JP2008097829A - 発光デバイスとその製造方法及び発光デバイスを用いた表示装置 - Google Patents

発光デバイスとその製造方法及び発光デバイスを用いた表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子が形成された高信頼性のフレキシブルな発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイス10は、厚さ100μm以下の第1ガラス基材11と、厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板13と、第1ガラス基材上に形成された、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子12とを備える。第1ガラス基材の厚みは、素子が形成された時の第1ガラス基材の厚みと同じである。
【選択図】図1

Description

本発明は有機材料を含む素子を備えた発光デバイスとその製造方法に関する。また、本発明はこの発光デバイスを用いた表示装置に関する。
近年、表示装置は、家庭用のテレビやパーソナルコンピュータのモニタに代表されるブラウン管を含むタイプから、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイを含む薄型タイプへの置き換えが進み、それに伴って表示画面の大型化も進んでいる。このような従来の薄型タイプの表示装置では、各種素子が形成される基板として一般にガラス基板が用いられている。この場合、ガラス基板の破損防止のため、ガラス基板自体がある程度の厚さを有していることが要求され、且つ、補強材として多数の構造材が必要であるので、表示装置の薄型化・軽量化には限界があった。
そこで、薄型軽量で多少の衝撃や曲げに対して破損しないことが期待できるフレキシブル基板上に発光デバイス、中でも、低コストで大画面化の実現を期待できる印刷形成可能な有機材料を用いた発光デバイスを形成した表示装置の研究開発が盛んに行われている。
フレキシブル基板として、プラスチック基板を用いる場合、耐水性、耐溶剤性、ガスバリア性の観点からプロセス上の制約が多く、また、有機材料を含む素子を形成する場合にはフレキシブル基板が封止機能を有するように工夫する必要がある。
これらの課題を解決する方法として、フレキシブル基板として、薄く加工したガラス基板をプラスチック基板に貼り合せた複合基板を用いる方法が、特許文献1に開示されている。
また、別の解決方法として、従来の液晶ディスプレイなどで用いられていたのと同程度の厚みを有するガラス基板の表面上に素子を形成した後、素子を覆うようにガラス基板上にプラスチック基板を貼り付け、その後、ガラス板の裏面をエッチングしてガラス基板を薄くして、フレキシブル基板を得る方法が、特許文献2に開示されている。
さらに、別の解決方法として、一定の粘着強度が維持される粘着層を有する基板搬送用治具で支持された薄板のガラス基板又はプラスチック基板上に素子を形成した後、基板から治具を剥離する方法が、特許文献3に開示されている。
特許第3059866号明細書 特開2006−24530号公報 特許第3081122号明細書
しかしながら、特許文献1のように、プラスチック基板と薄いガラス基板とを予め貼り合せた複合基板を用いる方法では、この複合基板上に形成される素子の形成温度がプラスチック基板の耐熱温度以下に制限されるという課題がある。一般に形成温度が低い有機半導体はそのガラス転移温度も低く、得られる発光デバイスは安定性に劣る。一方、ガラス転移温度の高い材料を用いた素子の形成温度は150℃以上であることが多い。また、仮に素子の形成温度以上の耐熱性を有するプラスチック基板を用いたとしても、プラスチック基板とガラス基板とでは熱膨張係数があまりにも違いすぎるため、プロセス中に、基板間の剥離や浮き、複合基板の反りなどが生じるという課題がある。
また、特許文献2のように、厚いガラス基板上に素子を形成した後にエッチングによってガラス基板を薄くする方法では、耐熱性の問題は解決できる。しかしながら、エッチング工程では素子が形成されたガラス基板を酸溶液に長時間浸漬するので、仮に素子を覆うようにガラス基板にプラスチック基板を貼り合わせたとしても、素子へのダメージは避けられず、特に有機材料を用いた素子を形成した場合には、その信頼性・寿命に悪影響を及ぼすという課題がある。また、プロセス中にガラス基板を単体で搬送などのハンドリングを行うためには、ガラス基板がある程度の厚さを有している必要がある。このような厚いガラス基板をフレキシブル性が得られる程度の薄さにまでエッチングするには長い時間が必要であり、コストアップを招くという課題もある。
また、特許文献3の方法では、基板上に素子を形成した後、素子を損傷させることなく一定の粘着強度を有する治具を基板から剥離するためには、基板がある程度の厚さを有している必要がある。特許文献3に開示された最も薄いガラス基板の厚みは0.55mmである。従って、フレキシブル性を有するほどに薄い基板を使用することはできないという課題がある。
本発明は、前記の従来技術が有する課題を解決するためになされたものであり、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子が形成された高信頼性のフレキシブルな発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、このような発光デバイスを用いた薄型軽量で多少の衝撃や曲げに対して破損しない表示装置を提供することを目的とする。
本発明の発光デバイスは、厚さ100μm以下の第1ガラス基材と、厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板と、前記第1ガラス基材上に形成された素子とを備えた発光デバイスであって、前記素子は、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含み、前記第1ガラス基材の厚みは、前記素子が形成された時の前記第1ガラス基材の厚みと同じであることを特徴とする。
本発明の表示装置は、上記の本発明の発光デバイスを含むことを特徴とする。
本発明の発光デバイスの第1の製造方法は、
(1)厚さ100μm以下のガラス基材の第1主面に厚板のキャリア基板を接着する工程と、
(2)前記ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
(3)前記ガラス基材の前記素子が形成された前記第2主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板を接着する工程と、
(4)前記キャリア基板を前記ガラス基材から剥離する工程と
を有することを特徴とする。
本発明の発光デバイスの第2の製造方法は、
(1)厚さ100μm以下の第1ガラス基材の第1主面に厚板の第1キャリア基板を接着する工程と、
(2)厚さ100μm以下の第2ガラス基材の第1主面に厚板の第2キャリア基板を接着する工程と、
