JP2005101605A - Mramのための熱支援型切換えアレイ構成 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、熱支援型切換え磁気メモリ(50)記憶デバイスを提供する。導電性の行(102)と列(104)からなるクロスポイントアレイが、オフセットされた磁気トンネル接合メモリセル(100)に設けられる。ループ書込み導体(140)が、各メモリセル(100)に近接して電気接触せずに設けられる。その導体(140)は各メモリセル(100)の上側と下側を横切ってループする。各セル(100)は、温度が上昇すると保磁力が減少する材料によって特徴付けられた磁気データ層(106)、中間層(108)、及び基準層(110)を提供する。書込み動作中にループ書込み導体(140)により提供される磁界(306,308)は、加熱されないデータ層(106)の磁気的な向きを変更するには不十分であるが、メモリセル(100)を介したトンネル効果のバイアス電流により加熱されたメモリセル(100)のデータ層を変更することができる。
【選択図】図3
Description
100 磁気メモリセル
102 行
104 列
106 データ層
110 基準層
112 上側オフセット導体
114 下側オフセット導体
140 ループ書込み導体
Claims (12)
- 熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイスであって、
磁気トンネル接合メモリセル(100)のクロスポイントアレイであって、前記メモリセル(100)は、温度が上昇すると保磁力が減少する材料を含む、磁気トンネル接合メモリセル(100)のクロスポイントアレイと、
各磁気トンネル接合メモリセル(100)の周りの非常に接近した範囲内に配置される複数の別個のループ書込み導体(140)とを備える、熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。 - 前記ループ書込み導体(140)が前記メモリセル(100)と電気接触しない、請求項1に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 前記磁気トンネル接合メモリセル(100)がオフセットされる、請求項1に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 複数の平行な導電性の行(102)と、
前記行(102)を横切る複数の平行な導電性の列(104)であって、それにより前記列(104)および前記行(102)が複数の交点を有するクロスポイントアレイを形成する、複数の平行な導電性の列と、
複数のオフセットされた磁気トンネル接合メモリセル(100)であって、各メモリセル(100)が、1つの行と1つの列との間の交点に近接し、かつそれらと電気接触して配置され、メモリセル(100)が変更可能な磁化の向きを有する材料を含み、その変更可能な材料の保磁力は、温度が上昇すると減少する、複数のオフセットされた磁気トンネル接合メモリセルと、および
各磁気トンネル接合メモリセル(100)の周りの非常に接近した範囲内に配置される複数の別個のループ書込み導体(140)とを備える、熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。 - 前記ループ書込み導体(140)が前記メモリセル(100)と電気接触しない、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 書込み動作中に、
所与の導電性の行(102)および所与の導電性の列(104)によって所与の磁気トンネル接合メモリセル(100)にバイアス電流が加えられ、そのバイアス電流が前記所与の磁気トンネル接合メモリセル(100)を加熱し、
前記書込み導体(140)に流れる電流によって書込み磁界が生成され、前記所与の磁気トンネル接合メモリセル(100)の周りでの前記導体のループの特徴により、前記所与の磁気トンネル接合メモリセル(100)を飽和させる書込み磁界(306、308)が2倍になり、
前記材料の磁化の向きが変更されることができ、前記書込み導体(140)によって与えられる磁界が前記加熱された材料の保磁力よりも大きい、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。 - 前記オフセットされた磁気トンネル接合メモリセル(100)が、薄い上側導体(112)によって前記導電性の行に結合され、かつ薄い下側導体(114)によって前記導電性の列に結合され、前記上側導体(112)および前記下側導体(114)が前記磁気トンネル接合メモリセル(100)をクロスポイント軸から横に変位させる、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 前記メモリセル(100)の横変位により、前記メモリセル(100)の上側および下側が前記書込み導体(140)のループ間に概ね配置される、請求項7に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 前記複数のループ書込み導体(140)が、前記導電性の行(102)に対して平行に延びる、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 前記複数のループ書込み導体(140)が、前記導電性の列(104)に対して平行に延びる、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 各メモリセル(100)が、ピン留めされた磁化の向きによって特徴付けられる基準層(110)をさらに含む、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
- 前記各メモリセル(100)が軟らかい強磁性基準層(110)をさらに含み、その軟らかい基準層(110)がピン留めされない磁化の向きを有する、請求項4に記載の熱支援型磁気メモリ(50)記憶デバイス。
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (16)
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---|---|---|---|---|
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US7193889B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-03-20 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Switching of MRAM devices having soft magnetic reference layers |
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US7486545B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-02-03 | Magic Technologies, Inc. | Thermally assisted integrated MRAM design and process for its manufacture |
US7349243B2 (en) * | 2006-04-20 | 2008-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 3-parameter switching technique for use in MRAM memory arrays |
US7457149B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-11-25 | Macronix International Co., Ltd. | Methods and apparatus for thermally assisted programming of a magnetic memory device |
US20080174936A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Western Lights Semiconductor Corp. | Apparatus and Method to Store Electrical Energy |
US20080273375A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Faiz Dahmani | Integrated circuit having a magnetic device |
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US7897954B2 (en) * | 2008-10-10 | 2011-03-01 | Macronix International Co., Ltd. | Dielectric-sandwiched pillar memory device |
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EP2722902B1 (en) * | 2012-10-22 | 2016-11-30 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced MRAM element and device having improved magnetic field |
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WO2021127970A1 (en) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Megnetoresistive random access memory |
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Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
US6535416B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Nve Corporation | Magnetic memory coincident thermal pulse data storage |
US6163477A (en) * | 1999-08-06 | 2000-12-19 | Hewlett Packard Company | MRAM device using magnetic field bias to improve reproducibility of memory cell switching |
US6385082B1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-07 | International Business Machines Corp. | Thermally-assisted magnetic random access memory (MRAM) |
US6603678B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-08-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermally-assisted switching of magnetic memory elements |
US6744086B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-06-01 | Nve Corporation | Current switched magnetoresistive memory cell |
US6504221B1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-01-07 | Hewlett-Packard Company | Magneto-resistive device including soft reference layer having embedded conductors |
US6728132B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Synthetic-ferrimagnet sense-layer for high density MRAM applications |
US6781910B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Small area magnetic memory devices |
US6819587B1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-11-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal-assisted nanotip magnetic memory storage device |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017537457A (ja) * | 2014-10-03 | 2017-12-14 | クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム | 磁気装置に書き込むための方法 |
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