JP2008101180A - シンチレータ用結晶及び放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記一般式(1)で表されるシンチレータ用結晶である。Ln(1−y)CeyX3:M (1)(一般式(1)中、Ln(1−y)CeyX3は母体材料の化学組成を示し、Lnは希土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Xはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Mは母体材料中にドープされているドーパントの特定の構成元素を示し、yは下記式(A): 0.0001≦y≦1 (A)で表される条件を満足する数値を示す。)
【選択図】なし
Description
Ln(1−y)CeyX3:M (1)
ここで、一般式(1)中、Ln(1−y)CeyX3は母体材料の化学組成を示し、Lnは希土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Xはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Mは前記母体材料中にドープされているドーパントの構成元素であって、Li、Na、K、Rb、Cs、Al、Zn、Ga、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Ge、Ti、V、Cu、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Mo、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl及びBiからなる群より選択される1種以上の元素を示し、yは下記式(A):
0.0001≦y≦1 (A)
で表される条件を満足する数値を示す。
Ln(1−y)CeyX3:M (1)
ここで、一般式(1)中、Ln(1−y)CeyX3は母体材料の化学組成を示し、Lnは希土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Xはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Mは母体材料中にドープされているドーパントの構成元素であって、Li、Na、K、Rb、Cs、Al、Zn、Ga、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Ge、Ti、V、Cu、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Mo、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl及びBiからなる群より選択される1種以上の元素を示し、yは下記式(A):
0.0001≦y≦1 (A)
で表される条件を満足する数値を示す。
シンチレータ用結晶の母体材料の原料として、LaBr3(アルドリッチ社製、純度99.99%)25g、CeBr3(アルドリッチ社製、純度99.99%)0.125gを用いた。シンチレータ用結晶のドーパント原料として、NaBr(アルドリッチ社製、純度99.99%)2.5125mgと、FeBr2(アルドリッチ社製、純度99.99%)2.5125mgと、NiBr2(アルドリッチ社製、純度99.99%)2.5125mgとを用いた。母体材料の原料とドーパント原料とを混合して混合原料を得た。
シンチレータ用結晶のドーパント原料として、NaBr(アルドリッチ社製、純度99.99%)5.025mgを用いたこと以外は、実施例1と同様にして単結晶を製造した。
シンチレータ用結晶のドーパント原料として、FeBr2(アルドリッチ社製、純度99.999%)5.025mgを用いたこと以外は、実施例1と同様にして単結晶を製造した。
シンチレータ用結晶の母体材料の原料として、CeBr3(アルドリッチ社製、純度99.99%)25g、シンチレータ用結晶のドーパント原料として、NaBr(アルドリッチ社製、純度99.99%)2.5mg、FeBr2(アルドリッチ社製、純度99.999%)2.5mg、NiBr2(アルドリッチ社製、純度99.999%)2.5mgを用いたこと以外は、実施例1と同様にして単結晶を製造した。
シンチレータ用結晶のドーパント原料として、NaBr(アルドリッチ社製、純度99.99%)5.0mgを用いたこと以外は、実施例4と同様にして単結晶を製造した。
シンチレータ用結晶のドーパント原料として、FeBr2(アルドリッチ社製、純度99.999%)5.0mgを用いたこと以外は、実施例4と同様にして単結晶を製造した。
シンチレータ用結晶のドーパント原料を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして単結晶を製造した。
シンチレータ用結晶のドーパント原料を添加しなかったこと以外は、実施例4と同様にして単結晶を製造した。
Claims (8)
- 下記一般式(1)で表されるシンチレータ用結晶。
Ln(1−y)CeyX3:M (1)
(一般式(1)中、Ln(1−y)CeyX3は母体材料の化学組成を示し、Lnは希土類元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Xはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、Mは前記母体材料中にドープされているドーパントの構成元素であって、Li、Na、K、Rb、Cs、Al、Zn、Ga、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Ge、Ti、V、Cu、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Mo、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl及びBiからなる群より選択される1種以上の元素を示し、yは下記式(A):
0.0001≦y≦1 (A)
で表される条件を満足する数値を示す。) - 前記LnはLaである、請求項1記載のシンチレータ用結晶。
- 前記XはBrである、請求項1又は2に記載のシンチレータ用結晶。
- 前記Mが前記シンチレータ用結晶の総質量に対して0.0001〜0.05質量%含まれている、請求項1〜3のいずれか一項に記載のシンチレータ用結晶。
- 発生する蛍光の蛍光波長に対する蛍光強度分布が2つの極大値を示し、かつ、それらの極大値のうち短波長側の極大値における蛍光強度を長波長側の極大値における蛍光強度で除した値が0.7を超える、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシンチレータ用結晶。
- 単結晶である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のシンチレータ用結晶。
- 光電子増倍管と、前記光電子増倍管の光電面の外側に設けられた請求項1〜6のいずれか一項に記載のシンチレータ用結晶を備えるシンチレータと、を有する放射線検出器。
- 陽電子放出型断層撮像装置に組み込まれている、請求項7記載の放射線検出器。
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