(3)前記第1ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面及び前記第2ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面のうちの少なくとも一方に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
(4)前記第1ガラス基材の前記第2主面と前記第2ガラス基材の前記第2主面とを対向させて前記第1ガラス基材と前記第2ガラス基材とを前記素子を挟んで接着する工程と、
(5)前記第1キャリア基板を前記第1ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と、
(6)前記第1ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する基板を積層する工程と、
(7)前記第2キャリア基板を前記第2ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と
を有することを特徴とする。
本発明の発光デバイスの第3の製造方法は、
(1)厚さ100μm以下の第1ガラス基材の第1主面に厚板の第1キャリア基板を接着する工程と、
(2)前記第1ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
(3)前記第1ガラス基材の前記素子が形成された前記第2主面に封止層を積層する工程と、
(4)前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に支持体を積層する工程と、
(5)前記第1キャリア基板を前記第1ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と、
(6)前記素子が形成された前記第1ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板を積層する工程と、
(7)前記支持体を前記封止層から剥離する工程と
を有することを特徴とする。
本発明によれば、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子が形成された高信頼性のフレキシブルな発光デバイス及びその製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、この発光デバイスを用いた薄型軽量で多少の衝撃や曲げに対しても破損しない表示装置を提供することができる。
本発明の発光デバイスは、厚さ100μm以下の第1ガラス基材と、厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板と、前記第1ガラス基材上に形成された素子とを備える。前記素子は、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む。前記第1ガラス基材の厚みは、前記素子が形成された時の前記第1ガラス基材の厚みと同じである。
第1ガラス基材は耐水性、耐溶剤性、ガスバリア性に優れるのでプロセス上の制約が少ない。従って、第1ガラス基材上に形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子を形成することができる。また、素子に含まれる有機材料のガラス転移温度が高いので、信頼性の高い発光デバイスを実現できる。
また、第1ガラス基材の厚みは、素子が形成された時の第1ガラス基材の厚みと同じである。即ち、第1ガラス基材上に素子を形成後に第1ガラス基材の厚みを薄くする工程を経ていない。従って、第1ガラス基材の薄肉化の工程で素子が損傷するという問題が発生せず、信頼性の高いフレキシブルな発光デバイスを実現できる。
上記の本発明の発光デバイスにおいて、前記第1ガラス基材上に形成された前記素子の上面は前記第1基板で覆われていることが好ましい。これにより、フレキシブル性を維持したまま、素子の表裏面を第1ガラス基材と第1基板とで覆うことができる。
この場合において、前記第1基板が前記素子を封止する機能を有していることが好ましい。これにより、別に封止層を形成する必要がなくなる。
また、前記第1ガラス基材の前記素子が形成された面とは反対側の面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板が接着されていても良い。これにより、第1ガラス基材が第1基板と第2基板とで挟まれるので、発光デバイスの耐衝撃性や曲げ強度が向上し、発光デバイスの信頼性が更に向上する。
上記の本発明の発光デバイスにおいて、前記第1ガラス基材上に形成された前記素子の上面は、厚さ100μm以下の第2ガラス基材で覆われており、前記第1基板は、前記第1ガラス基材の前記第2ガラス基材とは反対側の面又は前記第2ガラス基材の前記第1ガラス基材とは反対側の面に接着されていることが好ましい。これにより、素子を第1及び第2ガラス基材で挟んで封止することができるので、フレキシブル性を維持したまま発光デバイスの信頼性が更に向上する。
この場合において、前記第2ガラス基材の前記第1ガラス基材に対向する側の面上に第2素子が形成されており、前記第2素子は、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含み、前記第2ガラス基材の厚みは、前記第2素子が形成された時の前記第2ガラス基材の厚みと同じであっても良い。これにより、第1素子及び第2素子を組み合わせた複合素子を形成することができ、素子の多様化が可能になる。
また、第2素子に含まれる有機材料のガラス転移温度が高いので、信頼性の高い発光デバイスを実現できる。
更に、第2ガラス基材の厚みは、第2素子が形成された時の第2ガラス基材の厚みと同じである。即ち、第2ガラス基材上に第2素子を形成後に第2ガラス基材の厚みを薄くする工程を経ていない。従って、第2ガラス基材の薄肉化の工程で第2素子が損傷するという問題が発生せず、信頼性の高いフレキシブルな発光デバイスを実現できる。
前記第1ガラス基材の前記第2ガラス基材とは反対側の面及び前記第2ガラス基材の前記第1ガラス基材とは反対側の面のうち、前記第1基板が接着されていない面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板が接着されていることが好ましい。これにより、第1及び第2ガラス基材が第1基板と第2基板とで挟まれるので、発光デバイスの耐衝撃性や曲げ強度が向上し、発光デバイスの信頼性が更に向上する。
上記の本発明の発光デバイスにおいて、前記第1ガラス基材上に形成された前記素子の上面は可撓性を有する封止層で覆われており、前記第1基板は、前記第1ガラス基材の前記素子が形成された面とは反対側の面に接着されていることが好ましい。これにより、フレキシブル性を維持したまま、素子を封止することができ、発光デバイスの信頼性が更に向上する。
この場合において、前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板が接着されていることが好ましい。これにより、第1ガラス基材が第1基板と第2基板とで挟まれるので、発光デバイスの耐衝撃性や曲げ強度が向上し、発光デバイスの信頼性が更に向上する。
