JP2004193603A - 2つの書込み導体を有するmram - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル(100)は、磁化容易軸(108)と磁化困難軸(110)とを有する磁気記憶素子(106)と、磁化容易軸および磁化困難軸のうちの一方に沿って配置された書込み導体(102)と、磁化容易軸および磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置された書込み導体(104)とを備える。
【選択図】図1
Description
102、104、502、504 書込み導体
106、510 磁気記憶素子
108 磁化容易軸
110 磁化困難軸
402 フリー層
404 ピン留め層
406 絶縁性トンネル障壁
506、508 読出し導体
600 MRAM記憶デバイス
602 駆動回路
Claims (8)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル(100)であって、
磁化容易軸(108)および磁化困難軸(110)を有する磁気記憶素子(106)と、
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの一方に沿って配置された書込み導体(102)と、および
前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置された書込み導体(104)とを備える、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル。 - 前記磁気記憶素子が、
前記磁化容易軸に沿って第1の方向に向けられた固定された磁化を有するピン留め層(404)と、および
前記磁化容易軸に沿って、前記第1の方向および前記第1の方向とは反対の第2の方向の一方に切替え可能に向けられる回転可能な磁化を有するフリー層(402)とを備える、請求項1に記載のMRAMセル。 - 前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の一方に沿って配置された前記書込み導体が、前記磁化容易軸に沿って配置される、請求項1に記載のMRAMセル。
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)記憶デバイス(600)であって、
磁化容易軸(108)および磁化困難軸(110)を有する複数の磁気記憶素子(510)と、
1組の平行な書込み導体(502)であって、その全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の一方に沿って配置される、1組の平行な書込み導体と、および
1組の平行な書込み導体(504)であって、その全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置される、1組の平行な書込み導体とを備える、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)記憶デバイス。 - 1組の平行な読出し導体(506)であって、その全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの一方に沿って配置される、1組の平行な読出し導体と、および
1組の平行な読出し導体(508)であって、その全てが前記磁化容易軸および前記磁化困難軸のうちの他方に沿って配置される、1組の平行な読出し導体とをさらに含む、請求項4に記載のMRAM記憶デバイス。 - 前記複数の磁気記憶素子から値を選択的に読み出し、かつ前記複数の磁気記憶素子に値を選択的に書き込むための駆動回路(602)をさらに含む、請求項4に記載のMRAM記憶デバイス。
- 前記磁気記憶素子がそれぞれ、
前記磁化容易軸に沿って第1の方向に向けられた固定された磁化を有するピン留め層(404)と、および
前記磁化容易軸に沿って、前記第1の方向および前記第1の方向とは反対の第2の方向の一方に切替え可能に向けられる回転可能な磁化を有するフリー層(402)とを備える、請求項4に記載のMRAM記憶デバイス。 - 前記磁化容易軸および前記磁化困難軸の一方に沿って配置される前記1組の平行な書込み導体が、前記磁化容易軸に沿って配置される、請求項4に記載のMRAM記憶デバイス。
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