JP2008135531A - 接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - Google Patents
接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008135531A JP2008135531A JP2006320025A JP2006320025A JP2008135531A JP 2008135531 A JP2008135531 A JP 2008135531A JP 2006320025 A JP2006320025 A JP 2006320025A JP 2006320025 A JP2006320025 A JP 2006320025A JP 2008135531 A JP2008135531 A JP 2008135531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- connection terminal
- outer peripheral
- insulator
- peripheral surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 21
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 154
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 75
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 13
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005555 metalworking Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Abstract
【解決手段】接続端子10は、絶縁体1に設けられた挿通孔1aにリード線7が挿通されて成り、リード線7は、線路方向に沿った外周面の一部に突出され、線路方向の長さL1が挿通孔の長さL2より短い凸部7aが形成されており、凸部7aを含むリード線7の外周方向全周面で挿通孔1aの内面に接合されている。凸部7の先端面7bと挿通孔1aの内面とが接合されることにより、接合面積を小さなものとでき、リード線7との熱膨張差によって絶縁体1に生じる応力を小さなものとできるので、絶縁体1にクラックが生じ難い。
【選択図】 図1
Description
1a:挿通孔
7:リード線
7a:凸部
7b:凸部先端
7c:くびれ
7d:一外周面
7e:両側外周面
7f:反対側外周面
8:基体
8a:凹部
8b:載置部
9:側部
9a:取付部
10:接続端子
12:電子部品
Claims (9)
- 絶縁体に設けられた挿通孔にリード線が挿通されて成る接続端子において、前記リード線は、線路方向に沿った外周面の一部に前記線路方向の長さが前記挿通孔の長さより短い凸部が形成されており、該凸部を含む前記リード線の外周方向全周面で前記挿通孔の内面に接合されていることを特徴とする接続端子。
- 前記リード線は四角柱状であり、前記絶縁体に一外周面が接合されているとともに、該一外周面に隣接する両側外周面に前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の接続端子。
- 前記リード線は四角柱状であり、前記絶縁体に一外周面が接合されているとともに、該一外周面と反対側の外周面に前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の接続端子。
- 前記リード線は線路方向に沿った2箇所にくびれが形成され、該くびれの間が前記凸部とされていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の接続端子。
- 請求項2記載の接続端子において、前記一外周面と反対側の外周面には線路方向に沿った2箇所のくびれによって前記凸部が形成されていることを特徴とする接続端子。
- 前記絶縁体はセラミックスから成ることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の接続端子。
- 前記リード線は銅または銀から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の接続端子。
- 一方主面に凹部が形成された基体と、前記凹部の内外方向に前記リード線が挿通するように設けられている請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の接続端子とを備えることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
- 請求項8記載の電子部品収納用パッケージと、前記凹部の内側に載置されるとともに前記接続端子の前記リード線に電気的に接続された電子部品とを具備していることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006320025A JP4836760B2 (ja) | 2006-11-28 | 2006-11-28 | 接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006320025A JP4836760B2 (ja) | 2006-11-28 | 2006-11-28 | 接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135531A true JP2008135531A (ja) | 2008-06-12 |
JP4836760B2 JP4836760B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=39560181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006320025A Expired - Fee Related JP4836760B2 (ja) | 2006-11-28 | 2006-11-28 | 接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4836760B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012248777A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体モジュール |
CN103117254A (zh) * | 2010-11-18 | 2013-05-22 | 株式会社东芝 | 封装 |
EP2595186A3 (en) * | 2011-11-16 | 2013-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor package |
JP2014011271A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
CN113745170A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 西安微电子技术研究所 | 一种减少玻璃裂纹的金属外壳引线结构 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08139216A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パッケージ |
JP2001053182A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置用セラミックパッケージ |
JP2002110834A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 高周波パッケージ装置 |
JP2003115554A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Kyocera Corp | 入出力端子および半導体素子収納用パッケージ |
JP2003318303A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | 入出力端子および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 |
JP2006210576A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
JP2006210410A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2006
- 2006-11-28 JP JP2006320025A patent/JP4836760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08139216A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パッケージ |
JP2001053182A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置用セラミックパッケージ |
JP2002110834A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 高周波パッケージ装置 |
JP2003115554A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Kyocera Corp | 入出力端子および半導体素子収納用パッケージ |
JP2003318303A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | 入出力端子および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 |
JP2006210410A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006210576A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103117254A (zh) * | 2010-11-18 | 2013-05-22 | 株式会社东芝 | 封装 |
JP2012248777A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体モジュール |
EP2595186A3 (en) * | 2011-11-16 | 2013-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor package |
EP3190615A1 (en) * | 2011-11-16 | 2017-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor package |
JP2014011271A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
CN113745170A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 西安微电子技术研究所 | 一种减少玻璃裂纹的金属外壳引线结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4836760B2 (ja) | 2011-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5106528B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ、及び電子装置 | |
JP4836760B2 (ja) | 接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2007201335A (ja) | 気密端子 | |
JP2009158673A (ja) | パッケージ及び電子装置 | |
JP5116614B2 (ja) | 気密端子および電子部品収納用パッケージならびに電子装置 | |
JP2001274280A (ja) | 多数個取りセラミック配線基板 | |
JP4514318B2 (ja) | 半導体素子収納基板 | |
JPH06334077A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2008034610A (ja) | 接続端子、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP4593802B2 (ja) | 半導体素子収納基板 | |
JP2007173629A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2002231845A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
JP4167576B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2710893B2 (ja) | リード付き電子部品 | |
JP4594166B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2005050935A (ja) | 多数個取り配線基板 | |
JP3393784B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
JPH06151656A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2009177121A (ja) | パッケージおよび電子装置 | |
JP2005191041A (ja) | 配線基板 | |
JP2003218489A (ja) | 配線基板 | |
JP2002246499A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2002261179A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
JP2006013357A (ja) | 回路基板 | |
JP2002246526A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |