JP2009004480A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の溝内の素子分離膜と活性領域を有する半導体基板を用意する工程と、この半導体基板上にマスク形成用膜を形成する工程と、活性領域を横切る開口を有する第1のマスクを形成する工程と、第1のマスクを用いて異方性エッチングを行って、前記マスク形成用膜からなる第2のマスクと、活性領域内に、対向する素子分離膜露出面を有し且つ第1の溝より浅い第2の溝を形成する工程と、第2の溝内の半導体基板表面と素子分離膜露出面との境界を含む領域に酸素イオンが照射されるように、第2のマスクを用いて酸素イオンを斜めに注入する工程と、第2の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成する工程と、この酸化領域を除去する工程を有する半導体装置の製造方法。
【選択図】図5
Description
第1の溝と、第1の溝内に埋め込まれた素子分離膜と、この素子分離膜に囲まれた活性領域を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上にマスク形成用膜を形成する工程と、
前記マスク形成用膜上に、前記活性領域を横切る開口を有する第1のマスクを形成する工程と、
第1のマスクを用いて異方性エッチングを行って、前記開口に対応する開口を有する前記マスク形成用膜からなる第2のマスクと、前記活性領域内に、対向する素子分離膜露出面を有し且つ第1の溝より浅い第2の溝を形成する工程と、
第2の溝内の半導体基板表面と素子分離膜露出面との境界を含む領域に酸素イオンが照射されるように、第2の溝内に、第2のマスクを用いて、酸素イオンを斜めに注入する工程と、
第2の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成する工程と、
前記酸化領域を除去する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
第2の溝内を含む半導体基板表面の酸化を行って、第2の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成するとともに、この酸化領域を含む酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を除去するとともに、前記酸化領域を除去する工程を有する上記の半導体装置の製造方法が提供される。
第2の絶縁膜を除去する工程と、
第2の溝内を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜が形成された第2の溝内を埋め込むように導電膜を形成し、この導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側の当該活性領域に不純物を導入してソース/ドレイン領域を形成する工程をさらに有する上記の半導体装置の製造方法が提供される。
2 酸化シリコン膜
3 窒化シリコン膜
4 素子分離膜
5 窒化シリコン膜
6 溝
7 取り残り部(バリ)
8 酸素イオン注入
9 犠牲酸化膜(酸化シリコン膜)
10 ゲート絶縁膜(酸化シリコン膜)
11 ゲート電極
12 コンタクトプラグ
13 ビット線
Claims (4)
- 第1の溝と、第1の溝内に埋め込まれた素子分離膜と、この素子分離膜に囲まれた活性領域を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上にマスク形成用膜を形成する工程と、
前記マスク形成用膜上に、前記活性領域を横切る開口を有する第1のマスクを形成する工程と、
第1のマスクを用いて異方性エッチングを行って、前記開口に対応する開口を有する前記マスク形成用膜からなる第2のマスクと、前記活性領域内に、対向する素子分離膜露出面を有し且つ第1の溝より浅い第2の溝を形成する工程と、
第2の溝内の半導体基板表面と素子分離膜露出面との境界を含む領域に酸素イオンが照射されるように、第2の溝内に、第2のマスクを用いて、酸素イオンを斜めに注入する工程と、
第2の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成する工程と、
前記酸化領域を除去する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 第2の溝内を含む半導体基板表面の酸化を行って、第2の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成するとともに、この酸化領域を含む酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を除去するとともに、前記酸化領域を除去する工程を有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 第2のマスクを除去する工程と、
第2の溝内を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜が形成された第2の溝内を埋め込むように導電膜を形成し、この導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側の当該活性領域に不純物を導入してソース/ドレイン領域を形成する工程をさらに有する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記素子分離膜は酸化シリコン膜、前記マスク形成用膜は窒化シリコン膜である請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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