上記の本発明の発光デバイスにおいて、前記素子(第2素子を含む)が有機エレクトロルミネッセンス素子を含んでいても良い。あるいは、前記素子(第2素子を含む)が有機薄膜トランジスタ素子を含んでいても良い。これにより、これらの素子を印刷法により形成することができるので、素子を効率良く形成することができる。
本発明の表示装置は、上記の本発明の発光デバイスを用いて構成される。高信頼性でフレキシブルな発光デバイスを用いているので、薄型軽量で多少の衝撃や曲げに対しても破損しない表示装置を実現できる。
本発明の発光デバイスの第1の製造方法は、
(1)厚さ100μm以下のガラス基材の第1主面に厚板のキャリア基板を接着する工程と、
(2)前記ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
(3)前記ガラス基材の前記素子が形成された前記第2主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板を接着する工程と、
(4)前記キャリア基板を前記ガラス基材から剥離する工程と
を有することを特徴とする。
ガラス基材は耐水性、耐溶剤性、ガスバリア性に優れるのでプロセス上の制約が少ない。従って、ガラス基材上に形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子を形成することができる。また、素子に含まれる有機材料のガラス転移温度が高いので、信頼性の高い発光デバイスを得ることができる。
また、ガラス基材上に素子を形成後にガラス基材の厚みを薄くする工程が不要であるので、ガラス基材の薄肉化の工程で素子が損傷するという問題が発生せず、信頼性の高いフレキシブルな発光デバイスを得ることができる。
上記の第1の製造方法において、(5)前記ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板を積層する工程を更に有することが好ましい。これにより、ガラス基材を第1基板と第2基板とで挟むことができるので、耐衝撃性や曲げ強度が向上し、信頼性が更に向上した発光デバイスを得ることができる。
本発明の発光デバイスの第2の製造方法は、
(1)厚さ100μm以下の第1ガラス基材の第1主面に厚板の第1キャリア基板を接着する工程と、
(2)厚さ100μm以下の第2ガラス基材の第1主面に厚板の第2キャリア基板を接着する工程と、
(3)前記第1ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面及び前記第2ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面のうちの少なくとも一方に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
(4)前記第1ガラス基材の前記第2主面と前記第2ガラス基材の前記第2主面とを対向させて前記第1ガラス基材と前記第2ガラス基材とを前記素子を挟んで接着する工程と、
(5)前記第1キャリア基板を前記第1ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と、
(6)前記第1ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する基板を積層する工程と、
(7)前記第2キャリア基板を前記第2ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と
を有することを特徴とする。
第1及び第2ガラス基材は耐水性、耐溶剤性、ガスバリア性に優れるのでプロセス上の制約が少ない。従って、第1ガラス基材及び/又は第2ガラス基材上に形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子を形成することができる。また、素子に含まれる有機材料のガラス転移温度が高いので、信頼性の高い発光デバイスを得ることができる。
また、第1ガラス基材及び/又は第2ガラス基材上に素子を形成後にそのガラス基材の厚みを薄くする工程が不要であるので、ガラス基材の薄肉化の工程で素子が損傷するという問題が発生せず、信頼性の高いフレキシブルな発光デバイスを得ることができる。
また、素子を第1及び第2ガラス基材で挟んで封止するので、フレキシブル性を維持したまま信頼性が更に向上した発光デバイスを得ることができる。
本発明の発光デバイスの第3の製造方法は、
(1)厚さ100μm以下の第1ガラス基材の第1主面に厚板の第1キャリア基板を接着する工程と、
(2)前記第1ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
(3)前記第1ガラス基材の前記素子が形成された前記第2主面に封止層を積層する工程と、
(4)前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に支持体を積層する工程と、
(5)前記第1キャリア基板を前記第1ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と、
(6)前記素子が形成された前記第1ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板を積層する工程と、
(7)前記支持体を前記封止層から剥離する工程と
を有することを特徴とする。
第1ガラス基材は耐水性、耐溶剤性、ガスバリア性に優れるのでプロセス上の制約が少ない。従って、第1ガラス基材上に形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む素子を形成することができる。また、素子に含まれる有機材料のガラス転移温度が高いので、信頼性の高い発光デバイスを得ることができる。
また、第1ガラス基材上に素子を形成後に第1ガラス基材の厚みを薄くする工程が不要であるので、第1ガラス基材の薄肉化の工程で素子が損傷するという問題が発生せず、信頼性の高いフレキシブルな発光デバイスを得ることができる。
また、粘着シートのような接着力の弱い支持体を用いることにより、発光デバイスを効率よく製造することができる。
上記の第3の製造方法において、前記封止層が厚さ100μm以下の第2ガラス基材を含むことが好ましい。これにより、素子を第1及び第2ガラス基材で挟んで封止するので、フレキシブル性を維持したまま信頼性が更に向上した発光デバイスを得ることができる。
上記の第3の製造方法において、(8)前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板を積層する工程を更に有することが好ましい。これにより、第1ガラス基材及び封止層を第1基板と第2基板とで挟むことができるので、耐衝撃性や曲げ強度が向上し、信頼性が更に向上した発光デバイスを得ることができる。
上記の第1〜第3の製造方法において、前記キャリア基板を剥離する工程が、前記キャリア基板の接着力を低下させる工程を含むことが好ましい。これにより、薄いガラス基材を損傷することなくキャリア基板を容易に剥離することができるので、生産性及び歩留まりが向上する。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1に係る発光デバイス10の断面図である。図1の発光デバイス10は、厚さ100μm以下のガラス基材11と、ガラス基材11上に形成された形成温度150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む発光機能を有する素子12と、素子12を覆うように、封止樹脂層14を介してガラス基材11に接着された厚さ100μm以上の可撓性を有する基板13とを備えている。基板13は素子12を封止する機能を有している。第1ガラス基材11の厚みは、素子12が形成された時の第1ガラス基材11の厚みと同じである。
図1の発光デバイス10の製造方法を図2を用いて説明する。
まず、図2(A)に示すように、厚さ100μm以下のガラス基材11の第1主面11aに接着層16を介して厚板のキャリア基板15を接着する。
次いで、図2(B)に示すように、ガラス基材11の第1主面11aと反対側の第2主面11bに、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む発光機能を有する素子12を形成する。
次いで、図2(C)に示すように、ガラス基材11の素子12が形成された第2主面11bに厚さ100μm以上の可撓性を有する基板13を封止樹脂層14を介して接着する。
次いで、図2(D)に示すように、キャリア基板15のガラス基材11とは反対側の面から紫外線(UV)又はレーザ光(例えばYAGレーザ光)等の光線19を照射して接着層16の接着力を低下させる。
次いで、図2(E)に示すように、キャリア基板15及び接着層16をガラス基材11から剥離して取り除く。
かくして、本実施の形態1の発光デバイス10を得る。
図3は本発明の実施の形態1に係る別の発光デバイス30の断面図である。図3に示すように、発光デバイス10のガラス基材11の素子12が形成された第2主面11bとは反対側の第1主面11aに、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板17を接着層18を介して接着しても良い。この場合、第2基板17及び接着層18は封止機能を有する必要はない。
(実施の形態2)
図4は本発明の実施の形態2に係る発光デバイス40の断面図である。図4の発光デバイス40は、厚さ100μm以下の第1ガラス基材41と、第1ガラス基材41上に形成された形成温度150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む発光機能を有する素子42と、素子42を覆うように、封止樹脂層44を介して第1ガラス基材41に接着された厚さ100μm以下の第2ガラス基材43と、第1ガラス基材41の第2ガラス基材43とは反対側の面に接着層48aを介して接着された厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板47aとを備えている。第1ガラス基材41の厚みは、素子42が形成された時の第1ガラス基材41の厚みと同じである。第1基板47a及び接着層48aは封止機能を有する必要はない。
図4の発光デバイス40の製造方法を図5、図6、及び図7を用いて説明する。
まず、図5(A)に示すように、厚さ100μm以下の第1ガラス基材41の第1主面41aに接着層46aを介して厚板の第1キャリア基板45aを接着する。同様に、厚さ100μm以下の第2ガラス基材43の第1主面43aに接着層46bを介して厚板の第2キャリア基板45bを接着する。
次いで、図5(B)に示すように、第1ガラス基材41の第1主面41aと反対側の第2主面41bに、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む発光機能を有する素子42を形成する。
次いで、図5(C)に示すように、第1ガラス基材41の素子42が形成された第2主面41bと第2ガラス基材43の第2主面43bとを対向させて、第1ガラス基材41と第2ガラス基材43とを素子42を挟んで封止樹脂層44を介して接着する。
次いで、図6(A)に示すように、第1キャリア基板45aの第1ガラス基材41とは反対側の面から紫外線(UV)又はレーザ光(例えばYAGレーザ光)等の光線19aを照射して接着層46aの接着力を低下させる。
次いで、図6(B)に示すように、第1キャリア基板45a及び接着層46aを第1ガラス基材41から剥離して取り除く。
次いで、図6(C)に示すように、第1ガラス基材41の第1主面41aに厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板47aを接着層48aを介して接着する。
次いで、図7(A)に示すように、第2キャリア基板45bの第2ガラス基材43とは反対側の面から紫外線(UV)又はレーザ光(例えばYAGレーザ光)等の光線19bを照射して接着層46bの接着力を低下させる。
次いで、図7(B)に示すように、第2キャリア基板45b及び接着層46bを第2ガラス基材43から剥離して取り除く。
かくして、本実施の形態2の発光デバイス40を得る。
図5(B)では、第1ガラス基材41の第2主面41b上にのみ素子42を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。図8に示すように、第1ガラス基材41の第2主面41bに、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む発光機能を有する第1素子42aを形成し、第2ガラス基材43の第2主面43bに、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む発光機能を有する第2素子42bを形成しても良い。その後、図5(C)と同様に、第1ガラス基材41の第1素子42aが形成された第2主面41bと第2ガラス基材43の第2素子42bが形成された第2主面43bとを対向させて、第1ガラス基材41と第2ガラス基材43とを第1,第2素子42a,42bを挟んで封止樹脂層44を介して接着する。第1素子42aと第2素子42bとが組み合わされて複合素子42cが形成される。最終的に得られる発光デバイスにおいて、第1ガラス基材41の厚みは、第1素子42aが形成された時の第1ガラス基材41の厚みと同じであり、且つ、第2ガラス基材43の厚みは、第2素子42bが形成された時の第2ガラス基材43の厚みと同じである。
図4の発光デバイス40の別の製造方法を図9及び図10を用いて説明する。
まず、図9(A)に示すように、厚さ100μm以下の第1ガラス基材41の第1主面41aに接着層46aを介して厚板の第1キャリア基板45aを接着する。
次いで、図9(B)に示すように、第1ガラス基材41の第1主面41aと反対側の第2主面41bに、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む発光機能を有する素子42を形成する。
次いで、図9(C)に示すように、第1ガラス基材41の素子42が形成された第2主面41bと封止層としての厚さ100μm以下の第2ガラス基材43とを対向させて、第1ガラス基材41と第2ガラス基材43とを素子42を挟んで封止樹脂層44を介して接着する。
次いで、図9(D)に示すように、第2ガラス基材43の第1ガラス基材41とは反対側の面に粘着シート49を貼り付ける。この状態で、第1キャリア基板45aの第1ガラス基材41とは反対側の面から紫外線(UV)又はレーザ光(例えばYAGレーザ光)等の光線19aを照射して接着層46aの接着力を低下させる。
次いで、図10(A)に示すように、第1キャリア基板45a及び接着層46aを第1ガラス基材41から剥離して取り除く。この結果、第1,第2ガラス基材41,43、素子42、及び封止樹脂層44からなる積層構造物が粘着シート49に転写される。
次いで、図10(B)に示すように、第1ガラス基材41の第1主面41aに厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板47aを接着層48aを介して接着する。
次いで、図10(C)に示すように、粘着シート49を第2ガラス基材43から剥離して取り除く。
かくして、本実施の形態2の発光デバイス40を得る。
上記の発光デバイス40では、接着層48a及び第1基板47aは、第1ガラス基材41の第2ガラス基材43とは反対側の面に積層されていたが、第2ガラス基材43の第1ガラス基材41とは反対側の面に積層されていても良い。
図11は本発明の実施の形態2に係る別の発光デバイス50の断面図である。図11に示すように、発光デバイス40の第2ガラス基材43の第1ガラス基材41とは反対側の面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板47bを接着層48bを介して接着しても良い。この場合、第2基板47b及び接着層48bは封止機能を有する必要はない。
(実施の形態3)
図12は本発明の実施の形態3に係る発光デバイス90の断面図である。図12の発光デバイス90は、厚さ100μm以下の第1ガラス基材91と、第1ガラス基材91上に形成された形成温度150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含む発光機能を有する素子92と、素子92を覆うように第1ガラス基材91上に形成された可撓性を有する封止層93と、第1ガラス基材91の素子92が形成された面とは反対側の面に接着層98aを介して接着された厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板97aとを備えている。第1ガラス基材91の厚みは、素子92が形成された時の第1ガラス基材91の厚みと同じである。第1基板97a及び接着層98aは封止機能を有する必要はない。
図12の発光デバイス90の製造方法を図13及び図14を用いて説明する。
まず、図13(A)に示すように、厚さ100μm以下の第1ガラス基材91の第1主面91aに接着層96を介して厚板の第1キャリア基板95を接着する。
次いで、図13(B)に示すように、第1ガラス基材91の第1主面91aと反対側の第2主面91bに、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む発光機能を有する素子92を形成する。
次いで、図13(C)に示すように、第1ガラス基材91の素子92が形成された第2主面91bに、素子92を覆うように可撓性を有する封止層93を積層する。
次いで、図13(D)に示すように、封止層93の第1ガラス基材91とは反対側の面に粘着シート99を貼り付ける。この状態で、第1キャリア基板95の第1ガラス基材91とは反対側の面から紫外線(UV)又はレーザ光(例えばYAGレーザ光)等の光線19を照射して接着層96の接着力を低下させる。
次いで、図14(A)に示すように、第1キャリア基板95及び接着層96を第1ガラス基材91から剥離して取り除く。この結果、第1ガラス基材91、素子92、及び封止層93からなる積層構造物が粘着シート99に転写される。
次いで、図14(B)に示すように、第1ガラス基材91の第1主面91aに厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板97aを接着層98aを介して接着する。
次いで、図14(C)に示すように、粘着シート99を封止層93から剥離して取り除く。
かくして、本実施の形態3の発光デバイス90を得る。
図15は本発明の実施の形態3に係る別の発光デバイス100の断面図である。図15に示すように、発光デバイス100の封止層93の第1ガラス基材91とは反対側の面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板97bを接着層98bを介して接着しても良い。この場合、第2基板97b及び接着層98bは封止機能を有する必要はない。
上記の実施の形態1〜3において、厚さ100μm以下のガラス基材11,41,43,91としては、一般の電子材料用のガラス板材を薄板加工したものを用いることができる。例えば、松浪硝子工業株式会社製の極薄板ガラス#100やAF45など(厚みは30μm、50μm、70μmなど)を用いることができる。
厚さ100μm以上の可撓性を有する基板13,17,47a,47b,97a,97bとしては、特に制限はないが、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)などのプラスティックフィルムを用いることができる。素子を封止するための封止機能が要求される場合には、有機フィルム層と無機フィルム層とからなる積層フィルムを用いることが好ましい。
封止機能を有する封止樹脂層14,44としては、特に制限は無いが、一般に有機EL素子の封止缶を接着するのに用いられるような樹脂、例えば熱硬化性、紫外線(UV)硬化性、2液混合硬化性のエポキシ系の樹脂などを用いる事ができる。
可撓性を有する封止層93としては、バイテックス・システムズ社等から提案されている薄膜封止技術を用いた有機膜と無機膜の積層膜などを用いる事ができる。
接着層18,48a,48b,98a,98bとしては、特に制限は無いが、最終的なデバイス形態として可撓性を有する基板を接着保持できる接着層であれば良く、別途塗布する形態のものや、シートタイプのもの、また可撓性を有する基板の接着する面に予め形成されたものであっても良い。
素子12,42,42a,42b,42c,92としては、フレキシブルな発光デバイスを実現できれば特に制限はない。例えば、発光部として有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を含む素子であっても良い。この場合、素子の駆動方法は、パッシブマトリクス駆動型であってもよいし、アクティブマトリクス駆動型であってもよい。アクティブマトリクス駆動型の場合は、その駆動トランジスタとして、例えば有機薄膜トランジスタ(TFT)を用いても良いし、これ以外のTFTであっても良い。あるいは、有機TFTとLCDとを組み合わせたアクティブマトリクス型の素子であっても良い。
形成温度150℃以上の少なくとも1つの有機材料としては、例えば以下のようなものを挙げることができる。有機TFTに用いられる有機材料としては、溶液として塗布した後150℃以上でベーキングして熱転換により不溶化させて薄膜化させてチャネルを形成するための有機材料(具体的には可溶化ペンタセンやポルフィリン誘導体など)、溶液として塗布した後150℃以上でベーキングして乾燥し薄膜化させてチャネルを形成するための有機材料、あるいは、ポリマー絶縁膜材料(BCB、PI、PVPなど)を例示できる。有機ELに用いられる有機材料としては、溶液として塗布した後150℃以上でベーキングして乾燥し薄膜化させて発光層、輸送層、又は注入層を形成するための有機材料を例示できる。
