JP7157136B2 - 磁場を生成する装置及び当該装置の使用方法 - Google Patents
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Description
図1と図2の例では、第1磁石51は、第1磁石51の上面から出る磁場60を「上向き」に向けて示され、第2磁石52は、下第2磁石52の面58から出ている磁場60を「下向き」に向けて示されている。
間隔55の中央に垂直な位置での物品61の表面での磁場60の大きさは約0.38Tである。磁場60の大きさは、第1磁石51と間隔55との境界、及び第2磁石52と間隔55との境界に垂直な位置にある物品61の表面で約0.37Tである。磁場60は、物品61の表面で均一である。
装置5を提供する。
加熱ライン4に加熱電流パルス41を流すことにより、複数のMLUセル1のいずれか1つを高しきい値温度THに加熱する。
複数のMLUセル1のいずれか1つが高しきい値温度THになったら、複数のMLUセル1のいずれか1つの第1(基準)磁化211を切り替えるように装置5によって生成される磁場60を印加する。
第1サブセット111のMLUセル1の基準磁化211を第1方向に再配向する。
第2サブセット112内のMLUセル1の基準磁化211を、第1方向とは反対の第2方向に向け直す。
100 MLUベースの機器
110 ウエハ
111 第1サブセット
112 第2サブセット
120 プローブカード
121 固定手段
2 磁気トンネル接合
21 第1強磁性層、センス層
211 第1磁化、センス磁化
22 トンネル障壁層
23 第2強磁性層、基準層
231 第2磁化、基準磁化
24 反強磁性層
3 第1電流線
32 センス電流
4 第2電流線
4’ 第1支線
4” 第2支線
41 加熱電流パルス
5 装置
50 平面
51 第1磁石
52 第2磁石
55 非磁性体、枠部
56 板部
57 上面
58 下面
60 外部磁場
61 物体
71 誘電体/酸化物層
D 間隔
Da 物体の距離
L 横寸法
R 接合抵抗
TH 高しきい値温度
TL 低しきい値温度
Claims (9)
- 永久磁石のそれぞれが、所定の間隔で隣の磁石から空間的に離して平面に沿って平面に配置されている、複数の永久磁石を備え、
前記複数の永久磁石のそれぞれは、隣の磁石の磁場が実質的に前記平面に垂直で隣の磁石の磁場と反対方向に配向されるように、隣の磁石の磁場とは反対向きの磁極性を持ち、
前記永久磁石のそれぞれは、前記平面において、非磁性材料によって隣の磁石から空間的に分離されている、
磁場を生成する装置を備えるシステムであって、
さらに、
低いしきい値温度でピン止めされ、高いしきい値温度で自由に配向可能な第1磁化を有する第1磁性層と、複数の磁気セルのそれぞれから物理的に分離され、複数の磁気セルのいずれか一つを加熱するための加熱電流パルスを通すように構成された加熱線とを備える、複数の磁気セルを備える磁気機器を備える前記システムにおいて、
前記磁場を生成する装置によって生成される磁場は、高いしきい値温度で加熱されている複数の磁気セルの任意の1つの第1磁化を切り替えるように構成されていることと、
前記磁場を生成する装置は、
前記平面に沿って磁気機器の上又は下に移動可能に構成されていて、
前記磁場を生成する装置が前記磁気機器の上又は下に移動する際に、前記平面に沿って前記磁気機器の1面に対向する板部であって、鉄を含有する前記板部を備えることと
を特徴とするシステム。 - 所定の間隔が0.25mmと50mmとの間、又は1.2mmと25mmとの間の値である、請求項1に記載のシステム。
- 前記平面に沿った磁石の横方向の寸法は、2.5mmと80mmとの間、又は12mmと50mmとの間である、請求項1に記載のシステム。
- 板部は、0.25mmと50mmとの間、又は5mmと25mmとの間の厚みを持つ、請求項1に記載のシステム。
- 磁場を生成する装置と、磁気機器とを備えるシステムを使用する方法であって、
磁気機器は、低いしきい値温度でピン止めされ、高いしきい値温度で自由に配向可能な第1磁化を有する第1磁性層と、複数の磁気セルのそれぞれから物理的に分離され、複数の磁気セルのいずれか一つを加熱するための加熱電流パルスを通すように構成された加熱線とを備える、複数の磁気セルを備え、
前記磁場を生成する装置は、
永久磁石のそれぞれが、所定の間隔で隣の磁石から空間的に離して平面に配置されている、複数の永久磁石を備え、
前記複数の永久磁石のそれぞれは、隣の磁石の磁場が実質的に平面に垂直で隣の磁石の磁場と反対方向に配向されるように、隣の磁石のとは反対向きの磁極性を持ち、
前記複数の永久磁石のそれぞれは、非磁性材料によって隣の磁石から空間的に分離されている、
前記方法において、
加熱ラインに加熱電流パルスを通すことにより、複数の磁性セルのいずれか一つを高いしきい値温度に加熱することと、
複数の磁気セルのうちのいずれか一つが高いしきい値温度になったならば、複数の磁気セルのうちのいずれか一つの第1磁化の向きを再設定するために、前記磁場を生成する装置によって生成された磁場を適用することと
を備えることと、
前記磁場を生成する装置は、磁場を適用している間、移動されることと
を特徴とする、システムを使用する方法。 - プログラミング線は、複数の磁気セルの一つ又は複数の行を含む第1サブセットをプログラミングするために配置された少なくとも一つの第1支線と、第1サブセットの複数の磁気セルの一つ又は複数の行の隣の複数の磁気セルの一つ又は複数の行を備える第2サブセットをプログラミングするために配置された少なくとも1本の第2の支線とを備え、
当該方法が、
第1方向の第1サブセットの磁気セルの基準磁化を再配向することと、
第2サブセットの磁気セルの基準磁化を、第1方向と反対向きの第2方向に再配向することと、
を備える、請求項5に記載の方法。 - 第1サブセット内の磁気セルの基準磁化の再配向は、第1サブセット内の磁性セルを加熱するように、第1加熱電流パルスを少なくとも一つの第1支線内に通すことを備え、
第1サブセットの任意の磁気セルが高いしきい値温度にひとたびなると、当該装置によって生成される第1磁場を提供し、そして
第2サブセットの磁気セルを加熱するように少なくとも1つの第2支線に第2加熱パルスを通し、
第2サブセットのいずれかの磁気セルが高いしきい値温度にひとたびなると、当該装置によって生成される第2磁場を提供する、
請求項6に記載の方法。 - 前記第1磁場を提供することは、第1方向に平面に沿って装置を移動させて、第1サブセット内の磁性セルの基準磁化を第1プログラム方向にプログラムすることを備え、
前記第2磁場を提供することは、第1方向に対向する第2方向に平面に沿って装置を移動させて、第1プログラムされた方向に対向する第2プログラム方向に第2サブセット内の磁性セルの基準磁化をプログラムすることを備える、
請求項7に記載の方法。 - 前記第1磁場を提供することは、磁気機器をアニールすることと、第1切り替えられた方向に複数の磁性セルの第1磁化を切り替えるために外部磁場を提供することとを備え、 前記第2磁場を提供することは、第1方向に対向する第2方向に平面に沿って装置を移動させて、第1プログラム方向に対向する第2プログラム方向に第2サブセット内の磁性セルの第1磁化をプログラムすることを備える、
請求項7又は8に記載の方法。
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