JP2017537457A - 磁気装置に書き込むための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
100 磁気装置
111 第1サブセット
112 第2サブセット
2 磁気トンネル接合
21 基準層
211 センス磁化方向
22 トンネル障壁層
23 記憶層
231 記憶磁化方向
24 記憶反強磁性層
3 ビット線
32 センス電流
4 プログラミング線
4′ 第1支線
4″ 第2支線
4a 余フィールド線
41 プログラミング電流パルス
41′ 第1電流部分
41″ 第2電流部分
41a 余フィールド電流パルス
411 第1パルス部分
412 第2パルス部分
42 プログラミング磁場
42a 余磁場
421 第1時間周期
422 第2時間周期
43 入力電流、フィールド電流
44 入力磁場
60 外部磁場
7 ストラップ
71 誘電体/酸化物層
FT 立ち下がり時間、減少周期
R 接合抵抗
RT 立ち上がり時間
TH 高閾値温度
TL 低閾値温度
Claims (15)
- 単一のプログラミング電流を使用して、複数の磁気論理装置(MLU)セル(1)と1つのプログラミング線(4)とから構成される磁気装置(100)をプログラミングするための方法において、
それぞれのMLUセル(1)が、低閾値温度(TL)でピン止めされ、高閾値温度(TH)で自由に配向可能である1つの記憶磁化方向(231)を有する1つの強磁性記憶層(23)と、1つのセンス磁化方向(211)を有する1つの強磁性センス層(21)と、前記記憶層(23)と前記センス層(21)との間の1つのトンネル障壁層(22)とから構成される1つの磁気トンネル接合(2)を有し、
電流が、前記プログラミング線(4)から前記磁気トンネル接合(2)に直接に通電し得ないように、且つ前記複数のMLUセル(1)から成る1つのサブセット(111)をプログラミングするためのプログラミング電流パルス(41)を通電するために構成されるように、前記プログラミング線(4)が、1つの非導電層(71)によって当該それぞれのMLUセル(1)から物理的に分離されていて、前記サブセット(111)が、1つよりも多いMLUセル(1)から成り、
当該方法は、前記サブセット(111)内のそれぞれのMLUセル(1)の強磁性記憶磁化方向(231)をピン止め解除するように、前記複数のMLUセル(1)の磁気トンネル接合(2)を前記高閾値温度で加熱するための前記プログラミング線(4)にプログラミング電流(41)を通電することを有し、
前記プログラミング電流(41)は、前記サブセット(111)内のそれぞれのMLUセル(1)の記憶磁化方向(231)をプログラムされた方向に切り替えるために適合されたプログラミング磁場を生成するようにさらに適合される当該方法。 - 前記プログラミング電流(41)を通電することは、
前記記憶磁化方向(231)を切り替え可能な書き込み磁場(42)を誘導するために適合された第1強度を有する第1パルス部分(411)を第1時間周期(421)中に通電し、前記磁気トンネル接合(2)を前記高閾値温度(TH)で加熱し、
前記記憶磁化方向(231)を切り替え可能な前記書き込み磁場(42)を誘導し、前記磁気トンネル接合(2)を前記低閾値温度(TL)で冷却するように、前記第1強度よりも低い第2強度を有する第2パルス部分(412)を第2時間周期(422)中に通電することを有する請求項1に記載の方法。 - 前記第2パルス部分(412)の前記第2強度は、前記第2時間周期(422)中に単調に減少する請求項2に記載の方法。
- 前記磁気トンネル接合(2)が、前記低閾値温度(TL)に到達するまで、前記第2パルス部分(412)によって誘導された前記プログラミング磁場(42)が、前記記憶磁化方向(231)を切り替え可能であるような減少率で、前記第2パルス部分(412)の前記第2強度が減少する請求項3に記載の方法。
- 前記第2パルス部分(412)の前記第2強度は、ステップ状に減少する請求項3又は4に記載の方法。
- 前記第2パルス部分(412)は、約1ns〜1h、好ましくは1μs〜1msの期間を有する請求項5に記載の方法。
- 前記第1パルス部分(411)は、約5μs未満、好ましくは約100ns未満の立ち上がり時間(RT)を有する請求項2〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1時間周期(421)は、約数マイクロ秒から数秒である請求項2〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2強度の前記減少率は、約1.7×104A/μm2/sである請求項4〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1パルス部分(411)は、約1×10−3A/μm2〜約10A/μm2である請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記磁気装置(100)は、予フィールド電流パルス(41a)を通電するために構成された少なくとも1つの余フィールド線(4a)をさらに有し、
前記MLUセル(1)が、前記高閾値温度(TH)にあるときに、前記複数のMLUセル(1)のうちの任意の1つのMLUセル(1)内の前記記憶磁化方向(231)を前記プログラミング方向に切り替えるために適合された予磁場(42a)を誘導するように、前記方法は、前記余フィールド電流パルス(41a)を前記少なくとも1つの余フィールド線(4a)に通電することをさらに有する請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの余フィールド線(4a)は、少なくとも2つの余フィールド線(4a)から成り、前記余フィールド電流パルス(41a)が、前記少なくとも2つの余フィールド線(4a)のそれぞれの余フィールド線(4a)に通電される請求項11に記載の方法。
- 複数の前記余フィールド線(4a)が、前記MLUセル(1)の下に配置されていて、前記余フィールド電流パルス(41a)が、これらの余フィールド線(4a)のそれぞれの余フィールド線(4a)に同じ極性で通電される請求項12に記載の方法。
- 前記複数の余フィールド線(4a)は、前記MLUセル(1)の下と上とに配置されていて、前記MLUセル(1)の下に配置された前記余フィールド線(4a)に通電される前記余フィールド電流パルス(41a)が、前記MLUセル(1)の上に配置された前記余フィールド線(4a)に通電される前記余フィールド電流パルス(41a)のうちの1つの余フィールド電流パルス(41a)に対して反対の極性を有する請求項12に記載の方法。
- 前記プログラミング線(4)は、当該複数のMLUセル(1)の1つの行又は1つよりも多い行から構成される第1サブセット(111)をプログラミングするために配置された第1支線(4′)と、前記第1サブセットの当該複数のMLUセル(1)の前記1つの行又は1つよりも多い行に隣接した当該複数のMLUセル(1)の1つの行又は1つよりも多い行から構成される第2サブセット(112)をプログラミングするために配置された第2支線(4″)とを有し、
前記方法は、
前記第1サブセット(111)内の前記複数のMLUセル(1)の前記記憶磁化方向(231)を第1プログラム方向にプログラミングするように、前記プログラミング電流パルス(41)の第1電流部分(41′)を前記第1支線(4′)に通電することと、
前記第2サブセット(112)内の前記複数のMLUセル(1)の前記記憶磁化方向(231)を前記第1プログラム方向に対して反対の第2プログラム方向にプログラミングするように、前記プログラミング電流パルス(41)の第2電流部分(41″)を前記第2支線(4″)に通電することとを有する当該方法。
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