JP2975776B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置の製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明絶縁基板上の光起電力素子の非発電
領域を除去し入射光の一部を透過させる光起電力装置
が、実開昭６３−１７４４６８号公報に提案されてい
る。この装置は、ガラス、耐熱プラスチック等の透光性
絶縁基板上に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）または酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電
膜からなる第１電極膜、半導体光活性層及び金属導電膜
からなる第２電極膜を積層する。そして、透過部の第２
電極膜及び半導体光活性層をエッチングする。また、第
１電極膜の取出電極部と、第２電極膜に電気的に連なる
透明導電膜からなる取出電極部から出力を取り出す。こ
こで第２電極膜に電気的に連なる取出電極部が、透明導
電膜から成るのは、耐候性、透光性絶縁基板との密着性
において、金属導電膜より透明導電膜のほうが優れてい
るからである。
領域を除去し入射光の一部を透過させる光起電力装置
が、実開昭６３−１７４４６８号公報に提案されてい
る。この装置は、ガラス、耐熱プラスチック等の透光性
絶縁基板上に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）または酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電
膜からなる第１電極膜、半導体光活性層及び金属導電膜
からなる第２電極膜を積層する。そして、透過部の第２
電極膜及び半導体光活性層をエッチングする。また、第
１電極膜の取出電極部と、第２電極膜に電気的に連なる
透明導電膜からなる取出電極部から出力を取り出す。こ
こで第２電極膜に電気的に連なる取出電極部が、透明導
電膜から成るのは、耐候性、透光性絶縁基板との密着性
において、金属導電膜より透明導電膜のほうが優れてい
るからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記透過部
の形成に際して、アモルファスシリコン等からなる半導
体光活性層のエッチングは、ＮａＯＨ水溶液のウエット
エッチングで行うが、このウエットエッチングするとき
に発生する水素イオンまたは水素ガスによって、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）または酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる取出電極部が還
元され、溶解除去される。特に、ウエットエッチング時
には、既に装置は光起電力を生じる状態であるため、発
生した電子が集まる負極端子には、プラスの水素イオン
が集まり、還元、溶解除去が進みやすい。
の形成に際して、アモルファスシリコン等からなる半導
体光活性層のエッチングは、ＮａＯＨ水溶液のウエット
エッチングで行うが、このウエットエッチングするとき
に発生する水素イオンまたは水素ガスによって、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）または酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる取出電極部が還
元され、溶解除去される。特に、ウエットエッチング時
には、既に装置は光起電力を生じる状態であるため、発
生した電子が集まる負極端子には、プラスの水素イオン
が集まり、還元、溶解除去が進みやすい。
【０００４】本発明の目的は、この透明導電膜からなる
取出電極部の溶解除去を防止することにある。
取出電極部の溶解除去を防止することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は以下の５つの解
決手段からなる。 半導体光活性層のウエットエッチング工程を遮光され
た暗状態にて実施する。 透明電極膜からなる取出電極部上を、金属導電膜にて
被覆する。 透明電極膜からなる取出電極部上を、半導体光活性
層、取出電極部の透明電極膜より大面積である金属導電
膜にて被覆する。 第１電極層と電気的に連なる取出電極領域と、第２電
極層に電気的に連なる取出電極領域とから出力を取り出
す構造とし、負極となる取出電極領域は、透光性絶縁基
板側から順に、透明導電膜からなる島部、半導体光活性
層、及び島部より大面積である金属導電膜の積層構造と
する。 第１電極層と電気的に連なる取出電極領域と、第２電
極層に電気的に連なる取出電極領域とから出力を取り出
す構造とし、負極となる取出電極領域は、透光性絶縁基
板側から順に、透明導電膜からなる島部、半導体光活性