また、形成温度150℃以上の有機材料を用いて、素子を構成する配線材料や絶縁膜材料を形成しても良い。
素子が形成温度150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含むことにより、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
厚板のキャリア基板15,45a,45b,95としては、接着層16,46a,46b,96を用いて接着後、光線(UV光やYAGレーザー光)を照射して接着層16の接着力を弱める工程を行う必要があるために、光線を透過することができる透明性を有している必要がある。従って、例えばガラス基板を用いることができる。キャリア基板15,45a,45b,95及び接着層16,46a,46b,96として、例えば住友スリーエム株式会社のWSS(ウェーハサポートシステム)を用いることができる。
粘着シート49,99としては、特に制限は無いが、一般にSiウェハーのダイシングの際に用いられるようなダイシングテープや、微粘着性のシートなどを用いることができる。
(実施の形態4)
本発明の表示装置は、上述した実施の形態1〜3の発光デバイスを用いて構成される。本発明の発光デバイスは、フレキシブル性を有し、薄型軽量であるので、柔軟で多少の衝撃や曲げに対して破損せず、薄型軽量の表示装置を実現することができる。更に、ガラス基材を可撓性を有する基板や封止層で覆うことにより耐衝撃性を更に向上させることができる。
本発明の表示装置の一例として、電子ペーパーを説明する。
図16(A)は本発明の発光デバイス201を用いた電子ペーパー200の概略構成を示した断面図、図16(B)はその斜視図である。図16(A)に示すように、発光デバイス201はロール状に巻き取られて、半円柱状の収納ケース210内に収納されている。収納ケース210は、ケース本体211と、ケース本体211の側面の開口を開閉する扉212とを備えている。図16(B)に示すように、扉212を開いて、発光デバイス201を巻き出して、発光デバイス201に各種表示を行わせることができる。この電子ペーパー200は、図16(A)のように発光デバイス201を収納ケース210内に収納した場合にはコンパクトで持ち運びが容易であり、図16(B)のように発光デバイス201を巻き出した場合には大画面表示が可能となり、例えば各種携帯情報端末の表示装置として使用することができる。なお、発光デバイス201の収納方法は、図16(A)のようにロール状に巻き取る方法に限られず、例えば折りたたむ方法などであっても良い。
図16(A)及び図16(B)に示した電子ペーパー200は一例に過ぎず、本発明の表示装置はこれに限定されない。例えば、不使用時にはロール状にコンパクトに巻き取ることができ、使用する際には巻き出して天井などから吊り下げることが可能なロールスクリーン型の大画面テレビであっても良い。あるいは、湾曲した壁面(例えば円柱状の柱)に貼り付けることができる屋外広告装置であっても良い。
本発明の発光デバイスは、高信頼性でフレキシブルであるので、薄型軽量で多少の衝撃や曲げに対して破損しない表示装置を備えた各種電子機器などに広範囲に利用することができる。
図1は、本発明の実施の形態1に係る発光デバイスの概略構成を示した断面図である。 図2は、本発明の実施の形態1に係る発光デバイスの製造方法を工程順に示した断面図である。 図3は、本発明の実施の形態1に係る別の発光デバイスの概略構成を示した断面図である。 図4は、本発明の実施の形態2に係る発光デバイスの概略構成を示した断面図である。 図5は、本発明の実施の形態2に係る発光デバイスの製造方法を工程順に示した断面図である。 図6は、本発明の実施の形態2に係る発光デバイスの製造方法を工程順に示した断面図である。 図7は、本発明の実施の形態2に係る発光デバイスの製造方法を工程順に示した断面図である。 図8は、本発明の実施の形態2に係る別の発光デバイスの製造方法の一工程を示した断面図である。 図9は、本発明の実施の形態2に係る発光デバイスの更に別の製造方法を工程順に示した断面図である。 図10は、本発明の実施の形態2に係る発光デバイスの更に別の製造方法を工程順に示した断面図である。 図11は、本発明の実施の形態2に係る別の発光デバイスの概略構成を示した断面図である。 図12は、本発明の実施の形態3に係る発光デバイスの概略構成を示した断面図である。 図13は、本発明の実施の形態3に係る発光デバイスの製造方法を工程順に示した断面図である。 図14は、本発明の実施の形態3に係る発光デバイスの製造方法を工程順に示した断面図である。 図15は、本発明の実施の形態3に係る別の発光デバイスの概略構成を示した断面図である。 図16(A)は本発明の発光デバイスを用いた電子ペーパの概略構成を示した断面図、(B)はその斜視図である。
符号の説明
10,30,40,50,90,100 発光デバイス
11,41,43,91 ガラス基材
12,42,42a,42b,42c,92 素子
13,17,47a,47b,97a,97b 可撓性を有する基板
14,44 封止樹脂層
15,45a,45b,95 キャリア基板
16,46a,46b,96 接着層
18,48a,48b,98a,98b 接着層
93 封止層
49,99 粘着シート
200 電子ペーパー
201 発光デバイス
210 収納ケース
211 ケース本体
212 扉

Claims (19)

  1. 厚さ100μm以下の第1ガラス基材と、厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板と、前記第1ガラス基材上に形成された素子とを備えた発光デバイスであって、
    前記素子は、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含み、
    前記第1ガラス基材の厚みは、前記素子が形成された時の前記第1ガラス基材の厚みと同じであることを特徴とする発光デバイス。
  2. 前記第1ガラス基材上に形成された前記素子の上面は前記第1基板で覆われている請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記第1基板が前記素子を封止する機能を有している請求項2に記載の発光デバイス。
  4. 前記第1ガラス基材の前記素子が形成された面とは反対側の面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板が接着されている請求項2に記載の発光デバイス。
  5. 前記第1ガラス基材上に形成された前記素子の上面は、厚さ100μm以下の第2ガラス基材で覆われており、
    前記第1基板は、前記第1ガラス基材の前記第2ガラス基材とは反対側の面又は前記第2ガラス基材の前記第1ガラス基材とは反対側の面に接着されている請求項1に記載の発光デバイス。
  6. 前記第2ガラス基材の前記第1ガラス基材に対向する側の面上に第2素子が形成されており、
    前記第2素子は、形成温度が150℃以上の少なくとも1つの有機材料を含み、
    前記第2ガラス基材の厚みは、前記第2素子が形成された時の前記第2ガラス基材の厚みと同じである請求項5に記載の発光デバイス。
  7. 前記第1ガラス基材の前記第2ガラス基材とは反対側の面及び前記第2ガラス基材の前記第1ガラス基材とは反対側の面のうち、前記第1基板が接着されていない面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板が接着されている請求項5に記載の発光デバイス。
  8. 前記第1ガラス基材上に形成された前記素子の上面は可撓性を有する封止層で覆われており、
    前記第1基板は、前記第1ガラス基材の前記素子が形成された面とは反対側の面に接着されている請求項1に記載の発光デバイス。
  9. 前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に、厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板が接着されている請求項8に記載の発光デバイス。
  10. 前記素子が有機エレクトロルミネッセンス素子を含む請求項1〜9のいずれかに記載の発光デバイス。
  11. 前記素子が有機薄膜トランジスタ素子を含む請求項1〜9のいずれかに記載の発光デバイス。
  12. 請求項1〜11のいずれかに記載の発光デバイスを用いた表示装置。
  13. (1)厚さ100μm以下のガラス基材の第1主面に厚板のキャリア基板を接着する工程と、
    (2)前記ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
    (3)前記ガラス基材の前記素子が形成された前記第2主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板を接着する工程と、
    (4)前記キャリア基板を前記ガラス基材から剥離する工程と
    を有することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
  14. (5)前記ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板を積層する工程
    を更に有する請求項13に記載の発光デバイスの製造方法。
  15. (1)厚さ100μm以下の第1ガラス基材の第1主面に厚板の第1キャリア基板を接着する工程と、
    (2)厚さ100μm以下の第2ガラス基材の第1主面に厚板の第2キャリア基板を接着する工程と、
    (3)前記第1ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面及び前記第2ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面のうちの少なくとも一方に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
    (4)前記第1ガラス基材の前記第2主面と前記第2ガラス基材の前記第2主面とを対向させて前記第1ガラス基材と前記第2ガラス基材とを前記素子を挟んで接着する工程と、
    (5)前記第1キャリア基板を前記第1ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と、
    (6)前記第1ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する基板を積層する工程と、
    (7)前記第2キャリア基板を前記第2ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と
    を有することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
  16. (1)厚さ100μm以下の第1ガラス基材の第1主面に厚板の第1キャリア基板を接着する工程と、
    (2)前記第1ガラス基材の前記第1主面と反対側の第2主面に、形成温度が150℃以上の少なくとも一つの有機材料を含む素子を形成する工程と、
    (3)前記第1ガラス基材の前記素子が形成された前記第2主面に封止層を積層する工程と、
    (4)前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に支持体を積層する工程と、
    (5)前記第1キャリア基板を前記第1ガラス基材の前記第1主面から剥離する工程と、
    (6)前記素子が形成された前記第1ガラス基材の前記第1主面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第1基板を積層する工程と、
    (7)前記支持体を前記封止層から剥離する工程と
    を有することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
  17. 前記封止層が厚さ100μm以下の第2ガラス基材を含む請求項16に記載の発光デバイスの製造方法。
  18. (8)前記封止層の前記第1ガラス基材とは反対側の面に厚さ100μm以上の可撓性を有する第2基板を積層する工程
    を更に有する請求項16に記載の発光デバイスの製造方法。
  19. 前記キャリア基板を剥離する工程が、前記キャリア基板の接着力を低下させる工程を含む請求項13、15、及び16のいずれかに記載の発光デバイスの製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009136305A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reelable oled curtain
JP2010231979A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器
JP2014506380A (ja) * 2010-12-27 2014-03-13 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子用基板及びその製造方法
WO2015029806A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
JPWO2014136259A1 (ja) * 2013-03-08 2017-02-09 パイオニア株式会社 発光素子
JP2017139234A (ja) * 2017-04-07 2017-08-10 パイオニア株式会社 発光素子
JP2018029084A (ja) * 2012-07-05 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
US20040115852A1 (en) * 2002-12-14 2004-06-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
