JP2008102045A - 半導体集積回路および半導体集積回路の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】出力圧縮回路112で各スキャンチェーン111に含まれる最後のスキャン機能付きフリップフロップ回路12の出力を集計して圧縮し、期待値判定回路114により、出力圧縮回路112から出力された各スキャンチェーン111からの出力の集計値と、期待値保持回路113に外部から書き込まれた期待値とを比較し、その比較による良否の判定結果を期待値判定回路114の1出力端子116から外部に出力するとともに、その判定結果をシステムリセットに関係なく保持する。
【選択図】図1
Description
図5は従来の半導体集積回路におけるDFTの構成を示す回路図である。図5において、501はバーンインモード選択回路、502はスキャン機能付きフリップフロップ回路、503は組み合わせ回路、504は疑似乱数発生回路、505は出力判定回路、507は外部からリセット信号RSが入力されるリセット端子、508はスキャンシフト/キャプチャー切り替え端子、509はバーンインモード選択回路501の切り替えを設定するバーンインモード設定端子、なお、図示していないが、各スキャン機能付きフリップフロップ回路502のクロック入力端子には同一のクロックが入力されるものとする。
更に、C1の動作が正しいかどうかを確認するためには、まず、C1に対する出力制御端子707の出力制御信号800−1がイネーブルになるように、出力制御端子707への出力制御信号800−1を制御する。このとき、出力制御信号800−2は、C2に対する出力制御端子707の出力制御信号800−2がディスエーブルになるように制御されている。出力制御端子707への出力制御信号800−1、800−2の信号状態で、リセット端子507へのリセット信号803により初期リセットをかけた以降、基準クロック804を供給し、バーンインテストを行う。バーンインテストの結果は、出力判定回路505ので判定後に、図7のAND回路で集約されて、出力される。
次に、C2が正しく動作していたかどうかを確認するためには、まず、C2に対する出力制御端子707の出力制御信号800−2がイネーブルになるように、出力制御端子707への出力制御信号800−2を制御する。このとき、出力制御信号800−1は、C1に対する出力制御端子707の出力制御信号800−1がディスエーブルになるように制御されている。出力制御端子707への出力制御信号800−1、800−2の信号状態で、リセット端子507へのリセット信号803により初期リセットをかけた以降、基準クロック804を供給し、バーンインテストを行う。バーンインテストの結果は、出力判定回路505で判定後に、図7のAND回路で集約されて、出力される。
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1は、半導体集積回路に関するものであり、図1を用いて、詳細に説明する。
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2は、半導体集積回路に関するものであり、図2を用いて、詳細に説明する。
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3は、半導体集積回路に関するものであり、実施の形態1、2では述べていないが、図1、2において、期待値判定回路114が、スキャンリセット信号などによりこのシステムがリセットされる状態でも、実施の形態1、2で説明した判定結果を保持し続ける機能を有する。
(実施の形態4)
本発明の実施の形態4は、半導体集積回路に関するものであり、図3を用いて、詳細に説明する。なお、ウェーハに一括でコンタクトする手法に関しては、松下電器産業株式会社において3層構造の一括用プローブ等として実現化されている。また、図3では、ウェーハ上に構成された複数の半導体集積回路のうちで、2つの半導体集積回路C1、C2を一括で動作させることを想定している。
ここで、C1が正しく動作していたかどうかを確認するためには、C1側の出力制御端子109における出力の信号状態がイネーブルになるように、出力制御信号130−1を入力制御する。このとき、出力制御信号130−2は、C2側の出力制御端子109における出力の信号状態がディスエーブルになるように入力制御されている。
(1s+100μs)×2回=2.0002s
であるが、本発明では、
1s+100μs×2回=1.0002s
になる。
102 スキャンシフト/キャプチャー切り替え端子
103 リセット端子
104 基準クロック入力端子
105〜108 期待値入力/スキャン入力端子
109 出力制御端子
130 出力制御信号
130−1 出力制御信号
130−2 出力制御信号
110 切替回路
111 スキャンチェーン
112 出力圧縮回路
113 期待値保持回路
114 期待値判定回路
115 トライステートバッファ
116 出力端子
117 期待値入力バッファ
118〜121 スキャン入力端子
201 入出力制御端子
202 スキャン入力信号
203 スキャン入力信号
204 スキャン入力信号
205 スキャン入力信号
206 入出力制御信号
207 入出力端子
208 期待値入力/良・不良出力信号
122 テストモード設定信号
123 スキャンシフト/キャプチャー切り替え信号
124 リセット信号
125 基準クロック
126〜129 期待値入力/スキャン入力信号
305 良・不良出力信号
306 ウェーハ
C1 半導体集積回路1
C2 半導体集積回路2
501 バーンインモード選択回路
502 スキャン機能付きフリップフロップ回路
503 組み合わせ回路
504 疑似乱数発生回路
505 出力判定回路
507 リセット端子
508 スキャンシフト/キャプチャー切り替え端子
509 バーンインモード設定端子
U1、U2、・・、Um 判定信号
615 フリップフロップ回路
616〜618 EX−NOR回路
M11〜M33 期待値
703 AND回路
704 出力端子
705 トライステートバッファ
706 出力端子
707 出力制御端子
800 出力制御信号
800−1 出力制御信号
800−2 出力制御信号
801 バーンインモード設定信号
802 スキャンシフト/キャプチャー切り替え信号
803 リセット信号
804 基準クロック
805 良・不良出力信号
806 ウェーハ
Claims (5)
- 組み合わせ回路と、
複数のスキャンチェーンと、
この各々のスキャンチェーンに含まれるスキャン機能付きフリップフロップ回路の最後のスキャン機能付きフリップフロップ回路の出力が入力されスキャンチェーンの出力を集計する出力圧縮回路と、
外部から期待値の書き込みを行うことのできる期待値保持回路と、
前記出力圧縮回路の圧縮した出力と前記期待値保持回路の期待値が入力される期待値判定回路とからなり、
前記期待値判定回路は、
前記出力圧縮回路の圧縮出力と前記期待値保持回路の期待値を比較し、
判定結果を1出力端子から外部出力する機能を有する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 組み合わせ回路と、
複数のスキャンチェーンと、
この各々のスキャンチェーンに含まれるスキャン機能付きフリップフロップ回路の最後のスキャン機能付きフリップフロップ回路の出力が入力されスキャンチェーンの出力を集計する出力圧縮回路と、
外部から期待値の書き込みを行うことのできる期待値保持回路と、
前記出力圧縮回路の圧縮した出力と前記期待値保持回路の期待値が入力される期待値判定回路とからなり、
前記期待値保持回路は、
前記外部からの期待値を前記スキャンチェーンの入力端子を介して書き込み、
前記期待値判定回路は、
前記出力圧縮回路の圧縮出力と前記期待値保持回路の期待値を比較し、
判定結果を1出力端子から外部出力する機能を有する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 組み合わせ回路と、
複数のスキャンチェーンと、
この各々のスキャンチェーンに含まれるスキャン機能付きフリップフロップ回路の最後のスキャン機能付きフリップフロップ回路の出力が入力されスキャンチェーンの出力を集計する出力圧縮回路と、
外部から期待値の書き込みを行うことのできる期待値保持回路と、
前記出力圧縮回路の圧縮した出力と前記期待値保持回路の期待値が入力される期待値判定回路とからなり、
前記期待値保持回路は、
前記外部からの期待値を前記期待値判定回路の出力端子を介して書き込み、
前記期待値判定回路は、
前記出力圧縮回路の圧縮出力と前記期待値保持回路の期待値を比較し、
判定結果を1出力端子から外部出力する機能を有する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 組み合わせ回路と、
複数のスキャンチェーンと、
この各々のスキャンチェーンに含まれるスキャン機能付きフリップフロップ回路の最後のスキャン機能付きフリップフロップ回路の出力が入力されスキャンチェーンの出力を集計する出力圧縮回路と、
外部から期待値の書き込みを行うことのできる期待値保持回路と、
前記出力圧縮回路の圧縮した出力と前記期待値保持回路の期待値が入力される期待値判定回路とからなり、
前記期待値判定回路は、
専用に設けられた初期化端子を有し、
前記初期化端子から初期化命令を受けるまでは、判定結果を保持し続けるとともに、出力命令により前記判定結果を出力する機能を有する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項4記載の半導体集積回路が複数形成されたウェーハに対して、一括で前記半導体集積回路の検査用端子にコンタクトすることのできる検査用プローブを有する半導体検査装置を用い、前記検査用プローブを通じて、前記ウェーハ上の複数の前記半導体集積回路を検査する検査方法であって、
前記半導体集積回路の検査用端子にコンタクトされた前記検査用プローブに一括で電圧もしくは信号を供給して、前記ウェーハ上の複数の前記半導体集積回路を一括に検査する工程と、
前記検査工程の後に、同時に1つ以上の前記半導体集積回路の出力をモニターする工程とを有し、
前記モニターする工程とともに、
前記検査用プローブに一括で電圧もしくは信号を供給して検査を行ったごとに、
前記半導体集積回路に対する前記判定結果を、前記半導体検査装置の良・不良判定受信部に出力する
ことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
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