JPWO2014050230A1 - 高次モードフィルタ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態を、図3を用いて説明する。図3は、第1の実施形態における高次モードフィルタの概略断面図である。メサ領域4の全域に不純物ドーピングが施されている。仮にメサ領域4に不純物ドーピングが施されていない場合には、リブ導波路3中から除去された高次モード光は、スラブ領域1、メサ領域4、クラッド領域、基板等を通して周囲に散逸し、光学素子中に大量の迷光が発生する。これに対し、図3に示す本実施形態の高次モードフィルタにおいては、メサ領域4に不純物ドーピングによって光吸収機能が付与されているため、リブ導波路3中から除去された高次モード光は、メサ領域4に吸収され、そのほとんどが光エネルギーから熱エネルギーに変換される。従って、迷光の発生が抑制される。
次に、本発明の高次モードフィルタの第2の実施形態を図4に示す。本実施形態では、メサ領域4が、上方のドーピング領域4aと、ドーピング領域4aの下部に隣接する高さDndの非ドーピング領域4bとからなる。この構成によると、高次モード光の電界が非ドーピング領域4bを通してメサ領域4へと侵入し、効果的に高次モード光をドーピング領域4aで吸収させることが可能である。
0<Dnd<Ds・・・(1)
何故ならば、この条件を満たすとき、スラブ領域1へ染み出した基本モード光の電界は、スラブ領域1の上面よりも下方へ張り出した低屈折率のドーピング領域4aの存在によって、より突起部2の近傍に閉じ込められるからである。
本発明の高次モードフィルタの第3の実施形態を図6に示す。本実施形態では、メサ領域4が、突起部2に近接して対向する非ドーピング領域4bと、その外側に位置するドーピング領域4aとからなる。発明者の理論計算によると、本実施形態では、メサ領域4の内側端に位置する非ドーピング領域4bは、屈折率の低下したドーピング領域4aを側部クラッドとして、メサ領域4を導波する光導波路のコアとなり得ることが判明した。このように、メサ領域4の非ドーピング領域4bをコアとしドーピング領域4aをクラッドとする光導波路を光が導波する光モードを、「メサ領域導波モード」と呼ぶ。すなわち、この構成においては、リブ導波路3(突起部)を導波する基本モード(リブ導波路基本モード)の光と、リブ導波路3(突起部)を導波する高次モード(リブ導波路高次モード)の光と、メサ領域4を導波する基本モードの光と、メサ領域4を導波する高次モードの光とが存在する。このうち、リブ導波路3(突起部)を導波する高次モードの光を除去することが求められている。メサ領域4を導波する基本モードの光とメサ領域4を導波する高次モードの光は、いずれか一方を除去することが求められているわけではなく、両者を区別して取り扱う必要はないため、以下の説明ではこれらを総称して「メサ領域導波モード」と称する。
本発明の高次モードフィルタの第4の実施形態を図8に示す。本実施形態では、メサ領域4が、下方のドーピング領域4aと、ドーピング領域4aの上部に隣接する非ドーピング領域4bとからなる。この構成によると、メサ領域4の最上部の非ドーピング領域4bは、屈折率の低下したドーピング領域4aを下部クラッドとして、メサ領域導波モードのコアとなり得る。従って、第3の実施形態と同様に、突起部2が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、メサ領域4が無いと仮定したときの除去すべきリブ導波路高次モードの有効屈折率との差が、突起部2が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、メサ領域4が無いと仮定したときのリブ導波路基本モードの有効屈折率との差に比べて小さくなるようにすれば、基本モード損失を低く抑え、かつ高次モード光を効率的に除去することが可能である。また、光導波路中から除去された高次モード光は、不純物ドーピングによって付与された光吸収機能によってメサ領域4内で吸収され、迷光の発生を抑制することが可能となる。
