JP2020528669A - 磁場を生成する装置及び当該装置の使用方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 145
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims 1
- 239000002907 paramagnetic material Substances 0.000 claims 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F7/00—Magnets
- H01F7/02—Permanent magnets [PM]
- H01F7/0273—Magnetic circuits with PM for magnetic field generation
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- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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Abstract
Description
反強磁性層24は、反強磁性タイプの磁性材料を含有してもよく、又はそのような磁性材料で形成してもよい。
装置5を提供する。
加熱ライン4に加熱電流パルス41を流すことにより、複数のMLUセル1のいずれか1つを高しきい値温度THに加熱する。
複数のMLUセル1のいずれか1つが高しきい値温度THになったら、複数のMLUセル1のいずれか1つの第1(基準)磁化211を切り替えるように装置5によって生成される磁場60を印加する。
第1サブセット111のMLUセル1の基準磁化211を第1方向に再配向する。
第2サブセット112内のMLUセル1の基準磁化211を、第1方向とは反対の第2方向に向け直す。
100 MLUベースの機器
110 ウエハ
111 第1サブセット
112 第2サブセット
120 プローブカード
121 固定手段
2 磁気トンネル接合
21 第1強磁性層、センス層
211 第1磁化、センス磁化
22 トンネル障壁層
23 第2強磁性層、基準層
231 第2磁化、基準磁化
24 反強磁性層
3 第1電流線
32 センス電流
4 第2電流線
4’ 第1支線
4” 第2支線
41 加熱電流パルス
5 装置
50 平面
51 第1磁石
52 第2磁石
55 非磁性体、枠部
56 板部
57 上面
58 下面
60 外部磁場
61 物体
71 誘電体/酸化物層
D 間隔
Da 物体の距離
L 横寸法
R 接合抵抗
TH 高しきい値温度
TL 低しきい値温度
Claims (15)
- 永久磁石(51、52)のそれぞれが、所定の間隔(D)で隣の磁石から空間的に離して平面に沿って平面に配置されている、複数の永久磁石(51、52)を備え、
磁石(51、52)のそれぞれは、隣の磁石(51、52)の磁場(60)が実質的に平面に垂直で隣の磁石の磁場と反対方向に配向されるように、隣の磁石の磁場とは反対向きの磁極性を持ち、
磁石(51、52)のそれぞれは、平面において、非磁性材料によって隣の磁石から空間的に分離されている、
磁場(60)を生成する装置(5)。 - 所定の間隔が0.25mmと50mmとの間の値である、請求項1に記載の装置。
- 所定の間隔が1.2mmと25mmとの間の値である、請求項1に記載の装置。
- 平面に沿ったの磁石の横方向の寸法は、2.5mmと80mmとの間である、請求項1に記載の装置。
- 平面内の磁石の横方向の寸法は、12mmと50mmとの間である、請求項1に記載の装置。
- 装置の表面の隣に、平面に横たわる板部(56)をさらに備え、板部は強磁性体又は常磁性体を備える、請求項1に記載の装置。
- 板部は、0.25mmと50mmとの間の厚みを持つ、請求項6に記載の装置。
- 板部は、5mmと25mmとの間の厚みを持つ、請求項6に記載の装置。
- 2つの磁石を備える、請求項1に記載の装置。
- 永久磁石(51、52)のそれぞれが、所定の間隔(D)で隣の磁石から空間的に離して平面に沿って平面に配置されている、複数の永久磁石(51、52)を備え、
磁石(51、52)のそれぞれは、磁場(60)が実質的に平面に垂直で隣の磁石(51、52)の磁場と反対方向に配向されるように、隣の磁石のとは反対向きの磁極性を持ち、
磁石(51、52)のそれぞれは、平面において、非磁性材料によって隣の磁石から空間的に分離されている、
磁場(60)を生成する装置(5)を備えるシステムであって、
システムが、
低いしきい値温度でピン止めされ、高いしきい値温度で自由に配向可能な第1磁化を有する第1磁性層と、複数の磁気セルのそれぞれから物理的に分離され、複数の磁気セルのいずれかを加熱するための加熱電流パルス(41)を通すように構成された加熱線(4)とを備える、複数の磁気セルを備える磁気機器をさらに備え、
当該装置によって生成される磁場は、高いしきい値温度で加熱されている複数の磁気セルの任意の1つの第1磁化を切り替えるように構成されている、
システム。 - 低いしきい値温度でピン止めされ、高いしきい値温度で自由に配向可能な第1磁化を有する第1磁性層と、複数の磁気セルのそれぞれから物理的に分離され、複数の磁気セルのいずれかを加熱するための加熱電流パルス(41)を通すように構成された加熱線(4)とを備える、複数の磁気セルを備える磁気機器をプログラムする方法であって、当該方法は、
永久磁石(51、52)のそれぞれが、所定の間隔(D)で隣の磁石から空間的に離して平面に沿って平面に配置されている、複数の永久磁石(51、52)を備え、
磁石(51、52)のそれぞれは、隣の磁石(51、52)の磁場(60)が実質的に平面に垂直で隣の磁石の磁場と反対方向に配向されるように、隣の磁石のとは反対向きの磁極性を持ち、
磁石(51、52)のそれぞれは、平面において、非磁性材料によって隣の磁石から空間的に分離されている、
磁場(60)を生成する装置(5)を用意することと、
加熱ラインに加熱電流パルス(41)を通すことにより、複数の磁性セルのいずれかを高い閾値温度に加熱することと、
複数の磁気セルのうちのいずれか一つが高い閾値温度になったならば、装置によって生成される磁場(60)は、複数の磁気セルのうちのいずれか一つの第1磁化の向きを再設定することと
を備える、磁気機器をプログラムする方法。 - プログラミング線(4)は、複数の磁気セル(1)の一つ又は複数の行を含む第1サブセット(111)をプログラミングするために配置された少なくとも一つの第1支線(4’)と、第1サブセットの複数の磁気セル(1)の一つ又は複数の行の隣の複数の磁気セル(1)の一つ又は複数の行を備える第2サブセット(112)をプログラミングするために配置された少なくとも1本の第2の支線(4”)とを備え、
当該方法が、
第1サブセット(111)の磁気セルの基準磁化を第1方向に再配向することと、
第2サブセットの磁気セルの基準磁化を、第1方向と反対向きの第2方向に再配向することと、
を備える、請求項11に記載の方法。 - 第1サブセット(111)内の磁気セルの基準磁化の再配向は、第1サブセット内の磁性セルを加熱するように、第1加熱電流パルス(41’)を少なくとも一つの第1支線(4’)内に通すことを備え、
第1サブセット(111)の任意の磁気セルが高いしきい値温度にひとたびなると、当該装置によって生成される第1磁場(60)を提供し、そして
第2サブセット(111)の磁気セルを加熱するように少なくとも1つの第2支線(4”)に第2加熱パルスを通し、
第2サブセット(111)のいずれかの磁気セルが高いしきい値温度にひとたびなると、当該装置によって生成される第2磁場(60)を提供する、
請求項12に記載の方法。 - 第1磁場(60)を提供することは、第1方向に平面に沿って装置を移動させて、第1サブセット(111)内の磁性セルの基準磁化を第1プログラム方向にプログラムすることを備え、
第2磁場(60)を提供することは、第1方向に対向する第2方向に平面に沿って装置を移動させて、第1プログラム方向に対向する第2プログラム方向に第2サブセット内の磁性セルの基準磁化をプログラムすることを備える、
請求項13に記載の方法。 - 第1磁場(60)を印加することは、磁気機器をアニールすることと、第1切り替えられた方向に複数の磁性セルの第1磁化を切り替えるために外部磁場を提供することとを備え、
第2磁場(60)を提供することは、第1方向に対向する第2方向に平面に沿って装置を移動させて、第1プログラム方向に対向する第2プログラム方向に第2サブセット内の磁性セルの第1磁化をプログラムすることを備える、
請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762537519P | 2017-07-27 | 2017-07-27 | |
US62/537,519 | 2017-07-27 | ||
PCT/IB2018/054662 WO2019021078A1 (en) | 2017-07-27 | 2018-06-25 | APPARATUS FOR GENERATING A MAGNETIC FIELD AND METHOD OF USING THE SAME |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020528669A true JP2020528669A (ja) | 2020-09-24 |
JP2020528669A5 JP2020528669A5 (ja) | 2020-11-12 |
JP7157136B2 JP7157136B2 (ja) | 2022-10-19 |
Family
ID=63168454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020502997A Active JP7157136B2 (ja) | 2017-07-27 | 2018-06-25 | 磁場を生成する装置及び当該装置の使用方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11017828B2 (ja) |
EP (1) | EP3659190A1 (ja) |
JP (1) | JP7157136B2 (ja) |
WO (1) | WO2019021078A1 (ja) |
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-
2018
- 2018-06-25 WO PCT/IB2018/054662 patent/WO2019021078A1/en active Application Filing
- 2018-06-25 US US16/633,775 patent/US11017828B2/en active Active
- 2018-06-25 EP EP18753233.8A patent/EP3659190A1/en active Pending
- 2018-06-25 JP JP2020502997A patent/JP7157136B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3659190A1 (en) | 2020-06-03 |
WO2019021078A1 (en) | 2019-01-31 |
US20200243127A1 (en) | 2020-07-30 |
US11017828B2 (en) | 2021-05-25 |
JP7157136B2 (ja) | 2022-10-19 |
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