884388B2 (en) | Magnetic memory element, magnetic memory and manufacturing method of magnetic memory | |
KR100526280B1 (ko) | 자성 메모리 어레이, 자성 메모리 어레이에 기록하는방법, 및 자성 메모리 어레이로부터 판독하는 방법 | |
JP5397384B2 (ja) | 磁性記憶素子の初期化方法 | |
JP4886963B2 (ja) | 磁気メモリ素子 | |
EP1568040B1 (en) | Method and device for improved magnetic field generation during a write operation of a magnetoresistive memory device | |
JP4477829B2 (ja) | 磁気記憶デバイスを動作させる方法 | |
JP2004193603A (ja) | 2つの書込み導体を有するmram | |
US7663198B2 (en) | Magnetoresistive random access memory device with alternating liner magnetization orientation | |
JP2003187570A (ja) | Mramアレイ内のセルのための一様な磁気環境 | |
US7505306B2 (en) | Magnetic memory device | |
US20230189663A1 (en) | Magnetic memory | |
JP2004104027A (ja) | Mramメモリセル及び自発磁化反転促進方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070706 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120810 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120918 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120926 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5100935 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |