JP2008140920A - 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents

太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール10は、第2透明導電膜14aは、第1溝部30において、光電変換層13の側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接している。又、金属膜14bは、第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接している。又、金属膜14bは、第1溝部30において、光電変換層13上に形成された第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、光電変換層13に接している。
【選択図】図3

Description

本発明は、透明基板上に積層された第1電極と、第1電極上に積層された光電変換層と、光電変換層上に積層された第2電極とを備え、第2電極は、透明導電膜と金属膜とから構成された太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法に関する。
近年、太陽電池の低コスト化、高効率化を両立するために原材料の使用量が少ない薄膜系の太陽電池モジュールの開発が精力的に行われている。従来の薄膜系の太陽電池モジュールの断面図の一例を、図1に示す。
図1に示すように、従来の薄膜系の太陽電池モジュール10は、ガラス等の透明基板11上に、第1透明導電膜12と光電変換層13と裏面電極14とを、レーザー照射によりパターニングしながら順次積層して形成される。又、太陽電池モジュール10は、PET(Poly Ethylene Terephthalate)等の保護材16がEVA(Ethylene Vinyl Acetate)等の充填材15によって接着される。
ここで、裏面電極14を、第2透明導電膜14a上に金属薄膜14bを積層して形成することにより、裏面電極14をレーザー照射によりパターニングする際に生じる第2透明導電膜14aのレーザーアブレーション現象を有効に利用して、容易なパターニングを可能とすることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
このような従来の薄膜系の太陽電池モジュール10の製造工程では、第2透明導電膜14aと金属薄膜14bとに対して同時にレーザーを照射することにより、裏面電極14のパターニングが行われる。
特開平8−56004号公報
一般的に、薄膜系の太陽電池モジュール10は屋外で長期間に渡って使用されるため、たとえ水分が浸入したとしても安定した高い発電力を維持するための充分な耐湿性を備える必要がある。
しかしながら、図1に示すような従来の薄膜系の太陽電池モジュール10では、第2透明導電膜14aの一部は金属薄膜14bに覆われることなく、金属薄膜14bから露出している。従って、保護材16及び充填材15を浸潤してきた水分が第2透明導電膜14aにまで到達すれば、第2透明導電膜14aは容易に劣化し、安定した高い発電力を維持することができないという問題があった。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の特徴に係る太陽電池モジュールは、透明基板と、前記透明基板上に積層された第1電極と、前記第1電極上に積層された光電変換層と、前記光電変換層上に積層された第2電極とを備える太陽電池モジュールであって、前記第2電極は、前記光電変換層上に積層された透明導電膜と、前記透明導電膜上に積層された金属膜とから構成されており、少なくとも前記光電変換層と前記透明導電膜と前記金属膜とを分離する溝部をさらに備え、前記金属膜は、前記溝部において、前記透明導電膜が分離された幅よりも狭い幅で分離されていることを要旨とする。
第1の特徴に係る太陽電池モジュールによれば、透明導電膜は、金属膜によって覆われて露出していないため、浸入した水分が裏面電極まで到達しても、金属膜によって封止されている透明導電膜が水分によって劣化することはなく、安定した高い発電力を維持することができる。
本発明の第2の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、前記透明導電膜は、前記溝部において、前記光電変換層の側壁を覆いながら、前記第1電極に接しており、前記金属膜は、前記溝部において、前記透明導電膜の側壁を覆いながら、前記第1電極に接していることを特徴とする太陽電池モジュールであることを要旨とする。
本発明の第3の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、前記金属膜は、前記溝部において、前記透明導電膜の側壁を覆いながら、前記光電変換層に接していることを特徴とする太陽電池モジュールであることを要旨とする。
本発明の第4の特徴は、透明基板と、前記透明基板上に積層された第1電極と、前記第1電極上に積層された光電変換層と、前記光電変換層上に積層された透明導電膜と、前記透明導電膜上に積層された金属膜とを備え、前記光電変換層と前記透明導電膜と前記金属膜とを分離する溝部を有する太陽電池モジュールの製造方法であって、前記溝部にレーザー光を照射することにより、前記光電変換層の一部を除去するステップAと、前記光電変換層上に透明導電膜を積層するステップBと、前記溝部にレーザー光を照射することにより、前記透明導電膜の一部を除去するステップCと、前記透明導電膜上に金属膜を積層するステップDと、前記溝部にレーザー光を照射することにより、前記金属膜の一部を除去するステップEとを含み、ステップEにおいて、前記金属膜の一部を除去する幅は、ステップCにおいて前記透明導電膜の一部を除去する幅よりも狭いことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法であることを要旨とする。
本発明によると、水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供することができる。
《第1実施形態》
次に、図面を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
〈太陽電池モジュール10の構成〉
本実施形態に係る太陽電池モジュール10の上面図を図2に示す。
太陽電池モジュール10は、透明基板11上に、光起電力素子20を複数含む発電領域21と、発電領域21の周囲に設けられた非発電領域22と、第1溝部30と、第2溝部40とを備える。
透明基板11は、太陽電池モジュール10の単一基板である。透明基板11は、ガラス等の光透過性、遮水性を有する部材により構成される。
光起電力素子20は、第1透明導電膜12と光電変換層13と裏面電極14とを順次積層して形成される。一の光起電力素子20の第1透明導電膜12は、第1溝部30において、隣接する他の光起電力素子20の裏面電極14と接続される。これにより、光起電力素子20同士は電気的に直列接続される。
第1溝部30は、一の光起電力素子20の光電変換層13及び裏面電極14と、隣接する他の光起電力素子20の光電変換層13及び裏面電極14とを電気的に分離する溝である。
発電領域21は、複数の光起電力素子20を電気的に直列接続することにより形成される。発電領域21は、発電に寄与する有効領域である。
非発電領域22は、第2溝部40を介して、発電領域21の周囲に設けられる。非発電領域22は、発電に寄与しない無効領域である。非発電領域22は、光起電力素子20と同様に、第1透明導電膜12と光電変換層13と裏面電極14とを順次積層して形成される積層体である。
第2溝部40は、発電領域21と非発電領域22とを電気的に分離する溝である。
図3は、図2のA−A断面図であり、図2の下部(図2のαで囲んだ部分)を拡大したものである。
本実施形態に係る太陽電池モジュール10は、図3に示すように、透明基板11と、透明基板11上に積層された第1透明導電膜12(第1電極)と、第1透明導電膜12上に積層された光電変換層13と、光電変換層13上に積層された裏面電極14(第2電極)とを備える。
第1透明導電膜12は、透明基板11上に積層されている。第1透明導電膜12は、第1溝部30において一部が除去され、短冊状に形成されている。第1透明導電膜12は、ZnO,In23,SnO2,CdO,TiO2,CdIn24,Cd2SnO4,Zn2SnO4にSn,Sb,F,Al、B、Gaをドープした金属酸化物の一群より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成される。なお、ZnOは、高い光透過性、低抵抗性、可塑性を有し、低価格であるため透明導電膜材料として好適である。
光電変換層13は、第1透明導電膜12上に積層されている。光電変換層13は、第1溝部30において一部が除去され、短冊形状に形成されている。本実施形態に係る光電変換層13は、非結晶シリコン半導体により構成される。本実施形態に係る光電変換層13は、非晶質シリコン半導体上に微結晶シリコン半導体を積層して形成される。このような非晶質シリコンと微結晶シリコンを用いたタンデム型太陽電池モジュールは、光吸収波長が異なる二種類の半導体を積層した構造を有し、太陽光スペクトルを有効に利用することができる。尚、本明細書に置いて、「微結晶」の用語は、多数の微小な結晶粒を含むものを意味し、部分的に非晶質状態を含む状態をも意味するものとする。
裏面電極14は、第2透明導電膜14a上に金属膜14bが積層された2層構造を有する。
第2透明導電膜14aは、光電変換層13上に積層される。第2透明導電膜14aは、第1溝部30において一部が除去され、短冊状に形成されている。図3に示すように、第2透明導電膜14aの一部が除去された幅をAとする。
金属膜14bは、第2透明導電膜14a上に積層される。金属膜14bは、第1溝部30において一部が除去され、短冊状に形成されている。図3に示すように、金属膜14bの一部が除去された幅をBとする。
ここで、本実施形態に係る太陽電池モジュール10では、金属膜14bの一部が除去された幅Bは、第2透明導電膜14aの一部が除去された幅Aよりも狭い。
即ち、金属膜14bは、第1溝部30において、第2透明導電膜14aが分離された幅Aよりも狭い幅Bで分離されている。
具体的には、図3に示すように、第1溝部30において、第2透明導電膜14aは、光電変換層13の側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接する。又、金属膜14bは、第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接する。又、金属膜14bは、第1溝部30において、光電変換層13上に形成された第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接する。
このように、第1溝部30において、第2透明導電膜14aは、金属膜14bによって覆われた状態にあり、外部に露出していない。
第2透明導電膜14aは、第1透明導電膜12と同様に、ZnO,In23,SnO2,CdO,TiO2,CdIn24,Cd2SnO4,Zn2SnO4にSn,Sb,F,Al、B、Gaをドープした金属酸化物の一群より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成される。
金属膜14bは、Ag、Al、Ti、Pt、Mo、Ta等の一群より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成される。
図4は、図2のB−B断面図であり、図2の右部(図2のβで囲んだ部分)を拡大したものである。
本実施形態に係る太陽電池モジュール10は、発電領域21と非発電領域22と第2溝部40とを備える。
第2透明導電膜14aは、光電変換層13上に積層される。第2透明導電膜14aは、第2溝部40において一部が除去されている。図4に示すように、第2透明導電膜14aの一部が除去された幅をA´とする。
金属膜14bは、第2透明導電膜14a上に積層される。金属膜14bは、第2溝部40において一部が除去されている。図4に示すように、金属膜14bの一部が除去された幅をB´とする。
ここで、本実施形態に係る太陽電池モジュール10では、金属膜14bの一部が除去された幅B´は、第2透明導電膜14aの一部が除去された幅A´よりも狭い。
即ち、金属膜14bは、第2溝部40において、第2透明導電膜14aが分離された幅A´よりも狭い幅B´で分離されている。
具体的には、図4に示すように、第2溝部40において、金属膜14bは、第2溝部40において、光電変換層13上に形成された第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、光電変換層13に接している。
このように、第2溝部40において、第2透明導電膜14aは、金属膜14bによって覆われた状態にあり、外部に露出していない。
〈太陽電池モジュール10の製造方法〉
本実施形態に係る太陽電池モジュール10の製造方法について、図3乃至図10を用いて説明する。
透明基板11上に、スパッタ等により第1透明導電膜12を形成する。図5(a)に示すように、第1透明導電膜12は、YAGレーザーを照射することにより、短冊状にパターニングされる。又、図5(b)に示すように、第1透明導電膜12は、YAGレーザーを複数回往復させて照射され、発電領域21となる領域と、非発電領域22となる領域とに電気的に分離される。これにより、第1透明導電膜12は、各光起電力素子20間で電気的に分離される。即ち、第1透明導電膜12の一部が、第2溝部40において除去される。YAGレーザーの照射は、光入射側から、又は、光入射側と反対の裏面側から行うことができる。
次に、プラズマCVD法により、光電変換層13を形成する。具体的には、図6(a)及び(b)に示すように、第1透明導電膜12上にp-i-n型の非晶質シリコン半導体を順次積層した後、p-i-n型の微結晶シリコン半導体を順次積層して光電変換層13を形成する。