JP2004205601A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2005100895A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置、電気光学装置を搭載した電子機器、および液滴吐出装置
JP2005209756A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Sony Corp 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006024530A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法
JP2006220757A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Asahi Glass Co Ltd 薄板ガラス積層体及び薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法
JP2009516863A (ja) * 2005-11-22 2009-04-23 コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク 複数の薄膜部品を含むスクリーン形の可撓性電子デバイスを製造する方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
US20040115852A1 (en) * 2002-12-14 2004-06-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
JP2004205601A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2005100895A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置、電気光学装置を搭載した電子機器、および液滴吐出装置
JP2005209756A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Sony Corp 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006024530A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法
JP2006220757A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Asahi Glass Co Ltd 薄板ガラス積層体及び薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法
JP2009516863A (ja) * 2005-11-22 2009-04-23 コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク 複数の薄膜部品を含むスクリーン形の可撓性電子デバイスを製造する方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009136305A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reelable oled curtain
JP2010231979A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器
JP2014506380A (ja) * 2010-12-27 2014-03-13 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子用基板及びその製造方法
JP2018029084A (ja) * 2012-07-05 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2021182553A (ja) * 2012-07-05 2021-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020004739A (ja) * 2012-07-05 2020-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN108511615B (zh) * 2013-03-08 2020-03-03 日本先锋公司 发光元件
US10665795B2 (en) 2013-03-08 2020-05-26 Pioneer Corporation Top emission type light emitting element
US11637253B2 (en) 2013-03-08 2023-04-25 Pioneer Corporation Light emitting element including flexible plate-like portion and fixation member fixing flexible plate-like portion
US10937977B2 (en) 2013-03-08 2021-03-02 Pioneer Corporation Top emission type light emitting element
JPWO2014136259A1 (ja) * 2013-03-08 2017-02-09 パイオニア株式会社 発光素子
CN108511615A (zh) * 2013-03-08 2018-09-07 日本先锋公司 发光元件
US10374176B2 (en) 2013-03-08 2019-08-06 Pioneer Corporation Flexible organic electro-luminescence element
US10442172B2 (en) 2013-08-30 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
US9333736B2 (en) 2013-08-30 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
CN105493631A (zh) * 2013-08-30 2016-04-13 株式会社半导体能源研究所 叠层体的加工装置及加工方法
US9682544B2 (en) 2013-08-30 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
CN105493631B (zh) * 2013-08-30 2017-11-24 株式会社半导体能源研究所 叠层体的加工装置及加工方法
WO2015029806A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
JP2017139234A (ja) * 2017-04-07 2017-08-10 パイオニア株式会社 発光素子

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