本発明の高次モードフィルタの第5の実施形態を図9a,9bに示す。本実施形態では、図9aに示すように、メサ領域4が、突起部2に近接して対向するドーピング領域4aと、その外側に位置する非ドーピング領域4bとからなる。本実施形態では、メサ領域4の外側端に位置する非ドーピング領域4bは、屈折率の低下したドーピング領域4aを側部クラッドとして、メサ領域4を導波する光導波路のコアとなり得る。従って、突起部2が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、メサ領域4が無いと仮定したときの除去すべきリブ導波路高次モードの有効屈折率との差が、突起部2が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、メサ領域4が無いと仮定したときのリブ導波路基本モードの有効屈折率との差に比べて小さくなるようにすれば、基本モード損失を低く抑え、かつ高次モード光を効率的に除去することが可能である。また、光導波路中から除去された高次モード光は、不純物ドーピングによって付与された光吸収機能によってメサ領域4内で吸収され、迷光の発生を抑制することが可能となる。
Dm=H・・・(2)
しかしながら、Dm>HまたはDm<Hの場合であっても、本発明によると同様な効果が得られる。ただし、Dm=Hの場合には、リブ導波路3の形成とメサ領域4の形成とを同時に一括して行えるため、メサ領域4の形成のためのプロセスが追加されることがない。具体的には、例えば、1回のエッチングマスク形成プロセスと1回のエッチングプロセスと1回のエッチングマスク除去プロセスによって、突起部2とメサ領域4とを同時に形成できる。従って、作製の容易さを求める場合は、Dm=Hであることが望ましい。
Nd≧Nth・・・(5)
そして、非ドーピング領域4bは以下の式(6)が成り立つ領域である。
Nd<Nth・・・(6)
Nthの値は、高次モードフィルタに要求される性能や導波路3の材料に依存し、例えば、上述の計算で用いたシリコンからなるリブ導波路3の場合、およそNth=1019cm-3である。なお、ドーピング領域4aと非ドーピング領域4bの境界近傍では、ドーピング濃度Ndが緩やかに変化していてもよい。
板状のスラブ領域と、
前記スラブ領域上に、光の導波方向に沿って帯状に形成された突起部と、
前記スラブ領域の両側方のうちの一方または両方に設けられ、前記スラブ領域の底面と等しい高さに位置する底面、および前記スラブ領域の上面よりも高い位置にある上面を有するメサ領域と、を有し、
前記突起部と前記スラブ領域と前記メサ領域とは同一の材料からなり、
前記メサ領域は、前記材料への不純物ドーピングによって光吸収機能が付与されたドーピング領域を含む
リブ導波路型の高次モードフィルタ。
前記ドーピング領域は、前記不純物ドーピングによって、周囲の前記材料よりも屈折率が低下しており、
前記メサ領域は、前記ドーピング領域の上方と下方と右側方と左側方のうちの少なくとも一つに位置する非ドーピング領域を含む、付記1に記載の高次モードフィルタ。
前記メサ領域内において、前記非ドーピング領域が前記ドーピング領域の下方に設けられており、前記非ドーピング領域の高さDndと前記スラブ領域の厚さDsが、0<Dnd<Dsの関係を満たす、付記2に記載の高次モードフィルタ。
前記ドーピング領域に隣接して形成された前記非ドーピング領域が、前記メサ領域内で光を導波させるコアとなり、
前記突起部が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、前記メサ領域が無いと仮定したときの、前記突起部を導波する除去すべき高次モードの有効屈折率との差が、前記突起部が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、前記メサ領域が無いと仮定したときの、前記突起部を導波する基本モードの有効屈折率との差に比べて小さくなるように、前記非ドーピング領域のサイズおよび前記メサ領域の幅が設定されている、付記2または3に記載の高次モードフィルタ。
前記ドーピング領域と前記非ドーピング領域の少なくとも一つの位置またはサイズが、前記突起部内を光が導波する方向に沿って一様ではなく変化している、付記2から4のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記ドーピング領域と前記非ドーピング領域の少なくとも一つが、前記突起部の両側方でそれぞれ異なる位置、形状、またはサイズを有する非対称構造である、付記2から5のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記メサ領域の高さDmと、前記スラブ領域の厚さと前記突起部の高さの和であるリブ導波路高さHが、Dm=Hの関係を満たす、付記1から6のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記突起部と前記スラブ領域と前記メサ領域がシリコンからなる、付記1から7のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記ドーピング領域は、不純物ドーピング濃度NdがNd≧10の領域である、付記8に記載の高次モードフィルタ。
