JP2008091910A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ1には、電磁放射を発生させるための活性領域3を含む半導体層列2と、高次のモードを減衰させるための吸収領域4が設けられており、この吸収領域4は半導体層列2内に配置されているかまたは半導体層列2に接している。
【選択図】図1
Description
図5bに示されている吸収領域4もリッジ6に沿って両側に広がっており、長手方向で互いに規則的な間隔で配置された等しい大きさの矩形としてパターニングされている。
図5cに示されている吸収領域4もリッジ6に沿って両側に広がっており、長手方向で互いに不規則な間隔で配置された大きさの異なる矩形としてパターニングされている。
Claims (37)
- 半導体レーザ(1)において、
電磁放射を発生させるための活性領域(3)を含む半導体層列(2)と、
高次のモードを減衰させるための吸収領域(4)が設けられており、該吸収領域(4)は半導体層列(2)内に配置されているかまたは半導体層列(2)に接していることを特徴とする、
半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は吸収性の材料を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1または2記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)の吸収度は材料組成によって調整されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項2または3記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収性材料は酸化物または窒化物であり、たとえばITOまたはSi,Ti,Al,Ga,Nb,Zr,Ta,Hf,Zn,Mg,Rh,Inの酸化物または窒化物であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項2から4のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収性材料の材料組成は非化学量論的であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項2から5のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は誘電材料を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から6のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は電気的に絶縁性であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項7記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は電流を絞るために用いられることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から3のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は吸収特性をもつ半導体材料を含むことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項9記載の半導体レーザ(1)において、
前記半導体材料はAlnGamIn1-n-mP,AlnGamIn1-n-mAsまたはAlnGamIn1-n-mNを有しており、ここで0≦n≦1、0≦m≦1およびn+m≦1であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項9記載の半導体レーザ(1)において、
前記半導体材料はSiまたはGeであることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項9から11のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収特性をもつ半導体材料はドーピングされていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項12記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)の吸収度はドーピングによって調整されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項12または13記載の半導体レーザ(1)において、
前記ドーピングされた半導体材料はMgによってドーピングされていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)に吸収特性をもつ導入物が混合されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項15記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)の吸収度は前記導入物の割合によって調整されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項15または16記載の半導体レーザ(1)において、
前記導入物は原子、クラスターまたは粒子であり、これらは金属、半導体材料または有機材料から成るかまたはそれらを含むことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項17記載の半導体レーザ(1)において、
前記導入物はTi,Pt,SiまたはCから成るか、またはそれらを含むことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項15から18のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は酸化物または窒化物であり、たとえばITOまたはSi,Ti,Al,Ga,Nb,Zr,Ta,Hf,Zn,Mg,Rh,Inの酸化物または窒化物またはポリイミドであることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は超格子を有しており、該超格子は吸収性の材料を含む少なくとも1つの層と吸収性の僅かな材料を含む少なくとも1つの層から成る層列によって形成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体材料(1)において、
前記吸収領域(4)の吸収度は、拡散による該吸収領域(4)への吸収材料の取り込みまたは該吸収領域(4)からの吸収材料の取り出しによって調整されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から21のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)に構造が与えられていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項22記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は点状、ストライプ状またはフィールドライン状の構造を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から23のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は前記半導体層列(2)の中に配置されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項24記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)はエピタキシャル成長により形成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は前記半導体層列(2)に隣接していることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項26記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は、前記半導体層列(2)の結晶構造を変えることで該半導体層列(2)に続く層により形成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項27記載の半導体レーザ(1)において、
前記結晶構造はプラズマ作用または熱作用により変更されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項26記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は金属層から成ることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項29記載の半導体レーザ(1)において、
前記金属層は仕事関数の小さい金属たとえばTiまたはCrを含むことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項26からから30のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)において前記半導体層列(2)とは反対側に電気的絶縁層(7)が配置されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項31記載の半導体レーザ(1)において、
前記絶縁層(7)は前記吸収領域(4)とは異なる屈折率を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項26記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は吸収を電気的に調整するための金属コンタクト(8)を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から33のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
リッジレーザであることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項34記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は横方向に延在していることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項34または35記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)は垂直方向で前記活性領域(3)に対し間隔がおかれていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から36のいずれか1項記載の半導体レーザ(1)において、
前記吸収領域(4)はスパッタリング、蒸着、エピタキシャル成長またはプラズマ被層によって生成されることを特徴とする半導体レーザ。
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