JP2008108785A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の縦型パワーMOSFET1は、トレンチ内部に形成された所定の不純物濃度を有するゲート電極層3a,3bと、ゲート電極層3a,3bを絶縁被覆し、ゲート電極層3a,3bの不純物濃度よりも低い不純物濃度であるキャップ酸化層2a,2bとを有する。
【選択図】図1
Description
トレンチゲート構造を有する半導体装置において、
トレンチ内部に形成された所定の不純物濃度を有するゲート電極層と、
ゲート電極層を絶縁被覆し、ゲート電極層の不純物濃度よりも低い不純物濃度であるキャップ絶縁層と、を有することを特徴とする半導体装置である。
トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板に形成されたトレンチの内壁面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
その上面がトレンチ開口よりも低い位置となるようにトレンチ内に所定の不純物濃度を有する第1の導電膜からなるゲート電極層を形成する工程と、
トレンチ内部に第2の絶縁膜を形成する工程と、
トレンチ内部および基板表面に第1の導電膜の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第2の導電膜を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法である。
2a,2b,90a,90b キャップ酸化層
3a,3b,80a,80b ゲート電極層
4 第1のポリシリコン膜
5 NSG膜
5a,5b NSG層
6 第2のポリシリコン膜
6a,6b 第2のポリシリコン酸化層
20 n+層
30 n− 層
40 ボディp層
50 p+ 層
60a,60b ソース層
61a,61b 第1の部分
62 第2の部分
70a,70b ゲート絶縁膜
100a,100b トレンチ
110 ソース電極
120 ドレイン電極
150 トレンチマスク
Claims (13)
- トレンチゲート構造を有する半導体装置において、
前記トレンチ内部に形成された所定の不純物濃度を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層を絶縁被覆し、前記ゲート電極層の不純物濃度よりも低い不純物濃度であるキャップ絶縁層と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極層は、ポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記キャップ絶縁層は、NSG層またはHTO層と、ポリシリコン酸化膜との積層体からなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記キャップ絶縁層の不純物濃度は、前記ゲート電極層の不純物濃度の100分の1以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 縦型MOSFETとして構成された請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板に形成されたトレンチの内壁面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
その上面が前記トレンチ開口よりも低い位置となるように前記トレンチ内に所定の不純物濃度を有する第1の導電膜からなるゲート電極層を形成する工程と、
前記トレンチ内部に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチ内部および基板表面に前記第1の導電膜の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第2の導電膜を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。 - トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上に形成されたトレンチマスクをマスクとして、トレンチを形成後、前記トレンチ内壁面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチマスクを残したまま、前記トレンチ内部および基板表面上に所定の不純物濃度を有する第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜の不要部分をエッチング除去し、その上面が前記トレンチ開口よりも低い位置にあるゲート電極層を形成する工程と、
前記トレンチマスクを残したまま、前記トレンチ内部および基板表面上に、第2の絶縁膜としてのNSG膜またはHTO膜を形成する工程と、
前記トレンチ内部および基板表面に前記第1の導電膜の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜の不要部分をエッチング除去し、前記トレンチ内部を前記第2の導電膜で充填する工程と、
基板表面のNSG膜またはHTO膜をエッチング除去して前記トレンチ内部にNSG層またはHTO層を形成後、前記第2の導電膜を酸化させて第2の導電酸化層を形成し、前記ゲート電極層上にNSG層またはHTO層と、第2の導電酸化層との積層体からなるキャップ絶縁層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 - 前記第1の導電膜は、ポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の導電膜は、ポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の導電膜の不純物濃度は、前記第1の導電膜の不純物濃度の100分の1以下であることを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の導電膜は、ノンドープポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の導電膜のエッチング除去工程では、前記第2の絶縁膜としてのNSG膜やHTO膜を除去しないエッチャントを用いる請求項7から11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャップ絶縁層形成後は、前記キャップ絶縁層をマスクで被覆して不純物導入することを特徴とする請求項7から12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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