層及び金属導電膜の積層構造とし、取出電極領域の外周
部を保護膜で被覆する。 第１電極層と電気的に連なる取出電極領域と、第２電
極層に電気的に連なる取出電極領域とから出力を取り出
す構造とし、負極となる取出電極領域は、透光性絶縁基
板側から順に、半導体光活性層及び金属導電膜の積層構
造とする。
決手段からなる。 半導体光活性層のウエットエッチング工程を遮光され
た暗状態にて実施する。 透明電極膜からなる取出電極部上を、金属導電膜にて
被覆する。 透明電極膜からなる取出電極部上を、半導体光活性
層、取出電極部の透明電極膜より大面積である金属導電
膜にて被覆する。 第１電極層と電気的に連なる取出電極領域と、第２電
極層に電気的に連なる取出電極領域とから出力を取り出
す構造とし、負極となる取出電極領域は、透光性絶縁基
板側から順に、透明導電膜からなる島部、半導体光活性
層、及び島部より大面積である金属導電膜の積層構造と
する。 第１電極層と電気的に連なる取出電極領域と、第２電
極層に電気的に連なる取出電極領域とから出力を取り出
す構造とし、負極となる取出電極領域は、透光性絶縁基
板側から順に、透明導電膜からなる島部、半導体光活性
層及び金属導電膜の積層構造とし、取出電極領域の外周
部を保護膜で被覆する。 第１電極層と電気的に連なる取出電極領域と、第２電
極層に電気的に連なる取出電極領域とから出力を取り出
す構造とし、負極となる取出電極領域は、透光性絶縁基
板側から順に、半導体光活性層及び金属導電膜の積層構
造とする。
【０００６】
【作用】上記５つの解決手段の作用について説明する。 ウエットエッチング工程を暗状態で行うことで、光起
電力装置からの電子の発生を無くし、プラスの水素イオ
ンが負極にあつまるのを防ぎ、出力取出電極部の透明電
極膜の溶解除去を防止する。 透明導電膜からなる取出電極部上に金属導電膜を被覆
しているので、透明電極膜がウエットエッチング時、水
素及び水素イオンと直接接することがなく、溶解除去さ
れることはない。 金属導電膜が、透明導電膜からなる島部より大面積で
あるゆえ、ウエットエッチング工程時、半導体光活性層
のサイドエッチングは透明導電膜まで至らない。金属
導電膜の外周部の保護膜により、半導体光活性層のサイ
ドエッチングは透明導電膜まで至らない。 取出電極領域が基板側から順に半導体光活性層及び金
属導電膜の積層構造であり、透明導電膜が存在しないこ
とにより溶解除去は起こらない。
電力装置からの電子の発生を無くし、プラスの水素イオ
ンが負極にあつまるのを防ぎ、出力取出電極部の透明電
極膜の溶解除去を防止する。 透明導電膜からなる取出電極部上に金属導電膜を被覆
しているので、透明電極膜がウエットエッチング時、水
素及び水素イオンと直接接することがなく、溶解除去さ
れることはない。 金属導電膜が、透明導電膜からなる島部より大面積で
あるゆえ、ウエットエッチング工程時、半導体光活性層
のサイドエッチングは透明導電膜まで至らない。金属
導電膜の外周部の保護膜により、半導体光活性層のサイ
ドエッチングは透明導電膜まで至らない。 取出電極領域が基板側から順に半導体光活性層及び金
属導電膜の積層構造であり、透明導電膜が存在しないこ
とにより溶解除去は起こらない。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説
明する。 ［実施例１］図１〜図５は、実施例１の製造方法を工程
別に示す平面図である。図１に示す工程において、ガラ
ス、耐熱性プラスチック等からなる矩形の透光性絶縁基
板１の一表面において、中心部の後述する表示窓６とな
る領域を囲んで基板１の三辺側に位置する複数の発電領
域２ａ〜２ｃに、第１電極層３ａ〜３ｃが分割配置され
る。この第１電極層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電
膜の単層あるいは積層構造からなる。また、これら第１
電極層３ａ、３ｂは、発電領域２ａ〜２ｃを電気的に直
列接続するための第１接続部３ａｅ、３ｂｃ有してい
る。さらに、基板１の残りの一辺側に、第１電極層３ａ
から延長した第１電極層の取出電極部３ａｔ、第１電極
層と同一材料からなる後述する第２電極層５ｃの取出電
極部３ｃｔを有している。
明する。 ［実施例１］図１〜図５は、実施例１の製造方法を工程
別に示す平面図である。図１に示す工程において、ガラ
ス、耐熱性プラスチック等からなる矩形の透光性絶縁基
板１の一表面において、中心部の後述する表示窓６とな
る領域を囲んで基板１の三辺側に位置する複数の発電領
域２ａ〜２ｃに、第１電極層３ａ〜３ｃが分割配置され
る。この第１電極層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電
膜の単層あるいは積層構造からなる。また、これら第１
電極層３ａ、３ｂは、発電領域２ａ〜２ｃを電気的に直
