JP2005099010A - 半導体集積回路 - Google Patents

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【課題】 ウェハレベルバーンインテストで観測できていない端子での不具合を見逃さずすべての端子に対して観測することができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 論理回路を有する半導体集積回路において、前記半導体集積回路に対してバーンインテスト用信号100を与えるための複数のSCAN入力端子1、21と、前記バーンインテスト用信号100を入力とし、前記論理回路26のテストに用いるテスト回路20と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのSCAN出力端子2、22と、前記テスト回路20の動作結果出力信号103を入力とする排他的論理和回路4、24とを有し、前記排他的論理和回路4、24の動作結果出力信号104を前記SCAN出力端子2、22から出力するようにしたことにより、実質的に全ての出力端子に対して出力信号を観測でき、全ての不具合について見逃すことなく検出することができるようにした。
【選択図】 図1

Description

本発明は半導体集積回路に関し、特に半導体集積回路のバーンインテストを行うための、半導体集積回路におけるテスト回路に関するものである。
従来、半導体集積回路のバーンインテストは、パッケージングされた完成品に対して行われていたため、数十本のスキャン入力端子から信号供給を行い、内部回路を動作させて、動作結果を数十本のスキャン出力端子より出力してバーンイン検査を実施していた。また、その際、出力信号を常時観測しバーンイン中のどの過程で故障が発生するのかをモニタリングする“モニターバーンイン”を実施していた。
ここで、図3を参照しながら、従来の半導体集積回路のバーンインテストについての説明を行う。
図3(a)は、従来の半導体集積回路のバーンインテストを示す図であり、図3(b)は、従来の半導体集積回路のLSI内部の詳細図である。
図3(a)において、1はSCAN入力端子、2はSCAN出力端子、10はLSI、11はリードフレームである。
図3(b)において、20はSCANチェーン(テスト回路)、21はSCAN入力端子、22はSCAN出力端子、23はフリップフロップ、25は組み合わせ回路、26は論理回路である。
図3(a)及び図3(b)に示すように、従来のバーンインテストにおいてはSCAN入力端子1、21へ、テスターを通じてバーンインテスト用信号100を入力し、シフト動作でLSI10内部の各フリップフロップ23にバーンインテスト用信号100を格納した後、キャプチャ動作により内部の組み合わせ回路25を動作させ、さらにシフト動作により各フリップフロップ23に格納された動作結果出力信号101を、SCANチェーン20を通じて順番にSCAN出力端子2、22より出力させ、バーンインの過程で故障が発生するかどうかを予めシミュレーションなどで用意していた期待値とテスターにて比較することで良・不良を判断するものである。
最近では、大量生産する品種においてはバーンインテストに比べコストが安くなるなどの利点があるために、LSIをパッケージ化する前のウェハ状態のままでテストを行うウェハレベルバーンインテストを採用している。
図4(a)は、従来の半導体集積回路のウェハレベルバーンインテストに関する図であり、図4(b)は、従来の半導体集積回路のLSI内部の詳細図である。
図4(a)において、1はSCAN入力端子、3はプローブ(バンプ)、7はプローブの割り当てがあるSCAN出力端子、8はプローブの割り当てがないSCAN出力端子、10はLSIである。
図4(b)において、20はSCANチェーン(テスト回路)、21はSCAN入力端子、23はフリップフロップ、25は組み合わせ回路、26は論理回路、29はプローブの割り当てがあるSCAN出力端子、30はプローブの割り当てがないSCAN出力端子である。
図4(a)及び図4(b)に示すように、従来のバーンインテストと比較すると、パッケージ化していないため、リードフレームを観測するのではなく、SCAN出力端子7、29(IOポート)において観測を行う。またテスト時に使用するプローブカードのプローブ数に限りがあるため、プローブの割り当てがないSCAN出力端子8、30から出力されない動作結果出力信号102が生じ、チップサイズが小さくなればなるほどすべてのSCAN出力端子について観測を行うことができなくなっている。すなわち、ウェハレベルバーンインテストにおいては、用意できるプローブ数に限界があり、従来のバーンインテストのように全てのSCAN出力端子についての観測ができなくなってしまう。
前述のバーンインテストにおいての従来技術としての特許文献を以下に示す。
特開2000−353783号公報 特開2000−227458号公報