前記メサ領域と前記突起部の少なくとも一つの位置またはサイズが、前記突起部内を光が導波する方向に沿って一様ではなく変化している、付記1から9のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記メサ領域が、前記突起部の両側方でそれぞれ異なる位置、形状、またはサイズを有する非対称構造である、付記1から10のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記突起部は曲線状に形成されている、付記1から11のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
前記突起部は、始端部または終端部の少なくとも一方において幅が連続的に変化するテーパー構造を有する、付記1から12のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
2 突起部
3 光導波路(リブ導波路)
4 メサ領域
4a ドーピング領域
4b 非ドーピング領域
Claims (10)
- 板状のスラブ領域と、
前記スラブ領域上に、光の導波方向に沿って帯状に形成された突起部と、
前記スラブ領域の両側方のうちの一方または両方に設けられ、前記スラブ領域の底面と等しい高さに位置する底面、および前記スラブ領域の上面よりも高い位置にある上面を有するメサ領域と、を有し、
前記突起部と前記スラブ領域と前記メサ領域とは同一の材料からなり、
前記メサ領域は、前記材料への不純物ドーピングによって光吸収機能が付与されたドーピング領域を含む
リブ導波路型の高次モードフィルタ。 - 前記ドーピング領域は、前記不純物ドーピングによって、周囲の前記材料よりも屈折率が低下しており、
前記メサ領域は、前記ドーピング領域の上方と下方と右側方と左側方のうちの少なくとも一つに位置する非ドーピング領域を含む、請求項1に記載の高次モードフィルタ。 - 前記メサ領域内において、前記非ドーピング領域が前記ドーピング領域の下方に設けられており、前記非ドーピング領域の高さDndと前記スラブ領域の厚さDsが、0<Dnd<Dsの関係を満たす、請求項2に記載の高次モードフィルタ。
- 前記ドーピング領域に隣接して形成された前記非ドーピング領域が、前記メサ領域内で光を導波させるコアとなり、
前記突起部が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、前記メサ領域が無いと仮定したときの、前記突起部を導波する除去すべき高次モードの有効屈折率との差が、前記突起部が無いと仮定したときのメサ領域導波モードの有効屈折率と、前記メサ領域が無いと仮定したときの、前記突起部を導波する基本モードの有効屈折率との差に比べて小さくなるように、前記非ドーピング領域のサイズおよび前記メサ領域の幅が設定されている、請求項2または3に記載の高次モードフィルタ。 - 前記ドーピング領域と前記非ドーピング領域の少なくとも一つの位置またはサイズが、前記突起部内を光が導波する方向に沿って一様ではなく変化している、請求項2から4のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
- 前記ドーピング領域と前記非ドーピング領域の少なくとも一つが、前記突起部の両側方でそれぞれ異なる位置、形状、またはサイズを有する非対称構造である、請求項2から5のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
- 前記メサ領域の高さDmと、前記スラブ領域の厚さと前記突起部の高さの和であるリブ導波路高さHが、Dm=Hの関係を満たす、請求項1から6のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
- 前記突起部と前記スラブ領域と前記メサ領域がシリコンからなる、請求項1から7のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
- 前記メサ領域と前記突起部の少なくとも一つの位置またはサイズが、前記突起部内を光が導波する方向に沿って一様ではなく変化している、請求項1から8のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
- 前記メサ領域が、前記突起部の両側方でそれぞれ異なる位置、形状、またはサイズを有する非対称構造である、請求項1から9のいずれか1項に記載の高次モードフィルタ。
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