列接続するための第１接続部３ａｅ、３ｂｃ有してい
る。さらに、基板１の残りの一辺側に、第１電極層３ａ
から延長した第１電極層の取出電極部３ａｔ、第１電極
層と同一材料からなる後述する第２電極層５ｃの取出電
極部３ｃｔを有している。
【０００８】図２に示す工程においては、第１電極層３
ａ〜３ｃを含んで基板１の一表面の略全面に、アモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコンカー
バイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲルマニ
ウム（ａ−ＳｉＧｅ）等をｐｎ、ｐｉｎに積層した半導
体光活性層４が形成される。図３に示す工程において
は、半導体光活性層４上に、第１電極層３ａ〜３ｃと重
なるように第２電極層５ａ〜５ｃが分割配置される。第
２電極層５ａ〜５ｃは、スクリーン印刷によりパタ−ニ
ングされた後に１５０℃程度に焼成された導電性ペース
トから成る。導電性ペーストとしては、Ａｌ、Ａｇ、Ｔ
ｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等のフィラ−を、フェノール、エ
ポキシ、ポリエステル等のバインダーに添加したものが
用いられる。また、第２電極層５ｂは、第１接続部３ａ
ｅと重なり、これに電気接続するくし型状第２電極部５
ｂｅを有し、第２電極層５ｃは、第１接続部３ｂｅ及び
取出電極部３ｃｔの各々と重なり、これらに電気接続す
るためのくし型状第２接続部５ｃｅ、５ｃｔｅを有して
いる。その後、くし型状第２接続部５ｂｅ、５ｃｅ、５
ｃｔｅ上から、図３に示す矢印方向に、レーザビームや
電子ビーム等のエネルギービームを照射することによっ
て、第１接続部３ａｅ、３ｂｅ、取出電極部３ｃｔの各
々と、第２接続部５ｂｅ、５ｃｅ、５ｃｔｅの各々とが
（図３において、矢印と交わっている部分）電気的に接
続されることとなる。使用されるエネルギービームとし
ては、Ｑスイッチ付きのＹＡＧレーザが最適である。
ａ〜３ｃを含んで基板１の一表面の略全面に、アモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコンカー
バイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲルマニ
ウム（ａ−ＳｉＧｅ）等をｐｎ、ｐｉｎに積層した半導
体光活性層４が形成される。図３に示す工程において
は、半導体光活性層４上に、第１電極層３ａ〜３ｃと重
なるように第２電極層５ａ〜５ｃが分割配置される。第
２電極層５ａ〜５ｃは、スクリーン印刷によりパタ−ニ
ングされた後に１５０℃程度に焼成された導電性ペース
トから成る。導電性ペーストとしては、Ａｌ、Ａｇ、Ｔ
ｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等のフィラ−を、フェノール、エ
ポキシ、ポリエステル等のバインダーに添加したものが
用いられる。また、第２電極層５ｂは、第１接続部３ａ
ｅと重なり、これに電気接続するくし型状第２電極部５
ｂｅを有し、第２電極層５ｃは、第１接続部３ｂｅ及び
取出電極部３ｃｔの各々と重なり、これらに電気接続す
るためのくし型状第２接続部５ｃｅ、５ｃｔｅを有して
いる。その後、くし型状第２接続部５ｂｅ、５ｃｅ、５
ｃｔｅ上から、図３に示す矢印方向に、レーザビームや
電子ビーム等のエネルギービームを照射することによっ
て、第１接続部３ａｅ、３ｂｅ、取出電極部３ｃｔの各
々と、第２接続部５ｂｅ、５ｃｅ、５ｃｔｅの各々とが
（図３において、矢印と交わっている部分）電気的に接
続されることとなる。使用されるエネルギービームとし
ては、Ｑスイッチ付きのＹＡＧレーザが最適である。
【０００９】図４に示す工程において、第２電極膜５ａ
〜５ｃ上に、表示窓６、マイナス端子部７、プラス端子
部８を除いて、エポキシ系、フェノール系、アクリル系
等の樹脂から成る保護膜９を配置する。この表示窓６
は、液晶、ＬＥＤ等により文字、数字等を表示するため
のものである。図５に示す工程において、保護膜９から
露出する半導体光活性層４が、エッチング装置１０を用
いて、ＮａＯＨ水溶液でエッチングされる。まず、保護
膜９を配置した光起電力装置１１の半導体光活性層４
が、遮光されたＮａＯＨ水溶液槽１２にて、エッチング
された後、光起電力装置１１に付着したＮａＯＨを取り
除くため水洗槽１３に移動される。従来においては、光
入射で光起電力装置によって発生した電子が集まる負極
端子に、ウエットエッチングするときに発生するプラス
の水素イオンが集まり、マイナス端子部７の透明導電膜
からなる取出電極部３ｃｔの還元、溶解除去が進むが、
本実施例の遮光された暗状態においては、発生する電子
が存在しないためマイナス端子部７に水素イオンが集ま
らず、従って、その部分の取出電極部３ｃｔの還元、溶
解除去が起こらない。
〜５ｃ上に、表示窓６、マイナス端子部７、プラス端子
部８を除いて、エポキシ系、フェノール系、アクリル系
等の樹脂から成る保護膜９を配置する。この表示窓６
は、液晶、ＬＥＤ等により文字、数字等を表示するため
のものである。図５に示す工程において、保護膜９から
露出する半導体光活性層４が、エッチング装置１０を用
いて、ＮａＯＨ水溶液でエッチングされる。まず、保護
膜９を配置した光起電力装置１１の半導体光活性層４
が、遮光されたＮａＯＨ水溶液槽１２にて、エッチング
された後、光起電力装置１１に付着したＮａＯＨを取り
除くため水洗槽１３に移動される。従来においては、光
入射で光起電力装置によって発生した電子が集まる負極
端子に、ウエットエッチングするときに発生するプラス
の水素イオンが集まり、マイナス端子部７の透明導電膜
からなる取出電極部３ｃｔの還元、溶解除去が進むが、
本実施例の遮光された暗状態においては、発生する電子
が存在しないためマイナス端子部７に水素イオンが集ま
らず、従って、その部分の取出電極部３ｃｔの還元、溶
解除去が起こらない。
【００１０】図６は、実施例１の完成図で、図６−Ａは
平面図、図６−ＢはI−I′の断面図である。 ［実施例２］図７は、実施例２の完成図で、図７−Ａは
平面図、図７−ＢはII−II′における断面図である。図
７に示すように、透明導電膜からなる取出電極部３ａ
ｔ、３ｃｔを、金属導電膜１４ａｔ、１４ｃｔが被って
いる。本実施例は、実施例１の図１で示した工程後、金
属導電膜１４ａｔ、１４ｃｔが、取出電極部３ａｔ、３
ｃｔ上に、各々積層される点で、実施例１の構造と異な
っている。金属導電膜１４ａｔ、１４ｃｔの材料は、Ｎ
ａＯＨ水溶液、水素及び水素イオンに耐食性のある金属
薄膜（Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）またはこれら
の金属紛を含む導電性ペーストであることが必要であ
る。
平面図、図６−ＢはI−I′の断面図である。 ［実施例２］図７は、実施例２の完成図で、図７−Ａは
平面図、図７−ＢはII−II′における断面図である。図
７に示すように、透明導電膜からなる取出電極部３ａ
ｔ、３ｃｔを、金属導電膜１４ａｔ、１４ｃｔが被って
いる。本実施例は、実施例１の図１で示した工程後、金
属導電膜１４ａｔ、１４ｃｔが、取出電極部３ａｔ、３
ｃｔ上に、各々積層される点で、実施例１の構造と異な
っている。金属導電膜１４ａｔ、１４ｃｔの材料は、Ｎ
ａＯＨ水溶液、水素及び水素イオンに耐食性のある金属
薄膜（Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）またはこれら
の金属紛を含む導電性ペーストであることが必要であ
る。
【００１１】本実施例においては、ＮａＯＨ水溶液のエ
ッチング工程において発生する水素及び水素イオンが、
取出電極部３ａｔ、３ｃｔと直接接触することを、金属
導電膜１４ａｔ、１４ｃｔが防いでいるので、取出電極
部３ａｔ、３ｃｔの溶解除去は起こらない。ここで、エ
ッチング時における取出電極部３ａｔ、３ｃｔのサイド
エッチングを防止するため、金属導電膜１４ａｔ、１４
ｃｔは取出電極部３ａｔ、３ｃｔより大面積であること
が望ましい。なお、本実施例のウエットエッチング工程
においてエッチング装置は遮光されている必要はない。
ッチング工程において発生する水素及び水素イオンが、
取出電極部３ａｔ、３ｃｔと直接接触することを、金属
導電膜１４ａｔ、１４ｃｔが防いでいるので、取出電極
部３ａｔ、３ｃｔの溶解除去は起こらない。ここで、エ
ッチング時における取出電極部３ａｔ、３ｃｔのサイド
エッチングを防止するため、金属導電膜１４ａｔ、１４
ｃｔは取出電極部３ａｔ、３ｃｔより大面積であること
が望ましい。なお、本実施例のウエットエッチング工程
においてエッチング装置は遮光されている必要はない。
【００１２】［実施例３］図８は、実施例３の完成図
で、図８−Ａは平面図、図８−ＢはIII−III′における
断面図を示す。図８に示すように、マイナス端子部７に
位置するマイナス取出電極領域１５ｃｔは、基板１側か
ら順に透明導電膜からなる島部３ｃｔ′、半導体光活性
層４、島部３ｃｔ′より大面積である第２電極層５ｃか
ら延長した金属導電膜５ｃｔ′の積層構造となってい
る。一方、プラス端子部８に位置するプラス取出電極領
域１５ａｔは、基板１側から順に透明導電膜からなる第
１電極層３ａより延長した取出電極部３ａｔ、半導体光
活性層４、第２電極層と同一材料、同一工程にて形成さ
れた島状の金属導電膜５ａｔの積層構造となっている。
また、金属導電膜５ａｔと取出電極部３ａｔが、電気的
に接続されている。
で、図８−Ａは平面図、図８−ＢはIII−III′における
断面図を示す。図８に示すように、マイナス端子部７に
位置するマイナス取出電極領域１５ｃｔは、基板１側か