このように従来の半導体集積回路のウェハレベルでのバーンインテストは、1枚のウェハ当たりのプローブ可能な数に限りがあるためチップサイズが小さくなるほどウェハ上の各々のチップに割り当てられる端子数は完成品に対してバーンインテストを実施するのと比較して少なくなる。
そのため、完成品のバーンインテストのように全ての出力端子に対して観測することができず、いくつかの端子に対して抜き取りで観測を行っていたため、観測していない端子での不具合を見逃す場合が生じていた。
本発明は、上記のような従来の問題点を解決することを目的としてなされたもので、ウェハレベルバーンインテスト時において、すべての端子に対して観測することを可能とし、全ての不具合を検出できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
本発明の請求項1記載の半導体集積回路は、論理回路を有する半導体集積回路において、前記半導体集積回路に対してテスト用入力信号を与えるための複数のテスト入力端子と、前記テスト用入力信号を入力とし、前記論理回路のテストを行うテスト回路と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのテスト出力端子と、前記テスト回路の出力信号を入力とする排他的論理和回路とを有し、前記排他的論理和回路の出力信号を前記テスト出力端子から出力するようにしたものである。
これにより、ウェハレベルバーンインテストを行う半導体集積回路において、実質的に半導体集積回路に存在する全ての出力端子に対して出力信号を観測でき、全ての不具合を見逃すことなく検出できるようにするものである。
本発明の請求項2記載の半導体集積回路は、論理回路を有する半導体集積回路において、前記半導体集積回路に対してテスト用入力信号を与えるための複数のテスト入力端子と、前記テスト用入力信号を入力とし、前記論理回路のテストを行うテスト回路と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのテスト出力端子と、前記半導体集積回路の複数の辺に配置され、前記テスト回路の出力信号を入力とする複数の第一の排他的論理和回路と、前記テスト回路の出力信号と前記複数の第一の排他的論理和回路の出力信号を入力とする第二の排他的論理和回路を有し、前記第二の排他的論理和回路の出力信号を前記テスト出力端子から出力するようにしたものである。
これにより、半導体集積回路のレイアウトにおける配線混雑を回避することを可能とするものである。
本発明の請求項1記載の半導体集積回路によれば、論理回路を有する半導体集積回路において、前記半導体集積回路に対してテスト用入力信号を与えるための複数のテスト入力端子と、前記テスト用入力信号を入力とし、前記論理回路のテストに用いるテスト回路と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのテスト出力端子と、前記テスト回路の出力信号を入力とする排他的論理和回路とを有し、前記排他的論理和回路の出力信号を前記テスト出力端子から出力するようにしたので、ウェハレベルバーンインテストにおける出力信号を観測するための端子を削減でき、テストを容易化できる効果がある。また、従来ウェハレベルバーンインテストの出力信号観測用の複数の出力端子に配分していたプローブを、プローブが配分されていなかった入出力端子に配分することで、従来プローブが配分されていなかった入出力端子での不具合を見逃すことなく検出できる効果が得られる。また、実質的にウェハレベルバーンインにおける全出力信号を観測できるので、半導体集積回路をパッケージ化する前にウェハレベルバーンインで半導体集積回路が破壊されたか正常であるかを認識することができ、破壊された半導体集積回路をパッケージ化するコストが削減できるなどの効果が得られる。
さらに、本発明の請求項2記載の半導体集積回路によれば、論理回路を有する半導体集積回路において、前記半導体集積回路に対してテスト用入力信号を与えるための複数のテスト入力端子と、前記テスト用入力信号を入力とし、前記論理回路のテストに用いるテスト回路と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのテスト出力端子と、前記半導体集積回路の複数の辺に配置され、前記テスト回路の出力信号を入力とする複数の第一の排他的論理和回路と、前記テスト回路の出力信号と前記複数の第一の排他的論理和回路の出力信号を入力とする第二の排他的論理和回路を有し、前記第二の排他的論理和回路の出力信号を前記テスト出力端子から出力するようにしたので、排他的論理和回路を半導体集積回路の複数の辺に分けて配置することにより、半導体集積回路のレイアウトにおける配線混雑を避けるとともに、複数の入力端子から複数の出力端子への半導体集積回路内の多数の長配線を削減することにより、多数のslew等のタイミングエラー対策用のセル挿入に伴う回路規模および消費電力増大などの課題を解決する効果を有する。なお、slewとは、信号の波形の鈍り(傾き)の事である。
