JP2013102244A - 光電変換部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換部材1は、第1の電極層20、a−Si(非晶質シリコン)によって形成されたnip構造を備えた単一の発電積層体22、及び、当該発電積層体22上に、ニッケル層24を介して成膜されたAlの第2の電極層26を有している。
第2の電極層26上にはSiCNを含む材料で構成されたパッシベーション層28が形成される。パッシベーション層28上には、接着剤層29を介してヒートシンク30(例えばAlによって形成)が取り付けられている。
【選択図】 図1
Description
10 光電変換素子
12 ガードガラス
14 ガラス基板
16 ナトリウムバリア層
20 第1の電極層(n+型ZnO層)
22 発電積層体
100 基体
221 n+型a−Si層
222 i型a−Si層
223 p+型a−Si層
24 ニッケル層(Ni層)
26 第2の電極層(Al層)
28 パッシベーション層(SiCN層)
201 絶縁層(SiCN層)
224 ビアホール
224a SiO2層
30 ヒートシンク
Claims (7)
- 入射光のエネルギを電気エネルギに変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子に設けられた放熱部と、
を有し、
前記光電変換素子は、
前記放熱部と接触する部分に設けられ、SiCNを含む材料で構成されたパッシベーション層を有することを特徴とする光電変換部材。 - 前記光電変換素子は、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1および第2の電極層の間に設けられた1つまたは複数の発電積層体とを含み、
前記発電積層体は、p型半導体層と、当該p型半導体層に接触して形成されたi型半導体層と、前記i型半導体層に接触して形成されたn型半導体層とを含み、
前記パッシベーション層は前記第2の電極層に設けられていることを特徴とする請求項1記載の光電変換部材。 - 前記第1の電極層は透明電極であることを特徴とする請求項2記載の光電変換部材。
- 前記発電積層体の前記i型半導体層は、結晶シリコン、微結晶非晶質シリコン、及び、非晶質シリコンのいずれかによって形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電変換部材。
- 前記第1の電極層は前記n型半導体層が接触する部分がn型のZnOを含み、前記第1の電極層に接触する前記n型半導体層は非晶質シリコンによって形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光電変換部材。
- 前記第2の電極層に接触する前記p型半導体層は非晶質シリコンによって形成されており、前記第2の電極層のうち少なくとも前記p型半導体層が接触する部分には、ニッケル(Ni)を含む層が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光電変換部材。
- 前記放熱部は、Alを含む材料で構成されたヒートシンクであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の光電変換部材。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58215083A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 |
JP2004172255A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Daido Steel Co Ltd | 集光型太陽光発電装置 |
JP2004311704A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置用基板及びそれを用いた薄膜光電変換装置 |
JP2008140920A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2008227460A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2008146575A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | National University Corporation Tohoku University | 化合物系薄膜及びその形成方法、並びにその薄膜を用いた電子装置 |
JP2009084510A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 接着剤 |
WO2009060034A1 (de) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Sgl Carbon Ag | Temperierkörper für photovoltaik-module |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58215083A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 |
JP2004172255A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Daido Steel Co Ltd | 集光型太陽光発電装置 |
JP2004311704A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置用基板及びそれを用いた薄膜光電変換装置 |
JP2008140920A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2008227460A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2008146575A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | National University Corporation Tohoku University | 化合物系薄膜及びその形成方法、並びにその薄膜を用いた電子装置 |
JP2009084510A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 接着剤 |
WO2009060034A1 (de) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Sgl Carbon Ag | Temperierkörper für photovoltaik-module |
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