ら順に透明導電膜からなる島部３ｃｔ′、半導体光活性
層４、島部３ｃｔ′より大面積である第２電極層５ｃか
ら延長した金属導電膜５ｃｔ′の積層構造となってい
る。一方、プラス端子部８に位置するプラス取出電極領
域１５ａｔは、基板１側から順に透明導電膜からなる第
１電極層３ａより延長した取出電極部３ａｔ、半導体光
活性層４、第２電極層と同一材料、同一工程にて形成さ
れた島状の金属導電膜５ａｔの積層構造となっている。
また、金属導電膜５ａｔと取出電極部３ａｔが、電気的
に接続されている。
【００１３】本実施例は、実施例１の図１、図２で示し
た工程後に、金属導電膜５ｃｔ′、金属導電膜５ａｔ、
第２接続部５ａｔｅを第２電極層５ａ〜５ｃと共に形成
する点で、実施例１の構造と異なっている。金属導電膜
５ｃｔ′、金属導電膜５ａｔの材料は、ＮａＯＨ水溶
液、水素及び水素イオンに耐食性のある金属粉（Ａｇ、
Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）を含む導電性ペーストであ
ることが必要である。
た工程後に、金属導電膜５ｃｔ′、金属導電膜５ａｔ、
第２接続部５ａｔｅを第２電極層５ａ〜５ｃと共に形成
する点で、実施例１の構造と異なっている。金属導電膜
５ｃｔ′、金属導電膜５ａｔの材料は、ＮａＯＨ水溶
液、水素及び水素イオンに耐食性のある金属粉（Ａｇ、
Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）を含む導電性ペーストであ
ることが必要である。
【００１４】本実施例においては、ＮａＯＨ水溶液のエ
ッチング工程において発生するプラスの水素イオンが集
まるマイナス取出電極領域１５ｃｔにおいて、金属導電
膜５ｃｔ′は、島部ｃｔ′より大面積であるため、たと
え半導体光活性層４がサイドエッチング４′されても、
島部３ｃｔ′まで至ることがない。従って、島部３ｃ
ｔ′の溶解除去は起こらない。なお、本実施例のウエッ
トエッチング工程においてエッチング装置は遮光されて
いる必要はない。
ッチング工程において発生するプラスの水素イオンが集
まるマイナス取出電極領域１５ｃｔにおいて、金属導電
膜５ｃｔ′は、島部ｃｔ′より大面積であるため、たと
え半導体光活性層４がサイドエッチング４′されても、
島部３ｃｔ′まで至ることがない。従って、島部３ｃ
ｔ′の溶解除去は起こらない。なお、本実施例のウエッ
トエッチング工程においてエッチング装置は遮光されて
いる必要はない。
【００１５】［実施例４］図９は、実施例４の完成図
で、図９−Ａは平面図、図９−ＢはIV−IV′における断
面図を示す。図９に示すように、マイナス端子部７に位
置するマイナス取出電極領域１５ｃｔ′は、基板１側よ
り透明導電膜からなる島部３ｃｔ′、半導体光活性層
４、第２電極層５ｃより延長した金属導電膜５ｃｔ″の
積層構造とし、マイナス取出電極領域１５ｃｔ′の外周
部にも保護膜９′が配置されている。一方、プラス端子
部８に位置するプラス取出電極領域１５ａｔ′は、基板
１側より透明導電膜からなる第１電極層３ａより延長し
た取出電極部３ａｔ、半導体光活性層４、第２電極層と
同一材料、同一工程にて形成された島状の金属導電膜５
ａｔ′の積層構造とし、プラス取出電極領域１５ａｔ′
の外周部にも保護膜９″が配置されている。また、金属
導電膜５ａｔ′と取出電極部３ａｔが、電気的に接続さ
れている。
で、図９−Ａは平面図、図９−ＢはIV−IV′における断
面図を示す。図９に示すように、マイナス端子部７に位
置するマイナス取出電極領域１５ｃｔ′は、基板１側よ
り透明導電膜からなる島部３ｃｔ′、半導体光活性層
４、第２電極層５ｃより延長した金属導電膜５ｃｔ″の
積層構造とし、マイナス取出電極領域１５ｃｔ′の外周
部にも保護膜９′が配置されている。一方、プラス端子
部８に位置するプラス取出電極領域１５ａｔ′は、基板
１側より透明導電膜からなる第１電極層３ａより延長し
た取出電極部３ａｔ、半導体光活性層４、第２電極層と
同一材料、同一工程にて形成された島状の金属導電膜５
ａｔ′の積層構造とし、プラス取出電極領域１５ａｔ′
の外周部にも保護膜９″が配置されている。また、金属
導電膜５ａｔ′と取出電極部３ａｔが、電気的に接続さ
れている。
【００１６】本実施例は、実施例１の図１、図２で示し
た工程後に、金属導電膜５ｃｔ″、金属導電膜５ａ
ｔ′、第２接続部５ａｔｅ′を第２電極層５ａ〜５ｃと
共に形成する点、保護膜９′、９″を保護膜９と共に形
成する点で、実施例１の構造と異なっている。金属導電
膜５ｃｔ″、金属導電膜５ａｔ′の材料は、ＮａＯＨ水
溶液、水素及び水素イオンに耐食性のある金属粉（Ａ
ｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）を含む導電性ペースト
であることが必要である。
た工程後に、金属導電膜５ｃｔ″、金属導電膜５ａ
ｔ′、第２接続部５ａｔｅ′を第２電極層５ａ〜５ｃと
共に形成する点、保護膜９′、９″を保護膜９と共に形
成する点で、実施例１の構造と異なっている。金属導電
膜５ｃｔ″、金属導電膜５ａｔ′の材料は、ＮａＯＨ水
溶液、水素及び水素イオンに耐食性のある金属粉（Ａ
ｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）を含む導電性ペースト
であることが必要である。
【００１７】本実施例においては、ＮａＯＨ水溶液のエ
ッチング工程において発生するプラスの水素イオンが集
まるマイナス取出電極領域１５ｃｔ′において、金属導
電膜５ｃｔ″の外周部の保護膜９′により、たとえ半導
体光活性層４がサイドエッチング４″されても島部３ｃ
ｔ′まで至ることがない。従って、島部３ｃｔ′の溶解
除去は起こらない。なお、本実施例のウエットエッチン
グ工程においてエッチング装置は遮光されている必要は
ない。
ッチング工程において発生するプラスの水素イオンが集
まるマイナス取出電極領域１５ｃｔ′において、金属導
電膜５ｃｔ″の外周部の保護膜９′により、たとえ半導
体光活性層４がサイドエッチング４″されても島部３ｃ
ｔ′まで至ることがない。従って、島部３ｃｔ′の溶解
除去は起こらない。なお、本実施例のウエットエッチン
グ工程においてエッチング装置は遮光されている必要は
ない。
【００１８】［実施例５］図１０は、実施例５の完成図
で、図１０−Ａは平面図、図１０−ＢはV−V ′におけ
る断面図を示す。図１０に示すようにマイナス端子部７
に位置するマイナス取出電極領域１５ｃｔ″は、基板１
側より、半導体光活性層４、第２電極層５ｃより延長し
た金属導電膜５ｃｔ″の積層構造となっている。一方、
プラス端子部８に位置するプラス取出電極領域１５ａ
ｔ″は、基板１側より半導体光活性層４、第２電極層と
同一材料、同一工程にて形成された島状の金属導電膜５
ａｔ′の積層構造となっている。また、金属導電膜５ａ
ｔ′と第１電極層３ａが、電気的に接続されている。
で、図１０−Ａは平面図、図１０−ＢはV−V ′におけ
る断面図を示す。図１０に示すようにマイナス端子部７
に位置するマイナス取出電極領域１５ｃｔ″は、基板１
側より、半導体光活性層４、第２電極層５ｃより延長し
た金属導電膜５ｃｔ″の積層構造となっている。一方、
プラス端子部８に位置するプラス取出電極領域１５ａ
ｔ″は、基板１側より半導体光活性層４、第２電極層と
同一材料、同一工程にて形成された島状の金属導電膜５
ａｔ′の積層構造となっている。また、金属導電膜５ａ
ｔ′と第１電極層３ａが、電気的に接続されている。
【００１９】本実施例は、基板１の一表面に、取出電極
部３ｃｔ及び取出電極部ａｔが存在しない第１電極層３
ａ〜３ｃを形成する点、金属導電膜５ｃｔ″、金属導電
膜５ａｔ′、第２接続部５ａｔｅ′を第２電極層５ａ〜
５ｃと共に形成する点で、実施例１の構造と異なってい
る。金属導電膜５ｃｔ″、金属導電膜５ａｔ′の材料
は、ＮａＯＨ水溶液、水素及び水素イオンに耐食性のあ
る金属粉（Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）を含む導
電性ペーストであることが必要である。
部３ｃｔ及び取出電極部ａｔが存在しない第１電極層３
ａ〜３ｃを形成する点、金属導電膜５ｃｔ″、金属導電
膜５ａｔ′、第２接続部５ａｔｅ′を第２電極層５ａ〜
５ｃと共に形成する点で、実施例１の構造と異なってい
る。金属導電膜５ｃｔ″、金属導電膜５ａｔ′の材料
は、ＮａＯＨ水溶液、水素及び水素イオンに耐食性のあ
る金属粉（Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等）を含む導
電性ペーストであることが必要である。
【００２０】本実施例においては、取出電極領域１５ｃ
ｔ″、１５ａｔ″に透明導電膜が存在しないことより、
ＮａＯＨ水溶液のエッチング工程において発生する水素
ガス及び水素イオンが、透明導電膜を溶解除去すること
はない。なお、本実施例のウエットエッチング工程にお
いてエッチング装置は遮光されている必要はない。
ｔ″、１５ａｔ″に透明導電膜が存在しないことより、
ＮａＯＨ水溶液のエッチング工程において発生する水素
ガス及び水素イオンが、透明導電膜を溶解除去すること
はない。なお、本実施例のウエットエッチング工程にお
いてエッチング装置は遮光されている必要はない。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、光起電力装置の非発電
領域である表示窓における半導体光活性層のウエットエ
ッチング工程を暗状態で行うことで、光起電力装置から
の電子の発生を無くし、プラスの水素イオンが負極にあ
つまるのを防ぎ、取出電極部の透明導電膜の溶解除去を
防止することができる。