本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1(a)は、本発明の実施の形態1による半導体集積回路の構成を示す図であり、図1(b)は、本発明の実施の形態1による半導体集積回路のLSI内部の詳細図である。
図1(a)において、1はSCAN入力端子、2はSCAN出力端子、3はプローブ(バンプ)、4はEXOR回路(排他的論理和回路)、10はLSIである。
図1(b)において、20はSCANチェーン(テスト回路)、21はSCAN入力端子、22はSCAN出力端子、23はフリップフロップ、24はEXOR回路、25は組み合わせ回路、26は論理回路である。
まず、通常のバーンインテストの動作を行う。すなわち、図1(a)及び図1(b)に示すように、プローブ(バンプ)3によってSCAN入力端子1、21からバーンインテスト用信号100を入力し、シフト動作により、SCANチェーン(テスト回路)20を利用して各フリップフロップ23にバーンインテスト用信号100のうち所望の信号を格納した後、キャプチャ動作を行う。ここで、動作結果出力信号104を出力する際に、出力されるべき全ての動作結果出力信号103を本願の発明の特徴である排他的論理和回路4、24に入力して、EXOR回路4、24の出力を動作結果出力信号104としてSCAN出力端子2、22から出力し、プローブ(バンプ)3によりテスターで観測する。これにより、SCAN出力端子2、22から出力される動作結果出力信号104が、テスターにおける比較データと異なる場合には不良を検出したものとし、すべての動作結果出力信号103が入力されたEXOR回路4、24からの出力104が期待値と一致している場合には良品であることを確認することができる。また、EXOR回路4、24を利用することにより、EXOR回路4、24に入力される、N個の動作結果出力信号103のうち、「1」が奇数個の場合には動作結果出力信号104として「0」を出力し、「1」が偶数個の場合には動作結果出力信号104として「1」を出力する構成を実現することができ、N個の動作結果出力信号103のEXOR回路4、24の入力のうち1個が不良である場合、すなわち期待値と反対の論理であった場合、期待値と異なる信号がEXOR回路4、24から出力され、不良を検出できるものである。
このように本実施の形態1によれば、半導体集積回路に対してバーンインテスト用信号100を与えるための複数のSCAN入力端子1、21と、前記バーンインテスト用信号100を入力とし、論理回路26のテストを行うテスト回路20と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのSCAN出力端子2、22と、テスト回路20の動作結果出力信号103を入力とする排他的論理和回路4、24とを有し、前記排他的論理和回路の動作結果出力信号104を前記SCAN出力端子2、22から出力するようにしたので、実質的に半導体集積回路に存在する全ての出力端子に対して出力信号を観測でき、全ての不具合について見逃すことなく検出することができるという効果がある。
なお、本実施の形態1におけるEXOR回路は、別の論理回路を用いて実現することもできる。
また、本実施の形態1によれば、従来方法ではN個存在するSCANチェーンのそれぞれに対して1入力1出力についてN個の入力信号を与え、N個の出力信号を監視、比較しなければテスト不可能であったものを、すべてのSCANチェーンに対してN入力1出力について、N個の入力信号を与え、1個の出力信号を監視、比較するのみでテストを実施することを可能とする効果を有する。すなわち、上記従来方法では(2N)個のプローブ(バンプ)を必要としていたものを、(N+1)個のプローブ(バンプ)ですべての端子をテスト可能とするものである。ただし、出力信号を必ずしも1出力に限定するものではない。
(実施の形態2)
図2(a)は、本発明の実施の形態2による半導体集積回路の構成を示す図であり、図2(b)は、本発明の実施の形態2のよる半導体集積回路のLSI内部の詳細図ある。
図2(a)において、1はSCAN入力端子、2はSCAN出力端子、3はプローブ(バンプ)、5および6は第1、第2のEXOR回路(排他的論理和回路)、10はLSIである。
図2(b)において、20はSCANチェーン(テスト回路)、21はSCAN入力端子、22はSCAN出力端子、23はフリップフロップ、25は組み合わせ回路、26は論理回路、27は第1のEXOR回路、28は第2のEXOR回路である。
図2(a)及び図2(b)に示すように、SCAN入力端子1、21からバーンインテスト用信号100が入力し、各バーンインテスト用信号100に対応する動作結果出力信号103が第1のEXOR回路5、27に入力し、第1のEXOR回路5、27の出力105が第2のEXOR回路6、28に入力する。これは、EXOR回路の配置において、LSI10の3辺a,b,cに用意した第1のEXOR回路5、27の動作結果出力信号105を、1辺dに用意した4入力の第2のEXOR回路6、28に入力して、その動作結果出力信号104をSCAN出力端子2、22から出力するものである。
このように本実施の形態2によれば、半導体集積回路に対してバーンインテスト用信号100を与えるための複数のSCAN入力端子1、21と、前記バーンインテスト用信号100を入力とし、論理回路26のテストを行うテスト回路20と、前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのSCAN出力端子2、22と、前記半導体集積回路の3辺a,b,cに配置され、前記テスト回路20の動作結果出力信号103を入力とする複数の第一の排他的論理和回路5、27と、前記テスト回路20の動作結果出力信号103と前記複数の第一の排他的論理和回路5、27の動作結果出力信号105を入力とする第二の排他的論理和回路6、28を有し、前記第二の排他的論理和回路6、28の動作結果出力信号104を前記SCAN出力端子2、22から出力するようにしたので、LSI内部の配線数増加による配線混雑を回避でき、またLSIの面積および消費電力を小さくする効果を得ることができる。
例えば、大規模なLSIにおいては、多数の長配線がLSI内部で引き回るため、配線が混雑する現象が生じる。また、長配線におけるslewエラーやクロストーク等における対策用バッファを挿入する必要が生じ、このセルなどによりLSIの面積が増大し、同時に消費電力が大きくなってしまう現象を引き起こす。
本実施の形態2においては、3辺a,b,cにEXOR回路5、27、1辺dにEXOR回路6、28を配置して、EXOR回路6、28を配置した辺dからの信号とともに、EXOR回路5、27を配置した3辺a,b,cでまとめた信号を1箇所に集めた上でEXOR回路6、28に入力するものであるため、slew等のタイミングエラー対策用等のバッファ挿入はこの4本のみで足りることとなり、面積、消費電力の増大を抑える事ができる。
なお、EXOR回路は必ずしも4辺に配置するものに限定するものではない。
本発明にかかる半導体集積回路は、半導体集積回路におけるテスト回路等として有用である。
本発明の実施の形態1による半導体集積回路の構成を示す図(a)及びLSI内部の詳細図(b)である。 本発明の実施の形態2による半導体集積回路の構成を示す図(a)及びLSI内部の詳細図(b)である。 従来の半導体集積回路のバーンインテストを示す図(a)及びLSI内部の詳細図(b)である。 従来の半導体集積回路のウェハレベルバーンインテストを示す図(a)及びLSI内部の詳細図(b)である。
符号の説明
1 SCAN入力端子
2 SCAN出力端子
3 プローブ(バンプ)
4 EXOR回路
5 第1のEXOR回路
6 第2のEXOR回路
7 プローブの割り当てがあるSCAN出力端子
8 プローブの割り当てがないSCAN出力端子
10 LSI
11 リードフレーム
20 SCANチェーン(テスト回路)
21 SCAN入力端子
22 SCAN出力端子
23 フリップフロップ
24 EXOR回路
25 組み合わせ回路
26 論理回路
27 第1のEXOR回路
28 第2のEXOR回路
29 プローブの割り当てがあるSCAN出力端子
30 プローブの割り当てがないSCAN出力端子
100 バーンインテスト用信号
101、102、103、104、105 動作結果出力信号

Claims (2)

  1. 論理回路を有する半導体集積回路において、
    前記半導体集積回路に対してテスト用入力信号を与えるための複数のテスト入力端子と、
    前記テスト用入力信号を入力とし、前記論理回路のテストを行うテスト回路と、
    前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのテスト出力端子と、
    前記テスト回路の出力信号を入力とする排他的論理和回路とを有し、
    前記排他的論理和回路の出力信号を前記テスト出力端子から出力する、
    ことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 論理回路を有する半導体集積回路において、
    前記半導体集積回路に対してテスト用入力信号を与えるための複数のテスト入力端子と、
    前記テスト用入力信号を入力とし、前記論理回路のテストを行うテスト回路と、
    前記半導体集積回路の出力信号を外部で観測するためのテスト出力端子と、
    前記半導体集積回路の複数の辺に配置され、前記テスト回路の出力信号を入力とする複数の第一の排他的論理和回路と、
    前記テスト回路の出力信号と前記複数の第一の排他的論理和回路の出力信号を入力とする第二の排他的論理和回路を有し、
    前記第二の排他的論理和回路の出力信号を前記テスト出力端子から出力する、
    ことを特徴とする半導体集積回路。
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