光電変換層13は、第1透明導電膜12のパターニング位置から所定間隔の位置に光入射側からYAGレーザーを照射することにより、短冊状にパターニングされる。即ち、光電変換層13の一部が、第1溝部30において除去される。これにより、図7に示すように、光電変換層13は、光起電力素子20毎に電気的に分離される。
次に、図8(a)及び(b)に示すように、第2透明導電膜14aが、光電変換層13上にスパッタ等により形成される。第2透明導電膜14aは、光電変換層13のパターニング位置から所定間隔の位置に、裏面側からYAGレーザーを照射することにより、短冊状にパターニングされる。即ち、透明導電膜14aの一部が、第1溝部30において除去される。これにより、図9(a)に示すように、透明導電膜14aは、光起電力素子20毎に電気的に分離される。
又、図9(b)に示すように、第2透明導電膜14aは、裏面側からYAGレーザーを複数回往復させて照射され、発電領域21となる領域と、非発電領域22となる領域とに電気的に分離される。即ち、第2透明導電膜14aの一部が、第2溝部40において除去される。
次に、図10(a)及び(b)に示すように、金属膜14bが、第2透明導電膜14a上にスパッタ等により形成される。
次に、図3に示すように、光電変換層13及び金属膜14bは、第2透明導電膜14aのパターニング位置から所定間隔の位置に光入射側からYAGレーザーを照射することにより、短冊状にパターニングされる。即ち、金属膜14bの一部が、第1溝部30において除去される。特に、本発明に係る金属膜14bは、第1溝部30において、第2透明導電膜14aが除去された幅Aよりも狭い幅Bで除去される。
又、図4に示すように、光電変換層13及び金属膜14bは、光入射側からYAGレーザーを照射され、発電領域21となる領域と、非発電領域22となる領域とを電気的に分離する。即ち、金属膜14bの一部が、第2溝部40において除去される。特に、本発明に係る金属膜14bは、第2溝部40において、第2透明導電膜14aが除去された幅A´よりも狭い幅B´で除去される。
次に、裏面側に、樹脂からなる充填材15及び保護材16(不図示)を順次配置して、ラミネート装置を用いて真空加熱圧着を行った後、加熱処理により充填材15を架橋、安定化させる。
充填材15として、EVAの他、EEA等のエチレン系樹脂、PVB、シリコン、ウレタン、アクリル、エポキシ樹脂を用いてもよい。又、保護材16として、フッ素系樹脂(ETFE、PVDF、PCTFE等)、PC、ガラス等が金属箔を挟んだ構造、SUS、鋼板を用いてもよい。
以上により、本実施形態に係る太陽電池モジュール10が形成される。尚、当該太陽電池モジュール10には、端子ボックス及び取出し電極を接続し、ブチルゴム等によりアルミニウム枠を取付けることができる。
〈作用及び効果〉
本実施形態に係る太陽電池モジュール10では、第2透明導電膜14aは、第1溝部30において、光電変換層13の側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接している。又、金属膜14bは、第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、第1透明導電膜12に接している。又、金属膜14bは、第1溝部30において、光電変換層13上に形成された第2透明導電膜14aの側壁を覆いながら、光電変換層13に接している。
このように、第1溝部30において、第2透明導電膜14aは、金属膜14bによって覆われた状態にあり、外部に露出していない。
従って、保護材16及び充填材15を浸潤してきた水分が裏面電極14まで到達しても、金属膜14bによって覆われている第2透明導電膜14aが水分によって劣化することはなく、安定した高い発電力を維持することができる。
特に、本実施形態に係る太陽電池モジュール10は、高い光透過性、低抵抗性、可塑性を有し、低価格であるZnOを、第2透明導電膜材料として使用するために好適である。
〈その他の実施形態〉
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、上記実施形態では、非晶質シリコン半導体と微結晶シリコン半導体とが順次積層された光電変換層12及び13を用いたが、微結晶又は非晶質シリコン半導体の単層又は3層以上の積層体を用いても同様の効果を得ることができる。
又、上記実施形態では、第2透明導電膜14aを光電変換層13上に積層した後にYAGレーザーによりパターニングを行ったが、第2透明導電膜14aは、所望のパターンのフォトマスクを用いて形成されてもよい。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
以下、本発明に係る太陽電池モジュールについて、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
〈実施例〉
本発明の実施例に係る太陽電池モジュールとして、図3及び図4に示す太陽電池モジュール10を以下のように製造した。
4mm厚のガラス基板11上に、熱CVDにより600nm厚のSnO電極12を形成した。
又、ガラス基板11の光入射側からYAGレーザーを照射して、SnO電極12を短冊状にパターニングした。当該レーザー分離加工には、波長約1.06μm、エネルギー密度3×10W/cmのNd:YAGレーザーを使用した。ここで、発電領域21と非発電領域22との境界部分については、YAGレーザーを複数回往復させて、3mm幅の溝を形成した。
次に、プラズマCVD法により、非晶質シリコン半導体層及び微結晶シリコン半導体層からなる光電変換層13を形成した。具体的には、非晶質シリコン半導体層は、プラズマCVD法により、SiH4とCH4とH2とB26との混合ガスから膜厚10nmのp型非晶質シリコン半導体層を、SiH4とH2との混合ガスから膜厚300nmのi型非晶質シリコン半導体層を、SiH4とH2とPH3との混合ガスから膜厚20nmのn型非晶質シリコン半導体層を形成し順次積層した。又、微結晶シリコン半導体層は、プラズマCVD法により、SiH4とH2とB26との混合ガスから膜厚10nmのp型微結晶シリコン半導体層を、SiH4とH2との混合ガスから膜厚2000nmのi型微結晶シリコン半導体層を、SiH4とH2とPH3との混合ガスから膜厚20nmのn型微結晶シリコン半導体層を形成し順次積層した。プラズマCVD法の諸条件の詳細を表1に示す。
Figure 2008140920
又、非晶質シリコン半導体層及び微結晶シリコン半導体層からなる光電変換層13を、SnO電極12のパターニング位置から50μm横の位置に光入射側からYAGレーザーを照射することにより短冊状にパターニングした。当該レーザー分離加工には、波長約1.06μm、エネルギー密度1×10W/cmのNd:YAGレーザーを使用した。
次に、90nm厚のZnO膜14aを、微結晶シリコン半導体層上にスパッタにより形成した。
又、ZnO膜14aを、光電変換層13のパターニング位置から50μm横の位置に裏面側からYAGレーザーを照射することにより短冊状にパターニングした。ここで、ZnO膜14aの一部を除去する幅は、140μmとした。当該レーザー分離加工には、波長約1.06μm、エネルギー密度1×10W/cmのNd:YAGレーザーを使用した。
次に、200nm厚のAg膜14bを、ZnO膜14a上にスパッタにより形成した。
又、光電変換層13とAg電極14とを、光入射側からYAGレーザーを照射することにより、短冊状にパターニングした。ここで、Ag膜14bの一部を除去する幅は、100μmとした。当該レーザー分離加工には、波長約1.06μm、エネルギー密度1×10W/cmのNd:YAGレーザーを使用した。
次に、EVA15とPETフィルム16とを順次配置して、ラミネート装置を用いて、150℃で30分加熱処理することで、EVA15を架橋、安定化して真空圧着した。
最後に、端子ボックスを取付けて取出し電極を接続して本発明の実施例に係る太陽電池モジュールを完成した。
〈従来例〉
従来例として、図1に示す太陽電池モジュール10を作製した。従来例では、光電変換層13上にZnO膜14aとAg膜14bとを順次連続して積層し、光電変換層13のパターニング位置から100μm横の位置に光入射側からYAGレーザーを照射してパターニングしたこと以外は、上記実施例と同様の工程を行った。
従って、第1溝部30において、ZnO膜14aの一部は、Ag膜14bに覆われることなく露出している。
《熱アニール処理後の特性評価》
実施例に係る太陽電池モジュールと従来例に係る太陽電池モジュールとの信頼性を比較するために、熱アニール処理を行った後に、これらの特性評価を行った。具体的には、温度200℃の大気雰囲気中に各モジュールを3時間暴露する処理を行った。
〈結果〉
熱アニール処理後の特性評価結果は以下の通りである。
Figure 2008140920
熱アニール処理を行った後において、従来例に係る太陽電池モジュールの変換効率は、処理前と比較して約20%低下した。
一方、実施例に係る太陽電池モジュールの変換効率は、熱アニール処理を行った後であっても変化は見られず、高い発電力を維持していた。
表2に示す結果となった原因を確認するため、熱アニール処理後の従来例に係る太陽電池モジュールのZnO膜14aの抵抗を測定したところ、抵抗値が2倍となっていた。即ち、大気中の水分によってZnO膜14aが劣化したことが確認された。
このように、従来例に係る太陽電池モジュールの変換効率が低下した理由は、第1溝部30を浸潤してきた水分がZnO膜14aを劣化させためであることが判った。