領域である表示窓における半導体光活性層のウエットエ
ッチング工程を暗状態で行うことで、光起電力装置から
の電子の発生を無くし、プラスの水素イオンが負極にあ
つまるのを防ぎ、取出電極部の透明導電膜の溶解除去を
防止することができる。
【００２２】更に本発明（請求項２に対応）によれば、
透明導電膜からなる取出電極部上に金属導電膜を被覆し
ているので、光起電力装置の非発電領域である表示窓に
おける半導体光活性層のウエットエッチング時、取出電
極部が、水素及び水素イオンと直接接することがなく、
溶解除去されることはない。更に本発明（請求項３に対
応）によれば、負極となる取出電極領域を、透光性絶縁
基板側から順に、透明導電膜からなる島部、半導体光活
性層、及び前記島部より大面積である金属導電膜の積層
構造としている。よって、半導体光活性層のウエットエ
ッチング時に発生する水素イオンが集まる負極におい
て、金属導電膜が、透明導電膜からなる島部より大面積
であるゆえ、ウエットエッチング工程時、半導体光活性
層のサイドエッチングは透明導電膜の島部まで至ること
がない。従って、透明導電膜の島部の溶解除去は起こら
ない。更に本発明（請求項４に対応）によれば、負極と
なる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から順に、透明
導電膜からなる島部、半導体光活性層及び金属導電膜の
積層構造とすると共に、該取出電極領域の外周部を保護
膜で被っている。よって、半導体光活性層のウエットエ
ッチング時に発生する水素イオンが集まる負極におい
て、金属導電膜の外周部の保護膜により、半導体光活性
層のサイドエッチングは透明導電膜まで至ることはな
い。従って、透明導電膜の島部の溶解除去は起こらな
い。更に、本発明（請求項５に対応）によれば、少なく
とも負極となる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から
順に、半導体光活性層及び金属導電膜の積層構造として
いる。よって、半導体光活性層のウエットエッチング時
に発生する水素イオンが集まる負極において、取出電極
領域が基板側から順に半導体光活性層及び金属導電膜の
積層構造であり、透明導電膜が存在しないことにより溶
解除去は起こらない。
透明導電膜からなる取出電極部上に金属導電膜を被覆し
ているので、光起電力装置の非発電領域である表示窓に
おける半導体光活性層のウエットエッチング時、取出電
極部が、水素及び水素イオンと直接接することがなく、
溶解除去されることはない。更に本発明（請求項３に対
応）によれば、負極となる取出電極領域を、透光性絶縁
基板側から順に、透明導電膜からなる島部、半導体光活
性層、及び前記島部より大面積である金属導電膜の積層
構造としている。よって、半導体光活性層のウエットエ
ッチング時に発生する水素イオンが集まる負極におい
て、金属導電膜が、透明導電膜からなる島部より大面積
であるゆえ、ウエットエッチング工程時、半導体光活性
層のサイドエッチングは透明導電膜の島部まで至ること
がない。従って、透明導電膜の島部の溶解除去は起こら
ない。更に本発明（請求項４に対応）によれば、負極と
なる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から順に、透明
導電膜からなる島部、半導体光活性層及び金属導電膜の
積層構造とすると共に、該取出電極領域の外周部を保護
膜で被っている。よって、半導体光活性層のウエットエ
ッチング時に発生する水素イオンが集まる負極におい
て、金属導電膜の外周部の保護膜により、半導体光活性
層のサイドエッチングは透明導電膜まで至ることはな
い。従って、透明導電膜の島部の溶解除去は起こらな
い。更に、本発明（請求項５に対応）によれば、少なく
とも負極となる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から
順に、半導体光活性層及び金属導電膜の積層構造として
いる。よって、半導体光活性層のウエットエッチング時
に発生する水素イオンが集まる負極において、取出電極
領域が基板側から順に半導体光活性層及び金属導電膜の
積層構造であり、透明導電膜が存在しないことにより溶
解除去は起こらない。
【図１】本発明の第１実施例における第１工程の平面図
【図２】本発明の第１実施例における第２工程の平面図
【図３】本発明の第１実施例における第３工程の平面図
【図４】本発明の第１実施例における第４工程の平面図
【図５】本発明の第１実施例における第５工程の概要図
【図６】本発明の第１実施例の平面図
【図７】本発明の第２実施例の平面図
【図８】本発明の第３実施例の平面図
【図９】本発明の第４実施例の平面図
【図１０】本発明の第５実施例の平面図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明導電膜からなる第
１電極層と第２電極層により半導体光活性層を挟持して
絶縁基板上に積層形成し、上記第１電極層及び第２電極
層の外部に露出した取出電極部から出力を取り出す光起
電力装置の製造方法において、上記各層の積層後に少な
くともいずれか一層の一部を、暗状態にてウエットエッ
チングすることを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項２】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層と、半導体光活性層と、第２電極層とを積
層形成し、第１電極層の取出電極部と第２電極層に電気
的に連なる透明導電膜からなる取出電極部とから出力を
取り出す光起電力装置の製造方法であって、少なくとも
負極となる取出電極部上を、金属導電膜にて被覆してお
り、半導体光活性層の一部をウエットエッチングするこ
と特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項３】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層と、半導体光活性層と、第２電極層とを積
層形成し、第１電極層と電気的に連なる取出電極領域
と、第２電極層に電気的に連なる取出電極領域とから出
力を取り出す光起電力装置の製造方法であって、負極と
なる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から順に、透明
導電膜からなる島部、半導体光活性層、及び前記島部よ
り大面積である金属導電膜の積層構造とし、半導体光活
性層の一部をウエットエッチングすること特徴とする光
起電力装置の製造方法。 - 【請求項４】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層と、半導体光活性層と、第２電極層とを積
層形成し、第１電極層と電気的に連なる取出電極領域
と、第２電極層に電気的に連なる取出電極領域とから出
力を取り出す光起電力装置の製造方法であって、負極と
なる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から順に、透明
導電膜からなる島部、半導体光活性層及び金属導電膜の
積層構造とすると共に、該取出電極領域の外周部を保護
膜で被い、半導体光活性層の一部をウエットエッチング
すること特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項５】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層と、半導体光活性層と、第２電極層とを積
層形成し、第１電極層に電気的に連なる取出電極領域
と、第２電極層に電気的に連なる取出電極領域とから出
力を取り出す光起電力装置の製造方法であって、少なく
とも負極となる取出電極領域を、透光性絶縁基板側から
順に、半導体光活性層及び金属導電膜の積層構造とし、
半導体光活性層の一部をウエットエッチングすること特
徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199710A JP2975776B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199710A JP2975776B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645625A JPH0645625A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2975776B2 true JP2975776B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=16412327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4199710A Expired - Fee Related JP2975776B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975776B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4909032B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP4199710A patent/JP2975776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645625A (ja) | 1994-02-18 |
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