一方、実施例に係る太陽電池モジュールでは、ZnO膜14aは、第1溝部30において、光電変換層13の側壁を覆いながら、SnO電極12に接している。又、Ag膜14bは、ZnO膜14aの側壁を覆いながら、SnO電極12に接している。さらに、Ag膜14bは、第1溝部30において、光電変換層13上に形成されたZnO膜14aの側壁を覆いながら、光電変換層13に接している。
このように、実施例に係る太陽電池モジュールでは、Ag電極14bがZnO膜14a上を覆っており、水分がZnO膜14aに接触しないため、安定した高い出力を維持することができた。
又、ZnOは、透明導電膜材料として大きな利点を有するにも関わらず、水分によって容易に劣化するという特性のために実用化できなかったが、実施例の構成を採用することにより十分実用化されうることが判った。
従来の太陽電池モジュールの構成を示す断面図である。 実施形態に係る太陽電池モジュールの上面図である。 実施形態に係る太陽電池モジュールの図2の断面図である(その1)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの図2の断面図である(その2)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その1)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その2)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その3)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その4)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その5)。 実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す模式図である(その6)。
符号の説明
10…太陽電池モジュール
11…透明基板
12…第1透明導電膜
13…光電変換層
14…裏面電極
14a…第2透明導電膜
14b…金属膜
15…充填材
16…保護材
20…光起電力素子
21…発電領域
22…非発電領域
30…第1溝部
40…第2溝部

Claims (4)

  1. 透明基板と、前記透明基板上に積層された第1電極と、前記第1電極上に積層された光電変換層と、前記光電変換層上に積層された第2電極とを備える太陽電池モジュールであって、
    前記第2電極は、前記光電変換層上に積層された透明導電膜と、前記透明導電膜上に積層された金属膜とから構成されており、
    少なくとも前記光電変換層と前記透明導電膜と前記金属膜とを分離する溝部をさらに備え、
    前記金属膜は、前記溝部において、前記透明導電膜が分離された幅よりも狭い幅で分離されている
    ことを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 前記透明導電膜は、前記溝部において、前記光電変換層の側壁を覆いながら、前記第1電極に接しており、
    前記金属膜は、前記溝部において、前記透明導電膜の側壁を覆いながら、前記第1電極に接している
    ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記金属膜は、前記溝部において、前記透明導電膜の側壁を覆いながら、前記光電変換層に接している
    ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  4. 透明基板と、前記透明基板上に積層された第1電極と、前記第1電極上に積層された光電変換層と、前記光電変換層上に積層された透明導電膜と、前記透明導電膜上に積層された金属膜とを備え、前記光電変換層と前記透明導電膜と前記金属膜とを分離する溝部を有する太陽電池モジュールの製造方法であって、
    前記溝部にレーザー光を照射することにより、前記光電変換層の一部を除去するステップAと、
    前記光電変換層上に透明導電膜を積層するステップBと、
    前記溝部にレーザー光を照射することにより、前記透明導電膜の一部を除去するステップCと、
    前記透明導電膜上に金属膜を積層するステップDと、
    前記溝部にレーザー光を照射することにより、前記金属膜の一部を除去するステップEとを含み、
    ステップEにおいて、前記金属膜の一部を除去する幅は、ステップCにおいて前記透明導電膜の一部を除去する幅よりも狭い
    ことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
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